Вышедшие номера
Резонансное прохождение электронов через трехбарьерные структуры в двухчастотном электрическом поле
Пашковский А.Б.1
1Научно-производственное предприятие "Исток", Фрязино, Россия
Поступила в редакцию: 22 июня 2010 г.
Выставление онлайн: 20 мая 2011 г.

Для несимметричных трехбарьерных резонансно-туннельных структур с тонкими высокими барьерами решение уравнения Шредингера, описывающее резонансные переходы между тремя равноудаленными квантовыми уровнями в сильном одночастотном электрическом поле, обобщено на случай разного расстояния между уровнями и двухчастотного поля, с частотами, соответствующими резонансным переходам в каждой из связанных квантовых ям. Показано, что в условиях когерентного транспорта электронов независимо от параметров структуры для любой амплитуды сильного резонансного поля в первой яме существует такая амплитуда резонансного поля во второй яме, что структура становится абсолютно прозрачной, и большинство электронов (в пределе - все), падающих на верхний резонансный уровень, может отдавать два фотона разной частоты и уходить из структуры по нижнему уровню без промежуточного взаимодействия с фононами. Вероятность переходов сильно зависит от амплитуд полей и не зависит от сдвига фаз между ними. Обнаружена возможность практически полной блокировки резонансных переходов в первой яме высокочастотным полем во второй.