"Физика и техника полупроводников"
Издателям
Вышедшие номера
Общее количество статей:
9992
Распределение статей по годам:
517
490
469
411
345
329
302
266
295
311
285
292
278
262
263
259
256
277
251
260
244
294
288
284
279
295
305
301
303
316
330
309
26

Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов. Дата начала обработки информации по просмотрам - 27 января 2016 г.

За 2011 год:
Статья
Просмотров
Статья
Просмотров
Автор
Организация
Статей
Самсоненко Ю.Б.
Институт аналитического приборостроения Российской академии наук, Санкт-Петербург, Россия
12
Цырлин Г.Э.
Институт аналитического приборостроения Российской академии наук, Санкт-Петербург, Россия
12
Максимов М.В.
Санкт-Петербургский Академический университет --- научно-образовательный центр нанотехнологий Российской академии наук, Санкт-Петербург, Россия
11
Тарасов И.С.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
9
Теруков Е.И.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
8
Леденцов Н.Н.
VI Systems GmbH, Berlin, Germany
8
Буравлев А.Д.
Санкт-Петербургский Академический университет --- научно-образовательный центр нанотехнологий Российской академии наук, Санкт-Петербург, Россия
8
Жуков А.Е.
Санкт-Петербургский Академический университет --- научно-образовательный центр нанотехнологий Российской академии наук, Санкт-Петербург, Россия
7
Пихтин Н.А.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
6
Боднарь И.В.
Белорусский государственный университет информатики и радиоэлектроники, Минск, Беларусь
6
Блохин С.А.
Санкт-Петербургский Академический университет --- научно-образовательный центр нанотехнологий Российской академии наук, Санкт-Петербург, Россия
6
Устинов В.М.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
6
Савельев А.В.
Санкт-Петербургский Академический университет --- научно-образовательный центр нанотехнологий Российской академии наук, Санкт-Петербург, Россия
5
Станкевич А.Л.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
5
Васильевский И.С.
Национальный исследовательский ядерный университет "МИФИ", Москва, Россия
5
Иванов С.В.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
5
Галиев Г.Б.
Институт сверхвысокочастотной полупроводниковой электроники Российской академии наук, Москва, Россия
5
Климов Е.А.
Национальный исследовательский ядерный университет "МИФИ", Москва, Россия
5
Кульбачинский В.А.
Московский государственный университет им. М.В. Ломоносова, Москва, Россия
5
Немов С.А.
Санкт-Петербургский государственный политехнический университет, Санкт-Петербург, Россия
5
Кузнецов В.П.
Институт физики микроструктур Российской академии наук, Нижний Новгород, Россия
5
Лебедев А.А.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
5
Володин В.А.
Институт физики полупроводников им. А.В. Ржанова Сибирского отделения Российской академии наук, Новосибирск, Россия
4
Красильник З.Ф.
Институт физики микроструктур Российской академии наук, Нижний Новгород, Россия
4
Дадамирзаев М.Г.
Физико-технический институт Академии наук Республики Узбекистан, Ташкент, Узбекистан
4
Тимошенко В.Ю.
Московский государственный университет им. М.В. Ломоносова, Москва, Россия
4
Винокуров Д.А.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
4
Крыжановская Н.В.
Санкт-Петербургский Академический университет --- научно-образовательный центр нанотехнологий Российской академии наук, Санкт-Петербург, Россия
4
Сошников И.П.
Санкт-Петербургский Академический университет --- научно-образовательный центр нанотехнологий Российской академии наук, Санкт-Петербург, Россия
4
Надточий А.М.
Санкт-Петербургский Академический университет --- научно-образовательный центр нанотехнологий Российской академии наук, Санкт-Петербург, Россия
4
Гордеев Н.Ю.
Санкт-Петербургский Академический университет --- научно-образовательный центр нанотехнологий Российской академии наук, Санкт-Петербург, Россия
4
Рудь В.Ю.
Санкт-Петербургский государственный политехнический университет, Санкт-Петербург, Россия
4
Рудь Ю.В.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
4
Филатов Д.О.
Нижегородский государственный университет им. Н.И. Лобачевского, Нижний Новгород, Россия
4
Малеев Н.А.
ООО "Коннектор Оптикс", Санкт-Петербург, Россия
4
Яковлев Ю.П.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
4
Кузьменков А.Г.
ООО "Коннектор Оптикс", Санкт-Петербург, Россия
4
Сидоров Ю.Г.
Институт физики полупроводников им. А.В. Ржанова Сибирского отделения Российской академии наук, Новосибирск, Россия
4
Иванов П.А.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
3
Камилов И.К.
Институт физики им. Х.И. Амирханова Дагестанского научного центра РАН, Махачкала, Россия
3
Задиранов Ю.М.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
3
Гладышев А.Г.
ООО "Коннектор Оптикс", Санкт-Петербург, Россия
3
Давыдов С.Ю.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
3
Ильинская Н.Д.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
3
Потапов А.С.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
3
Торхов Н.А.
