"Физика и техника полупроводников"
Вышедшие номера
Сравнение разных способов переноса графена и мультиграфена, выращенных методом химического газофазного осаждения, на изолирующую подложку SiO2/Si
Антонова И.В.1, Голод С.В.1, Соотс Р.А.1, Комонов А.И.1, Селезнев В.А.1, Сергеев М.А.1, Володин В.А.1,2, Принц В.Я.1
1Институт физики полупроводников им. А.В. Ржанова Сибирского отделения Российской академии наук, Новосибирск, Россия
2Новосибирский государственный университет, Новосибирск, Россия
Поступила в редакцию: 12 сентября 2013 г.
Выставление онлайн: 20 мая 2014 г.

Целью работы было сравнение результатов переноса слоев графена и мультиграфена толщиной до 5 нм, выращенных методом химического газофазного осаждения при пониженном давлении (CVD), на подложку SiO2/Si с использованием четырех различных полимерных пленок. Выбранные способы переноса основывались на наиболее перспективных литературных вариантах: использование полиметил метакрилата, полидиметилсилоксана, термоскотча и поликарбоната. Показано, что наиболее перспективным способом переноса (минимальное сопротивление и максимальная подвижность носителей) является использование тонких пленок поликарбоната с растворением их в хлороформе. В этом случае стабильно получались следующие результаты: сопротивление графена и мультиграфена составляло 250-900 Ом/#, а подвижность носителей 900-2500 см2/В·с.
  1. V. Singh, D. Joung, L. Zhai, S. Das, S.I. Khondaker, S. Seal. Progr. Mater. Sci., 56, 1178 (2011)
  2. I.A. Kotin, I.V. Antonova, A.I. Komonov, V.A. Seleznev, R.A. Soots, V.Ya. Prinz. J. Phys. D, 46, 285 303 (2013)
  3. I. Antonova, S. Mutilin, V. Seleznev, R. Soots, V. Volodin, V. Prinz. Nanotechnology, 22, 285 502 (2011)
  4. I.V. Antonova, I.A. Kotin, R.A. Soots, V.A. Volodin, V.Ya. Prinz. Nanotechnology, 23, 315 601 (2012)
  5. W. Liu, H. Li, C. Xu, Y. Khatami, K. Banerjee. Carbon, 49, 4122 (2011)
  6. T. Kobayashi, M. Bando, N. Kimura, K, Shimizu, K. Kadono, N. Umezu, K. Miyahara, S. Hayazaki, S. Nagai, Y. Mizuguchi, Y. Murakami, D. Hobara. Appl. Phys. Lett., 102, 023 112 (2013)
  7. H. Zhou, W.J. Yu, L. Liu, R. Cheng, Y. Chen, X. Huang, Y. Liu, Y. Wang, Y. Huang, X. Duan. Nature Commun., 4, 2096 (2013)
  8. N. Petrone, C.R. Dean, I. Meric, A.M. van der Zande, P.Y. Huang, L. Wang, D. Muller, K.L. Shepard, J. Hone. Nano Lett., 12, 2751 (2012)
  9. J.W. Suk, A. Kilt, C.W. Magnuson, Y. Hao, S. Ahmed, J. An, A.K. Swan, B.B. Goldberg, R.S. Ruoff. ACS Nano, 5, 6916 (2011)
  10. Y. Lee, S. Bae, H. Jang, S. Jang, S.-F. Zhu, S.H. Sim, Y. Song, B.H. Hong, J.-H. Ahn. Nano Lett., 10, 490 (2010)
  11. J.D. Caldwell, T.J. Anderson, J.C. Culbertson, G.G. Jernigan, K.D. Hobart, F.J. Kub, M.J. Tadjer, J.L. Tedesco, J.K. Hite, M.A. Mastro, R.L. Myers-Ward, C.R. Eddy, P.M. Campbell, D.K. Gaskil. ACS Nano, 4, 1108 (2010)
  12. Y.-C. Lin, C. Jin, J.-C. Lee, S.-F. Jen, K. Suenaga, P.-W. Chiu. ACS Nano, 5, 2362 (2011)
  13. Y. Wang, Y. Zheng, X. Xu, E. Dubuisson, Qi. Bao, J. Lu, K.P. Loh. ACS Nano, 5, 9927 (2011)
  14. A. Mameli, G.V. Bianco, M.M. Giangregorio, P. Capezzuto, M. Losurdo, G. Bruno. Abstr. Int. Conf. Graphene-2013 (Bilbao, 2013)
  15. S. Chen, H. Ji, H. Chou, Q. Li, H. Li, J.W. Suk, R. Piner, L. Liao, W. Cai, R.S. Ruoff. Advanced Mater. (2013). DOI: 10.1002/adma.201204000
  16. X. Li, C.W. Magnuson, A. Venugopal, R.M. Tromp, J.B. Hannon, E.M. Vogel, L. Colombo, R.S. Ruoff. J. Am. Chem. Soc., 133, 2816 (2011)
  17. H. Wang, T. Taychatanapat, A. Hsu, K. Watanabe, T. Taniguchi, P. Jarillo-Herrero, T. Palacios. IEEE Electron. Dev. Lett., 32, 1209 (2011)
  18. L. Britnell, R.V. Gorbachev, R. Jalil, B.D. Belle, F. Schedin, M.I. Katsnelson, L. Eaves, S.V. Morozov, N.M.R. Peres, J. Leist, A.K. Geim, K.S. Novoselov, L.A. Ponomarenko. Science, 335, 247 (2012)

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.