"Физика и техника полупроводников"
Вышедшие номера
Общее количество статей:
10472
Распределение статей по годам:
517
490
469
411
345
329
302
266
295
311
285
292
278
262
263
259
256
277
251
260
244
294
288
284
279
295
305
301
303
316
330
309
287
219

Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов. Дата начала обработки информации по просмотрам - 27 января 2016 г.

За 2011 год:
Статья
Просмотров
Статья
Просмотров
Автор
Организация
Статей
Тарасов И.С.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
9
Теруков Е.И.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
8
Максимов М.В.
Санкт-Петербургский Академический университет --- научно-образовательный центр нанотехнологий Российской академии наук, Санкт-Петербург, Россия
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
6
Пихтин Н.А.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
6
Боднарь И.В.
Белорусский государственный университет информатики и радиоэлектроники, Минск, Беларусь
6
Лебедев А.А.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
5
Устинов В.М.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
5
Станкевич А.Л.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
5
Кульбачинский В.А.
Физический факультет Московского государственного университета им. М.В. Ломоносова, Москва, Россия
5
Иванов С.В.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
5
Сидоров Ю.Г.
Институт физики полупроводников им. А.В. Ржанова Сибирского отделения Российской академии наук, Новосибирск, Россия
4
Леденцов Н.Н.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
Institut fur Festkorperphysik, Technische Universitat,, Berlin, Germany
4
Жуков А.Е.
Санкт-Петербургский Академический университет --- научно-образовательный центр нанотехнологий Российской академии наук, Санкт-Петербург, Россия
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
4
Немов С.А.
Санкт-Петербургский государственный политехнический университет, Санкт-Петербург, Россия
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
4
Рудь В.Ю.
Санкт-Петербургский государственный политехнический университет, Санкт-Петербург, Россия
4
Рудь Ю.В.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
4
Цырлин Г.Э.
Институт аналитического приборостроения Российской академии наук, Санкт-Петербург, Россия
Санкт-Петербургский Академический университет --- научно-образовательный центр нанотехнологий Российской академии наук, Санкт-Петербург, Россия
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
4
Буравлев А.Д.
Санкт-Петербургский Академический университет --- научно-образовательный центр нанотехнологий Российской академии наук, Санкт-Петербург, Россия
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
4
Самсоненко Ю.Б.
Институт аналитического приборостроения Российской академии наук, Санкт-Петербург, Россия
Санкт-Петербургский Академический университет --- научно-образовательный центр нанотехнологий Российской академии наук, Санкт-Петербург, Россия
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
4
Филатов Д.О.
Научно-исследовательский физико-технический институт Нижегородского государственного университета им. Н.И. Лобачевского, Нижний Новгород, Россия
4
Крыжановская Н.В.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
4
Тимошенко В.Ю.
Московский государственный университет им. М.В. Ломоносова (физический факультет), Москва, Россия
4
Васильевский И.С.
Национальный исследовательский ядерный университет "МИФИ", Москва, Россия
4
Галиев Г.Б.
Институт сверхвысокочастотной полупроводниковой электроники Российской академии наук, Москва, Россия
4
Климов Е.А.
Институт сверхвысокочастотной полупроводниковой электроники Российской академии наук, Москва, Россия
4
Надточий А.М.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
4
Винокуров Д.А.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
4
Красильник З.Ф.
Институт физики микроструктур Российской академии наук, Нижний Новгород, Россия
4
Яковлев Ю.П.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
4
Керимова Т.Г.
Институт физики Национальной академии наук Азербайджана, Баку, Азербайджан
3
Бер Б.Я.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
3
Казанцев Д.Ю.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
3
Варавин В.С.
Институт физики полупроводников им. А.В. Ржанова Сибирского отделения Российской академии наук, Новосибирск, Россия
3
Якушев М.В.
Институт физики полупроводников им. А.В. Ржанова Сибирского отделения Российской академии наук, Новосибирск, Россия
3
Блохин С.А.
Санкт-Петербургский Академический университет --- научно-образовательный центр нанотехнологий Российской академии наук, Санкт-Петербург, Россия
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
3
Савельев А.В.