Научно-исследовательский институт полупроводниковых приборов, Томск, Россия
3
Конакова Р.В.
Институт физики полупроводников им. В.Е. Лашкарева Национальной академии наук Украины, Киев, Украина
3
Земляков В.Е.
ФГУП "НПП "Исток", Фрязино, Россия
3
Самсонова Т.П.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
3
Мынбаев К.Д.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
3
Организация
Статей
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
93
Институт физики полупроводников им. А.В. Ржанова Сибирского отделения Российской академии наук, Новосибирск, Россия
17
Санкт-Петербургский государственный политехнический университет, Санкт-Петербург, Россия
13
Санкт-Петербургский Академический университет --- научно-образовательный центр нанотехнологий Российской академии наук, Санкт-Петербург, Россия
13
Институт физики Национальной академии наук Азербайджана, Баку, Азербайджан
9
Нижегородский государственный университет им. Н.И. Лобачевского, Нижний Новгород, Россия
8
Научно-исследовательский физико-технический институт Нижегородского государственного университета им. Н.И. Лобачевского, Нижний Новгород, Россия
8
Национальный исследовательский ядерный университет "МИФИ", Москва, Россия
8
Институт физики полупроводников им. В.Е. Лашкарева Национальной академии наук Украины, Киев, Украина
8
Санкт-Петербургский государственный электротехнический университет "ЛЭТИ" им. В.И. Ульянова (Ленина), Санкт-Петербург, Россия
8
Белорусский государственный университет информатики и радиоэлектроники, Минск, Беларусь
8
Институт физики микроструктур Российской академии наук, Нижний Новгород, Россия
7
Московский государственный университет им. М.В. Ломоносова, Москва, Россия
7
Воронежский государственный университет, Воронеж, Россия
6
Московский государственный университет им. М.В. Ломоносова (физический факультет), Москва, Россия
6
Физический институт им. П.Н. Лебедева Российской академии наук, Москва, Россия
6
Институт физики им. Г.М. Абдуллаева НАН Азербайджана, Баку, Азербайджан
5
Российский государственный педагогический университет им. А.И. Герцена, Санкт-Петербург, Россия
5
Научно-практический центр Национальной академии наук Беларуси по материаловедению, Минск, Беларусь
5
Новосибирский государственный университет, Новосибирск, Россия
4
Черновицкий национальный университет им. Ю. Федьковича, Черновцы, Украина
4
Институт проблем технологии микроэлектроники и особочистых материалов Российской академии наук, Черноголовка, Россия
4
Институт аналитического приборостроения Российской академии наук, Санкт-Петербург, Россия
4
Одесский национальный университет им. И.И. Мечникова, Одесса, Украина
4
Национальный исследовательский Томский государственный университет, Томск, Россия
3
Институт физики Дагестанского научного центра Российской академии наук, Махачкала, Россия
3
Всероссийский электротехнический институт им. В.И. Ленина, Москва, Россия
3
Научно-исследовательский институт полупроводниковых приборов, Томск, Россия
3
Удмуртский государственный университет, Ижевск, Россия
3
Санкт-Петербургский государственный университет (физический факультет), Санкт-Петербург, Россия
3
Наманганский инженерно-педагогический институт, Наманган, Узбекистан
3
Объединенный институт ядерных исследований, Дубна, Россия
3
VI Systems GmbH, Berlin, Germany
3
Львовский национальный университет им. Ивана Франко, Львов, Украина
3
Воронежский государственный технический университет, Воронеж, Россия
3
Институт сверхвысокочастотной полупроводниковой электроники Российской академии наук, Москва, Россия
3
Институт радиационных проблем Национальной академии наук Азербайджана, Баку, Азербайджан
3
Московский государственный университет им. М.В. Ломоносова (химический факультет), Москва, Россия
3
Институт физики им. Х.И. Амирханова Дагестанского научного центра РАН, Махачкала, Россия
2
Бердянский государственный педагогический университет, Бердянск, Украина
2
Институт проблем технологии микроэлектроники Российской академии наук, Черноголовка, Россия
2
Физико-технический институт Академии наук Республики Узбекистан, Ташкент, Узбекистан
2
Институт проблем материаловедения им. И.Н. Францевича Национальной академии наук Украины, Черновицкое отделение, Черновцы, Украина
2
Научно-исследовательский институт ядерной физики им. Д.В. Скобельцына Московского государственного университета им. М.В. Ломоносова, Москва, Россия
2
Институт физики Национальной академии наук Украины, Киев, Украина
2
Дрогобычский государственный педагогический университет им. И. Франко, Дрогобыч, Украина
2
Virginia Polytechnic Institute and State University, Blacksburg, Virginia, USA
2
НИИ Материаловедения, Москва, Зеленоград, Россия
2
Нижегородский государственный технический университет им. Р.Е. Алексеева, Нижний Новгород, Россия
2
Department of Electrical Engineering, National Taiwan Ocean University, Keelung, Taiwan
2