Физика и техника полупроводников
Авторам
Вышедшие номера
- 2024
- 2023
- 2022
- 2021
- 2020
- 2019
- 2018
- 2017
- 2016
- 2015
- 2014
- 2013
- 2012
- 2011
- 2010
- 2009
- 2008
- 2007
- 2006
- 2005
- 2004
- 2003
- 2002
- 2001
- 2000
- 1999
- 1998
- 1997
- 1996
- 1995
- 1994
- 1993
- 1992
- 1991
- 1990
- 1989
- 1988
Управляемый рост одномерных наноструктур оксида цинка в режиме импульсного электролиза
Клочко Н.П.1, Хрипунов Г.С.1, Мягченко Ю.А.2, Мельничук Е.Е.2, Копач В.Р.1, Клепикова Е.С.1, Любов В.Н.1, Копач А.В.1
1Национальный технический университет "Харьковский политехнический институт", Харьков, Украина 
2Киевский национальный университет им. Тараса Шевченко, Киев, Украина
2Киевский национальный университет им. Тараса Шевченко, Киев, Украина
Поступила в редакцию: 15 ноября 2011 г.
Выставление онлайн: 20 мая 2012 г.
Наноструктуры оксида цинка являются объектом исследований в области оптоэлектроники, гелиоэнергетики, наносенсорики и катализа. С целью осуществления управляемого роста одномерных субмикрометровых структур оксида цинка в режиме импульсного электроосаждения методами рентгеновской дифрактометрии, оптической спектрофотометрии и атомной силовой микроскопии определено влияние параметров импульсного электролиза на морфологию слоев ZnO, их оптические свойства, структурные и субструктурные характеристики. Выявлена возможность изготовления массивов нитевидных нанокристаллов ZnO различной геометрической формы, ориентированных перпендикулярно поверхности подложки, путем варьирования частоты импульсов потенциала катода-подложки.
- А.М. Багамадова, Б.М. Атаев, В.В. Мамедов, А.К. Омаев, С.Ш. Махмудов. Письма ЖТФ, 36 (1), 76 (2010)
- C.-Y. Lu, S.-P. Chang, S.-J. Chang, T.-J. Hsuch, C.-L. Hsu, Y.-Z. Chiou, I.-C. Chen. IEEE Sen. J., 9 (4), 485 (2009)
- X. Hu, Y. Masuda, T. Ohji, R. Kato. J. Chem. Soc. Jpn., 116 (3), 384 (2008)
- X. Ju, W. Feng, X. Zhang, V. Kittichungchit, T. Hori, H. Moritou, A. Fujii, M. Ozaki. Sol. En. Mater. Solar Cells, 93, 1562 (2009)
- D. Pradhan, K.T. Leung. J. Phys. Chem. C, 112, 1357 (2008)
- E. Michaelis, D. Wohrle, J. Rathouysky, M. Wark. Thin Sol. Films, 497, 163 (2006)
- O. Lupan, V.M. Guerin, I.M. Tiginyanu, V.V. Ursaki, L. Chow, H. Heinrich, T. Pauporte. J. Photochem. Photobiol. A: Chemistry, 211, 65 (2010)
- M. Gupta, D. Pinisetty, J.C. Flake, J.J. Spivey. J. Electrochem. Soc., 157 (9), D473 (2010)
- H. Osaki, H. Yasuda, T. Watatsuлi, Y. Kanemitsu, Y. Fukunaka, K. Kuribayashi. Space Utiliz Res., 24, 27 (2008)
- A. Kathalingam, M.R. Kim, Y.S. Chae, J.K. Rhee. J. Korean Phys. Soc., 55 (6), 2476 (2009)
- C. Coskun, H. Guney, E. Gur, S. Tuzemen. Turkish J. Phys., 33 (1), 49 (2009)
- N.P. Klochko. Func. Mater., 14 (3), 343 (2007)
- G. Khrypurov, N. Klochko, N. Volkova, V. Kopach, V. Lyubov, K. Klepikova. World Renewable Energy Congress (Linkoping, Sweden, 2011) 1002PV
- A. Janotti, C.G. Walle. Rep. Progr. Phys., 72 (12), 1 (2009)
- N. Stakti, P.S. Gupta. Appl. Phys. Res., 2 (1), 19 (2010)
- С.С. Горелик, Л.Н. Растургуев, Ю.А. Скаков. Рентгенографический и электронно-оптический анализ (М., Металлургия, 1970)
- С.В. Цыбуля, С.В. Черепанова. Введение в структурный анализ нанокристаллов (Новосибирск, НГУ, 2008)
- Структура и физические свойства твердого тела. Лабораторный практикум: Учеб. пособие, под ред. Л.С. Палатника (Киев, Вища школа, 1983)
- K. Govender, D.S. Boyle, P.B. Kenway, P. O'Brein. J. Mater. Chem., 14 (16), 2575 (2004)
- C.X. Xu, X.W. Sun, Z.L. Dong, G.P. Zhu, Y.P. Cui. Appl. Phys. Lett., 88 (9), 093 101 (2006)
- Z. Сhen, Y. Tang, L. Zhang, L. Luo. Electrochimica Acta, 51, 5870 (2006)
- M.S. Chandrasekar, M. Pushpavanum. Electrochimica Acta, 53, 3313 (2008)
- Б.Б. Дамаскин, О.А. Петрий. Электрохимия (М., Высш. шк., 1987)
- Y. Masuda, N. Kinoshita, K. Koumoto. J. Nanosci. Nanotechnol., 9, 522 (2009).
Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.
Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.
