"Физика и техника полупроводников"
Издателям
Вышедшие номера
Спектры пропускания пленок тройного соединения CuGa3Se5 в области края собственного поглощения
Боднарь И.В.1
1Белорусский государственный университет информатики и радиоэлектроники, Минск, Беларусь
Поступила в редакцию: 5 августа 2010 г.
Выставление онлайн: 19 марта 2011 г.

Методом лазерного осаждения при температурах подложки 480 и 580 K получены пленки тройного соединения CuGa3Se5. Исследован их состав и структура. Установлено, что как кристаллы, так и пленки соединения CuGa3Se5 кристаллизуются в структуре дефектного халькопирита. По спектрам пропускания в области края собственного поглощения определены значения энергий оптических переходов и их природа. В соответствии с квазикубической моделью Хопфилда рассчитаны величины энергий кристаллического (Deltacr) и спин-орбитального (DeltaSO) расщепления валентной зоны для тройного соединения CuGa3Se5.
  1. W. Honle, G. Kuhn, U.-C. Boehnke. Cryst. Res. Technol., 23, 1347 (1988)
  2. S.M. Wasim, C. Rincon, G. Marin. Phys. Status Solidi A, 194, 244 (2002)
  3. T. Negami, N. Kohara, M. Nishitani, T. Wada, T. Hirao. Appl. Phys. Lett., 67, 825 (1995)
  4. C. Rincon, G. Marin, S.M. Wasim, I. Molina. J. Appl. Phys., 93, 780 (2003)
  5. S.B. Zhang, S.H. Wei, A. Zinger. Phys. Rev. Lett., 78, 4059 (1970)
  6. И.В. Боднарь, Т.Л. Кушнер, В.Ю. Рудь, Ю.В. Рудь, М.В. Якушев. ЖПС, 69, 520 (2002)
  7. Ю.И. Уханов. Оптические свойства полупроводников (М., Наука, 1977)
  8. T.J. Shay, H.M. Kasper. Phys. Rev. Lett., 29, 1162 (1972)

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.