Изготовлены и исследованы высоковольтные 4H-SiC диоды, имеющие интегрированную шоттки-(p-n)-структуру (Junction Barrier Schottky, JBS). Рабочая площадь диодов (площадь анодного контакта) - 1.44 мм². В диапазоне токов от 10^-11 до 1.5 A прямая ВАХ описывается по модели термоэлектронной эмиссии с учетом влияния последовательного сопротивления диода: высота барьера Шоттки Phi_B=1.16 эВ, фактор идеальности n=1.01, последовательное сопротивление R_s=2.2 Ом (32 мОм·см²). Величина R_s задается сопротивлением блокирующей эпитаксиальной n-базы (концентрация примесей N=9·10¹⁴ см^-3, толщина n-слоя d=34 мкм). В обратном направлении диоды блокируют напряжение по меньшей мере 3.3 кВ (при обратном напряжении 3.3 кВ ток утечки при комнатной температуре составляет величину порядка одного микроампера). Выдвинуто предположение, что механизм утечки связан с дефектами кристаллической структуры SiC - дислокациями. Показано, что характеристики обратного восстановления диодов задаются протеканием чисто емкостного обратного тока.

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.