Санкт-Петербургский Академический университет --- научно-образовательный центр нанотехнологий Российской академии наук, Санкт-Петербург, Россия
3
Торхов Н.А.
Научно-исследовательский институт полупроводниковых приборов, Томск, Россия
3
Давыдов С.Ю.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
3
Конакова Р.В.
Институт физики полупроводников им. В.Е. Лашкарева Национальной академии наук Украины, Киев, Украина
3
Егоров А.Ю.
Санкт-Петербургский Академический университет --- научно-образовательный центр нанотехнологий Российской академии наук, Санкт-Петербург, Россия
3
Задиранов Ю.М.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
3
Скуратов В.А.
Объединенный институт ядерных исследований, Дубна, Россия
3
Мынбаева М.Г.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
3
Мынбаев К.Д.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
3
Ситникова А.А.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
3
Моисеев К.Д.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
3
Бордовский Г.А.
Российский государственный педагогический университет им. А.И. Герцена, Санкт-Петербург, Россия
3
Марченко А.В.
Российский государственный педагогический университет им. А.И. Герцена, Санкт-Петербург, Россия
3
Серегин П.П.
Российский государственный педагогический университет им. А.И. Герцена, Санкт-Петербург, Россия
3
Земляков В.Е.
Научно-производственное предприятие Исток, Фрязино, Россия
3
Иванов П.А.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
3
Коньков О.И.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
3
Потапов А.С.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
3
Самсонова Т.П.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
3
Слипченко С.О.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
3
Подоскин А.А.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
3
Лешко А.Ю.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
3
Кытин В.Г.
Физический факультет Московского государственного университета им. М.В. Ломоносова, Москва, Россия
3
Кузнецов В.П.
Институт физики микроструктур Российской академии наук, Нижний Новгород, Россия
Научно-исследовательский физико-технический институт Нижегородского государственного университета им. Н.И. Лобачевского, Нижний Новгород, Россия
3
Марычев М.О.
Нижегородский государственный университет им. Н.И. Лобачевского, Нижний Новгород, Россия
3
Середин П.В.
Воронежский государственный университет, Воронеж, Россия
3
Белогорохов И.А.
ОАО Гиредмет, Москва, Россия
3
Рябчиков Ю.В.
Физический институт Российской академии наук, Москва, Россия
3
Хохлов Д.Р.
Московский государственный университет им. М.В. Ломоносова, Москва, Россия
3
Ильинская Н.Д.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
3
Камилов И.К.
Институт физики им. Х.И. Амирханова Дагестанского научного центра РАН, Махачкала, Россия
3
Рембеза С.И.
Воронежский государственный технический университет, Воронеж, Россия
3
Кудрявцев К.Е.
Институт физики микроструктур Российской академии наук, Нижний Новгород, Россия
2
Лобанов Д.Н.
Институт физики микроструктур Российской академии наук, Нижний Новгород, Россия
2
Новиков А.В.
Институт физики микроструктур Российской академии наук, Нижний Новгород, Россия
2
Кюрегян А.С.
Всероссийский электротехнический институт им. В.И. Ленина, Москва, Россия
2
Шенгуров В.Г.
Научно-исследовательский физико-технический институт Нижегородского государственного университета им. Н.И. Лобачевского, Нижний Новгород, Россия
2
Шмидт Н.М.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
2
Якимов Е.Б.
Институт проблем технологии микроэлектроники и особочистых материалов Российской академии наук, Черноголовка, Россия
2
Колин Н.Г.
НИФХИ им. Л.Я. Карпова, Обнинский филиал, Обнинск, Россия
2
Корулин А.В.
НИФХИ им. Л.Я. Карпова, Обнинский филиал, Обнинск, Россия
2
Шерстнев В.В.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
2
Андреев И.А.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
2
Александров О.В.
Санкт-Петербургский государственный электротехнический университет "ЛЭТИ" им. В.И. Ульянова (Ленина), Санкт-Петербург, Россия
2
Ершов А.В.
Нижегородский государственный университет им. Н.И. Лобачевского, Нижний Новгород, Россия
2
Машин А.И.
Нижегородский государственный университет им. Н.И. Лобачевского, Нижний Новгород, Россия
2
Кучук А.В.
