Тарасов И.С.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
9
Теруков Е.И.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
8
Максимов М.В.
Санкт-Петербургский Академический университет --- научно-образовательный центр нанотехнологий Российской академии наук, Санкт-Петербург, Россия
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
6
Пихтин Н.А.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
6
Боднарь И.В.
Белорусский государственный университет информатики и радиоэлектроники, Минск, Беларусь
6
Лебедев А.А.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
5
Устинов В.М.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
5
Станкевич А.Л.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
5
Кульбачинский В.А.
Физический факультет Московского государственного университета им. М.В. Ломоносова, Москва, Россия
5
Иванов С.В.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
5
Сидоров Ю.Г.
Институт физики полупроводников им. А.В. Ржанова Сибирского отделения Российской академии наук, Новосибирск, Россия
4
Леденцов Н.Н.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
Institut fur Festkorperphysik, Technische Universitat,, Berlin, Germany
4
Жуков А.Е.
Санкт-Петербургский Академический университет --- научно-образовательный центр нанотехнологий Российской академии наук, Санкт-Петербург, Россия
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
4
Немов С.А.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
Санкт-Петербургский политехнический университет Петра Великого, Санкт-Петербург, Россия
4
Рудь В.Ю.
Санкт-Петербургский политехнический университет Петра Великого, Санкт-Петербург, Россия
4
Рудь Ю.В.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
4
Цырлин Г.Э.
Институт аналитического приборостроения Российской академии наук, Санкт-Петербург, Россия
Санкт-Петербургский Академический университет --- научно-образовательный центр нанотехнологий Российской академии наук, Санкт-Петербург, Россия
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
4
Буравлев А.Д.
Санкт-Петербургский Академический университет --- научно-образовательный центр нанотехнологий Российской академии наук, Санкт-Петербург, Россия
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
4
Самсоненко Ю.Б.
Институт аналитического приборостроения Российской академии наук, Санкт-Петербург, Россия
Санкт-Петербургский Академический университет --- научно-образовательный центр нанотехнологий Российской академии наук, Санкт-Петербург, Россия
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
4
Филатов Д.О.
Научно-исследовательский физико-технический институт Нижегородского государственного университета им. Н.И. Лобачевского, Нижний Новгород, Россия
4
Крыжановская Н.В.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
4
Тимошенко В.Ю.
Московский государственный университет им. М.В. Ломоносова (физический факультет), Москва, Россия
4
Васильевский И.С.
Национальный исследовательский ядерный университет "МИФИ", Москва, Россия
4
Галиев Г.Б.
Институт сверхвысокочастотной полупроводниковой электроники Российской академии наук, Москва, Россия
4
Климов Е.А.
Институт сверхвысокочастотной полупроводниковой электроники Российской академии наук, Москва, Россия
4
Надточий А.М.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
4
Винокуров Д.А.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
4
Красильник З.Ф.
Институт физики микроструктур Российской академии наук, Нижний Новгород, Россия
4
Яковлев Ю.П.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
4
Керимова Т.Г.
Институт физики Национальной академии наук Азербайджана, Баку, Азербайджан
3
Бер Б.Я.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
3
Казанцев Д.Ю.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
3
Варавин В.С.
Институт физики полупроводников им. А.В. Ржанова Сибирского отделения Российской академии наук, Новосибирск, Россия
3
Якушев М.В.
Институт физики полупроводников им. А.В. Ржанова Сибирского отделения Российской академии наук, Новосибирск, Россия
3
Блохин С.А.
Санкт-Петербургский Академический университет --- научно-образовательный центр нанотехнологий Российской академии наук, Санкт-Петербург, Россия
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
3
Савельев А.В.
Санкт-Петербургский Академический университет --- научно-образовательный центр нанотехнологий Российской академии наук, Санкт-Петербург, Россия
3
Торхов Н.А.
Научно-исследовательский институт полупроводниковых приборов, Томск, Россия
3
Давыдов С.Ю.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
3
Конакова Р.В.
