"Физика и техника полупроводников"
Вышедшие номера
Комбинационное рассеяние света в халькогенидных стеклообразных полупроводниках As-Se-S и As-Se-Te
Алекберов Р.И.1, Мехтиева С.И.1, Исаева Г.А.1, Исаев А.И.1
1Институт физики им. Г.М. Абдуллаева НАН Азербайджана, Баку, Азербайджан
Поступила в редакцию: 12 августа 2013 г.
Выставление онлайн: 20 мая 2014 г.

Синтезированы халькогенидные стеклообразные полупроводники составов As-Se-S и As-Se-Te, и термическим напылением получены тонкие пленки. Методами рентгенофазового анализа и комбинационного рассеяния света установлена их аморфность, а также исследованы структурные особенности. Показано, что матрицы обоих материалов обладают сеточно-цепочечной структурой с ковалентной связью между атомами As, Se, S и Te. В матрице As-Se-S существуют структурные единицы типа пирамид AsSe3, AsS3, бипирамиды AsSe3/2 и молекулы alpha(beta)-As4S4, а в As-Se-Te - единицы AsSe3, AsSe3/2, As2Se3, As2Te3. Определены колебательные моды связей Se-Se, Te-Te, As-As, As-S, Se-As-Se, As-Se-As, Se-As-S, Se-As-Te, Se-Te, составляющих как отдельные молекулы, так и аморфные матрицы.
  1. A. Madan, M.P. Show. The Physics and Application of Amorphous Semiconductors (Academic Press, Inc., Boston--San Diego, 1988)
  2. V. Kovanda, Mir Vicek, H. Jain. J. Non-Cryst. Sol., 326--327, 88 (2003)
  3. J.S. Sanghera, I.D. Aggarwal, L.B. Shaw, C.M. Florea, P. Pureza, V.G. Nguyen, F. Kung. J. Optoelectron. Adv. Mater., 8, 2148 (2006)
  4. I. Aggarwal, J. Sanghera. J. Optoelectron. Adv. Mater., 4, 665 (2002)
  5. J. Viens, C. Meneghini, A. Villeneuve et al. J. Lightwave Technol., 17, 1184 (1999)
  6. Y. Ruan, W. Li, R. Jarvis, N. Madsen, A. Rode, B. Luther-Davies. Opt. Express, 12, 5140 (2004)
  7. H.Y. Hwang, G. Lenz, M.E. Lines, R.E. Slusher. US Patent, No 6.208.792 (2001)
  8. L.P. Kazakova, E.A. Lebedev, N.B. Zakharova, I.I. Yatlinko, A.I. Isayev, S.I. Mekhtiyeva. J. Non-Cryst. Sol., 167, 65 (1994)
  9. A.I. Isayev, S.I. Mekhtieva, N.Z. Jalilov, R.I. Alekperov. Sol. St. Commun. 149 (1--2), 45 (2009)
  10. А.И. Исаев, Л.П. Казакова, Э.А. Лебедев, С.И. Мехтиева, И.И. Ятлинко. А.С. N 1512015 (М, 1989)
  11. S.R. Lukic, D.M. Petrovic, S.J. Skuban, Lj. Radonjic, Z. Cvejic. J. Optoelectron. Adv. Mater., 5, 1223 (2003)
  12. М.Ф. Чурбанов, В.С. Ширяев, А.И. Сучков и др. Неорг. матер., 43, 506 (2007)
  13. G. Lucovsky, F.L. Galeener, R.C. Keezer, R.H. Geils, H.A. Six. Phys. Rev. B, 10, 5134 (1974)
  14. V.I. Mikla. J. Phys.: Condens. Matter, 9, 9209 (1997)
  15. M.S. Iovu, E.I. Kamitsos, C.P.E. Varsamis, P. Boolchand, M. Popescu. Chalcogenide Lett., 2, 21 (2005)
  16. R. Holomb, V. Mitsa, P. Johansson et al. Chalcogenide Lett., 2, 63 (2005)
  17. M. Frumar, Z. Polak, M. Vlcek, Z. Cernosek. J. Non-Cryst. Sol., 213--214, 215 (1997)
  18. A. Mendoza-Galvan, E. Garcia-Garcia, Y.V. Vorobiev, J. Gonzalez-Hernandez. Microelectron. Engin., 51--52, 677 (2000)
  19. M.H. Brodsky, R.J. Gambino, J.E. Smith, jr., Y. Yacoby. Phys. Status Solidi B, 52 (2), 609 (1972)
  20. T. Usuki, K. Saitoh, M. Endo, O. Uemura. J. Non-Cryst. Sol., 205--207, 184 (1996)
  21. W. Li, S. Seal, C. Rivero, C. Lopez, K. Richardson, A. Pope, A. Schulte, S. Myneni, H. Jain, K. Antoine, A.C. Miller. J. Appl. Phys., 98, 053 503 (2005)
  22. G. Lucovsky, R.M. Martin. J. Non-Cryst. Sol., 8--10, 185 (1972)
  23. О.В. Химинец, В.С. Герасименко и др. ЖПХ, 51 (7), 1522 (1978)
  24. Э.В. Школьников, В.С. Герасименко, З.У. Борисова. Физика и химия стекла, 3 (4), 338 (1977)
  25. V.S. Vassilev, Z.G. Ivanova, L. Aljihmani, E. Cernoskova, Z. Cernosek. Mater. Lett., 59, 85 (2005)
  26. Conji Zha, Rongping Wang et al. J. Mater. Sci.: Mater. Electron., 18, 389 (2007)

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.