"Физика и техника полупроводников"
Вышедшие номера
Излучательная рекомбинация горячих носителей в узкозонных полупроводниках
Павлов Н.В.1, Зегря Г.Г.1
1Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
Поступила в редакцию: 15 июня 2011 г.
Выставление онлайн: 20 декабря 2011 г.

Исследован механизм излучательной рекомбинации горячих носителей зярада в узкозонных полупроводниках на примере антимонида индия. Показано, что при высоких уровнях возбуждения СНСС-процесс оже-рекомбинации может привести к существенному разогреву носителей заряда. Найдены функция распределения горячих носителей и их концентрация. В рамках модели Кейна выполнен расчет скорости излучательной рекомбинации горячих носителей заряда, а также коэффициента усиления излучения. Показано, что при больших концентрациях носителей излучательная рекомбинация горячих электронов будет вносить существенный вклад в общую скорость излучательной рекомбинации.
  1. Л.Е. Воробьев, С.Н. Данилов, Г.Г. Зегря, Д.А. Фирсов, В.А. Шалыгин, И.Н. Яссиевич, Е.В. Берегулин. Фотоэлектрические явления в полупроводниках и размерно-квантованных структурах (СПб., Наука, 2001)
  2. В.Н. Абакумов, В.И. Перель, И.Н. Яссиевич. Безызлучательная рекомбинация в полупроводниках (СПб., Изд-во ПИЯФ, 1997)
  3. О.А. Аллаберенов, Н.В. Зотова, Д.Н. Наследов, Л.Д. Неуймина. ФТП, 4, 1939 (1970)
  4. М. Банси-Грийо, Э. Грийо, Н.В. Зотова, М. Эже. ФТП, 10, 53 (1976)
  5. В.П. Грибковский. Теория поглощения и испускания света в полупроводниках (Минск, Наука и техника, 1975)
  6. Б.Л. Гельмонт, Г.Г. Зегря. Основы зонной теории полупроводников (Л., Изд-во ФТИ, 1989)

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.