Институт физики полупроводников им. В.Е. Лашкарева Национальной академии наук Украины, Киев, Украина
3
Егоров А.Ю.
Санкт-Петербургский Академический университет --- научно-образовательный центр нанотехнологий Российской академии наук, Санкт-Петербург, Россия
3
Задиранов Ю.М.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
3
Скуратов В.А.
Объединенный институт ядерных исследований, Дубна, Россия
3
Мынбаева М.Г.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
3
Мынбаев К.Д.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
3
Ситникова А.А.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
3
Моисеев К.Д.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
3
Бордовский Г.А.
Российский государственный педагогический университет им. А.И. Герцена, Санкт-Петербург, Россия
3
Марченко А.В.
Российский государственный педагогический университет им. А.И. Герцена, Санкт-Петербург, Россия
3
Серегин П.П.
Российский государственный педагогический университет им. А.И. Герцена, Санкт-Петербург, Россия
3
Земляков В.Е.
Научно-производственное предприятие Исток, Фрязино, Россия
3
Иванов П.А.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
3
Коньков О.И.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
3
Потапов А.С.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
3
Самсонова Т.П.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
3
Слипченко С.О.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
3
Подоскин А.А.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
3
Лешко А.Ю.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
3
Кытин В.Г.
Физический факультет Московского государственного университета им. М.В. Ломоносова, Москва, Россия
3
Кузнецов В.П.
Институт физики микроструктур Российской академии наук, Нижний Новгород, Россия
Научно-исследовательский физико-технический институт Нижегородского государственного университета им. Н.И. Лобачевского, Нижний Новгород, Россия
3
Марычев М.О.
Нижегородский государственный университет им. Н.И. Лобачевского, Нижний Новгород, Россия
3
Середин П.В.
Воронежский государственный университет, Воронеж, Россия
3
Белогорохов И.А.
ОАО Гиредмет, Москва, Россия
3
Рябчиков Ю.В.
Физический институт Российской академии наук, Москва, Россия
3
Хохлов Д.Р.
Московский государственный университет им. М.В. Ломоносова, Москва, Россия
3
Ильинская Н.Д.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
3
Камилов И.К.
Институт физики им. Х.И. Амирханова Дагестанского научного центра РАН, Махачкала, Россия
3
Рембеза С.И.
Воронежский государственный технический университет, Воронеж, Россия
3
Шамирзаев Т.С.
Институт физики полупроводников им. А.В. Ржанова Сибирского отделения Российской академии наук, Новосибирск, Россия
2
Кудрявцев К.Е.
Институт физики микроструктур Российской академии наук, Нижний Новгород, Россия
2
Новиков А.В.
Институт физики микроструктур Российской академии наук, Нижний Новгород, Россия
2
Кюрегян А.С.
Всероссийский электротехнический институт им. В.И. Ленина, Москва, Россия
2
Шенгуров В.Г.
Научно-исследовательский физико-технический институт Нижегородского государственного университета им. Н.И. Лобачевского, Нижний Новгород, Россия
2
Шмидт Н.М.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
2
Якимов Е.Б.
Институт проблем технологии микроэлектроники и особочистых материалов Российской академии наук, Черноголовка, Россия
2
Колин Н.Г.
НИФХИ им. Л.Я. Карпова, Обнинский филиал, Обнинск, Россия
2
Корулин А.В.
НИФХИ им. Л.Я. Карпова, Обнинский филиал, Обнинск, Россия
2
Шерстнев В.В.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
2
Андреев И.А.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
2
Александров О.В.
Санкт-Петербургский государственный электротехнический университет "ЛЭТИ" им. В.И. Ульянова (Ленина), Санкт-Петербург, Россия
2
Ершов А.В.
Нижегородский государственный университет им. Н.И. Лобачевского, Нижний Новгород, Россия
2
Машин А.И.
Нижегородский государственный университет им. Н.И. Лобачевского, Нижний Новгород, Россия
2
Нежданов А.В.
Нижегородский государственный университет им. Н.И. Лобачевского, Нижний Новгород, Россия
2
Кладько В.П.
