"Физика и техника полупроводников"
Вышедшие номера
Контакты Шоттки к высокоомным эпитаксиальным слоям GaAs для детекторов частиц и квантов
Кольцов Г.И.1, Диденко С.И.1, Черных А.В.1, Черных С.В.1, Чубенко А.П.2, Свешников Ю.Н.3
1Национальный исследовательский технологический университет "МИСиС", Москва, Россия
2Физический институт им. П.Н. Лебедева Российской академии наук, Москва, Россия
3ЗАО "Элма-Малахит" --- ДО ОАО "Концерн Энергомера", Москва, Зеленоград, Россия
Поступила в редакцию: 20 декабря 2011 г.
Выставление онлайн: 20 июля 2012 г.

Исследованы электрофизические характеристики Ti- и Pt-контактов Шоттки к эпитаксиальным слоям n-GaAs с концентрацией носителей <1012 см-3 для детекторов частиц и квантов. Показано, что для расчета параметров контактов Шоттки на толстых высокоомных слабо компенсированных слоях GaAs предпочтительнее использовать диффузионную теорию переноса заряда. Рассчитанные высоты барьеров составили 0.84 и 0.87 эВ для Ti- и Pt-контактов соответственно. Изготовленные образцы поверхностно-барьерных детекторов показали линейный отклик в исследованном диапазоне энергий от 6 до 140 кэВ для gamma-квантов и от 4 до 8 МэВ для alpha-частиц, эффективность сбора заряда, близкую к 100%, и высокое энергетическое разрешение при комнатной температуре.
  1. R. Irsigler, R. Geppert, R. Goppert, J. Ludwig, M. Rogalla, K. Runge, Th. Schmid, M. Webel, C. Weber. Nucl. Instrum. Meth. A, 365, 71 (1997)
  2. Г.И. Айзенштат, М.А. Лелеков, В.А. Новиков, Л.С. Окаевич, О.П. Толбанов. ФТП, 41 (5), 631 (2007)
  3. Г.И. Айзенштат, М.А. Лелеков, О.П. Толбанов. ФТП, 41 (11), 1327 (2007)
  4. С. Зи. Физика полупроводниковых приборов (М., Мир, 1984) т. 1, гл. 5, с. 272
  5. A.K. Sinha, T.E. Smith, M.H. Read, I.M. Poate. Solid-State Electron., 19 (6), 489 (1976)
  6. Г.И. Кольцов, С.И. Диденко, А.В. Черных, С.В. Черных. Изв. вузов. МЭТ, N 3, 66 (2010)
  7. Ю.К. Акимов, О.В. Игнатьев, А.И. Калинин, В.Ф. Кушнирук. Полупроводниковые детекторы в экспериментальной физике (М., Энергоатомиздат, 1989) гл. 2, с. 49
  8. В.Ф. Дворянкин, Ю.М. Дикаев, А.А. Кудряшов. ЖТФ, 74 (6), 126 (2004)
  9. Г.И. Айзенштат, М.Д. Вилисова, Е.П. Другова, М.А. Лелеков, Д.Ю. Мокеев, И.В. Пономарев, Л.П. Пороховниченко, О.П. Толбанов, В.А. Чубирко. ЖТФ, 76 (8), 46 (2006)
  10. Ю.В. Жиляев, Д.И. Микулик, Т.А. Орлова, В.Н. Пантелеев, Н.К. Полетаев, С.А. Сныткина, Л.М. Федоров. Науч. техн. вестн. СПбГУ ИТМО, N 4 (68), 132 (2010)

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.