Физика и техника полупроводников

Авторам

Правила оформления публикаций

Вышедшие номера

2024
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10
2023
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9
2022
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2021
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2020
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2019
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2018
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 13
2017
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2016
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2015
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2014
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2013
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2012
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2011
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2010
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2009
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2008
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2007
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2006
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2005
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2004
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2003
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2002
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2001
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2000
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1999
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1998
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1997
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1996
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1995
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1994
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1993
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1992
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1991
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1990
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1989
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1988
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12

Отрицательное дифференциальное сопротивление N-типа, гистерезис и осцилляции на вольт-амперных характеристиках сверхвысокочастотных диодов

Алиев К.М.¹, Камилов И.К.¹, Ибрагимов Х.О.¹, Абакарова Н.С.¹

¹Институт физики им. Х.И. Амирханова Дагестанского научного центра РАН, Махачкала, Россия Amirkhanov Institute of Physics, Dagestan Scientific Center, Russian Academy of Sciences, Makhachkala, Russia

Amirkhanov Institute of Physics, Dagestan Scientific Center, Russian Academy of Sciences, Makhachkala, Russia

Поступила в редакцию: 13 декабря 2011 г.

Выставление онлайн: 20 июля 2012 г.

PDF версия

Абстракт
Литература
Статистика просмотров

Экспериментально исследованы вольт-амперные характеристики сверхвысокочастотных диодов на постоянном токе при одновременном воздействии на них гармонического высокочастотного сигнала до 100 МГц большой амплитуды. На вольт-амперных характеристиках сверхвысокочастотных диодов обнаружены участки с отрицательным дифференциальным сопротивлением N-типа, гистерезис и осцилляции тока в зависимости от амплитуды и частоты высокочастотного сигнала. Проведен сравнительный анализ и обсуждены возможные механизмы обнаруженных явлений.

K.M. Aliev, I.K. Kamilov, Kh.O. Ibragimov, N.S. Abakarova. Sol. St. Commun., 148, 171 (2008)
К.М. Алиев, И.К. Камилов, Х.О. Ибрагимов, Н.С. Абакарова. ФТП, 43, 517 (2009)
К.М. Алиев, И.К. Камилов, Х.О. Ибрагимов, Н.С. Абакарова. ЖТФ, 81, 141 (2011)
К.М. Алиев, И.К. Камилов, Х.О. Ибрагимов, Н.С. Абакарова. Письма ЖТФ, 37, 42 (2011)
Д.А. Усанов, А.В. Скрипаль, Н.В. Угрюмова. ФТП, 32, 1399 (1998)
Д.А. Усанов, А.В. Скрипаль, Н.В. Угрюмова. Письма ЖТФ, 25, 42 (1999)
Г.Е. Пикус. Основы теории полупроводниковых приборов (М., Наука, 1965)
Л. Росадо. Физическая электроника и микроэлектроника (М., Высш., шк., 1991). [Пер. с исп. С.И. Баскакова, под ред. проф. В.А. Терехова.]
А.И. Вейнгер, Л.Г. Парицкий, Э.А. Акопян, М.Г. Дадамирзаев. ФТП, 9, 219 (1975)
А.И. Вейнгер. ФТП, 12, 1986 (1978)
А.И. Вейнгер, С.В. Гнилов, М.П. Саргсян. ФТП, 13, 318 (1979)
Н.А. Аблязимова, А.И. Вейнгер, В.С. Питанов. ФТП, 22, 2001 (1988)
Г. Гулямов. ФТП. 30, 1279 (1996)
Г. Гулямов, М.Г. Дадамирзаев, С.Р. Бойдедаев. ФТП, 34, 572 (2000)
С.Х. Шамирзаев, Г. Гулямов, М.Г. Дадамирзаев, А.Г. Гулямов. ФТП, 45, 1065 (2011).

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.

Учредители

Издатель