"Физика и техника полупроводников"
Издателям
Вышедшие номера
Влияние встроенного электрического поля на оптические и электрофизические свойства P-HEMT наногетероструктур AlGaAs/InGaAs/GaAs
Хабибуллин Р.А.1, Васильевский И.С.1, Галиев Г.Б.2, Климов Е.А.1, Пономарев Д.С.1, Гладков В.П.1, Кульбачинский В.А.3, Клочков А.Н.3,2, Юзеева Н.А.2
1Национальный исследовательский ядерный университет "МИФИ", Москва, Россия
2Институт сверхвысокочастотной полупроводниковой электроники Российской академии наук, Москва, Россия
3Московский государственный университет им. М.В. Ломоносова, Москва, Россия
Поступила в редакцию: 1 ноября 2010 г.
Выставление онлайн: 19 апреля 2011 г.

Посвящается светлой памяти чл.-корр. РАН В.Г. Мокерова, д-ра физ.-мат. наук, профессора, основателя и первого директора ИСВЧПЭ РАН, основателя и первого заведующего кафедры 67 "Физика наноразмерных гетероструктур и СВЧ наноэлектроники" НИЯУ МИФИ. Исследованы спектры фотолюминесценции и электрофизические параметры P-HEMT структур AlGaAs/InGaAs/GaAs с различной глубиной залегания Lb квантовой ямы относительно поверхности. Образцы изготавливались с постоянной концентрацией электронов в квантовой яме при уменьшении слоя Lb. Установлено, что в спектрах фотолюминесценции для всех образцов присутствуют пики в областях энергии homega=1.28-1.30 и homega=1.35-1.38 эВ, отношение интенсивности которых увеличивается при уменьшении Lb. Расчеты зонной структуры показали, что изменение спектров связано с увеличением встроенного электрического поля при приближении квантовой ямы к поверхности.
  • C. Gaquiere, J. Grunenutt, D. Jambon, E. Delos, D. Ducatteau, M. Werquin, D. Treron, P. Fellon. IEEE Electron Dev. Lett., 26 (8), 533 (2005)
  • Z. Huang, R. Yu, C. Jiang, T. Lin, Z. Zhang, J. Chu. Phys. Rev. B, 65, 205 312 (2002)
  • X. Cao, Y. Zeng, M. Kong, L. Pan, B. Wang, Zh. Zhu. Sol. St. Electron., 45, 751 (2001)
  • D.Y. Lee, J.Y. Leem, S.K. Kang, J.S. Kim, J.S. Son, I.H. Bae. Phys. E, 19, 349 (2003)
  • A. Jasik, A. Wnuk, J. Gaca, M. Woucik, A. Wojcik-Jedlinska, J. Muszalski, W. Strupinski. J. Cryst. Growth, 311, 4423 (2009)
  • J. Gilperez, J. Sanches-Rojas, E. Munoz, E. Calleja, J.P.R. David, M. Reddy, G. Hill, J. Sanchez-Dehesa. J. Appl. Phys. 76, 5931 (1994)
  • D. Lin, S. Liang, Y.S. Huang, K.K. Tiong, F.H. Pollak, K.R. Evans. J. Appl. Phys., 85, 8235 (1999)
  • L. Pavesi, M. Guzzi. J. Appl. Phys., 75, 4779 (1994)
  • Z.Ya. Zhuchenko, G.G. Tarasov, S.R. Lavorik, Yu.I. Mazur, M.Ya. Valakh, H. Kissel, W.T. Masselink, U. Mueller, C. Walther. SQO, 2 (3), 103 (1999)
  • M. Wojtowicz, D. Pascua, A.C. Han, T.R. Block, D.C. Streit. J. Cryst. Growth, 175, 930 (1997)
  • S.K. Brierley, A. Torabi, P.S. Lyman. J. Appl. Phys., 86 (2), 914 (1999)
  • H. Brugger, H. Mussig, C. Wolk, K. Kern, D. Heitmann. Appl. Phys. Lett., 59 (21), 2739 (1991)
  • C. Colvard, N. Nouri, H. Lee, D. Ackley. Phys. Rev. B, 39, 8033 (1989)
  • K.R. Lefebvre, A.F.M. Anwar. Semicond. Sci. Technol., 12, 1226 (1997)
  • W. Trzeciakowski, M. Gurioli. Phys. Rev. B, 44, 3880 (1991)
  • Г.Б. Галиев, В.Г. Мокеров, Ю.В. Федоров, А.В. Гук, В.А. Страхов, Н.Г. Еременко. ФТП, 32 (9), 1060 (1998)
  • X. Cao, Y. Zeng, M. Kong, L. Pan, B. Wang, Z. Zhu, X. Wang, Y. Chang, J. Chu. J. Cryst. Growth., 231, 520 (2001)
  • G. Ambrazevichus, S. Marcinkevichus, T. Lideikis, K. Naudzius. Semicond. Sci. Technol., 7, 818 (1992)
  • Г.Б. Галиев, И.С. Васильевский, Е.А. Климов, В.Г. Мокеров, А.А. Черечукин. ФТП, 40 (12), 1479 (2006)
  • L.P. Avakyants, P.Yu. Bokov, A.V. Chervyakov, G.B. Galiev, E.A. Klimov, I.S. Vasilevskii, V.A. Kulbachinskii. Semicond. Sci. Technol., 21, 462 (2006)
  • Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

    Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.