Вышедшие номера
Home » Физика и техника полупроводников » Год 2011, выпуск 6 » Статья стр. 770
<<<>>>
Эволюция деформационного состояния и компонентного состава при изменении количества квантовых ям в многослойных структурах InGaN/GaN
Кладько В.П.1, Кучук А.В.1, Сафрюк Н.В.1, Мачулин В.Ф.1, Беляев А.Е.1, Конакова Р.В.1, Явич Б.С.2, Бер Б.Я.3, Казанцев Д.Ю.3
1Институт физики полупроводников им. В.Е. Лашкарева Национальной академии наук Украины, Киев, Украина
2ЗАО "Светлана-Оптоэлектроника" Санкт-Петербург, Россия
3Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
Поступила в редакцию: 11 ноября 2010 г.
Выставление онлайн: 20 мая 2011 г.
PDF версия
Методами высокоразрешающей рентгеновской дифрактометрии проведены исследования многослойных структур в системе InxGa1-xN/GaN, выращенных методом газофазной эпитаксии из металлоорганических соединений. Установлена связь между уровнем деформации (релаксации) системы, содержанием индия в квантовых ямах, соотношением толщин яма/барьер и числом квантовых ям активной сверхрешетки. Показано, что частичная релаксация системы начинается уже в структурах с одной квантовой ямой. Полученные результаты показывают, что процессы релаксации должны иметь значительное влияние на оптические характеристики приборов.
  1. S. Nakamura, G. Fasol. The Blue Laser Diode: GaN Based Light Emitters and Lasers (Springer, Berlin, 1997)
  2. F.K. Yam, Z. Hassan. Superlatt. Microstruct., 43, 1 (2008)
  3. R. Singh, D. Doppalapudi, T.D. Moustakasa, L.T. Romano. Appl. Phys. Lett., 70, 1089 (1997)
  4. J. Bai, T. Wang, S. Sakai. J. Appl. Phys., 90, 1740 (2001)
  5. S. Pereira, M.R. Correia, E. Pereira, K.P. O'Donnell, E. Alves, N.P. Barradas, A.D. Sequeira, N. Franco, L.M. Watson, C. Liu. Phys. Status Solidi C, 0, 302 (2002)
  6. A. Krost, J. Blasing, M. Lunenburger, H. Protzmann, M. Heuken. Appl. Phys. Lett., 75, 689 (1999)
  7. J.H. Zhu, L.J. Wang, S.M. Zhang, H. Wang, D.G. Zhao, J.J. Zhu, Z.S. Liu, D.S. Jiang, Y.X. Qiu, H. Yang. J. Phys. D: Appl. Phys., 42, 235 104 (2009)
  8. A.M. Yong, C.B. Soh, X.H. Zhang, S.Y. Chow, S.J. Chua. Thin Sol. Films, 515, 4496 (2007)
  9. S. Pereira, M.R. Correia, E. Pereira, K.P. O'Donnell, E. Alves, A.D. Sequeira, N. Franco, I.M. Watson, C.J. Deatcher. Appl. Phys. Lett., 80, 3913 (2002)
  10. M.-I. Richard, M.J. Highland, T.T. Fister, A. Munkholm, J. Mei, S.K. Streiffer, C. Thompson, P.H. Fuoss, G.B. Stephenson. Appl. Phys. Lett., 96, 051 911 (2010)
  11. А.В. Сахаров, В.В. Лундин, Е.Е. Заварин, М.А. Синицын, А.Е. Николаев, С.О. Усов, В.С. Сизов, Г.А. Михайловский, Н.А. Черкашин, M. Hytch, F. Hue, Е.В. Яковлев, А.В. Лобанова, А.Ф. Цацульников. ФТП, 43, 841 (2009)
  12. D.S. Lee, D.I. Florescu, D. Lu, J.C. Ramer, V. Merai, A. Parekh, M.J. Begarney, E.A. Armour. Phys. Status Solidi A, 201, 2644 (2004)
