Физика и техника полупроводников
Авторам
Вышедшие номера
- 2024
- 2023
- 2022
- 2021
- 2020
- 2019
- 2018
- 2017
- 2016
- 2015
- 2014
- 2013
- 2012
- 2011
- 2010
- 2009
- 2008
- 2007
- 2006
- 2005
- 2004
- 2003
- 2002
- 2001
- 2000
- 1999
- 1998
- 1997
- 1996
- 1995
- 1994
- 1993
- 1992
- 1991
- 1990
- 1989
- 1988
Термоэлектрическая добротность объемных наноструктурированных композитов с распределенными параметрами
1Национальный технический университет Украины "КПИ", Киев, Украина
2Институт теоретической и прикладной электродинамики Российской академии наук, Москва, Россия
3ЗАО НПП "Наука-Сервис", Москва, Россия
2Институт теоретической и прикладной электродинамики Российской академии наук, Москва, Россия
3ЗАО НПП "Наука-Сервис", Москва, Россия
Поступила в редакцию: 22 сентября 2011 г.
Выставление онлайн: 19 апреля 2012 г.
Рассмотрены эффективные свойства композитов, структура которых включает в себя наноконтакты между макрокристаллитами объемной фазы. Построена модель такого наноструктурированного композита. В приближении среднего поля вычислены значения эффективных значений термоэдс, тепло- и электропроводности, термоэлектрической добротности.
- А.В. Дмитриев, И.П. Звягин. УФН, 180, 821 (2010)
- G. Benenti, G. Casati. Phil. Trans. R. Soc. A, 369, 466 (2011)
- B. Poudel, M. Hao, Y. Ma, Y. Lan, A. Minnich, B. Yu, X. Yan, D. Wang, A. Muto, D. Vashaee, X. Chen, J. Lin, M. Dresselhaus, G. Chen, Zh. Ren
- Y. Lan, B. Poudel, Y. Ma. Am. Chem. Soc., 9, 1419 (2009)
- M.G. Kanatzidis. Chem. Mater., 22, 648 (2010)
- N. Gothard, J.E. Spowart, T.M. Tritt. Phys. Status Solidi A, 207, 157 (2010)
- G.H. Zhu, H. Lee, Y.C. Lan, X.W. Wang, G. Joshi, D.Z. Wang, J. Yang, D. Vashall, H. Gruilbert, A. Pilliterri, M.S. Dresselhaus, G. Chen, Z.F. Ren. Phys. Rev. Lett., 192, 196 803 (2009)
- Л.П. Булат, Д.А. Пшенай-Северин. ФТТ, 52, 452 (2010)
- L. Tortet, J.R. Gavarri, J. Musso, G. Nihoul, J.P. Clerc, A.N. Lagarkov, A.K. Sarychev. Phys. Rev. B, 5, 5390 (1998)
- G.D. Guttman, E. Ben-Jacob, D.J. Bergman. Phys. Rev. B, 51, 17 758 (1995)
- G.D. Guttman, E. Ben-Jacob, D.J. Bergman. Phys. Rev. B, 52, 5256 (1995)
- M. Scheele, N. Oeschler, I. Veremchuk. ACS Nano, 4, 4283 (2010)
- Б.Я. Балагуров. ФТП, 19, 133 (1985)
- Б.И. Шкловский, А.Л. Эфрос. Электронные свойства легированных полупроводников (М., Наука, 1979)
- I. Webman, J. Jortner, M.H. Cohen. Phys. Rev. B, 16, 2959 (1977)
- Б.Я. Балагуров. ФТП, 16, 259 (1982)
- Y.L. Bunimovich. Silicon nanowires as biological sensors and highly efficient thermoelectric materials. Thesis.library.caltech.edu (2007)
- А.Е. Морозовский, А.А. Снарский. Письма ЖЭТФ, 56, 272 (1992)
- А.Е. Морозовский, А.А. Снарский. ЖЭТФ, 104, 4059 (1993)
- D.A.G. Bruggeman. Annalen der Physik, 416, 636 (1935)
- R. Landauer. J. Appl. Phys., 23, 778 (1952)
- Y.M. Strelniker. Phys. Rev. B, 73, 153 407 (2006)
Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.
Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.
