"Физика и техника полупроводников"
Вышедшие номера
Общее количество статей:
10472
Распределение статей по годам:
517
490
469
411
345
329
302
266
295
311
285
292
278
262
263
259
256
277
251
260
244
294
288
284
279
295
305
301
303
316
330
309
287
219

Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов. Дата начала обработки информации по просмотрам - 27 января 2016 г.

За 2012 год:
Статья
Просмотров
Статья
Просмотров
Автор
Организация
Статей
Теруков Е.И.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
10
Тарасов И.С.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
8
Жуков А.Е.
Санкт-Петербургский Академический университет --- научно-образовательный центр нанотехнологий Российской академии наук, Санкт-Петербург, Россия
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
8
Максимов М.В.
Санкт-Петербургский Академический университет --- научно-образовательный центр нанотехнологий Российской академии наук, Санкт-Петербург, Россия
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
7
Гавриленко В.И.
Институт физики микроструктур Российской академии наук, Нижний Новгород, Россия
7
Винокуров Д.А.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
6
Садофьев Ю.Г.
Физический институт им. П.Н. Лебедева Российской академии наук, Москва, Россия
6
Красильник З.Ф.
Институт физики микроструктур Российской академии наук, Нижний Новгород, Россия
6
Дроздов Ю.Н.
Институт физики микроструктур Российской академии наук, Нижний Новгород, Россия
6
Байдусь Н.В.
Научно-исследовательский физико-технический институт Нижегородского государственного университета им. Н.И. Лобачевского, Нижний Новгород, Россия
6
Конакова Р.В.
Институт физики полупроводников им. В.Е. Лашкарева Национальной академии наук Украины, Киев, Украина
5
Савельев А.В.
Санкт-Петербургский Академический университет --- научно-образовательный центр нанотехнологий Российской академии наук, Санкт-Петербург, Россия
5
Крыжков Д.И.
Институт физики микроструктур Российской академии наук, Нижний Новгород, Россия
5
Морозов С.В.
Институт физики микроструктур Российской академии наук, Нижний Новгород, Россия
5
Новиков А.В.
Институт физики микроструктур Российской академии наук, Нижний Новгород, Россия
5
Дроздов М.Н.
Институт физики микроструктур Российской академии наук, Нижний Новгород, Россия
5
Звонков Б.Н.
Научно-исследовательский физико-технический институт Нижегородского государственного университета им. Н.И. Лобачевского, Нижний Новгород, Россия
5
Баграев Н.Т.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
4
Беляев А.Е.
Институт физики полупроводников им. В.Е. Лашкарева Национальной академии наук Украины, Киев, Украина
4
Крыжановская Н.В.
Санкт-Петербургский Академический университет --- научно-образовательный центр нанотехнологий Российской академии наук, Санкт-Петербург, Россия
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
Cанкт-Петербургский государственный политехнический университет, Санкт-Петербург, Россия
4
Грузинцев А.Н.
Институт проблем технологии микроэлектроники Российской академии наук, Черноголовка, Россия
4
Боднарь И.В.
Белорусский государственный университет информатики и радиоэлектроники, Минск, Беларусь
4
Давыдов С.Ю.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
4
Немов С.А.
Государственный политехнический университет, Санкт-Петербург, Россия
4
Рудь В.Ю.
Санкт-Петербургский государственный политехнический университет, Санкт-Петербург, Россия
4
Рудь Ю.В.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
4
Соколова З.Н.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
4
Пихтин Н.А.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
4
Слипченко С.О.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
4
Станкевич А.Л.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
4
Шерняков Ю.М.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
4
Зубов Ф.И.
Санкт-Петербургский Академический университет --- научно-образовательный центр нанотехнологий Российской академии наук, Санкт-Петербург, Россия
4
Цырлин Г.Э.
