"Физика и техника полупроводников"
Издателям
Вышедшие номера
Влияние периферии контактов металл--полупроводник с барьером Шоттки на их электрофизические характеристики
Торхов Н.А.1, Новиков В.А.2
1Научно-исследовательский институт полупроводниковых приборов, Томск, Россия
2Национальный исследовательский Томский государственный университет, Томск, Россия
Поступила в редакцию: 26 февраля 2010 г.
Выставление онлайн: 20 декабря 2010 г.

При формировании контакта металл--полупроводник с барьером Шоттки (в виде пленки золота на поверхности арсенида галлия p- или n-типа проводимости) возникает встроенное в контакт электрическое поле El, распространяющееся вокруг контакта на расстояние l (ореол), в десятки раз превышающее размеры области пространственного заряда. Это поле понижает электростатический потенциал varphiAu контакта на значительную величину varphi*. Размер ореола l и величина понижения электростатического потенциала varphi* в общем случае определяются величиной и знаком заряда в области пространственного заряда, которые зависят от диаметра D контакта, а также концентрации и типа проводимости полупроводника. Для контактов с барьером Шоттки Au/n-GaAs уменьшение D приводит к возрастанию роли периферии, что проявляется в увеличении varphi*, а также в уменьшении varphiAu и l. Для контактов Au/p-GaAs уменьшение D приводит к уменьшению влияния периферии, что проявляется в уменьшении varphi*, увеличении varphiAu и l. Отсутствие области пространственного заряда в контактах МДП приводит к тому, что размер ореола l и величина varphi* не зависят от их диаметров.
  • Н.А. Торхов. Изв. вузов. Физика. Деп. в ВИНИТИ N 334--В2008 от 18.04.2008
  • Н.А. Торхов. ФТП, 44 (5), 615 (2010)
  • www.ntmdt-tips.com
  • В.Л. Миронов. Основы сканирующей зондовой микроскопии (Нижний Новгород, Институт физики микроструктур РАН, 2004)
  • Н.А. Торхов, В.Г. Божков, И.В. Ивонин, В.А. Новиков. Поверхность, N 11, 1 (2009)
  • Н.А. Торхов, В.Г. Божков, И.В. Ивонин, В.А. Новиков. ФТП 43 (1), 38 (2009)
  • Н.А. Торхов, В.А. Новиков. ФТП, 43 (8), 1109 (2009)
  • А.В. Анкудинов, В.П. Евтихеев, К.С. Ладутенко, А.Н. Титков, R. Laiho, ФТП, 40 (8), 1009 (2006)
  • Н.А. Торхов. Поверхность, N 1, 1 (2010)
  • В.Л. Бонч-Бруевич, С.Г. Калашников. Физика полупроводников, 2-е изд. (М., Наука, 1990)
  • Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

    Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.