"Физика и техника полупроводников"
Вышедшие номера
О природе электролюминесценции в режиме пробоя при обратном смещении на длине волны 1.5 мкм для легированных эрбием кремниевых структур с p-n-переходом, полученных методом сублимационной молекулярно-лучевой эпитаксии
Корнаухов А.В.1, Ежевский А.А.1, Марычев М.О.1, Филатов Д.О.1, Шенгуров В.Г.1
1Научно-исследовательский физико-технический институт Нижегородского государственного университета им. Н.И. Лобачевского, Нижний Новгород, Россия
Поступила в редакцию: 6 мая 2010 г.
Выставление онлайн: 20 декабря 2010 г.

В выращенных методом сублимационной молекулярно-лучевой эпитаксии структурах Si/Si:Er/Si с p-n-переходом при обратном напряжении смещения в режиме пробоя экспериментально исследованы особенности электролюминесценции в диапазоне длин волн 0.9-1.65 мкм. В соответствии с результатами исследований предложена новая физическая модель, в которой возбуждение излучательных переходов в ближнем инфракрасном диапазоне обеспечивается рекомбинационными процессами для электронов, поступающих на соответствующие энергетические уровни в слое Si:Er за счет их туннелирования из валентной зоны p+-слоя в электрическом поле обратно смещенного p-n-перехода. Предлагаемая модель качественно согласуется с основными известными результатами экспериментальных исследований.
  1. G. Franzo, F. Priolo, S. Koffa, A. Kamera. Appl. Phys. Lett., 64, 2235 (1994)
  2. J. Stimmer, A. Reittinger, V.F. Nutzel, G. Abstreiter, H. Holzbrecher, Ch. Buchal. Appl. Phys. Lett., 68, 3290 (1996)
  3. N.A. Sobolev, A.M. Emel'yanov, K.F. Shtel'makh. Appl. Phys. Lett., 71, 190 (1997)
  4. В.П. Кузнецов, Д.Ю. Ремизов, В.Н. Шабанов, Р.А. Рубцова, М.В. Степихова, Д.И. Крыжков, А.Н. Шушунов, О.В. Белова, З.Ф. Красильник, Г.А. Максимов. ФТП, 40, 868 (2006)
  5. V.B. Shmagin, S.V. Obolensky, D.Yu. Remizov, V.P. Kuznetsov, Z.F. Krasilnik. IEEE J. Select. Topics Quant. Electron., 12, 1556 (2006)
  6. A.G. Chynoweth, K.G. McKay. Phys. Rev., 102, 369 (1956)
  7. В.П. Кузнецов, Д.Ю. Ремизов, В.Б. Шмагин, К.Е. Кудрявцев, В.Н. Шабанов, С.В. Оболенский, О.В. Белова, М.В. Кузнецов, А.В. Корнаухов, Б.А. Андреев, З.Ф. Красильник. ФТП, 41, 1329 (2007)
  8. O. Eknoyan, S.M. Sze, E.S. Yang. SSE, 20, 285 (1977)
  9. O. Eknoyan, E.S. Yang, S.M. Sze. SSE, 20, 295 (1977)
  10. С. Зи. Физика полупроводниковых приборов (М., Мир, 1984) т. 1, гл. 3, с. 158 [Пер. с англ.: S.M. Sze. Physics of Semiconductor Devices (N. Y.--Chichester--Brisbane--Toronto--Singapure, Willey Intersience Publication, 1981) v. 1]
  11. О.В. Белова, В.Н. Шабанов, А.П. Касаткин, О.А. Кузнецов, А.В. Корнаухов, Б.А. Андреев, З.Ф. Красильник. ФТП, 42, 136 (2008)
  12. В.П. Кузнецов, Р.А. Рубцова. ФТП, 34, 519 (2000)
  13. Б.А. Андреев, З.Ф. Красильник, Д.И. Крыжков, А.Н. Яблонский, В.П. Кузнецов, T. Gregorkieviz, V.A.J. Klik. ФТП, 46, 98 (2004)
  14. Б.А. Андреев, З.Ф. Красильник, А.Н. Яблонский, В.П. Кузнецов, T. Gregorkieviz, V.A.J. Klik. ФТП, 47, 83 (2005)
  15. А. Милнс. Примеси с глубокими уровнями в полупроводниках (М., Мир, 1977) гл. 5, с. 105 [Пер. с англ.: A.G. Milnes. Deep Impurities in Semiconductors (N. Y.--London--Sidney--Toronto, Willey Intersience Publication, 1977)]

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.