"Физика и техника полупроводников"
Издателям
Вышедшие номера
Подвижность неосновных носителей заряда при низком уровне инжекции в полупроводниках
Поморцева Л.И.1
1Федеральное государственное унитарное предприятие "Всероссийский электротехнический институт им. В.И. Ленина", Москва, Россия
Поступила в редакцию: 19 августа 2010 г.
Выставление онлайн: 19 марта 2011 г.

Из кинетических уравнений получены функции распределения основных и неосновных носителей заряда при низком уровне инжекции. Для описания электронно-дырочных столкновений носителей использовался интеграл столкновения Ландау. Учтено рассеяние носителей на ионизованной, нейтральной примесях и на акустических фононах. Функция распределения основных носителей заряда представлена в аналитическом виде. Вычислена и проанализирована подвижность неосновных носителей заряда, и выявлены особенности ее поведения при низких температурах. Из развитой теории следует, что подвижность дырок в материале n-типа проводимости возрастает при увеличении легирования и концентрации нейтральной примеси. Этот эффект объясняется влиянием взаимных столкновений носителей заряда и различием эффективных масс носителей разного знака.
  1. Z.P. Guan, J.Z. Li, G.Y. Zhang, S.X. Jin, X.M. Ding. Semicond. Sci. Technol., 15, 51 (2000)
  2. J. Dziewior, D. Silber. Appl. Phys. Rev. Lett., 35, 170 (1979)
  3. D.E. Burk, V. De La Torre. IEEE Electron. Dev. Lett., EDL- 5, 231 (1984)
  4. R.P. Mertens, J.L. Meerbergen, I.P. Nijs, Van Overstraeten. IEEE Trans. Electron. Dev., ED- 27, 949 (1980)
  5. A. Newgroschel. IEEE Trans. Electron. Dev. Lett., EDL- 6, 425 (1985)
  6. E. Susi, L. Passari, M. Merly, M.C. Carrotta. Phys. Status Solidi A, 106, 835 (1988)
  7. C.H. Wang, K. Misiakos, A. Newgroschel. Appl. Phys. Lett., 57, 159 (1990)
  8. L. Chernyak, A. Osinsky, H. Temkin, J.W. Yang, Q. Chen, M.A. Khan. Appl. Phys. Lett., 69, 2531 (1996)
  9. O. Brandt, H. Yang, H. Kostial, K.H. Ploog. Appl. Phys. Lett., 69, 2707 (1996)
  10. Z.Z. Bandic, P.M. Bridger, E.C. Picuette, T.C. McGill. Appl. Phys. Lett., 72, 3166 (1998)
  11. A.Y. Polyakov, Q. Li, S.W. Huh, M. Skowronski, O. Lopatiuk, L. Chernyak, E. Sanchez. J. Appl. Phys., 97, 053 703 (2005)
  12. R.A. Hopfel, J. Shah. Phys. Rev. Lett., 56 (25), 2736 (1986)
  13. R.A. Hopfel, J. Shah. Appl. Phys. Lett., 49 (10), 572 (1986)
  14. И.М. Дыкман, П.М. Томчук. ФТТ, 6, 1388 (1964)
  15. З.С. Грибников, В.И. Мельников. ФТП, 2, 1352 (1968)
  16. В.А. Кузьмин, Т.Т. Мнацаканов, В.В. Шуман. Письма ЖТФ, 7, 689 (1980)
  17. T.T. Mnatsakanov. Phys. Status Solidi B, 3, 225 (1987)
  18. T.T. Mnatsakanov, I.L. Rostovtsev, N.I. Philatov. Sol. St. Electron., 30, 579 (1987)
  19. T.T. Mnatsakanov, B.N. Gresserov, L.I. Pomortseva. Sol. St. Electron., 38, 225 (1995)
  20. Е.М. Лифшиц, Л.П. Питаевский. Физическая кинетика (М., Наука, 1979) гл. 4
  21. Дж. Займан. Электроны и фононы (М., Иностр. лит., 1962)
  22. В.Л. Бонч-Бруевич, С.Г. Калашников. Физика полупроводников (М., Наука, 1977) гл. 13
  23. И.М. Дыкман, П.М. Томчук. ФТТ, 2, 2228 (1960)
  24. П.М. Томчук. ФТТ, 3, 1258 (1961).

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.