  13. В.В. Стрельчук, В.П. Кладько, Е.А. Авраменко, А.Ф. Коломыс, Н.В. Сафрюк, Р.В. Конакова, Б.С. Явич, М.Я. Валах, В.Ф. Мачулин, А.Е. Беляев. ФТП, 44 (9), 1236 (2010). [Semiconductors, 44, 1199 (2010).]
  14. V.P. Kladko, A.V. Kuchuk, N.V. Safryuk, V.F. Machulin, A.E. Belyaev, R.V. Konakova, B.S. Yavich. Semicond. Phys. Quant. Electron. Optoelectron., 13, 1 (2010)
  15. R.G. Wilson, F.A. Stevie, C.W. Magee. Secondary lon Mass Spectrometry. A Practical Handbook for Depth Profiling and Bulk Impurity Analysis (Wiley, 1989)
  16. А.Н. Ефанов, В.П. Кладько. Металлофизика и новейшие технологии, 28, 227 (2006)
  17. A. Authier. Dynamical Theory of X-Ray Diffraction (Oxford University Press, N.Y., 2001)
  18. Yu.P. Stetsko, S.-L. Chang. Acta. Cryst. A, 53, 28 (1997)
  19. O.M. Yefanov, V.P. Kladko, V.F. Machulin. Ukrainian J. Phys., 51, 895 (2006)
  20. В.П. Кладько, С.В. Чорненький, А.В. Наумов, А.В. Комаров, M. Tacano, Ю.Н. Свешников, С.А. Витусевич, А.Е. Беляев. ФТП, 40, 1087 (2006). [Semiconductors, 40, 1060 (2006).]
  21. V.P. Kladko, N.V. Safryuk, A.V. Kuchuk, A.E. Belyaev, V.F. Machulin. Ukrainian J. Phys., 54, 1014 (2009)
  22. V.P. Kladko, A.F. Kolomys, M.V. Slobodian, V.V. Strelchuk, V.G. Raycheva, A.E. Belyaev, S.S. Bukalov, H. Hardtdegen, V.A. Sydoruk, N. Klein, S.A. Vitusevich. J. Appl. Phys., 105, 063 515 (2009)
  23. V.P. Kladko, A.V. Kuchuk, N.V. Safryuk, V.E. Machulin, A.E. Belyaev, H. Hardtdegen, S.A. Vitusevich. Appl. Phys. Lett., 95, 031 907 (2009)
  24. M. Yamaguchi, T. Yagi, T. Sota, T. Deguchi, K. Shimada, S. Nakamura. J. Appl. Phys., 85, 8502 (1999)
  25. W. Paszkowicz. Powder Diffract., 14, 258 (1999)
  26. A.T. Cheng, Y.K. Sua, W.C. Lai. J. Cryst. Growth, 298, 508 (2007)
  27. V.P. Klad'ko, L.I. Datsenko, J. Bak-Misiuk, S.I. Olikhovskii, V.F. Machulin, I.V. Prokopenko, V.B. Molodkin, Z.V. Maksimenko. J. Phys. D: Appl. Phys., 34, A87 (2001)
  28. V.V. Ratnikov, R.N. Kyutt, T.V. Shubina, T. Pashkova, B. Monemar. J. Appl. Phys., 88, 6252 (2000)
  29. P.K. Kandaswamy, C. Bougerol, D. Jalabert, P. Ruterana, E. Monroy. J. Appl. Phys., 106, 013 526 (2009)
  30. Yu.I. Mazur, Zh.M. Wang, G.J. Salamo, V.V. Strelchuk, V.P. Kladko, V.F. Machulin, M.Ya. Valakh, M.O. Manasreh. J. Appl. Phys., 99, 023 517 (2006)
  31. M.C. Johnson, E.D. Bourret-Courchesne, J. Wu, Z. Liliental-Weber, D.N. Zakharov, R.J. Jorgenson, T.B. Ng, D.E. McCready, J.R. Williams. J. Appl. Phys., 96, 1381 (2004)
  32. V.P. Kladko, A.V. Kuchuk, N.V. Safryuk, V.F. Machulin, P.M. Lytvyn, V.G. Raicheva, A.E. Belyaev, Yu.I. Mazur, E.A. DeCuir Jr, M.E. Ware, G.J. Salamo. J. Phys. D: Appl. Phys., 44, 025 403 (2011)
  33. A. Fisher, H. Kuhne, H. Richter. Phys. Rev. Lett., 73, 2712 (1994).

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.

Учредители

Издатель

© 2024 Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук
Powered by webapplicationthemes.com - High quality HTML Theme