"Физика и техника полупроводников"
Издателям
Вышедшие номера
Высоковольтные (3.3 кВ) JBS-диоды на основе 4H-SiC
Иванов П.А.1, Грехов И.В.1, Ильинская Н.Д.1, Коньков О.И.1, Потапов А.С.1, Самсонова Т.П.1, Серебренникова О.Ю.1
1Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
Поступила в редакцию: 1 ноября 2010 г.
Выставление онлайн: 19 апреля 2011 г.

Изготовлены и исследованы высоковольтные 4H-SiC диоды, имеющие интегрированную шоттки-(p-n)-структуру (Junction Barrier Schottky, JBS). Рабочая площадь диодов (площадь анодного контакта) --- 1.44 мм2. В диапазоне токов от 10-11 до 1.5 A прямая ВАХ описывается по модели термоэлектронной эмиссии с учетом влияния последовательного сопротивления диода: высота барьера Шоттки PhiB=1.16 эВ, фактор идеальности n=1.01, последовательное сопротивление Rs=2.2 Ом (32 мОм·см2). Величина Rs задается сопротивлением блокирующей эпитаксиальной n-базы (концентрация примесей N=9·1014 см-3, толщина n-слоя d=34 мкм). В обратном направлении диоды блокируют напряжение по меньшей мере 3.3 кВ (при обратном напряжении 3.3 кВ ток утечки при комнатной температуре составляет величину порядка одного микроампера). Выдвинуто предположение, что механизм утечки связан с дефектами кристаллической структуры SiC --- дислокациями. Показано, что характеристики обратного восстановления диодов задаются протеканием чисто емкостного обратного тока.
  • А. Слабухин. Компоненты и технологии, N 2, 114 (2005)
  • А. Полищук. Силовая электрон., N 1, 34 (2006)
  • http://www.cree.com/products/power\_docs2.asp
  • И.В. Грехов, П.А. Иванов, Н.Д. Ильинская, О.И. Коньков, А.С. Потапов, Т.П. Самсонова. ФТП, 42, 211 (2008)
  • П.А. Иванов, И.В. Грехов, Н.Д. Ильинская, Т.П. Самсонова, А.С. Потапов. ФТП, 43, 527 (2009)
  • П.А. Иванов, И.В. Грехов, А.С. Потапов, Н.Д. Ильинская, Т.П. Самсонова, О.И. Коньков. ФТП, 43, 1249 (2009)
  • И.В. Грехов, П.А. Иванов, А.С. Потапов, Т.П. Самсонова, О.И. Коньков, Н.Д. Ильинская. Патент РФ N 2390880. Приоритет изобретения 25 мая 2009 г
  • И.В. Грехов, П.А. Иванов, А.С. Потапов, Т.П. Самсонова, О.И. Коньков, Н.Д. Ильинская. Патент РФ N 2395868. Приоритет изобретения 5 июня 2009 г
  • G. Pensl, F. Ciobanu, T. Frank. Int. J. High Speed Electron. Syst., 15 (4), 705 (2005)
  • П.А. Иванов, И.В. Грехов, А.С. Потапов, Т.П. Самсонова, Н.Д. Ильинская, О.И. Коньков, О.Ю. Серебренникова. ФТП, 44, 680 (2010)
  • Q. Wahab, A. Ellison, A. Henry, E. Janzen, C. Hallin, J. Di Persio, R. Martinez. Appl. Phys. Lett., 76, 2725 (2000)
  • B. Hull, J. Sumakeris, M. O'Loughlin, J. Zhang, J. Richmond, A. Powell, M. Paisley, V. Tsvetkov, A. Hefner, A. Rivera. Mater. Sci. Forum, 600- 603, 931 (2009)
  • Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

    Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.