Физика и техника полупроводников
Авторам
Вышедшие номера
- 2024
- 2023
- 2022
- 2021
- 2020
- 2019
- 2018
- 2017
- 2016
- 2015
- 2014
- 2013
- 2012
- 2011
- 2010
- 2009
- 2008
- 2007
- 2006
- 2005
- 2004
- 2003
- 2002
- 2001
- 2000
- 1999
- 1998
- 1997
- 1996
- 1995
- 1994
- 1993
- 1992
- 1991
- 1990
- 1989
- 1988
Физические свойства тонких пленок SnS, полученных методом горячей стенки
Башкиров С.А.1, Гременок В.Ф.1, Иванов В.А.1
1Научно-практический центр Национальной академии наук Беларуси по материаловедению, Минск, Беларусь 
Поступила в редакцию: 18 ноября 2010 г.
Выставление онлайн: 20 мая 2011 г.
Представлены результаты исследования микроструктуры и оптических свойств тонких пленок SnS, полученных на стеклянных подложках методом горячей стенки, в зависимости от условий получения. Исследованы фазовый и элементный состав, морфология поверхности и спектры пропускания полученных пленок в диапазоне длин волн 400-2500 нм. Однофазные пленки характеризуются близким к стехиометрии элементным составом и высокой степенью преимущественной ориентации в плоскости (040). Оптическая ширина запрещенной зоны для прямых переходов составляет 1.07-1.27 эВ в зависимости от толщины пленок.
- A.Ghazali, Z. Zainal, M.Z. Hussein, A. Kassim. Sol. Energy Mater. Sol. Cells, 55, 237 (1998)
- B. Subramanian, C. Sanjeeviraja, M. Jayachandran. Sol. Energy Mater. Sol. Cells, 79, 57 (2003)
- M. Parenteau, C. Carlone. Phys. Rev. B, 41, 5227 (1990)
- J.J. Loferski. J. Appl. Phys., 27, 777 (1956)
- K.T. Ramakrishna Reddy, N. Koteswara Reddy, R.W. Miles. Solar Energy Mater Solar Cells, 90, 3041 (2006)
- M. Sharon, K. Basavaswaran. Solar Cells, 25, 97 (1988)
- M. Sugiyama, K. Miyauchi, T. Minemura, K. Ohtsuka, K.I. Noguchi, H.I. Nakanishi. Jpn. J. Appl. Phys., 47 (6), 4494 (2008)
- A. Ortiz, J.C. Alonso, M. Garcia, J. Toriz. Semicond. Sci. Technol., 11, 243 (1996)
- A. Tanuv sevski, D. Poelman. Solar Energy Mater. Solar Cells, 80, 297 (2003)
- N.K. Reddy, K.T.R. Reddy. Thin Sol. Films, 325, 4 (1998)
- M. Devika, K.T.R. Reddy, N.K. Reddy, K. Ramesh, R. Ganesan, E.S.R. Gopal, K.R. Gunasekhar. J. Appl. Phys., 100, 023 518 (2006)
- M. Devika, N. Koteeswara Reddy, K. Ramesh, K.R. Gunasekhar, E.S.R. Gopal, K.T. Ramakrishna Reddy. Semicond. Sci. Technol., 21, 1125 (2006)
- M. Devika, N. Kotteswara Reddy, D. Sreekantha Reddy, S. Venkatramana Reddy, K. Ramesh, E.S.R. Gopal, K.R. Gunasekhar, V. Ganesan, Y.B. Hahn. J. Phys.: Condens. Matter. 19, 306 003 (2007)
- M. Devika, N. Koteeswara Reddy, K. Ramesh, V. Ganesan, E.S.R. Gopal, K.T. Ramakrishna Reddy. Appl. Surf. Sci. 253, 1673 (2006)
- A. Lopez-Otero. Thin Sol. Films, 49, 3 (1978)
- D.M. Unichak, K. Bente, G. Kloess, W. Schmitz, V.F. Gremenok, V.A. Ivanov, V. Ukhov. Phys. Status Solidi C, 6, 1191 (2009).
- V. Gremenok, D. Unichak, V. Lazenka, K. Bente, V. Ivanov, S. Bashkirov, I. Tashlykov, A. Turovets. Proc. 17th Int. Conf. on Ternary and Multinary Compounds (Baku, Azerbaijan, 2010) p. 24
- P. Scherrer. Gottinger Nachrichten Gesell, 2, 98 (1918)
- W. Albers, C. Haas, H.J. Vink, J.D. Wasscher. J. Appl. Phys., 32 (10), 2220 (1961)
- H. Rau. J. Phys. Chem. Sol., 27 (4), 761 (1966)
- A. Lichanot, S. Gromb. J. Chim. Phys. and Phys.-Chem. Biol., 67 (6), 1239 (1970)
- Ж. Панков. Оптические процессы в полупроводниках (М., Мир, 1973).
Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.
Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.
