"Физика и техника полупроводников"
Вышедшие номера
Home » Физика и техника полупроводников » Издателям » Статистика
Общее количество статей:
10151
Распределение статей по годам:
517
490
469
411
345
329
302
266
295
311
285
292
278
262
263
259
256
277
251
260
244
294
288
284
279
295
305
301
303
316
330
309
185

Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов. Дата начала обработки информации по просмотрам - 27 января 2016 г.

За 1990 год:
Статья
Просмотров
К вопросу о величине коэффициента ионизации в кремнии
15
Влияние магнитного поля на захват свободных носителей мелкими примесями в Ge
14
Исследование спектров катодолюминесценции кристаллов моноклинного дифосфида цинка, легированного медью
14
Электроабсорбционная оптическая бистабильность в волноводной P-i-N ДГС с туннельно-резонансной нагрузкой
14
Влияние пластической деформации на гальваномагнитные и фотоэлектрические свойства n-CdxHg1-xTe
14
Ионизация примесей бризерами в сверхрешетке
13
К теории полевого полупроводникового инжектора с туннельно-резонансной структурой
13
Растекание и поверхностная рекомбинация неравновесных носителей в квантово-размерных (Al, Ga)As ДГС РО лазерах с широким полоском
12
Проводимость МТДП структур в режиме без накопления неосновных носителей заряда
12
Пространственное распределение зарядов, прогенерированных туннельной инжекцией электронов из кремния в термический диоксид МДП структуры
12
Кластерные образования в эпитаксиальных слоях твердых растворов p-GaInSbAs, выращенных на подложках n-GaSb : Te
12
Нелинейность краевого поглощения CdSe
12
Оптические характеристики PbSe. Переходы в высшие зоны
12
Бифуркации удвоения периода и хаос в модели температурно-электрической неустойчивости в полупроводнике с двумя уровнями прилипания
12
Структура полос поглощения термодонорных центров в кремнии
12
Процессы рекомбинации носителей заряда в CdxHg1-xTe О б з о р
12
Исследование эпитаксиальных слоев InGaAsP с низким уровнем легирования
12
Инверсные распределения электронов в полупроводниковых гетероструктурах с одной квантовой ямой
12
Диэлектрическая релаксация в компенсированном кремнии
12
Двумерный электронный газ в инверсионных слоях HgTe
11
Статья
Просмотров
Кинетические явления в компенсированном n-InSb при низких температурах (О б з о р)
1033
Биполяроны и преобразование солнечной энергии
1005
Влияние температуры облучения нейтронами на формирование дефектов структуры в кремнии, выращенном методом Чохральского
997
Туннельный ток через контакт к двумерному электронному газу
985
Особенности поведения изовалентной примеси --- индия при легировании арсенида галлия в процессе газофазовой эпитаксии из металлоорганических соединений
980
Обнаружение нового метастабильного уровня DX-центра в тонких легированных Si слоях AlxGa1-xAs
956
Колебательные спектры кристаллов CdP2
944
Поперечная фотопроводимость классических композиционных сверхрешеток
935
Фотолюминесценция аморфных пленок a-Si1-xCx : H
932
Распределение атомов кремния по пороговой энергии смещения и его зависимость от температуры
932
Влияние состава Ga1-xBix жидкой фазы на образование комплексов в эпитаксиальном GaAs, сильно легированном германием
924
Оценка точности метода определения раздельной концентрации примесей из измерений постоянной Холла
922
Температурные и частотные зависимости электропроводности алмазных пленок
919
Ионизация примесей бризерами в сверхрешетке
917
Критика и библиография
914
Связь желтой электролюминесценции в 6H-SiC с глубокими центрами
913
Фотомагнитный эффект в системе n-AlxGa1-xAs/GaAs с 2D-электронами
911
О природе K-центра в кремнии
906
Теплопроводность карбида кремния в области температур 300-3000 K
903
Кластерные образования в эпитаксиальных слоях твердых растворов p-GaInSbAs, выращенных на подложках n-GaSb : Te
902
Фотопроводимость p-MnxHg1-xTe в магнитном поле
901
Скорость рекомбинации неравновесной электронно-дырочной плазмы в лазерных кристаллах CdS
896
Пространственное распределение носителей заряда в условиях контактной эксклюзии
892
Фотоэлектрические характеристики многослойных p+-i-n+-структур GaAs-AlGaAs с квантовыми ямами
891
Рекомбинация носителей через акцепторные уровни собственных дефектов в кристаллах n-CdxHg1-xTe, подвергнутых ультразвуковой обработке
889
Электронная структура примеси на дислокации
887
Анизотропия кинетических эффектов в гетероструктурах с 2D-электронами на сильно разориентированных подложках
887
Именной указатель
886
Двумерные ганновские домены в слоистых структурах
880
Спонтанное образование и эволюция локальных областей ударной ионизации в идеально однородных p-n-структурах
880
К теории пограничных состояний в гетеропереходах
879
Влияние магнитного поля на электропроводность полупроводников в условиях резонансного рассеяния носителей тока
879
Неомическая прыжковая проводимость слабо компенсированных полупроводников
878
Вольт-амперные характеристики тонких пленок Pb1-xSnxTe<In> при различных уровнях фоновых засветок
877
Пограничные состояния электронного типа в инверсных гетероструктурах
874
Влияние Yb на остаточные донорные и акцепторные примеси в GaP
873
Изменение поверхностного потенциала полупроводника при освещении
872
Удельные сдвиги носителей заряда и фотопроводимость аморфного гидрированного кремния
871
Дрейфовая неустойчивость, вызываемая перезарядкой центров на поверхности монополярного полупроводника
871
Устойчивые состояния и структурные превращения в аморфном гидрогенизированном кремнии
871
Фотоэмиссия горячих электронов из диодов Шоттки p-InGaAs-Ag
869
Спектральные характеристики длинных фотодиодов с нелинейным профилем ширины запрещенной зоны
869
Изоэлектронные примеси замещения Sc и Ti в CdTe
869
Генерация и отжиг дефектов при совмещенном геттерировании в кремнии n-типа. II. Точечные дефекты, индуцированные геттерирующими микродефектами
867
Пространственный перенос электронов в полевых транзисторах на гетероструктурах с селективным легированием
866
Проявление" скоплений атомов электрически не активных примесей в n-кремнии при gamma-облучении
863
Внутреннее перераспределение электрического поля и оптическая нелинейность в P-i-N-гетероструктурах при электропоглощении света
862
Электрофизические свойства планарных n+-p-переходов, созданных легированием арсенида индия ионами серы
860
Образование позитронно-чувствительных дефектов в процессе термообработки кремния в хлорсодержащей атмосфере
860
Тиристор, переключаемый магнитным полем
860

Учредители

Издатель

© 2020 Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук
Powered by webapplicationthemes.com - High quality HTML Theme