Вышедшие номера
Быстродействие вертикально-излучающих AlGaAs-лазеров с активной средой на основе субмонослойных внедрений InAs
Надточий А.М.1,2, Блохин С.А.1,2, Мутиг А.3, Лотт Дж.4, Леденцов Н.Н.1,4, Карачинский Л.Я.1,2, Максимов М.В.1,2, Устинов В.М.1, Бимберг Д.3
1Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
2Санкт-Петербургский Академический университет --- научно-образовательный центр нанотехнологий Российской академии наук, Санкт-Петербург, Россия
3Institut fur Festkorperphysik, Technische Universitat Berlin, PW 5-2, Berlin, Germany
4VI Systems GmbH, Berlin, Germany
Поступила в редакцию: 9 ноября 2010 г.
Выставление онлайн: 19 апреля 2011 г.

Показано, что применение субмонослойных внедрений InAs в качестве активной среды вертикально-излучающих AlGaAs-лазеров позволяет достигать резонансных частот до 17 ГГц. При этом одномодовые приборы с меньшим диаметром токовой апертуры позволяют достичь более высоких частот при меньших плотностях тока, чем многомодовые приборы с большим диаметром апертуры. Максимальная безошибочная скорость передачи данных в режиме прямой модуляции по NRZ-формату составляет 20 Гб/с и ограничивается паразитной частотой отсечки. Высокая резонансная частота свидетельствует о том, что при дальнейшей оптимизации конструкции прибора, направленной на снижение электрической емкости и сопротивлений, в лазерах на основе субмонослойных внедрений может быть реализована скорость передачи данных вплоть до 40 Гб/с или выше.