Вышедшие номера
Home » Физика и техника полупроводников » Статистика
Общее количество статей:
11054
Распределение количества статей по годам:
517
490
469
411
345
329
302
266
295
311
285
292
278
262
263
259
256
277
251
260
244
294
288
284
279
295
305
301
303
316
330
309
287
248
203
135
117
98
Распределение количества просмотров по годам:
1279497
1189010
1144579
1022015
873292
838170
765545
681789
810129
984388
976647
909927
906396
900495
879768
912793
935461
963863
851714
896825
839961
1056645
1070607
1041043
1005186
1089672
1095663
1054656
1008209
1041644
946069
829387
635732
482038
356547
175507
106500
30415
Распределение количества авторов по годам:
1228
1240
1185
1078
885
882
744
715
727
800
756
791
761
773
802
802
826
907
876
892
763
962
1019
1010
968
1085
1151
1063
1156
1166
1310
1097
1124
952
833
548
556
467
Распределение количества организаций по годам:
143
55
131
107
117
125
151
174
159
167
148
175
163
181
187
187
227
154
216
211
211
237
252
286
241
275
269
295
249
323
260
170
109
93
92

Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов. Дата начала обработки информации по просмотрам - 27 января 2016 г.

За 1990 год:
Статья
Просмотров
Процессы рекомбинации носителей заряда в CdxHg1-xTe О б з о р
30
Механизм АФН эффекта в поликристаллических полупроводниках
27
Изменение поверхностного потенциала полупроводника при освещении
26
Спонтанное образование и эволюция локальных областей ударной ионизации в идеально однородных p-n-структурах
25
Исследование эпитаксиальных слоев InGaAsP с низким уровнем легирования
25
Простая модель вольтамперных характеристик МДП транзистора
25
Резонансный захват носителей в спиновые квантовые ямы в магнитном поле
23
Поперечная фотопроводимость классических композиционных сверхрешеток
22
Расчет аномального эффекта Холла при комнатной температуре в термообработанном образце n-Ge
22
Неомическая прыжковая проводимость слабо компенсированных полупроводников
22
Резонансная зона в сплаве Pb1-xSnxSe (x=0.07), облученном электронами
22
Исследование комплексообразования в эпитаксиальном сильно легированном p-GaAs : Ge методом фотолюминесценции
22
Изменение высоты потенциального барьера контактов металл-кремний в условиях деформации
22
К вопросу о величине коэффициента ионизации в кремнии
22
Образование глубоких центров в фосфиде галлия при создании ионно-имплантированных фоточувствительных структур
22
Пространственный перенос двумерных электронов в структуре металл-AlxGa1-xAs-GaAs с селективным легированием
21
Влияние условий электронного облучения на скорость образования A-центров в n-кремнии
21
Дрейфовая неустойчивость, вызываемая перезарядкой центров на поверхности монополярного полупроводника
21
Модификация центра E3 в облученном n-GaAs
21
Фотоплеохроизм легированных кристаллов GaSe
21
Статья
Просмотров
Теплопроводность карбида кремния в области температур 300-3000 K
3520
Редкоземельные элементы в полупроводниках AIIIBV О б з о р
3054
Фотолюминесценция аморфных пленок a-Si1-xCx : H
2906
Кинетические явления в компенсированном n-InSb при низких температурах (О б з о р)
2898
Памяти Анатолия Робертовича Регеля (1915-1989)
2892
Влияние температуры облучения нейтронами на формирование дефектов структуры в кремнии, выращенном методом Чохральского
2838
Изменение поверхностного потенциала полупроводника при освещении
2808
Низкотемпературные фотолюминесценция и фотопроводимость в нелегированных аморфных полупроводниках
2804
Биполяроны и преобразование солнечной энергии
