"Физика и техника полупроводников"
Вышедшие номера
Спектры электролюминесценции и поглощения полупроводниковых лазеров с низкими оптическими потерями на основе квантово-размерных гетероструктур InGaAs/AlGaAs/GaAs
Слипченко С.О.1, Подоскин А.А.1, Пихтин Н.А.1, Станкевич А.Л.1, Рудова Н.А.1, Лешко А.Ю.1, Тарасов И.С.1
1Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
Поступила в редакцию: 8 ноября 2010 г.
Выставление онлайн: 19 апреля 2011 г.

Исследованы спектры спонтанного излучения оптических потерь и усиления в лазерной гетероструктуре с квантово-размерной активной областью InGaAs при различных уровнях оптической и электрической накачки. Показано, что накопление носителей заряда в активной области ведет к аннигиляции длинноволнового краевого пика в спектре поглощения. Установлено, что протекающий фототок препятствует накоплению фотогенерированных носителей заряда, в результате спектр поглощения сохраняет свою форму независимо от уровня оптической накачки. Продемонстрировано, что эффекты многочастичного взаимодействия носителей заряда приводят к нетемпературному сужению ширины запрещенной зоны квантово-размерной активной области InGaAs на величину до 30 мэВ и размытию длинноволнового края спектра усиления. В результате для лазерных диодов полосковой конструкции можно найти такой спектральный диапазон, в котором усиление в области полоскового контакта положительно, а потери в пассивных областях близки к нулю.
  1. P. Blood, S. Colak, A.I. Kucharka. IEEE J. Quant. Electron., 24, 1593 (1988)
  2. S. Park, J.I. Shim, K. Kudo, M. Asada. J. Appl. Phys., 72 (1), 279 (1992)
  3. D.A. Kleinman, R.C. Miller. Phys. Rev. B, 32, 2266 (1985)
  4. A. Tomita, A. Suzuki. IEEE J. Quant. Electron., QE-23, 1155 (1987)
  5. L.A. Coldren, S.W. Corzine. Diode lasers and photonic integrated circuits (N.Y., John Wiley \& Sons, Inc., 1995)
  6. Х. Кейси, М. Паниш. Лазеры на гетероструктурах (М., Мир, 1987) т. 1
  7. P. Blood, A.I. Kucharska, J.P. Jacobs. J. Appl. Phys., 70, 1144 (1991)
  8. D.S. Chemla, D.A.B. Miller. J. Opt. Soc. Amer. B, 2, 1155 (1985)
  9. J.P. Reithmaier, R. Hoger, H. Riechert. Phys. Rev. B, 43, 4933 (1991)
  10. G. Livescu, D.A.B. Miller, D.S. Chemla, M. Ramaswamy, T.Y. Chang, N. Sauer, A.C. Gossard, J.H. English. IEEE J. Quant. Electron., QE-24, 1677 (1988)
  11. J. Hader, J.V. Moloney, S.W. Koch. IEEE J. Quant. Electron., QE-35, 1878 (1999)
  12. J. Stohs, D.J. Bossert, D.J. Gallant, S.R.J. Brueck. IEEE J. Quant. Electron., QE-37, 1449 (2001)
  13. Н.А. Пихтин, А.Ю. Лешко, А.В. Лютецкий, В.Б. Халфин, Н.В. Шувалова, Ю.В. Ильин, И.С. Тарасов. Письма ЖТФ, 23, 10 (1997).

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.