Институт физики полупроводников им. В.Е. Лашкарева Национальной академии наук Украины, Киев, Украина
2
Беляев А.Е.
Институт физики полупроводников им. В.Е. Лашкарева Национальной академии наук Украины, Киев, Украина
2
Торопов А.А.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
2
Шахмин А.А.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
2
Хребтов А.И.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
2
Сорочкин А.В.
Институт физики полупроводников им. А.В. Ржанова Сибирского отделения Российской академии наук, Новосибирск, Россия
2
Дворецкий С.А.
Институт физики полупроводников им. А.В. Ржанова Сибирского отделения Российской академии наук, Новосибирск, Россия
2
Клевков Ю.В.
Физический институт им. П.Н. Лебедева Российской академии наук, Москва, Россия
2
Сабинина И.В.
Институт физики полупроводников им. А.В. Ржанова Сибирского отделения Российской академии наук, Новосибирск, Россия
2
Подливаев А.И.
Национальный исследовательский ядерный университет "МИФИ", Москва, Россия
2
Опенов Л.А.
Национальный исследовательский ядерный университет "МИФИ", Москва, Россия
2
Бимберг Д.
Institut fur Festkorperphysik, Technische Universitat,, Berlin, Germany
2
Аракчеева Е.М.
Санкт-Петербургский Академический университет --- научно-образовательный центр нанотехнологий Российской академии наук, Санкт-Петербург, Россия
2
Гордеев Н.Ю.
Санкт-Петербургский Академический университет --- научно-образовательный центр нанотехнологий Российской академии наук, Санкт-Петербург, Россия
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
2
Зубов Ф.И.
Санкт-Петербургский Академический университет --- научно-образовательный центр нанотехнологий Российской академии наук, Санкт-Петербург, Россия
2
Гулямов Г.
Наманганский инженерно-педагогический институт, Наманган, Узбекистан
2
Гременок В.Ф.
Научно-практический центр Национальной академии наук Беларуси по материаловедению, Минск, Беларусь
2
Башкиров С.А.
Научно-практический центр Национальной академии наук Беларуси по материаловедению, Минск, Беларусь
2
Иванов В.А.
Научно-практический центр Национальной академии наук Беларуси по материаловедению, Минск, Беларусь
2
Ковалюк З.Д.
Институт проблем материаловедения им. И.Н. Францевича Национальной академии наук Украины, Черновицкое отделение, Черновцы, Украина
2
Сошников И.П.
Санкт-Петербургский Академический университет --- научно-образовательный центр нанотехнологий Российской академии наук, Санкт-Петербург, Россия
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
2
Афанасьев Дм.Е.
Санкт-Петербургский государственный университет, физический факультет, Санкт-Петербург, Россия
2
Петров В.А.
Санкт-Петербургский Академический университет --- научно-образовательный центр нанотехнологий Российской академии наук, Санкт-Петербург, Россия
2
Танклевская Е.М.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
2
Новиков В.А.
Сибирский физико-технический институт им. акад. В.Д. Кузнецова Томского государственного университета, Томск, Россия
2
Исаков М.А.
Научно-исследовательский физико-технический институт Нижегородского государственного университета им. Н.И. Лобачевского, Нижний Новгород, Россия
2
Миленин В.В.
Институт физики полупроводников им. В.Е. Лашкарева Национальной академии наук Украины, Киев, Украина
2
Соболев Н.А.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
2
Калядин А.Е.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
2
Серенков И.Т.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
2
Богданова Е.В.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
2
Ерофеев Е.В.
Научно-производственная фирма Микран, Томск, Россия
2
Кагадей В.А.
ООО Субмикронные технологии, Томск, Россия
2
Юцене В.
Институт физики полупроводников Центра физических и технологических наук, Вильнюс, Литва
2
Дорофеев С.Г.
Московский государственный университет им. М.В. Ломоносова (химический факультет), Москва, Россия
2
Джалилов Н.З.
Институт физики Национальной академии наук Азербайждана, A Баку, Азербайджан
2
Дамиров Г.М.
Институт физики Национальной академии наук Азербайждана, A Баку, Азербайджан
2
Мошников В.А.
