"Физика и техника полупроводников"
Вышедшие номера
Модель диффузии бора в карбиде кремния из газовой фазы
Александров О.В.1, Мохов Е.Н.2
1Санкт-Петербургский государственный электротехнический университет "ЛЭТИ" им. В.И. Ульянова (Ленина), Санкт-Петербург, Россия
2Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
Поступила в редакцию: 22 ноября 2010 г.
Выставление онлайн: 20 мая 2011 г.

Диффузия бора в карбид кремния из газовой фазы описана на основе двухкомпонентной модели. Медленным компонентом с высокой поверхностной концентрацией является "мелкий" бор - бор в узлах кремния, коэффициент диффузии которого пропорционален концентрации положительно заряженных собственных точечных дефектов, предположительно межузельных атомов кремния. Быстрым компонентом с более низкой поверхностной концентрацией является "глубокий" бор - примесно-дефектные пары бор-углеродная вакансия. Соотношение между поверхностными концентрациями компонентов зависит от давления пара кремния или углерода в газовой фазе. Диффузия и взаимодействие компонентов описаны системой диффузионно-реакционных уравнений. Замедление диффузии, наблюдающееся на хвосте концентрационного профиля, связывается с захватом примесно-дефектных пар и избыточных вакансий на ловушки фоновых примесей и дефектов.
  1. Ю.А. Водаков, Н. Жумаев, Б.Н. Зверев, Г.А. Ломакина, Е.Н. Мохов, В.Г. Одинг, В.В. Семенов, Ю.Ф. Симахин. ФТП, 11, 373 (1977)
  2. А.И. Вейнгер, Ю.А. Водаков, Ю.И. Козлов, Г.А. Ломакина, Е.Н. Мохов, В.Г. Одинг, В.И. Соколов. Письма ЖТФ, 6 (21), 1319 (1980)
  3. T. Troffer, M. Schadt, T. Frank, H. Itoh, G. Pensl, J. Heindl, H.P. Strunk, M. Maier. Phys. Status Solidi A, 162, 277 (1997)
  4. А.А. Лебедев. ФТП, 33, 129 (1990)
  5. S.H. Hagen, A.W.C. Kemenade. Phys. Status Solidi A, 33, 97 (1976)
  6. Ю.А. Водаков, Г.Г. Гончаров, Г.А. Ломакина, А.А. Мальцев, Е.Н. Мохов, В.Г. Одинг, М.Г. Рамм, Г.Г. Рябова. ФТП, 21 (2), 207 (1987)
  7. Ю.А. Водаков, Е.Н. Мохов, В.Г. Одинг. Неорг. матер., 20 (7), 1086 (1983)
  8. П.Г. Баранов, Е.Н. Мохов, ФТТ, 38, 1446 (1996)
  9. A. Duijn-Arnold, T. Ikoma, O.G. Poluektov, P.G. Baranov, E.N. Mokhov, J. Schmidt. Phys. Rev. B, 57, 1607 (1998)
  10. Ю.А. Водаков, Е.Н. Мохов, М.Б. Рейфман. ФТТ, 8, 1298 (1966)
  11. Е.Н. Мохов, Ю.А. Водаков, Г.А. Ломакина, В.Г. Одинг, Г.Ф. Холуянов, В.В. Семенов. ФТП, 6, 482 (1972)
  12. Ю.А. Водаков, Е.Н. Мохов, Н.А. Прохоров, А.С. Трегубова. ФТТ, 18, 2101 (1976)
  13. Е.Н. Мохов, Б.П. Зверев, М.Г. Рамм, М.М. Усманова. Неорг. матер., 16 (12), 2153 (1980)
  14. Е.Н. Мохов, Е.Е. Гончаров, Г.Г. Рябова. ФТП, 18, 49 (1984)
  15. Е.Н. Мохов, М.Г. Рамм, М.М. Усманова, Б.П. Зверев, Н. Жумаев. В сб.: Проблемы физики и технологии широкозонных полупроводников (Л., 1979) с. 316
  16. Е.Н. Мохов, Е.Е. Гончаров, Г.Г. Рябова. ФТТ, 30, 248 (1988)
  17. Ю.А. Водаков, Г.А. Ломакина, Е.Н. Мохов, В.Г. Одинг. ФТП, 14, 377 (1980)
  18. Yu.A. Vodakov, E.N. Mokhov. Inst. Phys. Conf. Ser., N 137, 197 (1993)
  19. Y. Gao, S.I. Soloviev, T.S. Sudarshan. Appl. Phys. Lett., 83, 905 (2003)
  20. А.О. Константинов. ФТП, 22, 164 (1988)
  21. А.О. Константинов. ФТП, 26, 270 (1992)
  22. H. Bracht, N.A. Stolwijk, M. Laube, G. Pensl. Appl. Phys. Lett., 77, 3188 (2000)
  23. M. Bockstedte, A. Mattausch, O. Pankratov. Phys. Rev. B, 70, 15 203 (2004)
  24. Ю.А. Водаков, Г.А. Ломакина, Е.Н. Мохов. ФТТ, 24, 1377 (1982)
  25. C. Wang, J. Bernholc, R.F. Davis. Phys. Rev. B, 38, 12 752 (1988)
  26. W. Frank, U. Gosele, H. Mehrer, A. Seeger. Diffusion in crystalline solids, ed. by G.E. Murch, A.S. Nowick (Orlando, Academic Press, 1984) p. 63
  27. О.В. Александров, А.А. Криворучко. ФТП, 41 (9), 1067 (2007)
  28. О.В. Александров. ФТП, 35 (11), 1289 (2001)

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.