2794
Процессы рекомбинации носителей заряда в CdxHg1-xTe О б з о р
2778
Туннельный ток через контакт к двумерному электронному газу
2778
Именной указатель
2766
Скорость рекомбинации неравновесной электронно-дырочной плазмы в лазерных кристаллах CdS
2739
Оценка точности метода определения раздельной концентрации примесей из измерений постоянной Холла
2734
Критика и библиография
2715
Фотостимулированная диффузия золота в кремнии при импульсной фотонной обработке
2715
Поперечная фотопроводимость классических композиционных сверхрешеток
2714
Неомическая прыжковая проводимость слабо компенсированных полупроводников
2710
Циклотронный резонанс дырок германия с отрицательными массами при H-16pt||[001]
2709
Спонтанное образование и эволюция локальных областей ударной ионизации в идеально однородных p-n-структурах
2709
Ионизация примесей бризерами в сверхрешетке
2706
Механизмы снижения эффективности излучательной рекомбинации сильно легированного эпитаксиального p-GeAs : Ge
2695
Колебательные спектры кристаллов CdP2
2671
Влияние условий электронного облучения на скорость образования A-центров в n-кремнии
2666
Влияние технологии приготовления пленок a-Si : H на излучательную рекомбинацию
2662
Температурные и частотные зависимости электропроводности алмазных пленок
2655
Обнаружение нового метастабильного уровня DX-центра в тонких легированных Si слоях AlxGa1-xAs
2650
Изучение комплексов бора и кислорода с литием в компенсированном кремнии
2649
Проводимость полупроводниковой сверхрешетки в магнитном поле, перпендикулярном ее оси
2649
Влияние температуры на столкновительное уширение уровней Ландау
2646
(In, Ga, Al)As ДГС РО лазеры на длину волны 1.1 мкм с (In, Ga)As напряженной квантовой ямой, ограниченной короткопериодной сверхрешеткой
2646
Дрейфовая неустойчивость, вызываемая перезарядкой центров на поверхности монополярного полупроводника
2645
Распределение заряда и формирование глубоких уровней в полупроводниках по данным самосогласованного метода функций Грина: дефекты в кремнии и германии
2644
Фотоэмиссия горячих электронов из диодов Шоттки p-InGaAs-Ag
2642
Фотолюминесценция и фото-ЭПР высокочистого селенида цинка, облученного электронами
2636
Связь желтой электролюминесценции в 6H-SiC с глубокими центрами
2633
К теории пограничных состояний в гетеропереходах
2632
Распределение атомов кремния по пороговой энергии смещения и его зависимость от температуры
2630
Фотомагнитный эффект в системе n-AlxGa1-xAs/GaAs с 2D-электронами
2617
Вольт-амперные характеристики тонких пленок Pb1-xSnxTe<In> при различных уровнях фоновых засветок
2615
Фотолюминесценция квантовых слоев InxGa1-xAs, выращенных на плоскостях (100) и (111)A арсенида галлия
2614
Фотопроводимость p-MnxHg1-xTe в магнитном поле
2613
Влияние Yb на остаточные донорные и акцепторные примеси в GaP
2611
Пространственное распределение носителей заряда в условиях контактной эксклюзии
2610
Крупномасштабные электрически активные примесные скопления в кристаллах кремния, выращенных методом Чохральского
2605
Пограничные состояния электронного типа в инверсных гетероструктурах
2604
Эмиссионные характеристики полупроводниковых гетероструктур с барьером Шоттки InGaAs-InP-Ag
2593
Особенности поведения изовалентной примеси --- индия при легировании арсенида галлия в процессе газофазовой эпитаксии из металлоорганических соединений
2589
Влияние силовых полей на образование радиационных дефектов в кремнии при электронном облучении структур SiO2-Si