Институт физики полупроводников им. В.Е. Лашкарева Национальной академии наук Украины, Киев, Украина
2
Кучук А.В.
Институт физики полупроводников им. В.Е. Лашкарева Национальной академии наук Украины, Киев, Украина
2
Беляев А.Е.
Институт физики полупроводников им. В.Е. Лашкарева Национальной академии наук Украины, Киев, Украина
2
Торопов А.А.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
2
Шахмин А.А.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
2
Хребтов А.И.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
2
Сорочкин А.В.
Институт физики полупроводников им. А.В. Ржанова Сибирского отделения Российской академии наук, Новосибирск, Россия
2
Клевков Ю.В.
Физический институт им. П.Н. Лебедева Российской академии наук, Москва, Россия
2
Сабинина И.В.
Институт физики полупроводников им. А.В. Ржанова Сибирского отделения Российской академии наук, Новосибирск, Россия
2
Подливаев А.И.
Национальный исследовательский ядерный университет "МИФИ", Москва, Россия
2
Опенов Л.А.
Национальный исследовательский ядерный университет "МИФИ", Москва, Россия
2
Бимберг Д.
Institut fur Festkorperphysik, Technische Universitat,, Berlin, Germany
2
Аракчеева Е.М.
Санкт-Петербургский Академический университет --- научно-образовательный центр нанотехнологий Российской академии наук, Санкт-Петербург, Россия
2
Зубов Ф.И.
Санкт-Петербургский Академический университет --- научно-образовательный центр нанотехнологий Российской академии наук, Санкт-Петербург, Россия
2
Дадамирзаев М.Г.
Физико-технический институт АН Узбекистана, Ташкент, Узбекистан
Наманганский инженерно-педагогический институт, Наманган, Узбекистан
2
Гременок В.Ф.
Научно-практический центр Национальной академии наук Беларуси по материаловедению, Минск, Беларусь
2
Башкиров С.А.
Научно-практический центр Национальной академии наук Беларуси по материаловедению, Минск, Беларусь
2
Иванов В.А.
Научно-практический центр Национальной академии наук Беларуси по материаловедению, Минск, Беларусь
2
Ковалюк З.Д.
Институт проблем материаловедения им. И.Н. Францевича Национальной академии наук Украины, Черновицкое отделение, Черновцы, Украина
2
Сошников И.П.
Санкт-Петербургский Академический университет --- научно-образовательный центр нанотехнологий Российской академии наук, Санкт-Петербург, Россия
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
2
Афанасьев Дм.Е.
Санкт-Петербургский государственный университет, физический факультет, Санкт-Петербург, Россия
2
Петров В.А.
Санкт-Петербургский Академический университет --- научно-образовательный центр нанотехнологий Российской академии наук, Санкт-Петербург, Россия
2
Танклевская Е.М.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
2
Тысченко И.Е.
Институт физики полупроводников им. А.В. Ржанова Сибирского отделения Российской академии наук, Новосибирск, Россия
2
Новиков В.А.
Сибирский физико-технический институт им. акад. В.Д. Кузнецова Томского государственного университета, Томск, Россия
2
Исаков М.А.
Научно-исследовательский физико-технический институт Нижегородского государственного университета им. Н.И. Лобачевского, Нижний Новгород, Россия
2
Миленин В.В.
Институт физики полупроводников им. В.Е. Лашкарева Национальной академии наук Украины, Киев, Украина
2
Соболев Н.А.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
2
Калядин А.Е.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
2
Сахаров В.И.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
2
Серенков И.Т.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
2
Тетельбаум Д.И.
Научно-исследовательский физико-технический институт Нижегородского государственного университета им. Н.И. Лобачевского, Нижний Новгород, Россия
2
Козловский В.В.
Санкт-Петербургский политехнический университет Петра Великого, Санкт-Петербург, Россия
2
Ерофеев Е.В.
Научно-производственная фирма Микран, Томск, Россия
2
Кагадей В.А.
ООО Субмикронные технологии, Томск, Россия
2
Пожела К.
Институт физики полупроводников Центра физических и технологических наук, Вильнюс, Литва
2
Пожела Ю.