Институт аналитического приборостроения Российской академии наук, Санкт-Петербург, Россия
Санкт-Петербургский Академический университет --- научно-образовательный центр нанотехнологий Российской академии наук, Санкт-Петербург, Россия
4
Тихов С.В.
Нижегородский государственный университет им. Н.И. Лобачевского, Нижний Новгород, Россия
4
Клячкин Л.Е.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
3
Маляренко А.М.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
3
Иванов П.А.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
3
Саченко А.В.
Институт физики полупроводников им. В.Е. Лашкарева Национальной академии наук Украины, Киев, Украина
3
Кудрик Я.Я.
Институт физики полупроводников им. В.Е. Лашкарева Национальной академии наук Украины, Киев, Украина
3
Шеремет В.Н.
Институт физики полупроводников им. В.Е. Лашкарева Национальной академии наук Украины, Киев, Украина
3
Тагиев Б.Г.
Институт физики Национальной академии наук Азербайджана, Баку, Азербайджан
3
Асадуллаева С.Г.
Институт физики Национальной академии наук Азербайджана, Баку, Азербайджан
3
Миленин В.В.
Институт физики полупроводников им. В.Е. Лашкарева Национальной академии наук Украины, Киев, Украина
3
Загороднев В.Н.
Институт проблем технологии микроэлектроники Российской академии наук, Черноголовка, Россия
3
Садыков Н.Р.
Филиал Южно-Уральского государственного университета, Снежинск, Россия
3
Скоркин Н.А.
Снежинский физико-технический институт --- филиал Национального исследовательского ядерного университета "МИФИ", Снежинск, Челябинская обл., Россия
3
Ковалюк З.Д.
Институт проблем материаловедения им. И.Н. Францевича Национальной академии наук Украины, Черновицкое отделение, Черновцы, Украина
3
Унтила Г.Г.
Научно-исследовательский институт ядерной физики им. Д.В. Скобельцына Московского государственного университета им. М.В. Ломоносова, Москва, Россия
3
Кост Т.Н.
Научно-исследовательский институт ядерной физики им. Д.В. Скобельцына Московского государственного университета им. М.В. Ломоносова, Москва, Россия
3
Чеботарёва А.Б.
Научно-исследовательский институт ядерной физики им. Д.В. Скобельцына Московского государственного университета им. М.В. Ломоносова, Москва, Россия
3
Шашкин И.С.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
3
Литвин О.С.
Институт физики полупроводников им. В.Е. Лашкарева Национальной академии наук Украины, Киев, Украина
3
Стрельчук В.В.
Институт физики полупроводников им. В.Е. Лашкарева Национальной академии наук Украины, Киев, Украина
3
Ушакова Т.Н.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
3
Чалдышев В.В.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
3
Лютецкий А.В.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
3
Николаев Д.Н.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
3
Шамахов В.В.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
3
Яблонский А.Н.
Институт физики микроструктур Российской академии наук, Нижний Новгород, Россия
3
Курицын Д.И.
Институт физики микроструктур Российской академии наук, Нижний Новгород, Россия
3
Антонов А.В.
Институт физики микроструктур Российской академии наук, Нижний Новгород, Россия
3
Михайлов Н.Н.
Институт физики полупроводников им. А.В. Ржанова Сибирского отделения Российской академии наук, Новосибирск, Россия
3
Юрасов Д.В.
Институт физики микроструктур Российской академии наук, Нижний Новгород, Россия
3
Werner P.
Max Planck Institute of Microstructure Physics, Halle(Saale), Germany
3
Бирюков А.А.
Научно-исследовательский физико-технический институт Нижегородского государственного университета им. Н.И. Лобачевского, Нижний Новгород, Россия
3
Даниловский Э.Ю.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
2
Романов В.В.
Санкт-Петербургский государственный политехнический университет, Санкт-Петербург, Россия
2
Брилинская Е.С.
Санкт-Петербургский государственный политехнический университет, Санкт-Петербург, Россия
2
Машков В.А.
