Вышедшие номера
Home » Физика и техника полупроводников » Статистика
Общее количество статей:
10866
Распределение количества статей по годам:
517
490
469
411
345
329
302
266
295
311
285
292
278
262
263
259
256
277
251
260
244
294
288
284
279
295
305
301
303
316
330
309
287
248
203
135
27
Распределение количества просмотров по годам:
877861
823049
793337
707099
610414
585010
536023
476583
572942
715383
710450
651508
652347
656121
635282
657763
682561
695304
606460
638337
599356
761474
774098
747979
719460
772519
783283
750731
722109
706506
610663
503189
348245
222840
124890
25040
741
Распределение количества авторов по годам:
1228
1240
1185
1078
885
882
744
715
727
800
756
791
761
773
802
802
826
907
876
892
763
962
1019
1010
968
1085
1151
1063
1156
1166
1310
1097
1124
952
833
548
130
Распределение количества организаций по годам:
143
55
131
107
117
125
152
174
159
167
148
175
163
181
187
187
227
154
216
211
211
237
252
286
241
275
269
295
249
323
260
170
109
28

Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов. Дата начала обработки информации по просмотрам - 27 января 2016 г.

За 1990 год:
Статья
Просмотров
Теплопроводность карбида кремния в области температур 300-3000 K
33
Именной указатель
32
Редкоземельные элементы в полупроводниках AIIIBV О б з о р
29
Влияние силовых полей на образование радиационных дефектов в кремнии при электронном облучении структур SiO2-Si
28
Проводимость полупроводниковой сверхрешетки в магнитном поле, перпендикулярном ее оси
27
Колебательные спектры кристаллов CdP2
27
Кинетические явления в компенсированном n-InSb при низких температурах (О б з о р)
27
Оценка точности метода определения раздельной концентрации примесей из измерений постоянной Холла
26
Поперечный транспорт в двубарьерной гетероструктуре в условиях разогрева носителей
26
Неомическая прыжковая проводимость слабо компенсированных полупроводников
26
Особенности однофононного захвата электрона в магнитном поле
26
Фотоэмиссия горячих электронов из диодов Шоттки p-InGaAs-Ag
25
Резонансное межзонное комбинационное рассеяние света в полумагнитном полупроводнике
25
Влияние Yb на остаточные донорные и акцепторные примеси в GaP
24
Изменение высоты потенциального барьера контактов металл-кремний в условиях деформации
24
Особенности температурной зависимости концентрации свободных носителей в полупроводнике, содержащем амфотерную U--примесь
24
Дефекты структуры в сильно легированном бором кремнии, облученном нейтронами
24
Влияние нейтронного облучения на спектры электролюминесценции прямозонного GaAsP, легированного цинком
24
Биполяроны и преобразование солнечной энергии
24
Особенности примесной проводимости в неупорядоченных полупроводниках, имеющих собственные дефекты с отрицательной корреляционной энергией и электрически активные примесные атомы
24
Статья
Просмотров
Редкоземельные элементы в полупроводниках AIIIBV О б з о р
2159
Теплопроводность карбида кремния в области температур 300-3000 K
2118
Памяти Анатолия Робертовича Регеля (1915-1989)
2049
Фотолюминесценция аморфных пленок a-Si1-xCx : H
2007
Кинетические явления в компенсированном n-InSb при низких температурах (О б з о р)
2006
Биполяроны и преобразование солнечной энергии
2002
Влияние температуры облучения нейтронами на формирование дефектов структуры в кремнии, выращенном методом Чохральского
1991
Туннельный ток через контакт к двумерному электронному газу
1985
Именной указатель
1950
Ионизация примесей бризерами в сверхрешетке
1945
Колебательные спектры кристаллов CdP2
1939
Изменение поверхностного потенциала полупроводника при освещении
1922
Критика и библиография
1909
Скорость рекомбинации неравновесной электронно-дырочной плазмы в лазерных кристаллах CdS
1901
Обнаружение нового метастабильного уровня DX-центра в тонких легированных Si слоях AlxGa1-xAs
1900
Фотопроводимость p-MnxHg1-xTe в магнитном поле
1899
Распределение атомов кремния по пороговой энергии смещения и его зависимость от температуры
1897
Оценка точности метода определения раздельной концентрации примесей из измерений постоянной Холла
1892
Поперечная фотопроводимость классических композиционных сверхрешеток
1892
Влияние технологии приготовления пленок a-Si : H на излучательную рекомбинацию
1889
Особенности поведения изовалентной примеси --- индия при легировании арсенида галлия в процессе газофазовой эпитаксии из металлоорганических соединений
1888
Спонтанное образование и эволюция локальных областей ударной ионизации в идеально однородных p-n-структурах
1887
Фотомагнитный эффект в системе n-AlxGa1-xAs/GaAs с 2D-электронами
1886
Неомическая прыжковая проводимость слабо компенсированных полупроводников
1881
Температурные и частотные зависимости электропроводности алмазных пленок
1880
Процессы рекомбинации носителей заряда в CdxHg1-xTe О б з о р
1877
Низкотемпературные фотолюминесценция и фотопроводимость в нелегированных аморфных полупроводниках
1869
Влияние состава Ga1-xBix жидкой фазы на образование комплексов в эпитаксиальном GaAs, сильно легированном германием
1866
Изучение комплексов бора и кислорода с литием в компенсированном кремнии
1862
О природе K-центра в кремнии
1854
Дрейфовая неустойчивость, вызываемая перезарядкой центров на поверхности монополярного полупроводника
1848
К теории пограничных состояний в гетеропереходах
1847
Крупномасштабные электрически активные примесные скопления в кристаллах кремния, выращенных методом Чохральского
1845
Влияние Yb на остаточные донорные и акцепторные примеси в GaP
1843
Фотолюминесценция квантовых слоев InxGa1-xAs, выращенных на плоскостях (100) и (111)A арсенида галлия
1843
Двумерные ганновские домены в слоистых структурах
1833
Пограничные состояния электронного типа в инверсных гетероструктурах
1832
Особенности возбуждения плазмонов в ионно-имплантированном полупроводнике
1832
Электронные свойства пленок моно- и субселенидов индия
1832
Фотолюминесценция и фото-ЭПР высокочистого селенида цинка, облученного электронами
1831
Влияние силовых полей на образование радиационных дефектов в кремнии при электронном облучении структур SiO2-Si
1828
Пространственный перенос электронов в полевых транзисторах на гетероструктурах с селективным легированием
1825
Влияние условий электронного облучения на скорость образования A-центров в n-кремнии
1822
Фотоэмиссия горячих электронов из диодов Шоттки p-InGaAs-Ag
1817
Гальваномагнитные характеристики твердых растворов PbTe(Cr) при изменении температуры и под давлением
1816
Проводимость полупроводниковой сверхрешетки в магнитном поле, перпендикулярном ее оси
1816
Образование позитронно-чувствительных дефектов в процессе термообработки кремния в хлорсодержащей атмосфере
1814
Пространственное распределение носителей заряда в условиях контактной эксклюзии
1814
Радиационно-стимулированное образование термодоноров в зонном n-Si
1813
Устойчивые состояния и структурные превращения в аморфном гидрогенизированном кремнии
1811

Учредители

Издатель

© 2024 Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук
Powered by webapplicationthemes.com - High quality HTML Theme