2581
Электрофизические свойства и фотолюминесценция кремния, легированного алюминием методом фотоядерных реакций
2578
Автор
Организация
Статей
Малютенко В.К.
9
Ломако В.М.
9
Копьев П.С.
7
Иванов-Омский В.И.
7
Леденцов Н.Н.
6
Грибников З.С.
6
Шаховцов В.И.
6
Иванов С.В.
5
Мельцер Б.Я.
5
Баранов А.Н.
5
Яковлев Ю.П.
5
Кадушкин В.И.
5
Кольченко Т.И.
5
Шик А.Я.
5
Ломасов В.Н.
5
Гельмонт Б.Л.
4
Алфёров Ж.И.
4
Хируненко Л.И.
4
Скипетров Е.П.
4
Немов С.А.
4
Казанский А.Г.
4
Капустин Ю.А.
4
Кернер Б.С.
4
Осипов В.В.
4
Пека Г.П.
4
Райчев О.Э.
4
Левинштейн М.Е.
4
Румянцев С.Л.
4
Чалдышев В.В.
4
Шмарцев Ю.В.
4
4
Конников С.Г.
4
Сеничкин А.П.
4
Георгицэ Е.И.
4
Берман Л.С.
4
Ткаченко В.Н.
4
Новиков С.В.
4
Крещук А.М.
4
Зебрев Г.И.
3
Яшник В.И.
3
Савельев И.Г.
3
Васько Ф.Т.
3
Герасименко Н.Н.
3
Хасиева Р.В.
3
Ковалюк З.Д.
3
Стельмах В.Ф.
3
Дьяконова Н.В.
3
Устинов В.М.
3
Клячкин Л.Е.
3
Суханов В.Л.
3
Рыжий В.И.
3
Толстихин В.И.
3
Житинская М.К.
3
Журавлев К.С.
3
Якушева Н.А.
3
Васильев В.А.
3
Пипа В.И.
3
Лашкарев Г.В.
3
Колокольников Б.М.
3
Андреев В.М.
3
Львова Т.В.
3
Шпинар Л.И.
3
Ясковец И.И.
3
Болгов С.С.
3
Савченко А.П.
3
Руссу Е.В.
3
Курова И.А.
3
Владимиров В.В.
3
Коллюх А.Г.
3
Беляев А.Е.
3
Медведев Б.К.
3
Архипов В.И.
3
Иванюкович В.А.
3
Карась В.И.
3
Ладыгин Е.А.
3
Дмитриев А.Г.
3
Ильичев Э.А.
3
Быковский В.А.
3
Царенков Б.В.
3
Гершензон Е.М.
3
Погорлецкий В.М.
3
Смирнов В.А.
3
Алешкин В.Я.
3
Гореленок А.Т.
3
Шмидт Н.М.
3
Витовский Н.А.
3
Крючков С.В.
3
Воробьева В.В.
3
Любченко А.В.
2
Луценко М.Э.
2
Кулиш Н.Р.
2
Лисица М.П.
2
Шапошников С.В.
2
Барышев Н.С.
2
Ибрагимова М.И.
2
Гольдман Е.И.
2
Марков А.В.
2
Освенский В.Б.
2
Бордовский Г.А.
2
Афанасьева Н.П.
2
Цидильковский И.М.
2
Сагалович Г.Л.
2
Таиров Ю.М.
2
Цветков В.Ф.
2
Абдукадыров А.Г.
2
Ашкинадзе Б.М.
2
Бельков В.В.
2
Красинская А.Г.
2
Поплавной А.С.
2
Елизаров А.И.
2
Богобоящий В.В.
2
Олейник С.П.
2
Матына Л.И.
2
Варламов И.В.
2
Липшиц Т.Л.
2
Погребицкий К.Ю.
2
Берковиц В.Л.
2
Мякенькая Г.С.
2
Гуцев Г.Л.
2
Дахно А.Н.
2
Джуртанов Б.Е.
2
Лагунова Т.С.
2
Сиповская М.А.
2
Резников Б.И.
2
Царенков Г.В.
2
Добровольский В.Н.
2
Фистуль В.И.
2
Сыродоев Г.А.
2
Кюрегян А.С.
2
Яблоновский Е.И.
2
Кальфа А.А.
2
Пашковский А.Б.
2
Шейнкман М.К.
2
Мильвидский М.Г.
2
Стрельчук А.М.
2
Прошин В.И.
2
Дощанов К.М.
2
Лазоренко В.И.
2
Аветисян С.К.
2
Минасян Г.Р.
2
Жуковский П.В.
2
Захаренков Л.Ф.
2
Баранский П.И.
2
Комиренко С.М.
2
Баграев Н.Т.
2
Маляренко А.М.
2
Половцев И.С.
2
Долманов И.Н.
2
Сурис Р.А.
2
Болотов В.В.
2
Камаев Г.Н.
2
Гусейнов А.А.
2
Смоляр А.Н.
2
Боднарук О.А.
2
Горбатюк И.Н.
2
Раренко И.М.
2
Шиндич В.Л.
2
Кикоин К.А.
2
Гольдберг Ю.А.
2
Мезрин О.А.
2
Трошков С.И.
2
Лубышев Д.И.
2
Мигаль В.П.
2
Семягин Б.Р.
2
Клингер М.И.
2
Скрышевский В.А.
2
Стриха В.И.
2
Кульбачинский В.А.
2
Львин В.Э.
2
Цэндин К.Д.
2
Викулин И.М.
2
Брунков П.Н.
2
Соболев М.М.
2
Шевченко Н.В.
2
Утенко В.И.
2
Мокеров В.Г.
2
Зуев В.В.
2
Радауцан С.И.
2
Соболев Н.А.
2
Цыпленков И.Н.
2
Фукс Б.И.
2
Омельяновская Н.М.
2
Никитенко В.Р.
2
Дашевский З.М.
2
Руленко М.П.
2
Джаманбалин К.К.
2
Поссе Е.А.
2
Заячук Д.М.
2
Константинов О.В.
2
Литвак-Горская Л.Б.
2
Вейс А.Н.
2
Мастеров В.Ф.
2
Звонков Б.Н.
2
Малкина И.Г.
2
Мокина И.А.
2
Яссиевич И.Н.
2
Талипов Ф.М.
2
Вывенко О.Ф.
2
Бирюлин Ю.Ф.
2
Мынбаев К.Д.
2

Учредители

Издатель

© 2026 Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук
Powered by webapplicationthemes.com - High quality HTML Theme