Санкт-Петербургский государственный политехнический университет, Санкт-Петербург, Россия
2
Грушко Е.В.
Черновицкий национальный университет, Черновцы, Украина
2
Светличный В.М.
Институт высокомолекулярных соединений Российской академии наук, Санкт-Петербург, Россия
2
Александрова Е.Л.
Физико-техничеcкий институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук, Санкт-Петербург, Россия
2
Мягкова Л.А.
Институт высокомолекулярных соединений Российской академии наук, Санкт-Петербург, Россия
2
Матюшина Н.В.
Институт высокомолекулярных соединений Российской академии наук, Санкт-Петербург, Россия
2
Грехов И.В.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
2
Потапов А.С.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
2
Самсонова Т.П.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
2
Болтовец Н.С.
Государственное предприятие НИИ "Орион", Киев, Украина
2
Иванов В.Н.
Государственное предприятие НИИ "Орион", Киев, Украина
2
Новицкий С.В.
Институт физики полупроводников им. В.Е. Лашкарева Национальной академии наук Украины, Киев, Украина
2
Валишева Н.А.
Институт физики полупроводников им. А.В. Ржанова Сибирского отделения Российской академии наук, Новосибирск, Россия
2
Терещенко О.Е.
Институт физики полупроводников им. А.В. Ржанова Сибирского отделения Российской академии наук, Новосибирск, Россия
Новосибирский государственный университет, Новосибирск, Россия
2
Авачев А.П.
Рязанский государственный радиотехнический университет, Рязань, Россия
2
Вихров С.П.
Рязанский государственный радиотехнический университет, Рязань, Россия
2
Николенко А.С.
Институт физики полупроводников им. В.Е. Лашкарева Национальной академии наук Украины, Киев, Украина
2
Кладько В.П.
Институт физики полупроводников им. В.Е. Лашкарева Национальной академии наук Украины, Киев, Украина
2
Крючков С.В.
Волгоградский государственный социально-педагогический университет, Волгоград, Россия
Волгоградский государственный технический университет, Волгоград, Россия
2
Ильинская Н.Д.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
2
Закгейм А.Л.
Научно-технологический центр микроэлектроники и субмикронных гетероструктур при Физико-техническом институте им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук, Санкт-Петербург, Россия
2
Карандашев С.А.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
2
Матвеев Б.А.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
2
Ременный М.А.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
2
Рыбальченко А.Ю.
Южно-Российский государственный технический университет (Новочеркасский политехнический институт), Новочеркасск, Россия
2
Стусь Н.М.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
2
Черняков А.Е.
Научно-технологический центр микроэлектроники и субмикронных гетероструктур при Физико-техническом институте им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук, Санкт-Петербург, Россия
2
Тагиев О.В.
Институт физики Национальной академии наук Азербайджана, Баку, Азербайджан
Филиал МГУ им. М.В. Ломоносова, A Баку, Азербайджан
2
Атакулов Ш.Б.
Ферганский государственный университет, Фергана, Республика Узбекистан
2
Зайнолобидинова С.М.
Ферганский государственный университет, Фергана, Республика Узбекистан
2
Набиев Г.А.
Ферганский политехнический институт, Фергана, Узбекистан
2
Тухтаматов О.А.
Ферганский государственный университет, Фергана, Республика Узбекистан
2
Арсентьев И.Н.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
2
Емельянов А.В.
Московский государственный университет им. М.В. Ломоносова (физический факультет), Москва, Россия
2
Кашкаров П.К.
Московский государственный университет им. М.В. Ломоносова (физический факультет), Москва, Россия
Национальный исследовательский центр "Курчатовский институт", Москва, Россия
2
Коньков О.И.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
2
Зегря Г.Г.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
2
Новиков В.А.
Национальный исследовательский Томский государственный университет, Томск, Россия
2
Бобыль А.В.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
2
Устинов В.М.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
2
Саксеев Д.А.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
2
Tchernycheva M.
