"Физика и техника полупроводников"
Издателям
Вышедшие номера
Исследование процессов самокаталитического роста GaAs нитевидных кристаллов на модифицированных поверхностях Si(111), полученных методом молекулярно-пучковой эпитаксии
Самсоненко Ю.Б.1,2,3, Цырлин Г.Э.1,2,3, Хребтов А.И.2, Буравлев А.Д.2,3, Поляков Н.К.1,2,3, Улин В.П.3, Дубровский В.Г.2,3, Werner P.4
1Институт аналитического приборостроения Российской академии наук, Санкт-Петербург, Россия
2Санкт-Петербургский Академический университет --- научно-образовательный центр нанотехнологий Российской академии наук, Санкт-Петербург, Россия
3Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
4Max-Plank Institute for Microstructure Physics, Halle/Saale D, Germany
Поступила в редакцию: 19 октября 2010 г.
Выставление онлайн: 19 марта 2011 г.

Исследованы процессы роста самокаталитических GaAs нитевидных нанокристаллов, выращенных на модифицированных 3 различными методами поверхностях Si(111). В качестве технологического метода получения нанокристаллов была использована молекулярно-пучковая эпитаксия. Установлено, что в интервале температур подложки 610-630oC имеет место резкое увеличение поверхностной плотности и диаметра нанокристаллов, в то время как температурная зависимость длины нанокристаллов имеет максимум при 610oC. Повышение температуры до 640oC приводит к подавлению формирования нитевидных нанокристаллов. Описан метод, позволяющий получать чисто кубические GaAs нитевидные нанокристаллы. Дано теоретическое обоснование появления кубической фазы в самокаталитических GaAs нитевидных нанокристаллах.
  • F. Glas. Phys. Rev. B, 74, 121 302 (2006)
  • L.C. Chuang, M. Moewe, S. Crankshaw, C. Chang-Hasnain. Appl. Phys. Lett., 92, 013 121 (2008)
  • G.E. Cirlin, V.G. Dubrovskii, I.P. Soshnikov, N.V. Sibirev, Yu.B. Samsonenko, A.D. Bouravleuv, J.C. Harmand, F. Glas. Phys. Status Solidi RRL, 3 (4) (2009)
  • M. Moewe, L.C. Chuang, V.G. Dubrovskii, C. Chang-Hasnain. J. Appl. Phys., 104, 044 313 (2008)
  • A. Fontcuberta i Morral, C. Colombo, G. Abstreiter. Appl. Phys. Lett., 92, 063 112 (2008)
  • G.E. Cirlin, V.G. Dubrovskii, Yu.B. Samsonenko, A.D. Bouravleuv, K. Durose, Y.Y. Proskuryakov, Budhikar Mendes, L. Bowen, M.A. Kaliteevski, R.A. Abram, Dagou Zeze. Phys. Rev. B, 82, 035 302 (2010)
  • M. Mattila, T. Hakkarainen, H. Lipsanen. Appl. Phys. Lett., 89, 063 119 (2006)
  • M. Moewe, L.C. Chuang, S. Crankshow, C. Chase, C. Chang-Hasnain. Appl. Phys. Lett., 93, 023 116 (2008)
  • В.Г. Дубровский, Г.Э. Цырлин, В.М. Устинов. ФТП, 43, 1585 (2009)
  • A.I. Persson, M.W. Larsson, S. Stengstrom, B.J. Ohlsson, L. Samuelson, L.R. Wallenberg. Nature Mater., 3, 677 (2004)
  • И.П. Сошников, Г.Э. Цырлин, А.А. Тонких, Ю.Б. Самсоненко, В.Г. Дубровский, В.М. Устинов, О.М. Горбенко, D. Litvinov, D. Gerthsen. ФТТ, 47, 2121 (2005)
  • J.C. Harmand, G. Patriarche, N. Pere-Laperne, M.-N. Merat-Combes, L. Travers, F. Glas. Appl. Phys. Lett., 87, 203 101 (2005)
  • V.G. Dubrovskii, G.E. Cirlin, I.P. Soshnikov, A.A. Tonkikh, N.V. Sibirev, Yu.B. Samsonenko, V.M. Ustinov. Phys. Rev. B, 71, 205 325 (2005)
  • Г.Э. Цырлин, В.Г. Дубровский, Н.В. Сибирев, И.П. Сошников, Ю.Б. Самсоненко, А.А. Тонких, В.М. Устинов. ФТП, 39, 587 (2005)
  • F. Glas, J.C. Harmand, G. Patriarche. Phys. Rev. Lett., 99, 146 101 (2007)
  • V.G. Dubrovskii, N.V. Sibirev, J.C. Harmand, F. Glas. Phys. Rev. B, 78, 235 301 (2008)
  • J. Johansson, L.S. Karlsson, K.A. Dick, J. Bolinsson, B.A. Wacaser, K. Deppert, L. Samuelson. Cryst. Growth. and Design, 9, 766 (2009)
  • Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

    Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.