Санкт-Петербургский государственный электротехнический университет "ЛЭТИ" им. В.И. Ульянова (Ленина), Санкт-Петербург, Россия
2
Lenka T.R.
National Institute of Science & Technology, Palur Hills, Berhampu, Odisha, India
2
Panda A.K.
National Institute of Science & Technology, Palur Hills, Berhampu, Odisha, India
2
Сорокина С.В.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
2
Тимошина Н.Х.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
2
Хвостиков В.П.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
2
Рудова Н.А.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
2
Tsai Jung-Hui
Department of Electronic Engineering, National Kaohsiung Normal University, Kaohsiung 802, TAIWAN
2
Lour Wen-Shiung
Department of Electrical Engineering, National Taiwan Ocean University, Keelung, Taiwan
2
Еремин В.К.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
2
Вербицкая Е.М.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
2
Еремин И.В.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
2
Ozcelik S.
Department of Physics, Faculty of Arts and Sciences, Gazi University, Ankara, Turkey
2
Ozturk M.K.
Department of Physics, Faculty of Arts and Sciences, Gazi University, Ankara, Turkey
2
Черкова С.Г.
Институт физики полупроводников им. А.В. Ржанова Сибирского отделения Российской академии наук, Новосибирск, Россия
2
Марин Д.В.
Институт физики полупроводников им. А.В. Ржанова Сибирского отделения Российской академии наук, Новосибирск, Россия
Новосибирский государственный университет, Новосибирск, Россия
2
Кеслер В.Г.
Институт физики полупроводников им. А.В. Ржанова Сибирского отделения Российской академии наук, Новосибирск, Россия
2
Володин В.А.
Институт физики полупроводников им. А.В. Ржанова Сибирского отделения Российской академии наук, Новосибирск, Россия
Новосибирский государственный университет, Новосибирск, Россия
2
Хабибуллин Р.А.
Национальный исследовательский ядерный университет "МИФИ", Москва, Россия
2
Пономарев Д.С.
Национальный исследовательский ядерный университет "МИФИ", Москва, Россия
2
Копьёв П.С.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
2
Иванов Э.В.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
2
Кожокарь М.Ю.
Российский государственный педагогический университет им. А.И. Герцена, Санкт-Петербург, Россия
2
Тихомиров В.Г.
Санкт-Петербургский государственный электротехнический университет "ЛЭТИ" им. В.И. Ульянова (Ленина), Санкт-Петербург, Россия
2
Малеев Н.А.
ООО "Коннектор Оптикс", Санкт-Петербург, Россия
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
2
Кузьменков А.Г.
ООО "Коннектор Оптикс", Санкт-Петербург, Россия
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
2
Гладышев А.Г.
ООО "Коннектор Оптикс", Санкт-Петербург, Россия
Санкт-Петербургский Академический университет --- научно-образовательный центр нанотехнологий Российской академии наук, Санкт-Петербург, Россия
2
Кулагина М.М.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
2
Унтила Г.Г.
Научно-исследовательский институт ядерной физики им. Д.В. Скобельцына Московского государственного университета им. М.В. Ломоносова, Москва, Россия
2
Поройков А.Ю.
Научно-исследовательский институт ядерной физики им. Д.В. Скобельцына Московского государственного университета им. М.В. Ломоносова, Москва, Россия
2
Кост Т.Н.
Научно-исследовательский институт ядерной физики им. Д.В. Скобельцына Московского государственного университета им. М.В. Ломоносова, Москва, Россия
2
Чеботарева А.Б.
Научно-исследовательский институт ядерной физики им. Д.В. Скобельцына Московского государственного университета им. М.В. Ломоносова, Москва, Россия
2
Николаев Д.Н.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
2
Шамахов В.В.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
2
Бондарев А.Д.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
2
Иванов А.М.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
2
Грехов И.В.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
2
Сардарлы Р.М.
Институт радиационных проблем Национальной академии наук Азербайджана, Баку, Азербайджан
2
Самедов О.А.
Институт радиационных проблем Национальной академии наук Азербайджана, Баку, Азербайджан
2
Абдуллаев А.П.
Институт радиационных проблем Национальной академии наук Азербайджана, Баку, Азербайджан
2
Салманов Ф.Т.
Институт радиационных проблем Национальной академии наук Азербайджана, Баку, Азербайджан
2
Гусейнов Э.К.
Институт физики Национальной академии наук Азербайджана, Баку, Азербайджан
2
Абдинов Д.Ш.
Институт физики им. Г.М. Абдуллаева НАН Азербайджана, Баку, Азербайджан
2
Труханов С.В.
Научно-практический центр Национальной академии наук Беларуси по материаловедению, Минск, Беларусь
2
Власенко Н.А.
Институт физики полупроводников им. В.Е. Лашкарева Национальной академии наук Украины, Киев, Украина
2
Гуле Е.Г.
Институт физики полупроводников им. В.Е. Лашкарева Национальной академии наук Украины, Киев, Украина
2
Олексенко П.Ф.
Институт физики полупроводников им. В.Е. Лашкарева Национальной академии наук Украины, Киев, Украина
2
Велигура Л.И.
Институт физики полупроводников им. В.Е. Лашкарева Национальной академии наук Украины, Киев, Украина
2
Мухльо М.А.
Институт физики полупроводников им. В.Е. Лашкарева Национальной академии наук Украины, Киев, Украина
2
Семенов А.Н.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
2
Мельцер Б.Я.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
2
Попова Т.В.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
2
Шмагин В.Б.
Институт физики микроструктур Российской академии наук, Нижний Новгород, Россия
2
Андреев Б.А.
Институт физики микроструктур Российской академии наук, Нижний Новгород, Россия
2
Глотов А.В.
Воронежский государственный университет, Воронеж, Россия
2
Терновая В.Е.
Воронежский государственный университет, Воронеж, Россия
2
Вавилова Л.С.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
2
Тихонов Е.В.
Московский государственный университет им. М.В. Ломоносова, Москва, Россия
2
Дронов М.А.
Институт общей физики Российской академии наук, Москва, Россия
2
Белогорохова Л.И.
Московский государственный университет им. М.В. Ломоносова, Москва, Россия
2
Томилова Л.Г.
Московский государственный университет им. М.В. Ломоносова, Москва, Россия
2
Смынтына В.А.
Одесский национальный университет им. И.И. Мечникова, Одесса, Украина
2
Рембеза Е.С.
Воронежский государственный технический университет, Воронеж, Россия
2
Соколова З.Н.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
2
Асрян Л.В.
Virginia Polytechnic Institute and State University, Blacksburg, Virginia, USA
2
Крылов П.Н.
Удмуртский государственный университет, Ижевск, Россия
2
Романов Э.А.
Удмуртский государственный университет, Ижевск, Россия
2
Мохов Е.Н.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
2
Лебедев М.В.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
2
Исаев А.И.
Институт физики им. Г.М. Абдуллаева НАН Азербайджана, Баку, Азербайджан
2
Мехтиева С.И.
Институт физики им. Г.М. Абдуллаева НАН Азербайджана, Баку, Азербайджан
2
Гарибова С.Н.
Институт физики им. Г.М. Абдуллаева НАН Азербайджана, Баку, Азербайджан
2
Моллаев А.Ю.
Институт физики им. Х.И. Амирханова Дагестанского научного центра РАН, Махачкала, Россия
2
Сукач Г.А.
Национальный университет биоресурсов и природопользования Украины, Киев, Украина
2
Кидалов В.В.
Бердянский государственный педагогический университет, Бердянск, Украина
2
Улин В.П.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
2
Неведомский В.Н.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
2
Кастро Р.А.
Российский государственный педагогический университет им. А.И. Герцена, Санкт-Петербург, Россия
2
Грабко Г.И.
Российский государственный педагогический университет им. А.И. Герцена, Санкт-Петербург, Россия
2
Журавлёв К.С.
