Теруков Е.И.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
10
Тарасов И.С.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
8
Жуков А.Е.
Санкт-Петербургский Академический университет --- научно-образовательный центр нанотехнологий Российской академии наук, Санкт-Петербург, Россия
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
8
Максимов М.В.
Санкт-Петербургский Академический университет --- научно-образовательный центр нанотехнологий Российской академии наук, Санкт-Петербург, Россия
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
7
Гавриленко В.И.
Институт физики микроструктур Российской академии наук, Нижний Новгород, Россия
7
Винокуров Д.А.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
6
Садофьев Ю.Г.
Физический институт им. П.Н. Лебедева Российской академии наук, Москва, Россия
6
Красильник З.Ф.
Институт физики микроструктур Российской академии наук, Нижний Новгород, Россия
6
Дроздов Ю.Н.
Институт физики микроструктур Российской академии наук, Нижний Новгород, Россия
6
Байдусь Н.В.
Научно-исследовательский физико-технический институт Нижегородского государственного университета им. Н.И. Лобачевского, Нижний Новгород, Россия
6
Конакова Р.В.
Институт физики полупроводников им. В.Е. Лашкарева Национальной академии наук Украины, Киев, Украина
5
Савельев А.В.
Санкт-Петербургский Академический университет --- научно-образовательный центр нанотехнологий Российской академии наук, Санкт-Петербург, Россия
5
Крыжков Д.И.
Институт физики микроструктур Российской академии наук, Нижний Новгород, Россия
5
Морозов С.В.
Институт физики микроструктур Российской академии наук, Нижний Новгород, Россия
5
Новиков А.В.
Институт физики микроструктур Российской академии наук, Нижний Новгород, Россия
5
Дроздов М.Н.
Институт физики микроструктур Российской академии наук, Нижний Новгород, Россия
5
Звонков Б.Н.
Научно-исследовательский физико-технический институт Нижегородского государственного университета им. Н.И. Лобачевского, Нижний Новгород, Россия
5
Баграев Н.Т.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
4
Беляев А.Е.
Институт физики полупроводников им. В.Е. Лашкарева Национальной академии наук Украины, Киев, Украина
4
Крыжановская Н.В.
Санкт-Петербургский Академический университет --- научно-образовательный центр нанотехнологий Российской академии наук, Санкт-Петербург, Россия
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
Cанкт-Петербургский государственный политехнический университет, Санкт-Петербург, Россия
4
Грузинцев А.Н.
Институт проблем технологии микроэлектроники Российской академии наук, Черноголовка, Россия
4
Боднарь И.В.
Белорусский государственный университет информатики и радиоэлектроники, Минск, Беларусь
4
Давыдов С.Ю.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
4
Немов С.А.
Государственный политехнический университет, Санкт-Петербург, Россия
4
Рудь В.Ю.
Санкт-Петербургский государственный политехнический университет, Санкт-Петербург, Россия
4
Рудь Ю.В.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
4
Соколова З.Н.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
4
Пихтин Н.А.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
4
Слипченко С.О.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
4
Станкевич А.Л.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
4
Шерняков Ю.М.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
4
Зубов Ф.И.
Санкт-Петербургский Академический университет --- научно-образовательный центр нанотехнологий Российской академии наук, Санкт-Петербург, Россия
4
Цырлин Г.Э.
Институт аналитического приборостроения Российской академии наук, Санкт-Петербург, Россия
Санкт-Петербургский Академический университет --- научно-образовательный центр нанотехнологий Российской академии наук, Санкт-Петербург, Россия
4
Тихов С.В.
Нижегородский государственный университет им. Н.И. Лобачевского, Нижний Новгород, Россия
4
Клячкин Л.Е.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
3
Маляренко А.М.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
3
Иванов П.А.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
3
Саченко А.В.
Институт физики полупроводников им. В.Е. Лашкарева Национальной академии наук Украины, Киев, Украина
3
Кудрик Я.Я.
Институт физики полупроводников им. В.Е. Лашкарева Национальной академии наук Украины, Киев, Украина
3
Шеремет В.Н.
Институт физики полупроводников им. В.Е. Лашкарева Национальной академии наук Украины, Киев, Украина
3
Тагиев Б.Г.
Институт физики Национальной академии наук Азербайджана, Баку, Азербайджан
3
Асадуллаева С.Г.
Институт физики Национальной академии наук Азербайджана, Баку, Азербайджан
3
Миленин В.В.