CNRS-LPN, Route de Nozay, Marcoussis, France
Institute d'Electronique Fondamentale, Universite Paris-Sud F Orsay, France
Санкт-Петербургский национальный исследовательский Академический университет имени Ж.И. Алфёрова Российской академии наук, Санкт-Петербург, Россия
2
Patriarche G.
CNRS-LPN, Route de Nozay, Marcoussis, France
2
Дубровский В.Г.
Санкт-Петербургский государственный университет, Санкт-Петербург, Россия
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
Санкт-Петербургский национальный исследовательский Академический университет имени Ж.И. Алфёрова Российской академии наук, Санкт-Петербург, Россия
2
Аверкиев Н.С.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
2
Степанов Н.П.
Забайкальский государственный гуманитарно-педагогический университет им. Н.Г. Чернышевского, Чита, Россия
2
Наливкин В.Ю.
Забайкальский государственный университет, Чита, Россия
2
Комолов А.С.
Санкт-Петербургский государственный университет, физический факультет, Санкт-Петербург, Россия
2
Лазнева Э.Ф.
Санкт-Петербургский государственный университет, физический факультет, Санкт-Петербург, Россия
2
Комолов С.А.
Санкт-Петербургский государственный университет, физический факультет, Санкт-Петербург, Россия
2
Калыгина В.М.
Сибирский физико-технический институт им. акад. В.Д. Кузнецова Томского государственного университета, Томск, Россия
2
Зарубин А.Н.
Сибирский физико-технический институт им. акад. В.Д. Кузнецова Томского государственного университета, Томск, Россия
2
Петрова Ю.С.
Сибирский физико-технический институт им. акад. В.Д. Кузнецова Томского государственного университета, Томск, Россия
2
Толбанов О.П.
Сибирский физико-технический институт им. акад. В.Д. Кузнецова Томского государственного университета, Томск, Россия
2
Тяжев А.В.
Сибирский физико-технический институт им. акад. В.Д. Кузнецова Томского государственного университета, Томск, Россия
2
Егоров А.Ю.
Санкт-Петербургский Академический университет --- научно-образовательный центр нанотехнологий Российской академии наук, Санкт-Петербург, Россия
2
Аракчеева Е.М.
Санкт-Петербургский Академический университет --- научно-образовательный центр нанотехнологий Российской академии наук, Санкт-Петербург, Россия
2
Асрян Л.В.
Virginia Polytechnic Institute and State University, Blacksburg, Virginia, USA
2
Камилов И.К.
Институт физики им. Х.И. Амирханова Дагестанского научного центра РАН, Махачкала, Россия
2
Свешников Ю.Н.
ЗАО "Элма-Малахит" --- ДО ОАО "Концерн Энергомера", Москва, Зеленоград, Россия
2
Леньшин А.С.
Воронежский государственный университет, Воронеж, Россия
2
Середин П.В.
Воронежский государственный университет, Воронеж, Россия
2
Федяева О.А.
Омский государственный технический университет, Омск, Россия
2
Rogl P.
Институт физической химии Венского университета, А- Вена, Австрия
2
Стаднык Ю.В.
Львовский национальный университет им. Ивана Франко, Львов, Украина
2
Ромака В.В.
Национальный университет "Львовская политехника", Львов, Украина
2
Hlil E.K.
Институт Нееля Национального центра научных исследований, Гренобль, Франция
2
Горынь А.М.
Львовский национальный университет им. Ивана Франко, Львов, Украина
2
Брус В.В.
Институт проблем материаловедения им. И.Н. Францевича Национальной академии наук Украины, Черновицкое отделение, Черновцы, Украина
2
Ильинский А.В.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
2
Квашенкина О.Е.
Санкт-Петербургский государственный политехнический университет, Санкт-Петербург, Россия
2
Шадрин Е.Б.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
2
Закс М.Б.
