Физика и техника полупроводников

Авторам

Правила оформления публикаций

Вышедшие номера

2024
- 1
2023
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9
2022
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2021
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2020
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2019
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2018
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 13
2017
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2016
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2015
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2014
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2013
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2012
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2011
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2010
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2009
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2008
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2007
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2006
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2005
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2004
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2003
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2002
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2001
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2000
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1999
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1998
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1997
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1996
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1995
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1994
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1993
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1992
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1991
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1990
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1989
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1988
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12

Роль атомов самария в формировании структуры халькогенидных стеклообразных полупроводников As-Se-S

Алекберов Р.И.¹, Исаев А.И.¹, Мехтиева С.И.¹, Исаева Г.А.¹

¹Институт физики им. Г.М. Абдуллаева НАН Азербайджана, Баку, Азербайджан Institute of Physics, Azerbaijan National Academy of Sciences, Baku, Azerbaijan

Institute of Physics, Azerbaijan National Academy of Sciences, Baku, Azerbaijan

Поступила в редакцию: 30 июля 2013 г.

Выставление онлайн: 20 мая 2014 г.

PDF версия

Абстракт
Литература
Статистика просмотров

Исследованы спектры комбинационного рассеяния света в пленках трехкомпонентных халькогенидных стеклообразных полупроводников As-Se-S, легированных самарием. Показано, что спектры КРС состоят из четырех полос, охватывающих интервалы частот 10-100, 195-290, 290-404, 420-507 см^-1 и сильно изменяющихся легированием. Установлены структурные единицы в As-Se-S и их возможные изменения при легировании. Полученные результаты объясняются исходя из особенностей распределения атомов самария в образце и их химической активностью.

J.S. Sanghera, I.D. Aggarwal, L.В. Shaw, С.М. Florea, P. Pureza, V.G. Nguyen, F. Kung. J. Optoelectron. Adv. Mater., 8, 2148 (2006)
A. Zakery, S. Elliott. J. Non-Cryst., 330, 1, (2003)
J. Sanghera, I. Aggarwal. J. Non-Cryst. Sol., 256, 6 (1999)
И.В. Фекешгази, К.В. Май, Н.И. Мателешко, В.М. Мица, Е.И. Боркац. ФТП, 39, 986, (2005)
А.М. Настас, А.М. Андриеш, В.В. Бивол, А.М. Присакар, Г.М. Тридух. Письма ЖТФ, 32, 89 (2006)
А.И. Исаев, С.И. Мехтиева, С.Н. Гарибова, Р.И. Алекперов, В.3. Зейналов. ФТП, 45, 1026 (2011)
А.И. Исаев, Л.П. Казакова, Э.А. Лебедев, С.И. Мехтиева, И.И. Ятлинко. А. c. N 1512015 (М., 1989)
A.I. Isayev, S.I. Mekhtieva, N.Z. Jalilov, R.I. Alekperov. Sol. St. Commun., 149, iss 1--2, 45 (2009)
О.А. Голикова. ФТП, 35, 1370, (2001)
Zha Congji, Wang Rongping et al. J. Sci. Mater. Electron., 18, S389 (2007)
К.Д. Цендин. Электронные явления в халькогенидных стеклообразных полупроводниках (СПб., 1996)
К.N. Dri, D. Houphouet-Boigny, J.С. Jumas, J. Non-Oxide Glasses, 3 (2), 29 (2012)
F. Sava, A. Lorinczi, M. Popescu, G. Sokol, E. Axente, I.N. Mihailscu, M. Nistor. J. Optoelectron. Adv. Mater., 8 (4), 1367 (2006)
M.Ф. Чурбанов, В.С. Ширяев и др. Неорг. матер., 43, 506 (2007)
L.P. Kazakova, Е.A. Lebedev, N.В. Zakharova, I.I. Yatlinko, A.I. Isayev, S.I. Mekhtiyev. J. Non-Cryst. Sol., 167, 65 (1994)
A.I. Isayev, S.I. MeKhtiyeva, N.Z. Jalilov, R.I. Alekperov, V.Z. Zeynalov. J. Optoelectron. Adv. Materials-RC, 1 ISS, 8, 368 (2007)
M.F. Churbanov, V.S. Shiryaev, I.V. Scripachev et al. J. Non-Cryst. Sol., 284, 146 (2001)
Н.Ф. Мотт, Э.А. Девис. Электронные процессы в некристаллических веществах (М., Мир, 1982). [Пер. с англ.: N. Mott, Е. Davis. Electronic processes in non-cryst. solids]
S.G. Bishop, D.A. Tumbull, B.G. Aitken. J. Non-Cryst. Sol., 266-- 269, 867, (2000)
Р.И. Алекберов, А.И. Исаев, С.И. Мехтиева, Г.А. Исаева, Г.Г. Гусейнов, А.С. Амиров. Изв. XXXIII, N 2 (2013)
M.S. Iovu, E.I. Kamitsos, C.P.E. Varsamis, P. Boolchand, M. Popescu. Chalcogenide Lett., 2, 21 (2005)
V.K. Malinovsky, V.N. Novikov, P.P. Parshin, A.P. Sokolov, M.G. Zemlyanov. Europhys. Lett., 11, 43 (1990)
M.И. Клингер. УФН, 152, 623 (1989)
U. Buchenau, Yu.M. Galperin, V.L. Gurevich, H.R. Shober. Phys. Rev. B, 43, 5039 (1991)
J.R. Graebner, B. Golding. Phys. Rev. B, 34, 5788 (1986)
J.L. Wang, J.С. Tsai, С.Т. Liu. J. Appl. Phys., 88, 2533 (2000)
V. Kovanda, Mir Vicek, H. Jain. J. Non-Cryst. Sol., 326\& 327, 88 (2003)
A.V. Stronski, M. Vicek, S.A. Kostyukevych et al. Semicond. Phys., Quant. Electron. Optoelectron. 5, 284 (2002)
T. Cardinal, K.A. Richardson, H. Shim et al. J. Non-Cryst. Sol., 256\& 257, 353 (1999)
С. Lopez, K.A. Richardson, R. Valee et al. Photo--Induced Changes in Arsenic-Based Chalcogenides, PAPER, \#CThP2512, CLEO'04/San Francisco, 2004
M. Terao et al. Jpn. J. Appl. Phys., 41, 61 (1972)
С.W. Thompson, N.G. Gingrich. J. Chem. Phys., 31, 1598 (1959)
M. Vleck, A.V. Stronski, A. Sclenar, T. Wagner, S.O. Kasap. J. Non-Cryst. Sol., 266-- 269, 964 (2000)
M.W. Elmiger. Diss. Doct. of Natural sciences, Swiss federal institute of technology (Zurich, 1988).

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.

Учредители

Издатель