Институт физики полупроводников им. В.Е. Лашкарева Национальной академии наук Украины, Киев, Украина
3
Загороднев В.Н.
Институт проблем технологии микроэлектроники Российской академии наук, Черноголовка, Россия
3
Садыков Н.Р.
Филиал Южно-Уральского государственного университета, Снежинск, Россия
3
Скоркин Н.А.
Снежинский физико-технический институт --- филиал Национального исследовательского ядерного университета "МИФИ", Снежинск, Челябинская обл., Россия
3
Ковалюк З.Д.
Институт проблем материаловедения им. И.Н. Францевича Национальной академии наук Украины, Черновицкое отделение, Черновцы, Украина
3
Унтила Г.Г.
Научно-исследовательский институт ядерной физики им. Д.В. Скобельцына Московского государственного университета им. М.В. Ломоносова, Москва, Россия
3
Кост Т.Н.
Научно-исследовательский институт ядерной физики им. Д.В. Скобельцына Московского государственного университета им. М.В. Ломоносова, Москва, Россия
3
Чеботарёва А.Б.
Научно-исследовательский институт ядерной физики им. Д.В. Скобельцына Московского государственного университета им. М.В. Ломоносова, Москва, Россия
3
Шашкин И.С.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
3
Литвин О.С.
Институт физики полупроводников им. В.Е. Лашкарева Национальной академии наук Украины, Киев, Украина
3
Стрельчук В.В.
Институт физики полупроводников им. В.Е. Лашкарева Национальной академии наук Украины, Киев, Украина
3
Ушакова Т.Н.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
3
Чалдышев В.В.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
3
Лютецкий А.В.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
3
Николаев Д.Н.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
3
Шамахов В.В.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
3
Яблонский А.Н.
Институт физики микроструктур Российской академии наук, Нижний Новгород, Россия
3
Курицын Д.И.
Институт физики микроструктур Российской академии наук, Нижний Новгород, Россия
3
Антонов А.В.
Институт физики микроструктур Российской академии наук, Нижний Новгород, Россия
3
Михайлов Н.Н.
Институт физики полупроводников им. А.В. Ржанова Сибирского отделения Российской академии наук, Новосибирск, Россия
3
Юрасов Д.В.
Институт физики микроструктур Российской академии наук, Нижний Новгород, Россия
3
Werner P.
Max Planck Institute of Microstructure Physics, Halle(Saale), Germany
3
Бирюков А.А.
Научно-исследовательский физико-технический институт Нижегородского государственного университета им. Н.И. Лобачевского, Нижний Новгород, Россия
3
Даниловский Э.Ю.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
2
Романов В.В.
Санкт-Петербургский государственный политехнический университет, Санкт-Петербург, Россия
2
Брилинская Е.С.
Санкт-Петербургский государственный политехнический университет, Санкт-Петербург, Россия
2
Машков В.А.
Санкт-Петербургский государственный политехнический университет, Санкт-Петербург, Россия
2
Грушко Е.В.
Черновицкий национальный университет, Черновцы, Украина
2
Светличный В.М.
Институт высокомолекулярных соединений Российской академии наук, Санкт-Петербург, Россия
2
Александрова Е.Л.
Физико-техничеcкий институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук, Санкт-Петербург, Россия
2
Мягкова Л.А.
Институт высокомолекулярных соединений Российской академии наук, Санкт-Петербург, Россия
2
Матюшина Н.В.
Институт высокомолекулярных соединений Российской академии наук, Санкт-Петербург, Россия
2
Грехов И.В.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
2
Потапов А.С.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
2
Самсонова Т.П.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
2
Болтовец Н.С.
Государственное предприятие НИИ "Орион", Киев, Украина
2
Иванов В.Н.
Государственное предприятие НИИ "Орион", Киев, Украина
2
Новицкий С.В.
Институт физики полупроводников им. В.Е. Лашкарева Национальной академии наук Украины, Киев, Украина
2
Валишева Н.А.
Институт физики полупроводников им. А.В. Ржанова Сибирского отделения Российской академии наук, Новосибирск, Россия
2
Терещенко О.Е.
Институт физики полупроводников им. А.В. Ржанова Сибирского отделения Российской академии наук, Новосибирск, Россия
Новосибирский государственный университет, Новосибирск, Россия
2
Авачев А.П.
Рязанский государственный радиотехнический университет, Рязань, Россия
2
Вихров С.П.
Рязанский государственный радиотехнический университет, Рязань, Россия
2
Николенко А.С.
Институт физики полупроводников им. В.Е. Лашкарева Национальной академии наук Украины, Киев, Украина
2
Кладько В.П.
Институт физики полупроводников им. В.Е. Лашкарева Национальной академии наук Украины, Киев, Украина
2
Крючков С.В.
Волгоградский государственный социально-педагогический университет, Волгоград, Россия
Волгоградский государственный технический университет, Волгоград, Россия
2
Ильинская Н.Д.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
2
Закгейм А.Л.
Научно-технологический центр микроэлектроники и субмикронных гетероструктур при Физико-техническом институте им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук, Санкт-Петербург, Россия
2
Карандашев С.А.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
2
Матвеев Б.А.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
2
Ременный М.А.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
2
Рыбальченко А.Ю.
Южно-Российский государственный технический университет (Новочеркасский политехнический институт), Новочеркасск, Россия
2
Стусь Н.М.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
2
Черняков А.Е.
Научно-технологический центр микроэлектроники и субмикронных гетероструктур при Физико-техническом институте им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук, Санкт-Петербург, Россия
2
Тагиев О.В.
Институт физики Национальной академии наук Азербайджана, Баку, Азербайджан
Филиал МГУ им. М.В. Ломоносова, A Баку, Азербайджан
2
Атакулов Ш.Б.
Ферганский государственный университет, Фергана, Республика Узбекистан
2
Зайнолобидинова С.М.
Ферганский государственный университет, Фергана, Республика Узбекистан
2
Набиев Г.А.
Ферганский политехнический институт, Фергана, Узбекистан
2
Тухтаматов О.А.
Ферганский государственный университет, Фергана, Республика Узбекистан
2
Арсентьев И.Н.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
2
Емельянов А.В.
Московский государственный университет им. М.В. Ломоносова (физический факультет), Москва, Россия
2
Кашкаров П.К.
Московский государственный университет им. М.В. Ломоносова (физический факультет), Москва, Россия
Национальный исследовательский центр "Курчатовский институт", Москва, Россия
2
Коньков О.И.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
2
Зегря Г.Г.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
2
Новиков В.А.
Национальный исследовательский Томский государственный университет, Томск, Россия
2
Бобыль А.В.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
2
Устинов В.М.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
2
Саксеев Д.А.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
2
Tchernycheva M.
CNRS-LPN, Route de Nozay, Marcoussis, France
Institute d'Electronique Fondamentale, Universite Paris-Sud F Orsay, France
Санкт-Петербургский национальный исследовательский Академический университет имени Ж.И. Алфёрова Российской академии наук, Санкт-Петербург, Россия
2
Patriarche G.
CNRS-LPN, Route de Nozay, Marcoussis, France
2
Дубровский В.Г.
Санкт-Петербургский государственный университет, Санкт-Петербург, Россия
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
Санкт-Петербургский национальный исследовательский Академический университет имени Ж.И. Алфёрова Российской академии наук, Санкт-Петербург, Россия
2
Аверкиев Н.С.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
2
Степанов Н.П.
Забайкальский государственный гуманитарно-педагогический университет им. Н.Г. Чернышевского, Чита, Россия
2
Наливкин В.Ю.
Забайкальский государственный университет, Чита, Россия
2
Комолов А.С.
Санкт-Петербургский государственный университет, физический факультет, Санкт-Петербург, Россия
2
Лазнева Э.Ф.
Санкт-Петербургский государственный университет, физический факультет, Санкт-Петербург, Россия
2
Комолов С.А.
Санкт-Петербургский государственный университет, физический факультет, Санкт-Петербург, Россия
2
Калыгина В.М.
Сибирский физико-технический институт им. акад. В.Д. Кузнецова Томского государственного университета, Томск, Россия
2
Зарубин А.Н.
Сибирский физико-технический институт им. акад. В.Д. Кузнецова Томского государственного университета, Томск, Россия
2
Петрова Ю.С.
Сибирский физико-технический институт им. акад. В.Д. Кузнецова Томского государственного университета, Томск, Россия
2
Толбанов О.П.
Сибирский физико-технический институт им. акад. В.Д. Кузнецова Томского государственного университета, Томск, Россия
2
Тяжев А.В.
Сибирский физико-технический институт им. акад. В.Д. Кузнецова Томского государственного университета, Томск, Россия
2
Егоров А.Ю.
Санкт-Петербургский Академический университет --- научно-образовательный центр нанотехнологий Российской академии наук, Санкт-Петербург, Россия
2
Аракчеева Е.М.
Санкт-Петербургский Академический университет --- научно-образовательный центр нанотехнологий Российской академии наук, Санкт-Петербург, Россия
2
Асрян Л.В.
Virginia Polytechnic Institute and State University, Blacksburg, Virginia, USA
2
Камилов И.К.
Институт физики им. Х.И. Амирханова Дагестанского научного центра РАН, Махачкала, Россия
2
Свешников Ю.Н.
ЗАО "Элма-Малахит" --- ДО ОАО "Концерн Энергомера", Москва, Зеленоград, Россия
2
Леньшин А.С.
Воронежский государственный университет, Воронеж, Россия
2
Середин П.В.
Воронежский государственный университет, Воронеж, Россия
2
Федяева О.А.
Омский государственный технический университет, Омск, Россия
2
Rogl P.
Институт физической химии Венского университета, А- Вена, Австрия
2
Стаднык Ю.В.
Львовский национальный университет им. Ивана Франко, Львов, Украина
2
Ромака В.В.
Национальный университет "Львовская политехника", Львов, Украина
2
Hlil E.K.
Институт Нееля Национального центра научных исследований, Гренобль, Франция
2
Горынь А.М.
Львовский национальный университет им. Ивана Франко, Львов, Украина
2
Брус В.В.
Институт проблем материаловедения им. И.Н. Францевича Национальной академии наук Украины, Черновицкое отделение, Черновцы, Украина
2
Ильинский А.В.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
2
Квашенкина О.Е.
Санкт-Петербургский государственный политехнический университет, Санкт-Петербург, Россия
2
Шадрин Е.Б.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
2
Закс М.Б.
ООО "Солнечный ветер", Краснодар, Россия
2
Ситников А.М.
ООО "Солнечный ветер", Краснодар, Россия
2
Солодуха О.И.
ООО "Солнечный ветер", Краснодар, Россия
2
Шварц М.З.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
2
Левинштейн М.Е.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
2
Растегаева М.Г.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
2
Житинская М.К.
Государственный политехнический университет, Санкт-Петербург, Россия
2
Благих Н.М.
Государственный политехнический университет, Санкт-Петербург, Россия
2
Шелимова Л.Е.
Институт металлургии и материаловедения им. А.А. Байкова Российской академии наук, Москва, Россия
2
Брунков П.Н.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
2
Цэндин К.Д.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
2
Лившиц Д.А.
Innolume GmbH, Дортмунд, Германия
2
Цацульников А.Ф.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
Научно-технологический центр микроэлектроники и субмикронных гетероструктур Российской академии наук, Санкт-Петербург, Россия
2
Заварин Е.Е.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
Научно-технологический центр микроэлектроники и субмикронных гетероструктур Российской академии наук, Санкт-Петербург, Россия
2
Сахаров А.В.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
Научно-технологический центр микроэлектроники и субмикронных гетероструктур Российской академии наук, Санкт-Петербург, Россия
2
Усов С.О.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
Научно-технологический центр микроэлектроники и субмикронных гетероструктур Российской академии наук, Санкт-Петербург, Россия
2
Мизеров М.Н.
Научно-технологический центр микроэлектроники и субмикронных гетероструктур Российской академии наук, Санкт-Петербург, Россия
2
Черкашин Н.А.
Center for Material Elaboration & Structural Studies (CEMES) of the National Center for Scientific Research (CNRS), Toulouse, France
2
Мынбаев К.Д.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
2
Якушев М.В.
Институт физики полупроводников им. А.В. Ржанова Сибирского отделения Российской академии наук, Новосибирск, Россия
2
Баженов Н.Л.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
2
Шиляев А.В.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
2
Сорочкин А.В.
Институт физики полупроводников им. А.В. Ржанова Сибирского отделения Российской академии наук, Новосибирск, Россия
2
Дворецкий С.А.
Институт физики полупроводников им. А.В. Ржанова Сибирского отделения Российской академии наук, Новосибирск, Россия
2
Румянцев В.В.
Институт физики микроструктур Российской академии наук, Нижний Новгород, Россия
2
Андреев Б.А.
Институт физики микроструктур Российской академии наук, Нижний Новгород, Россия
2
Кузнецов В.П.
Научно-исследовательский физико-технический институт Нижегородского государственного университета, Нижний Новгород, Россия
2
Гапонова Д.М.
