При формировании контакта металл-полупроводник с барьером Шоттки (в виде пленки золота на поверхности арсенида галлия p- или n-типа проводимости) возникает встроенное в контакт электрическое поле E_l, распространяющееся вокруг контакта на расстояние l (ореол), в десятки раз превышающее размеры области пространственного заряда. Это поле понижает электростатический потенциал varphi_Au контакта на значительную величину varphi^*. Размер ореола l и величина понижения электростатического потенциала varphi^* в общем случае определяются величиной и знаком заряда в области пространственного заряда, которые зависят от диаметра D контакта, а также концентрации и типа проводимости полупроводника. Для контактов с барьером Шоттки Au/n-GaAs уменьшение D приводит к возрастанию роли периферии, что проявляется в увеличении varphi^*, а также в уменьшении varphi_Au и l. Для контактов Au/p-GaAs уменьшение D приводит к уменьшению влияния периферии, что проявляется в уменьшении varphi^*, увеличении varphi_Au и l. Отсутствие области пространственного заряда в контактах МДП приводит к тому, что размер ореола l и величина varphi^* не зависят от их диаметров.

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.