"Физика и техника полупроводников"
Вышедшие номера
Дрейфовая скорость электронов в квантовых ямах селективно легированных гетероструктур In0.5Ga0.5As/ AlxIn1-xAs и In0.2Ga0.8As/AlxGa1-xAs в сильных электрических полях
Пожела Ю.1, Пожела К.1, Рагуотис Р.1, Юцене В.1
1Институт физики полупроводников Центра физических и технологических наук, Вильнюс, Литва
Поступила в редакцию: 22 ноября 2010 г.
Выставление онлайн: 20 мая 2011 г.

Вычислена (методом Монте-Карло) полевая зависимость дрейфовой скорости электронов в квантовых ямах селективно легированных гетероструктур In0.5Ga0.5As/AlxIn1-xAs и In0.2Ga0.8As/AlxGa1-xAs. Исследовано влияние изменения мольной доли Al в составе барьеров квантовой ямы AlxGa1-xAs и AlxIn1-xAs на подвижность и дрейфовую скорость электронов в сильных электрических полях. Показано, что подвижность электронов растет с уменьшением доли Al x в составе барьеров. В квантовых ямах In0.5Ga0.5As/ In0.8Al0.2As максимальное значение подвижности превышает подвижность в объемном материале в 3 раза. Повышение доли Al x в барьере приводит к росту порогового поля Eth междолинного переброса (эффект Ганна). В гетероструктурах In0.5Ga0.5As/Al0.5In0.5As пороговое поле составляет Eth=16 кВ/см, в In0.2Ga0.8As/Al0.3Ga0.7As --- Eth=10 кВ/см. В гетероструктурах с наивысшей подвижностью электронов Eth=2-3 кВ/см, что меньше Eth=4 кВ/см в объемном InGaAs.
  1. H. Zhao, Y.-T. Chen, J.H. Yum, Y. Wang, F. Zhou, F. Xue, J.C. Lee. Appl. Phys. Lett., 96, 102 101 (2010)
  2. N. Dyakonova, A. El Fatimy, J. Lusakowski, W. Knap. Appl. Phys. Lett., 88, 141 906 (2006)
  3. N. Dyakonova, F. Teppe, J. Lusakovski, W. Knap, M. Levinshtein, A.P. Dmitriev, M. Shur, S. Bollacrt, A. Cappy. J. Appl. Phys., 97, 114 313 (2005)
  4. W.J. Stillman, M.S. Shur. J. Nanoelectron. Optoelectron., 2, 209 (2007)
  5. J. Pov zela, A. Namajunas, K. Pov zela, V. Juciene. J. Appl. Phys., 81, 1775 (1997)
  6. Ю. Пожела, К. Пожела, В. Юцене. ФТП, 41, 1093 (2007) [Semiconductors, 41, 1074 (2007)]
  7. В.Г. Мокеров, И.С. Васильевский, Г.Б. Галиев, Ю. Пожела, К. Пожела, А. Сужеделис, В. Юцене, Ч. Пашкевич. ФТП, 43, 478 (2009) [Semiconductors, 43, 458 (2009)]
  8. J. Pov zela, K. Pov zela, A. Shkolnik, A. Suv ziedelis, V. Juciene, S. Mikhrin, V. Mikhrin. Phys. Status Solidi C, 6, 2713 (2009)
  9. I. Lee, S.M. Goodnick, M. Gulia, E. Molinari, P. Lugli. Phys. Rev. B, 51, 7046 (1995)
  10. N. Mori, T. Ando. Phys. Rev. B, 40, 6175 (1989)
  11. Ю. Пожела, К. Пожела, В. Юцене, А. Сужеделис, А.С. Школьник, С.С. Михрин, В.С. Михрин, ФТП, 43, 1634 (2009) [Semiconductors, 43, 1590 (2009)]
  12. T.P. Pearsall, R. Carles, J.S. Portal. Appl. Phys. Lett., 42, 436 (1983).
  13. И.С. Васильевский, Г.Б. Галиев, Ю.А. Матвеев, Е.А. Климов, Ю. Пожела, К. Пожела, А. Сужеделис, Ч. Пашкевич, В. Юцене. ФТП, 44, 928 (2010) [Semiconductors, 44, 898 (2010)]
  14. X. Wallart, B. Pinsard, F. Mollot. J. Appl. Phys., 97, 053 706 (2005)
  15. V. Drouot, M. Gendry, C. Santinelli, P. Victorovicth, G. Hollinger. J. Appl. Phys., 77, 1810 (1995)
  16. J. Pov zela, K. Pov zela, V. Juciene, A. Shkolnik. Semicond. Sci. Technol., 26, 014025 (2011).

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.