Институт физики микроструктур Российской академии наук, Нижний Новгород, Россия
2
Маремьянин К.В.
Институт физики микроструктур Российской академии наук, Нижний Новгород, Россия
2
Данильцев В.М.
Институт физики микроструктур Российской академии наук, Нижний Новгород, Россия
2
Лобанов Д.Н.
Институт физики микроструктур Российской академии наук, Нижний Новгород, Россия
2
Кудрявцев К.Е.
Институт физики микроструктур Российской академии наук, Нижний Новгород, Россия
2
Шенгуров Д.В.
Институт физики микроструктур Российской академии наук, Нижний Новгород, Россия
2
Тимофеев В.Б.
Институт физики твердого тела Российской академии наук, Черноголовка, Московская обл., Россия
2
Романова Ю.Ю.
Институт физики микроструктур Российской академии наук, Нижний Новгород, Россия
2
Буравлев А.Д.
Санкт-Петербургский Академический университет --- научно-образовательный центр нанотехнологий Российской академии наук, Санкт-Петербург, Россия
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
2
Юнин П.А.
Институт физики микроструктур Российской академии наук, Нижний Новгород, Россия
2
Вихрова О.В.
Научно-исследовательский физико-технический институт Нижегородского государственного университета им. Н.И. Лобачевского, Нижний Новгород, Россия
2
Калентьева И.Л.
Научно-исследовательский физико-технический институт Нижегородского государственного университета им. Н.И. Лобачевского, Нижний Новгород, Россия
2
Хазанова С.В.
Нижегородский государственный университет им. Н.И. Лобачевского, Нижний Новгород, Россия
2
Павлова Е.Д.
Нижегородский государственный университет им. Н.И. Лобачевского, Нижний Новгород, Россия
2
Семисалова А.С.
Московский государственный университет им. М.В. Ломоносова (физический факультет), Москва, Россия
2
Перов Н.С.
Московский государственный университет им. М.В. Ломоносова (физический факультет), Москва, Россия
2
Кульбачинский В.А.
Московский государственный университет им. М.В. Ломоносова (физический факультет), Москва, Россия
Национальный исследовательский центр "Курчатовский институт", Москва, Россия
2
Храмова О.Д.
Институт проблем лазерных и информационных технологий РАН, Шатура, Россия
2
Данилов Ю.А.
Научно-исследовательский физико-технический институт Нижегородского государственного университета им. Н.И. Лобачевского, Нижний Новгород, Россия
2
Дегтярев В.Е.
Нижегородский государственный университет им. Н.И. Лобачевского, Нижний Новгород, Россия
2
Путято М.А.
Институт физики полупроводников им. А.В. Ржанова Сибирского отделения Российской академии наук, Новосибирск, Россия
2
Семягин Б.Р.
Институт физики полупроводников им. А.В. Ржанова Сибирского отделения Российской академии наук, Новосибирск, Россия
2
Преображенский В.В.
Институт физики полупроводников им. А.В. Ржанова Сибирского отделения Российской академии наук, Новосибирск, Россия
2
Фирсов Д.А.
Санкт-Петербургский государственный политехнический университет, Санкт-Петербург, Россия
2
Воробьев Л.Е.
Санкт-Петербургский государственный политехнический университет, Санкт-Петербург, Россия
2
Оболенский С.В.
Нижегородский государственный университет им. Н.И. Лобачевского, Нижний Новгород, Россия
2
Ежевский А.А.
Нижегородский государственный университет им. Н.И. Лобачевского, Нижний Новгород, Россия
2
Сухоруков А.В.
Нижегородский государственный университет им. Н.И. Лобачевского, Нижний Новгород, Россия
2
Гусейнов Д.В.
Научно-исследовательский физико-технический институт Нижегородского государственного университета им. Н.И. Лобачевского, Нижний Новгород, Россия
Нижегородский государственный университет им. Н.И. Лобачевского, Нижний Новгород, Россия
2
Попков С.А.
Нижегородский государственный университет им. Н.И. Лобачевского, Нижний Новгород, Россия
2
Вайнберг В.В.
Институт физики Национальной академии наук Украины, Киев, Украина
2
Конаков А.А.
Научно-исследовательский физико-технический институт Нижегородского государственного университета им. Н.И. Лобачевского, Нижний Новгород, Россия
2
Tsai Jung-Hui
Department of Electronic Engineering, National Kaohsiung Normal University, Kaohsiung, Taiwan
2
© 2021 Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук