"Физика и техника полупроводников"
Вышедшие номера
Быстродействие вертикально-излучающих AlGaAs-лазеров с активной средой на основе субмонослойных внедрений InAs
Надточий А.М.1,2, Блохин С.А.1,2, Мутиг А.3, Лотт Дж.4, Леденцов Н.Н.1,4, Карачинский Л.Я.1,2, Максимов М.В.1,2, Устинов В.М.1, Бимберг Д.3
1Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
2Санкт-Петербургский Академический университет --- научно-образовательный центр нанотехнологий Российской академии наук, Санкт-Петербург, Россия
3Institut fur Festkorperphysik, Technische Universitat Berlin, PW 5-2, Berlin, Germany
4VI Systems GmbH, Berlin, Germany
Поступила в редакцию: 9 ноября 2010 г.
Выставление онлайн: 19 апреля 2011 г.

Показано, что применение субмонослойных внедрений InAs в качестве активной среды вертикально-излучающих AlGaAs-лазеров позволяет достигать резонансных частот до 17 ГГц. При этом одномодовые приборы с меньшим диаметром токовой апертуры позволяют достичь более высоких частот при меньших плотностях тока, чем многомодовые приборы с большим диаметром апертуры. Максимальная безошибочная скорость передачи данных в режиме прямой модуляции по NRZ-формату составляет 20 Гб/с и ограничивается паразитной частотой отсечки. Высокая резонансная частота свидетельствует о том, что при дальнейшей оптимизации конструкции прибора, направленной на снижение электрической емкости и сопротивлений, в лазерах на основе субмонослойных внедрений может быть реализована скорость передачи данных вплоть до 40 Гб/с или выше.
  1. D. Collins, N. Li, D. Kuchta, F. Doany, C. Schow, C. Helms, L. Yang. Proc. SPIE, 6908-09 (2008)
  2. K. Iga. Jpn. J. Appl. Phys., 47, 1 (2008)
  3. P. Westbergh, J. Gustavsson, A. Haglund, H. Sunnerud, A. Larsson. Electron. Lett., 44, 907 (2008)
  4. Y.-C. Chang, C. Wang, L. Coldren. Electron. Lett., 43, 1022 (2007)
  5. S.W. Corzine, R.H. Yan, L.A. Coldren. Appl. Phys. Lett., 57, 2835 (1990)
  6. M. Grundmann, D. Bimberg. Phys. Status Solidi A, 164, 297 (1997)
  7. A. Mutig, G. Fiol, P. Moser, D. Arsenijevic, V.A. Shchukin, N.N. Ledentsov, S.S. Mikhrin, I.L. Krestnikov, D.A. Livshits, A.R. Kovsh, F. Hopfer, D. Bimberg. Electron. Lett., 44, 1345 (2008).
  8. M. Sundaram, A. Wixforth, R.S. Geels, A.C. Gossard, J.H. English. J. Vac. Sci. Technol. B, 9, 1524 (1991)
  9. I.L. Krestnikov, M. Strassburg, M. Caesar, A. Hoffman, U.W. Pohl, D. Bimberg, N.N. Ledentsov, P.S. Kop'ev, Zh.I. Alferov, D. Litvinov, A.Rosenauer, D. Gerthsen. Phys. Rev. B, 60, 8695 (1999)
  10. N.N. Ledentsov, A.F. Tsatsul'nikov, A.Yu. Egorov, P.S. Kop'ev, A.R. Kovsh, M.V. Maximov, V.M. Ustinov, B.V. Volovik, A.E. Zhukov, Zh.I. Alferov, I.L. Krestnikov, D. Bimberg, A. Hoffmann. Appl. Phys. Lett., 74, 161 (1999)
  11. M.V. Belousov, N.N. Ledentsov, M.V. Maximov, P.D. Wang, I.N. Yasievich, N.N. Faleev, I.A. Kozin, V.M. Ustinov, P.S. Kop'ev, C.M. Sotomayor Torres. Phys. Rev. B, 51, 14 346 (1995)
  12. N.N. Ledentsov, F. Hopfer, A. Mutig, V.A. Shchukin, A.V. Savel'ev, G. Fiol, M. Kuntz, V.A. Haisler, T. Warming, E. Stock, S.S. Mikhrin, A.R. Kovsh, C. Bornholdt, A. Lenz, H. Eisele, M. Dahne, N.D. Zakharov, P. Werner, D. Bimberg. Proc. SPIE, 6468-47 (2007)
  13. J.E. Bowers. Sol. St. Electron., 30, 1 (1987)
  14. L.A. Coldren, S.W. Corzine. Diode lasers and photonic integrated circuits (Wiley, 1995)
  15. Y. Ou, J.S. Gustavsson, P. Westbergh, A. Haglund, A. Larsson, A. Joel. IEEE Photon. Technol. Lett., 21, 1840 (2009).

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.