Институт физики полупроводников Центра физических и технологических наук, Вильнюс, Литва
2
Юцене В.
Институт физики полупроводников Центра физических и технологических наук, Вильнюс, Литва
2
Дорофеев С.Г.
Московский государственный университет им. М.В. Ломоносова (химический факультет), Москва, Россия
2
Джалилов Н.З.
Институт физики Национальной академии наук Азербайждана, A Баку, Азербайджан
2
Дамиров Г.М.
Институт физики Национальной академии наук Азербайждана, A Баку, Азербайджан
2
Мошников В.А.
Санкт-Петербургский государственный электротехнический университет "ЛЭТИ" им. В.И. Ульянова (Ленина), Санкт-Петербург, Россия
2
Сорокина С.В.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
2
Хвостиков В.П.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
2
Рудова Н.А.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
2
Tsai Jung-Hui
Department of Electronic Engineering, National Kaohsiung Normal University, Kaohsiung 802, TAIWAN
2
Lour Wen-Shiung
Department of Electrical Engineering, National Taiwan Ocean University, Keelung, Taiwan
2
Еремин В.К.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
2
Еремин И.В.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
2
Ozcelik S.
Department of Physics, Faculty of Arts and Sciences, Gazi University, Ankara, Turkey
2
Качурин Г.А.
Институт физики полупроводников им. А.В. Ржанова Сибирского отделения Российской академии наук, Новосибирск, Россия
2
Черкова С.Г.
Институт физики полупроводников им. А.В. Ржанова Сибирского отделения Российской академии наук, Новосибирск, Россия
2
Марин Д.В.
Институт физики полупроводников им. А.В. Ржанова Сибирского отделения Российской академии наук, Новосибирск, Россия
Новосибирский государственный университет, Новосибирск, Россия
2
Кеслер В.Г.
Институт физики полупроводников им. А.В. Ржанова Сибирского отделения Российской академии наук, Новосибирск, Россия
2
Володин В.А.
Институт физики полупроводников им. А.В. Ржанова Сибирского отделения Российской академии наук, Новосибирск, Россия
Новосибирский государственный университет, Новосибирск, Россия
2
Хабибуллин Р.А.
Национальный исследовательский ядерный университет "МИФИ", Москва, Россия
2
Пономарев Д.С.
Национальный исследовательский ядерный университет "МИФИ", Москва, Россия
2
Копьёв П.С.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
2
Иванов Э.В.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
2
Тихомиров В.Г.
Санкт-Петербургский государственный электротехнический университет "ЛЭТИ" им. В.И. Ульянова (Ленина), Санкт-Петербург, Россия
2
Малеев Н.А.
ООО "Коннектор Оптикс", Санкт-Петербург, Россия
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
2
Кузьменков А.Г.
ООО "Коннектор Оптикс", Санкт-Петербург, Россия
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
2
Кулагина М.М.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
2
Унтила Г.Г.
Научно-исследовательский институт ядерной физики им. Д.В. Скобельцына Московского государственного университета им. М.В. Ломоносова, Москва, Россия
2
Поройков А.Ю.
Научно-исследовательский институт ядерной физики им. Д.В. Скобельцына Московского государственного университета им. М.В. Ломоносова, Москва, Россия
2
Чеботарева А.Б.
Научно-исследовательский институт ядерной физики им. Д.В. Скобельцына Московского государственного университета им. М.В. Ломоносова, Москва, Россия
2
Николаев Д.Н.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
2
Шамахов В.В.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
2
Бондарев А.Д.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
2
Иванов А.М.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
2
Строкан Н.Б.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
2
Сардарлы Р.М.
Институт радиационных проблем Национальной академии наук Азербайджана, Баку, Азербайджан
2
Самедов О.А.
Институт радиационных проблем Национальной академии наук Азербайджана, Баку, Азербайджан
2
Абдуллаев А.П.
Институт радиационных проблем Национальной академии наук Азербайджана, Баку, Азербайджан
2
Салманов Ф.Т.
