Марьянчук П.Д.
Черновицкий национальный университет им. Юрия Федьковича, Черновцы, Украина
8
Брус В.В.
Черновицкий национальный университет им. Юрия Федьковича, Черновцы, Украина
7
Тарасов И.С.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
7
Никитина Е.В.
Санкт-Петербургский Академический университет --- научно-образовательный центр нанотехнологий Российской академии наук, Санкт-Петербург, Россия
7
Егоров А.Ю.
Санкт-Петербургский Академический университет --- научно-образовательный центр нанотехнологий Российской академии наук, Санкт-Петербург, Россия
7
Брунков П.Н.
Санкт-Петербургский Академический университет --- научно-образовательный центр нанотехнологий Российской академии наук, Санкт-Петербург, Россия
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
6
Теруков Е.И.
Санкт-Петербургский государственный электротехнический университет "ЛЭТИ" им. В.И. Ульянова (Ленина), Санкт-Петербург, Россия
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
5
Боднарь И.В.
Белорусский государственный университет информатики и радиоэлектроники, Минск, Беларусь
5
Лебедев А.А.
Санкт-Петербургский государственный политехнический университет, Санкт-Петербург, Россия
5
Пихтин Н.А.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
5
Слипченко С.О.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
5
Мармалюк А.А.
"НИИ "Полюс" им. М.Ф. Стельмаха", Москва, Россия
4
Галиев Г.Б.
Институт сверхвысокочастотной полупроводниковой электроники Российской академии наук, Москва, Россия
4
Мальцев П.П.
Институт сверхвысокочастотной полупроводниковой электроники Российской академии наук, Москва, Россия
4
Мехтиева С.И.
Институт физики им. Г.М. Абдуллаева НАН Азербайджана, Баку, Азербайджан
4
Исаев А.И.
Институт физики им. Г.М. Абдуллаева НАН Азербайджана, Баку, Азербайджан
4
Конакова Р.В.
Институт физики полупроводников им. В.Е. Лашкарева Национальной академии наук Украины, Киев, Украина
4
Шашкин И.С.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
4
Середин П.В.
Воронежский государственный университет, Воронеж, Россия
4
Леньшин А.С.
Воронежский государственный университет, Воронеж, Россия
4
Иванов С.В.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
4
Васильевский И.С.
Национальный исследовательский ядерный университет "МИФИ", Москва, Россия
4
Баграев Н.Т.
Санкт-Петербургский государственный политехнический университет, Санкт-Петербург, Россия
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
4
Ильинская Н.Д.
Ioffe Physicotechnical Institute, Russian Academy of Sciences, St. Petersburg, Russia
4
Симаков В.А.
"НИИ "Полюс" им. М.Ф. Стельмаха", Москва, Россия
3
Безотосный В.В.
Физический институт им. П.Н. Лебедева Российской академии наук, Москва, Россия
3
Чешев Е.А.
Физический институт им. П.Н. Лебедева Российской академии наук, Москва, Россия
3
Подоскин А.А.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
3
Золотарев В.В.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
3
Коняев В.П.
"НИИ "Полюс" им. М.Ф. Стельмаха", Москва, Россия
3
Ладугин М.А.
"НИИ "Полюс" им. М.Ф. Стельмаха", Москва, Россия
3
Давыдов С.Ю.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
3
Ковалюк З.Д.
Институт проблем материаловедения им. И.Н. Францевича Национальной академии наук Украины, Черновицкое отделение, Черновцы, Украина
3
Климов Е.А.
Институт сверхвысокочастотной полупроводниковой электроники Российской академии наук, Москва, Россия
3
Клочков А.Н.
Институт сверхвысокочастотной полупроводниковой электроники Российской академии наук, Москва, Россия
3
Лаврухин Д.В.
Институт сверхвысокочастотной полупроводниковой электроники Российской академии наук, Москва, Россия
3
Пушкарёв С.С.
Институт сверхвысокочастотной полупроводниковой электроники Российской академии наук, Москва, Россия
3
Ивина Н.Л.
Нижегородский государственный технический университет им. Р.Е. Алексеева, Нижний Новгород, Россия
3
Орлов Л.К.
Институт физики микроструктур Российской академии наук, Нижний Новгород, Россия
Нижегородский государственный технический университет им. Р.Е. Алексеева, Нижний Новгород, Россия
3
Новиков В.А.
Сибирский физико-технический институт им. акад. В.Д. Кузнецова Томского государственного университета, Томск, Россия
3
Камилов И.К.
Институт физики им. Х.И. Амирханова Дагестанского научного центра РАН, Махачкала, Россия
3
Орлецкий И.Г.
Черновицкий национальный университет им. Юрия Федьковича (кафедра электроники и энергетики), Черновцы, Украина
3
Илащук М.И.
Черновицкий национальный университет им. Юрия Федьковича (кафедра электроники и энергетики), Черновцы, Украина
3
Журавлев К.С.
Новосибирский государственный университет, Новосибирск, Россия
3
Зайцев Д.А.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
3
Саченко А.В.
Институт физики полупроводников им. В.Е. Лашкарева Национальной академии наук Украины, Киев, Украина
3
Лютецкий А.В.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
3
Володин В.А.
Институт физики полупроводников им. А.В. Ржанова Сибирского отделения Российской академии наук, Новосибирск, Россия
Новосибирский государственный университет, Новосибирск, Россия
3
Козловский В.В.
Санкт-Петербургский государственный политехнический университет, Санкт-Петербург, Россия
3
Попов В.П.
Институт физики полупроводников им. А.В. Ржанова Сибирского отделения Российской академии наук, Новосибирск, Россия
3
Мошников В.А.
Новгородский государственный университет им. Ярослава Мудрого, Великий Новгород, Россия
Санкт-Петербургский государственный электротехнический университет "ЛЭТИ" им. В.И. Ульянова (Ленина), Санкт-Петербург, Россия
3
Солован М.Н.
Черновицкий национальный университет им. Юрия Федьковича, Черновцы, Украина
3
Арсентьев И.Н.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
3
Мынбаев К.Д.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
Национальный исследовательский университет ИТМО, Санкт-Петербург, Россия
3
Пирогов Е.В.
Санкт-Петербургский Академический университет --- научно-образовательный центр нанотехнологий Российской академии наук, Санкт-Петербург, Россия
3
Соболев М.С.
Санкт-Петербургский Академический университет --- научно-образовательный центр нанотехнологий Российской академии наук, Санкт-Петербург, Россия
3
Лазаренко А.А.
Санкт-Петербургский Академический университет --- научно-образовательный центр нанотехнологий Российской академии наук, Санкт-Петербург, Россия
3
Клячкин Л.Е.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
3
Маляренко А.М.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
3
Хрипунов Г.С.
Национальный технический университет "Харьковский политехнический институт", Харьков, Украина
3
Устинов В.М.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
3
Марков Л.К.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
3
Смирнова И.П.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
3
Павлюченко А.С.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
3
Кукушкин М.В.
ЗАО Инновационная фирма ТЕТИС", Санкт-Петербург, Россия
3
Климко Г.В.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
2
Сорокин С.В.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
2
Седова И.В.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
2
Гронин С.В.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
2
Торопов А.А.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
2
Афоненко А.А.
Белорусский государственный университет, Минск, Республика Беларусь
2
Олещенко В.А.
ФИАН, Москва, Россия
2
Сапожников С.М.
"НИИ "Полюс" им. М.Ф. Стельмаха", Москва, Россия
2
Бобров А.И.
Нижегородский государственный университет им. Н.И. Лобачевского, Нижний Новгород, Россия
2
Павлов Д.А.
Нижегородский государственный университет им. Н.И. Лобачевского, Нижний Новгород, Россия
2
Тетельбаум Д.И.
Нижегородский государственный университет им. Н.И. Лобачевского, Нижний Новгород, Россия
2
Комиссарова Т.А.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
2
Ващенко А.А.
Физический институт им. П.Н. Лебедева Российской академии наук, Москва, Россия
2
Витухновский А.Г.
Физический институт им. П.Н. Лебедева Российской академии наук, Москва, Россия
2
Тайдаков И.В.
Физический институт им. П.Н. Лебедева Российской академии наук, Москва, Россия
2
Клевков Ю.В.
Физический институт им. П.Н. Лебедева Российской академии наук, Москва, Россия
2
Алиев С.А.
Институт физики Национальной академии наук Азербайджана, Баку, Азербайджан
2
Клочко Н.П.
Национальный технический университет "Харьковский политехнический институт", Харьков, Украина
2
Копач В.Р.
Национальный технический университет "Харьковский политехнический институт", Харьков, Украина
2
Шалдин Ю.В.
Институт кристаллографии Российской академии наук, Москва, Россия
2
Mousavi Hamze
Department of Physics, Razi University, Kermanshah, Iran
Nano Science and Nano Technology Research Center, Razi University, Kermanshah, Iran
2
Растегаева М.Г.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
2
Багаев Т.А.
"НИИ "Полюс" им. М.Ф. Стельмаха", Москва, Россия
2
Макара В.А.
Киевский национальный университет имени Тараса Шевченко, физический факультет, Киев, Украина
2
Божко В.В.
Восточноевропейский национальный университет им. Леси Украинки, Луцк, Украина
2
Новосад А.В.
Восточноевропейский национальный университет им. Леси Украинки, Луцк, Украина
2
Вайнорюс Н.
Вильнюсский университет (Кафедра физики полупроводников и Институт прикладных наук), Вильнюс, Литва
2
Сакавичюс А.
Вильнюсский университет (Кафедра физики полупроводников и Институт прикладных наук), Вильнюс, Литва
2
Янонис В.
Вильнюсский университет (Кафедра физики полупроводников и Институт прикладных наук), Вильнюс, Литва
2
Кажукаускас В.
Вильнюсский университет (Кафедра физики полупроводников и Институт прикладных наук), Вильнюс, Литва
2
Якушев М.В.
Институт физики полупроводников им. А.В. Ржанова Сибирского отделения Российской академии наук, Новосибирск, Россия
2
Варавин В.С.
Институт физики полупроводников им. А.В. Ржанова Сибирского отделения Российской академии наук, Новосибирск, Россия
2
Яфясов А.М.
Санкт-Петербургский государственный университет, физический факультет, Санкт-Петербург, Россия
2
Кущев C.Б.
Воронежский государственный технический университет, Воронеж, Россия
2
Латышев А.Н.
Воронежский государственный университет, Воронеж, Россия
2
Леонова Л.Ю.
Воронежский государственный университет, Воронеж, Россия
2
Овчинников О.В.
Воронежский государственный университет, Воронеж, Россия
2
Смирнов М.С.
Воронежский государственный университет, Воронеж, Россия
2
Михантьев Е.А.
Институт физики полупроводников им. А.В. Ржанова Сибирского отделения Российской академии наук, Новосибирск, Россия
2
Неизвестный И.Г.
Институт физики полупроводников им. А.В. Ржанова Сибирского отделения Российской академии наук, Новосибирск, Россия
2
Усенков С.В.
Институт физики полупроводников им. А.В. Ржанова Сибирского отделения Российской академии наук, Новосибирск, Россия
2
Шварц Н.Л.
Институт физики полупроводников им. А.В. Ржанова Сибирского отделения Российской академии наук, Новосибирск, Россия
2
Романов В.В.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
2
Орлов М.Л.
Институт физики микроструктур Российской академии наук, Нижний Новгород, Россия
Нижегородский государственный технический университет им. Р.Е. Алексеева, Нижний Новгород, Россия
2
Хорват Ж.
Обуда университет, Институт микроэлектроники и технологии, Будапешт, Венгрия
2
Неверов В.Н.
Институт физики металлов им. М.Н. Михеева Уральского отделения Российской академии наук, Екатеринбург, Россия
2
Петрова Ю.С.
Сибирский физико-технический институт им. акад. В.Д. Кузнецова Томского государственного университета, Томск, Россия
2
Толбанов О.П.
Сибирский физико-технический институт им. акад. В.Д. Кузнецова Томского государственного университета, Томск, Россия
2
Черников Е.В.
Сибирский физико-технический институт им. акад. В.Д. Кузнецова Томского государственного университета, Томск, Россия
2
Цупий С.Ю.
Сибирский физико-технический институт им. акад. В.Д. Кузнецова Томского государственного университета, Томск, Россия
2
Яскевич Т.М.
Сибирский физико-технический институт им. акад. В.Д. Кузнецова Томского государственного университета, Томск, Россия
2
Богданова Е.В.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
2
Охрименко О.Б.
Институт физики полупроводников им. В.Е. Лашкарева Национальной академии наук Украины, Киев, Украина
2
Светличный А.М.
Таганрогский технологический институт Южного федерального университета (ТТИ ЮФУ), Таганрог, Россия
2
Глотов А.В.
Воронежский государственный университет, Воронеж, Россия
2
Дроздов Ю.Н.
Институт физики микроструктур Российской академии наук, Нижний Новгород, Россия
2
Поляков А.Я.
Университет "Дубна", Дубна, Россия
2
Стрельчук В.В.
Институт физики полупроводников им. Лашкарeва Национальной академии наук Украины, Киев, Украина
2
Зейналов В.З.
Институт физики им. Г.М. Абдуллаева НАН Азербайджана, Баку, Азербайджан
2
Цырлин Г.Э.
Научно-исследовательский институт физики им. В.А. Фока Санкт-Петербургского государственного университета, Санкт-Петербург, Петергоф, Россия
2
Семенов А.В.
Санкт-Петербургский государственный электротехнический университет "ЛЭТИ" им. В.И. Ульянова (Ленина), Санкт-Петербург, Россия
ООО "НТЦ тонкопленочных технологий в энергетике при ФТИ им. А.Ф. Иоффе", Санкт-Петербург, Россия
2
Tsai Jung-Hui
Department of Electronic Engineering, National Kaohsiung Normal University, 116, Kaohsiung, Taiwan
2
Chiang Chung-Cheng
Department of Electronic Engineering, National Kaohsiung Normal University, 116, Kaohsiung, Taiwan
2
Крылов П.Н.
Удмуртский государственный университет, Ижевск, Россия
2
Закирова Р.М.
Удмуртский государственный университет, Ижевск, Россия
2
Федотова И.В.
Удмуртский государственный университет, Ижевск, Россия
2
Тимошина Н.Х.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
2
Беляев А.Е.
Институт физики полупроводников им. В.Е. Лашкарева Национальной академии наук Украины, Киев, Украина
2
Болтовец Н.С.
Государственное предприятие НИИ "Орион", Киев, Украина
2
Николаев Д.Н.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
2
Гребенщикова Е.А.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
2
Тысченко И.Е.
Институт физики полупроводников им. А.В. Ржанова Сибирского отделения Российской академии наук, Новосибирск, Россия
2
Шаров М.К.
Воронежский государственный университет, Воронеж, Россия
2
Торопов А.И.
Институт физики полупроводников им. А.В. Ржанова Сибирского отделения Российской академии наук, Новосибирск, Россия
2
Тагиев О.Б.
Институт физики Национальной академии наук Азербайджана, Баку, Азербайджан
2
Мурадов М.Б.
Бакинский государственный университет, Баку, Азербайджан
2
Мамедов Ф.М.
Институт проблемы химии Национальной академии наук Азербайджана, A Баку, Азербайджан
2
Аскеров Э.Б.
Институт радиационных проблем Национальной академии наук Азербайджана, Баку, Азербайджан
Объединенный институт ядерных исследований, Дубна, Россия
2
Мададзада А.И.
Объединенный институт ядерных исследований, Дубна, Россия
Институт физики им. Г.М. Абдуллаева НАН Азербайджана, Баку, Азербайджан
2
Исмаилов Д.И.
Институт физики им. Г.М. Абдуллаева НАН Азербайджана, Баку, Азербайджан
2
Мехтиева Р.Н.
Институт радиационных проблем Национальной академии наук Азербайджана, Баку, Азербайджан
2
Надточий А.М.
Санкт-Петербургский Академический университет --- научно-образовательный центр нанотехнологий Российской академии наук, Санкт-Петербург, Россия
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
ООО "Солар Дотс", Санкт-Петербург, Россия
2
Паюсов А.С.
Санкт-Петербургский Академический университет --- научно-образовательный центр нанотехнологий Российской академии наук, Санкт-Петербург, Россия
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
2
Никишин Е.В.
Мордовский государственный университет им. Н.П. Огарева, Саранск, Россия
2
Дукин А.А.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
2
Гец Д.С.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
2
Бондарев А.Д.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
2
Вавилова Л.С.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
2
Мынбаева М.Г.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
2
Головатенко А.А.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
ООО "Совершенные кристаллы", Санкт-Петербург, Россия
2
Лаврентьев А.А.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
2
Неведомский В.Н.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
2
Преображенский В.В.
Институт физики полупроводников им. А.В. Ржанова Сибирского отделения Российской академии наук, Новосибирск, Россия
2
Emtsev V.V.
Ioffe Physicotechnical Institute, Russian Academy of Sciences, St. Petersburg, Russia
2
Abrosimov N.V.
Leibniz Institute for Crystal Growth, Berlin, Germany
2
Kozlovskii V.V.
St. Petersburg Polytechnical State University, St. Petersburg, Russia
2
Oganesyan G.A.
Ioffe Physicotechnical Institute, Russian Academy of Sciences, St. Petersburg, Russia
2
Биленко Д.И.
Саратовский национальный исследовательский государственный университет им. Н.Г. Чернышевского, Саратов, Россия
2
Явсин Д.А.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
2
Гуревич С.А.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
2
Яговкина М.А.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
2
Прокофьева Л.В.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
2
Константинов П.П.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
2
Пшенай-Северин Д.А.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
2
Федоров М.И.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
2
Шенгуров Д.В.
Институт физики микроструктур Российской академии наук, Нижний Новгород, Россия
2
Красильник З.Ф.
Институт физики микроструктур Российской академии наук, Нижний Новгород, Россия
Нижегородский государственный университет им. Н.И. Лобачевского, Нижний Новгород, Россия
2
Байдакова М.В.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
2
Конников С.Г.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
2
Машков В.А.
Санкт-Петербургский государственный политехнический университет, Санкт-Петербург, Россия
2
Тимошенко В.Ю.
Московский государственный университет им. М.В. Ломоносова (физический факультет), Москва, Россия
2
Виниченко А.Н.
Национальный исследовательский ядерный университет "МИФИ", Москва, Россия
2
Гладков В.П.
Национальный исследовательский ядерный университет "МИФИ", Москва, Россия
2
Каргин Н.И.
Национальный исследовательский ядерный университет "МИФИ", Москва, Россия
2
Стриханов М.Н.
Национальный исследовательский ядерный университет "МИФИ", Москва, Россия
2
Жуков А.Е.
Санкт-Петербургский Академический университет --- научно-образовательный центр нанотехнологий Российской академии наук, Санкт-Петербург, Россия
Санкт-Петербургский государственный политехнический университет, Санкт-Петербург, Россия
Санкт-Петербургский научный центр Российской академии наук, Санкт-Петербург, Россия
2
Максимов М.В.
Санкт-Петербургский Академический университет --- научно-образовательный центр нанотехнологий Российской академии наук, Санкт-Петербург, Россия
Санкт-Петербургский государственный политехнический университет, Санкт-Петербург, Россия
2
Даниловский Э.Ю.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
2
Именков А.Н.
Ioffe Physicotechnical Institute, Russian Academy of Sciences, St. Petersburg, Russia
2
Шерстнев В.В.
Ioffe Physicotechnical Institute, Russian Academy of Sciences, St. Petersburg, Russia
2
Яковлев Ю.П.
Institute of Technical Physics and Materials Science, Research Centre for Natural Sciences, Hungarian Academy of Sciences, Budapest, Hungary
2
Бобров М.А.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
2
Блохин С.А.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
2
Кузьменков А.Г.
ООО "Коннектор Оптикс", Санкт-Петербург, Россия
Научно-технологический центр микроэлектроники и субмикронных гетероструктур Российской академии наук, Санкт-Петербург, Россия
2
Малеев Н.А.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
2
Задиранов Ю.М.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
2
Закгейм Д.А.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
2
Павлов С.И.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
2
Завадский С.М.
Белорусский государственный университет информатики и радиоэлектроники, Минск, Беларусь
2
Голосов Д.А.
Белорусский государственный университет информатики и радиоэлектроники, Минск, Беларусь
2
© 2021 Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук