"Физика и техника полупроводников"
Вышедшие номера
Анализ пороговых условий генерации замкнутой моды в полупроводниковых лазерах Фабри--Перо
Слипченко С.О.1, Подоскин А.А.1, Пихтин Н.А.1, Соколова З.Н.1, Лешко А.Ю.1, Тарасов И.С.1
1Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
Поступила в редакцию: 1 ноября 2010 г.
Выставление онлайн: 19 апреля 2011 г.

Проведен анализ пороговых условий генерации замкнутой моды в кристалле полупроводникового лазера Фабри--Перо с квантово-размерной активной областью. Установлено, что основными параметрами, влияющими на значение порога генерации замкнутой моды для выбранной лазерной гетероструктуры, являются: оптические потери в пассивной области, фактор оптического ограничения замкнутой моды в области усиления и расстройка материального усиления. Найдены соотношения, определяющие пороговые условия генерации замкнутой моды через оптические и геометрические характеристики полупроводникового лазера. Показано, что вследствие нулевых потерь на выход для замкнутой моды пороговые условия могут быть выполнены при меньшем значении материального усиления по сравнению с модой резонатора Фабри--Перо.
  1. С.О. Слипченко, Д.А. Винокуров, Н.А. Пихтин, З.Н. Соколова, А.Л. Станкевич, И.С. Тарасов, Ж.И. Алфёров. ФТП, 38, 1477 (2004)
  2. G. Erbert, F. Bugge, J. Fricke, P. Ressel, R. Staske, B. Sumpf, H. Wenzel, M. Weyers, G. Trankle. IEEE J. Select. Topics Quant. Electron., 11, 1217 (2005)
  3. Д.А. Винокуров, С.А. Зорина, В.А. Капитонов, А.В. Мурашова, Д.Н. Николаев, А.Л. Станкевич, М.А. Хомылев, В.В. Шамахов, А.Ю. Лешко, А.В. Лютецкий, Т.А. Налет, Н.А. Пихтин, С.О. Слипченко, З.Н. Соколова, Н.В. Фетисова, И.С. Тарасов. ФТП, 39, 388 (2005)
  4. P. Crump, G. Blume, K. Paschke, R. Staske, A. Petrzak, U. Zeimer, S. Einfeldt, A. Ginolas, F. Bugge, K. Hausler, P. Ressel, H. Wenzel, G. Erbert. Proc. SPIE, 7198, 719 814 (2009)
  5. Д.А. Винокуров, В.А. Капитонов, А.В. Лютецкий, Д.Н. Николаев, Н.А. Пихтин, А.В. Рожков, Н.А. Рудова, С.О. Слипченко, А.Л. Станкевич, Н.В. Фетисова, М.А. Хомылев, В.В. Шамахов, К.С. Борщев, И.С. Тарасов. ПЖТФ, 32, 47 (2006)
  6. X. Wang, P. Crump, A. Petrzak, C. Schultz, A. Klehr, T. Hoffmann, A. Liero, A. Ginolas, S. Einfeldt, F. Bugge, G. Erbert, G. Trankle. Proc. SPIE, 7198, 71981G (2009)
  7. С.О. Слипченко, З.Н. Соколова, Н.А. Пихтин, К.С. Борщев, Д.А. Винокуров, И.С. Тарасов. ФТП, 40, 1017 (2006)
  8. H. Wenzel, P. Crump, A. Petrzak, C. Roder, X. Wang, G. Erbert. IEEE J. Quant. Electron., 41, 645 (2009)
  9. С.О. Слипченко, Д.А. Винокуров, А.В. Лютецкий, Н.А. Пихтин, А.Л. Станкевич, Н.В. Фетисова, А.Д. Бондарев, И.С. Тарасов. ФТП, 43, 1409 (2009)
  10. А.Ю. Лешко, А.В. Лютецкий, Н.А. Пихтин, С.О. Слипченко, З.Н. Соколова, Н.В. Фетисова, Е.Г. Голикова, Ю.А. Рябоштан, И.С. Тарасов. ФТП, 36, 1393 (2002).
  11. G.I. Ryabtsev, T.V. Bezyazychnaya, M.V. Bogdanovich, V.V. Parastchuk, A.I. Yenzhyieuski, L.I. Burov, A.S. Gorbatsevich, A.G. Ryabtsev, M.A. Shchemelev, V.V. Bozotosnyi, K.A. Shore, S. Banerjee. Appl. Phys. B, 90, 471 (2008)
  12. L.A. Coldren, S.W. Corzine. Diode lasers and photonic integrated circuits (N. Y., John Wiley \& Sons, 1995)
  13. С.О. Слипченко, А.А. Подоскин, А.Ю. Лешко, Д.А. Винокуров, А.Л. Станкевич, Н.А. Пихтин, И.С. Тарасов. ФТП, 45, (2011).

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.