ООО "Солнечный ветер", Краснодар, Россия
2
Ситников А.М.
ООО "Солнечный ветер", Краснодар, Россия
2
Солодуха О.И.
ООО "Солнечный ветер", Краснодар, Россия
2
Шварц М.З.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
2
Левинштейн М.Е.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
2
Растегаева М.Г.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
2
Житинская М.К.
Государственный политехнический университет, Санкт-Петербург, Россия
2
Благих Н.М.
Государственный политехнический университет, Санкт-Петербург, Россия
2
Шелимова Л.Е.
Институт металлургии и материаловедения им. А.А. Байкова Российской академии наук, Москва, Россия
2
Брунков П.Н.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
2
Цэндин К.Д.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
2
Лившиц Д.А.
Innolume GmbH, Дортмунд, Германия
2
Цацульников А.Ф.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
Научно-технологический центр микроэлектроники и субмикронных гетероструктур Российской академии наук, Санкт-Петербург, Россия
2
Заварин Е.Е.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
Научно-технологический центр микроэлектроники и субмикронных гетероструктур Российской академии наук, Санкт-Петербург, Россия
2
Сахаров А.В.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
Научно-технологический центр микроэлектроники и субмикронных гетероструктур Российской академии наук, Санкт-Петербург, Россия
2
Усов С.О.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
Научно-технологический центр микроэлектроники и субмикронных гетероструктур Российской академии наук, Санкт-Петербург, Россия
2
Мизеров М.Н.
Научно-технологический центр микроэлектроники и субмикронных гетероструктур Российской академии наук, Санкт-Петербург, Россия
2
Черкашин Н.А.
Center for Material Elaboration & Structural Studies (CEMES) of the National Center for Scientific Research (CNRS), Toulouse, France
2
Мынбаев К.Д.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
2
Якушев М.В.
Институт физики полупроводников им. А.В. Ржанова Сибирского отделения Российской академии наук, Новосибирск, Россия
2
Баженов Н.Л.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
2
Шиляев А.В.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
2
Сорочкин А.В.
Институт физики полупроводников им. А.В. Ржанова Сибирского отделения Российской академии наук, Новосибирск, Россия
2
Дворецкий С.А.
Институт физики полупроводников им. А.В. Ржанова Сибирского отделения Российской академии наук, Новосибирск, Россия
2
Румянцев В.В.
Институт физики микроструктур Российской академии наук, Нижний Новгород, Россия
2
Андреев Б.А.
Институт физики микроструктур Российской академии наук, Нижний Новгород, Россия
2
Кузнецов В.П.
Научно-исследовательский физико-технический институт Нижегородского государственного университета, Нижний Новгород, Россия
2
Гапонова Д.М.
Институт физики микроструктур Российской академии наук, Нижний Новгород, Россия
2
Маремьянин К.В.
Институт физики микроструктур Российской академии наук, Нижний Новгород, Россия
2
Данильцев В.М.
Институт физики микроструктур Российской академии наук, Нижний Новгород, Россия
2
Лобанов Д.Н.
Институт физики микроструктур Российской академии наук, Нижний Новгород, Россия
2
Кудрявцев К.Е.
Институт физики микроструктур Российской академии наук, Нижний Новгород, Россия
2
Шенгуров Д.В.
Институт физики микроструктур Российской академии наук, Нижний Новгород, Россия
2
Тимофеев В.Б.
Институт физики твердого тела Российской академии наук, Черноголовка, Московская обл., Россия
2
Романова Ю.Ю.
Институт физики микроструктур Российской академии наук, Нижний Новгород, Россия
2
Буравлев А.Д.
Санкт-Петербургский Академический университет --- научно-образовательный центр нанотехнологий Российской академии наук, Санкт-Петербург, Россия
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
2
Юнин П.А.
Институт физики микроструктур Российской академии наук, Нижний Новгород, Россия
2
Вихрова О.В.
Научно-исследовательский физико-технический институт Нижегородского государственного университета им. Н.И. Лобачевского, Нижний Новгород, Россия
2
Калентьева И.Л.
Научно-исследовательский физико-технический институт Нижегородского государственного университета им. Н.И. Лобачевского, Нижний Новгород, Россия
2
Хазанова С.В.
Нижегородский государственный университет им. Н.И. Лобачевского, Нижний Новгород, Россия
2
Павлова Е.Д.
Нижегородский государственный университет им. Н.И. Лобачевского, Нижний Новгород, Россия
2
Семисалова А.С.
Московский государственный университет им. М.В. Ломоносова (физический факультет), Москва, Россия
2
Перов Н.С.
Московский государственный университет им. М.В. Ломоносова (физический факультет), Москва, Россия
2
Кульбачинский В.А.
Московский государственный университет им. М.В. Ломоносова (физический факультет), Москва, Россия
Национальный исследовательский центр "Курчатовский институт", Москва, Россия
2
Храмова О.Д.
Институт проблем лазерных и информационных технологий РАН, Шатура, Россия
2
Данилов Ю.А.
Научно-исследовательский физико-технический институт Нижегородского государственного университета им. Н.И. Лобачевского, Нижний Новгород, Россия
2
Дегтярев В.Е.
Нижегородский государственный университет им. Н.И. Лобачевского, Нижний Новгород, Россия
2
Путято М.А.
Институт физики полупроводников им. А.В. Ржанова Сибирского отделения Российской академии наук, Новосибирск, Россия
2
Семягин Б.Р.
Институт физики полупроводников им. А.В. Ржанова Сибирского отделения Российской академии наук, Новосибирск, Россия
2
Преображенский В.В.
Институт физики полупроводников им. А.В. Ржанова Сибирского отделения Российской академии наук, Новосибирск, Россия
2
Фирсов Д.А.
Санкт-Петербургский государственный политехнический университет, Санкт-Петербург, Россия
2
Воробьев Л.Е.
Санкт-Петербургский государственный политехнический университет, Санкт-Петербург, Россия
2
Оболенский С.В.
Нижегородский государственный университет им. Н.И. Лобачевского, Нижний Новгород, Россия
2
Ежевский А.А.
Нижегородский государственный университет им. Н.И. Лобачевского, Нижний Новгород, Россия
2
Сухоруков А.В.
Нижегородский государственный университет им. Н.И. Лобачевского, Нижний Новгород, Россия
2
Гусейнов Д.В.
Научно-исследовательский физико-технический институт Нижегородского государственного университета им. Н.И. Лобачевского, Нижний Новгород, Россия
Нижегородский государственный университет им. Н.И. Лобачевского, Нижний Новгород, Россия
2
Попков С.А.
Нижегородский государственный университет им. Н.И. Лобачевского, Нижний Новгород, Россия
2
Вайнберг В.В.
Институт физики Национальной академии наук Украины, Киев, Украина
2
Конаков А.А.
Научно-исследовательский физико-технический институт Нижегородского государственного университета им. Н.И. Лобачевского, Нижний Новгород, Россия
2
Tsai Jung-Hui
Department of Electronic Engineering, National Kaohsiung Normal University, Kaohsiung, Taiwan
2
Организация
Статей
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
81
Санкт-Петербургский государственный политехнический университет, Санкт-Петербург, Россия
23
Институт физики микроструктур Российской академии наук, Нижний Новгород, Россия
23
Институт физики полупроводников им. А.В. Ржанова Сибирского отделения Российской академии наук, Новосибирск, Россия
13
Санкт-Петербургский Академический университет --- научно-образовательный центр нанотехнологий Российской академии наук, Санкт-Петербург, Россия
13
Институт физики полупроводников им. В.Е. Лашкарева Национальной академии наук Украины, Киев, Украина
13
Нижегородский государственный университет им. Н.И. Лобачевского, Нижний Новгород, Россия
11
Научно-исследовательский физико-технический институт Нижегородского государственного университета им. Н.И. Лобачевского, Нижний Новгород, Россия
11
Физический институт им. П.Н. Лебедева Российской академии наук, Москва, Россия
8
Институт физики Национальной академии наук Азербайджана, Баку, Азербайджан
8
Московский государственный университет им. М.В. Ломоносова (физический факультет), Москва, Россия
6
Институт проблем материаловедения им. И.Н. Францевича Национальной академии наук Украины, Черновицкое отделение, Черновцы, Украина
6
Белорусский государственный университет, Минск, Республика Беларусь
5
Черновицкий национальный университет им. Ю. Федьковича, Черновцы, Украина
5
Институт проблем технологии микроэлектроники Российской академии наук, Черноголовка, Россия
4
Белорусский государственный университет информатики и радиоэлектроники, Минск, Беларусь
4
Институт физики Национальной академии наук Украины, Киев, Украина
4
Санкт-Петербургский государственный электротехнический университет "ЛЭТИ" им. В.И. Ульянова (Ленина), Санкт-Петербург, Россия
4
Львовский национальный университет им. Ивана Франко, Львов, Украина
4
Санкт-Петербургский государственный университет, физический факультет, Санкт-Петербург, Россия
3
Новосибирский государственный университет, Новосибирск, Россия
3
Национальный исследовательский Томский государственный университет, Томск, Россия
3
Московский государственный университет им. М.В. Ломоносова, Москва, Россия
3
Снежинский физико-технический институт --- филиал Национального исследовательского ядерного университета "МИФИ", Снежинск, Челябинская обл., Россия
3
Институт аналитического приборостроения Российской академии наук, Санкт-Петербург, Россия
3
Национальный исследовательский ядерный университет "МИФИ", Москва, Россия
3
Научно-практический центр Национальной академии наук Беларуси по материаловедению, Минск, Беларусь
3
Федеральный исследовательский центр Институт прикладной физики Российской академии наук, Нижний Новгород, Россия
3
Бакинский государственный университет, Баку, Азербайджан
3
Государственное предприятие НИИ "Орион", Киев, Украина
3
Национальный исследовательский центр "Курчатовский институт", Москва, Россия
3
Институт проблем лазерных и информационных технологий РАН, Шатура, Россия
3
Московский государственный университет им. М.В. Ломоносова (химический факультет), Москва, Россия
3
Воронежский государственный университет, Воронеж, Россия
3
Научно-исследовательский институт ядерной физики им. Д.В. Скобельцына Московского государственного университета им. М.В. Ломоносова, Москва, Россия
3
Институт физики твердого тела Российской академии наук, Черноголовка, Московская обл., Россия
3
Virginia Polytechnic Institute and State University, Blacksburg, Virginia, USA
3
Забайкальский государственный гуманитарно-педагогический университет им. Н.Г. Чернышевского, Чита, Россия
2
"Гиредмет", Москва, Россия
2
Волгоградский государственный технический университет, Волгоград, Россия
2
Институт физики им. Б.И. Степанова Национальной академии наук Беларуси, Минск, Беларусь
2
Омский государственный технический университет, Омск, Россия
2
Институт металлофизики им. Г.В. Курдюмова Национальной академии наук Украины, Киев, Украина
2
Научно-технологический центр микроэлектроники и субмикронных гетероструктур при Физико-техническом институте им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук, Санкт-Петербург, Россия
2
Innolume GmbH, Дортмунд, Германия
2
Институт прикладной физики АН Молдовы, Кишинев, Молдова
2
Черновицкий национальный университет, Черновцы, Украина
2
Рязанский государственный радиотехнический университет, Рязань, Россия
2
Институт металлургии и материаловедения им. А.А. Байкова Российской академии наук, Москва, Россия
2
Ioffe Physicotechnical Institute, Russian Academy of Sciences, St. Petersburg, Russia
2