Институт радиационных проблем Национальной академии наук Азербайджана, Баку, Азербайджан
2
Абдинов Д.Ш.
Институт физики им. Г.М. Абдуллаева НАН Азербайджана, Баку, Азербайджан
2
Шевельков А.В.
Московский государственный университет им. М.В. Ломоносова (химический факультет), Москва, Россия
2
Власенко Н.А.
Институт физики полупроводников им. В.Е. Лашкарева Национальной академии наук Украины, Киев, Украина
2
Сопинский Н.В.
Институт физики полупроводников им. В.Е. Лашкарева Национальной академии наук Украины, Киев, Украина
2
Гуле Е.Г.
Институт физики полупроводников им. В.Е. Лашкарева Национальной академии наук Украины, Киев, Украина
2
Олексенко П.Ф.
Институт физики полупроводников им. В.Е. Лашкарева Национальной академии наук Украины, Киев, Украина
2
Велигура Л.И.
Институт физики полупроводников им. В.Е. Лашкарева Национальной академии наук Украины, Киев, Украина
2
Мухльо М.А.
Институт физики полупроводников им. В.Е. Лашкарева Национальной академии наук Украины, Киев, Украина
2
Семенов А.Н.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
2
Мельцер Б.Я.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
2
Соловьев В.А.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
2
Попова Т.В.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
2
Шмагин В.Б.
Институт физики микроструктур Российской академии наук, Нижний Новгород, Россия
2
Андреев Б.А.
Институт физики микроструктур Российской академии наук, Нижний Новгород, Россия
2
Глотов А.В.
Воронежский государственный университет, Воронеж, Россия
2
Терновая В.Е.
Воронежский государственный университет, Воронеж, Россия
2
Домашевская Э.П.
Воронежский государственный университет, Воронеж, Россия
2
Арсентьев И.Н.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
2
Вавилова Л.С.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
2
Тихонов Е.В.
Московский государственный университет им. М.В. Ломоносова, Москва, Россия
2
Томилова Л.Г.
Московский государственный университет им. М.В. Ломоносова, Москва, Россия
2
Смынтына В.А.
Одесский национальный университет им. И.И. Мечникова, Одесса, Украина
2
Рембеза Е.С.
Воронежский государственный технический университет, Воронеж, Россия
2
Соколова З.Н.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
2
Асрян Л.В.
Virginia Polytechnic Institute and State University, Blacksburg, Virginia, USA
2
Крылов П.Н.
Удмуртский государственный университет, Ижевск, Россия
2
Романов Э.А.
Удмуртский государственный университет, Ижевск, Россия
2
Федотова И.В.
Удмуртский государственный университет, Ижевск, Россия
2
Мохов Е.Н.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
2
Лебедев М.В.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
2
Исаев А.И.
Институт физики им. Г.М. Абдуллаева НАН Азербайджана, Баку, Азербайджан
2
Мехтиева С.И.
Институт физики им. Г.М. Абдуллаева НАН Азербайджана, Баку, Азербайджан
2
Гарибова С.Н.
Институт физики им. Г.М. Абдуллаева НАН Азербайджана, Баку, Азербайджан
2
Даунов М.И.
Институт физики им. Х.И. Амирханова Дагестанского научного центра РАН, Махачкала, Россия
2
Моллаев А.Ю.
Институт физики им. Х.И. Амирханова Дагестанского научного центра РАН, Махачкала, Россия
2
Сукач Г.А.
Национальный университет биоресурсов и природопользования Украины, Киев, Украина
2
Кидалов В.В.
Бердянский государственный педагогический университет, Бердянск, Украина
2
Улин В.П.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
2
Кастро Р.А.
Российский государственный педагогический университет им. А.И. Герцена, Санкт-Петербург, Россия
2
Грабко Г.И.
Российский государственный педагогический университет им. А.И. Герцена, Санкт-Петербург, Россия
2
Журавлёв К.С.
Институт физики полупроводников им. А.В. Ржанова Сибирского отделения Российской академии наук, Новосибирск, Россия
2
© 2023 Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук