"Физика и техника полупроводников"
Вышедшие номера
Особенности образования радиационных дефектов в слое кремния структур "кремний на изоляторе"
Щербачев К.Д.1, Бублик В.Т.1, Мордкович В.Н.2, Пажин Д.М.2
1Национальный исследовательский технологический университет "МИСиС", Москва, Россия
2Институт проблем технологии микроэлектроники и особочистых материалов Российской академии наук, Черноголовка, Россия
Поступила в редакцию: 13 декабря 2010 г.
Выставление онлайн: 20 мая 2011 г.

Исследовались особенности образования радиационных дефектов в тонком слое кремния структур "кремний на изоляторе" (КНИ). Показаны различия в изменениях структурных и электрических свойств тонкого слоя кремния и аналогичных по электрофизическим характеристикам массивных кристаллов кремния, подвергнутых одинаковым радиационным воздействиям. Установлено, что встроенный диэлектрик структуры "кремний на изоляторе" является барьером на пути движения радиационно-индуцированных собственных межузельных атомов кремния, что приводит к увеличению дозы бомбардирующих ионов, вызывающей потерю монокристалличности слоя кремния КНИ-структуры. Показано, что гамма-облучение дозами, не влияющими на электропроводность массивных кристаллов кремния, существенно изменяет таковую в слое кремния КНИ-структур. При этом изменение электропроводности слоя кремния связано с изменением плотности поверхностных состояний на границе раздела слой кремния-встроенный диэлектрик, а не с генерацией "классических" радиационно-индуцированных дефектов структуры кремния.
  1. S. Cristoloveanu. In: Physical and Technical Problems of SOI Structures and Devices. (Dordrect--Boston--London: Kluwer Acad. Publ., 1995) ser. 3, 4, p. 109
  2. Г.А. Мустафаев, А.Г. Маустафаев. Нано- и микросистемная техника, 12, 47 (2007)
  3. Физические процессы в облученных полупроводниках. Под ред. Л.С. Смирнова (Новосибирск Наука, 1977)
  4. N.P. Morosov, D.I. Tetelbaum. Phys. Status Solidi A, 51, 629 (1979)
  5. А.Г. Акимов, М.Ю. Барабаненков, В.Н. Мордкович. ПТЭ, 5, 123 (1988)
  6. К.Д. Щербачев, А.В. Курипятник, В.Т. Бублик. Заводская лаборатория, 6, 23 (2003)
  7. C.R. Wie, T.A. Tombrello, T. Vreeland. J. Appl. Phys., 59, 3743 (1986)
  8. J. Lee, M.-H. Nam, J.-H. Oh et al. Appl. Phys. Lett., 72, 6, 677 (1998),
  9. G. Watkins, J. Troxell. In: Rad. Eff. Semicond. Conf. Ser. (London, Bristol, 1979) N 46, p. 16
  10. В.Г. Горячев, Н.К. Коротаева, В.Н. Мордкович. Электронная техника. Сер. 2. Полупроводниковые приборы, 3, 49 (1978)

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.