"Физика и техника полупроводников"
Вышедшие номера
Влияние периферии контактов металл--полупроводник с барьером Шоттки на их электрофизические характеристики
Торхов Н.А.1, Новиков В.А.2
1Научно-исследовательский институт полупроводниковых приборов, Томск, Россия
2Национальный исследовательский Томский государственный университет, Томск, Россия
Поступила в редакцию: 26 февраля 2010 г.
Выставление онлайн: 20 декабря 2010 г.

При формировании контакта металл-полупроводник с барьером Шоттки (в виде пленки золота на поверхности арсенида галлия p- или n-типа проводимости) возникает встроенное в контакт электрическое поле El, распространяющееся вокруг контакта на расстояние l (ореол), в десятки раз превышающее размеры области пространственного заряда. Это поле понижает электростатический потенциал varphiAu контакта на значительную величину varphi*. Размер ореола l и величина понижения электростатического потенциала varphi* в общем случае определяются величиной и знаком заряда в области пространственного заряда, которые зависят от диаметра D контакта, а также концентрации и типа проводимости полупроводника. Для контактов с барьером Шоттки Au/n-GaAs уменьшение D приводит к возрастанию роли периферии, что проявляется в увеличении varphi*, а также в уменьшении varphiAu и l. Для контактов Au/p-GaAs уменьшение D приводит к уменьшению влияния периферии, что проявляется в уменьшении varphi*, увеличении varphiAu и l. Отсутствие области пространственного заряда в контактах МДП приводит к тому, что размер ореола l и величина varphi* не зависят от их диаметров.
  1. Н.А. Торхов. Изв. вузов. Физика. Деп. в ВИНИТИ N 334--В2008 от 18.04.2008
  2. Н.А. Торхов. ФТП, 44 (5), 615 (2010)
  3. www.ntmdt-tips.com
  4. В.Л. Миронов. Основы сканирующей зондовой микроскопии (Нижний Новгород, Институт физики микроструктур РАН, 2004)
  5. Н.А. Торхов, В.Г. Божков, И.В. Ивонин, В.А. Новиков. Поверхность, N 11, 1 (2009)
  6. Н.А. Торхов, В.Г. Божков, И.В. Ивонин, В.А. Новиков. ФТП 43 (1), 38 (2009)
  7. Н.А. Торхов, В.А. Новиков. ФТП, 43 (8), 1109 (2009)
  8. А.В. Анкудинов, В.П. Евтихеев, К.С. Ладутенко, А.Н. Титков, R. Laiho, ФТП, 40 (8), 1009 (2006)
  9. Н.А. Торхов. Поверхность, N 1, 1 (2010)
  10. В.Л. Бонч-Бруевич, С.Г. Калашников. Физика полупроводников, 2-е изд. (М., Наука, 1990)

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.