Институт физики полупроводников им. А.В. Ржанова Сибирского отделения Российской академии наук, Новосибирск, Россия
2
Организация
Статей
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
93
Институт физики полупроводников им. А.В. Ржанова Сибирского отделения Российской академии наук, Новосибирск, Россия
17
Санкт-Петербургский государственный политехнический университет, Санкт-Петербург, Россия
13
Санкт-Петербургский Академический университет --- научно-образовательный центр нанотехнологий Российской академии наук, Санкт-Петербург, Россия
13
Институт физики полупроводников им. В.Е. Лашкарева Национальной академии наук Украины, Киев, Украина
11
Институт физики Национальной академии наук Азербайджана, Баку, Азербайджан
9
Нижегородский государственный университет им. Н.И. Лобачевского, Нижний Новгород, Россия
8
Научно-исследовательский физико-технический институт Нижегородского государственного университета им. Н.И. Лобачевского, Нижний Новгород, Россия
8
Национальный исследовательский ядерный университет "МИФИ", Москва, Россия
8
Санкт-Петербургский государственный электротехнический университет "ЛЭТИ" им. В.И. Ульянова (Ленина), Санкт-Петербург, Россия
8
Белорусский государственный университет информатики и радиоэлектроники, Минск, Беларусь
8
Институт физики микроструктур Российской академии наук, Нижний Новгород, Россия
7
Московский государственный университет им. М.В. Ломоносова, Москва, Россия
7
Воронежский государственный университет, Воронеж, Россия
6
Московский государственный университет им. М.В. Ломоносова (физический факультет), Москва, Россия
6
Физический институт им. П.Н. Лебедева Российской академии наук, Москва, Россия
6
Институт физики им. Г.М. Абдуллаева НАН Азербайджана, Баку, Азербайджан
5
Институт проблем технологии микроэлектроники и особочистых материалов Российской академии наук, Черноголовка, Россия
5
Российский государственный педагогический университет им. А.И. Герцена, Санкт-Петербург, Россия
5
Научно-практический центр Национальной академии наук Беларуси по материаловедению, Минск, Беларусь
5
Новосибирский государственный университет, Новосибирск, Россия
4
Черновицкий национальный университет им. Ю. Федьковича, Черновцы, Украина
4
Санкт-Петербургский государственный университет, физический факультет, Санкт-Петербург, Россия
4
Институт аналитического приборостроения Российской академии наук, Санкт-Петербург, Россия
4
Одесский национальный университет им. И.И. Мечникова, Одесса, Украина
4
Национальный исследовательский Томский государственный университет, Томск, Россия
3
Институт физики Дагестанского научного центра Российской академии наук, Махачкала, Россия
3
Всероссийский электротехнический институт им. В.И. Ленина, Москва, Россия
3
Научно-исследовательский институт полупроводниковых приборов, Томск, Россия
3
Удмуртский государственный университет, Ижевск, Россия
3
Наманганский инженерно-педагогический институт, Наманган, Узбекистан
3
Объединенный институт ядерных исследований, Дубна, Россия
3
VI Systems GmbH, Berlin, Germany
3
Львовский национальный университет им. Ивана Франко, Львов, Украина
3
Воронежский государственный технический университет, Воронеж, Россия
3
Институт сверхвысокочастотной полупроводниковой электроники Российской академии наук, Москва, Россия
3
Институт радиационных проблем Национальной академии наук Азербайджана, Баку, Азербайджан
3
Московский государственный университет им. М.В. Ломоносова (химический факультет), Москва, Россия
3
Институт физики им. Х.И. Амирханова Дагестанского научного центра РАН, Махачкала, Россия
2
Бердянский государственный педагогический университет, Бердянск, Украина
2
Институт проблем технологии микроэлектроники Российской академии наук, Черноголовка, Россия
2
Физико-технический институт АН Узбекистана, Ташкент, Узбекистан
2
Институт проблем материаловедения им. И.Н. Францевича Национальной академии наук Украины, Черновицкое отделение, Черновцы, Украина
2
Научно-исследовательский институт ядерной физики им. Д.В. Скобельцына Московского государственного университета им. М.В. Ломоносова, Москва, Россия
2
Институт физики Национальной академии наук Украины, Киев, Украина
2
Дрогобычский государственный педагогический университет им. И. Франко, Дрогобыч, Украина
2
Virginia Polytechnic Institute and State University, Blacksburg, Virginia, USA
2
НИИ Материаловедения, Москва, Зеленоград, Россия
2
Нижегородский государственный технический университет им. Р.Е. Алексеева, Нижний Новгород, Россия
2
Department of Electrical Engineering, National Taiwan Ocean University, Keelung, Taiwan
2