Вышедшие номера
Home » Физика и техника полупроводников » Статистика
Общее количество статей:
10966
Распределение количества статей по годам:
517
490
469
411
345
329
302
266
295
311
285
292
278
262
263
259
256
277
251
260
244
294
288
284
279
295
305
301
303
316
330
309
287
248
203
135
117
10
Распределение количества просмотров по годам:
1075434
1006785
969390
862132
744107
710853
651427
578918
694729
857562
849971
786075
787910
787886
766697
798902
823559
844641
743504
783016
734928
928776
942179
909418
880843
942914
954789
909499
879371
885424
794612
682651
507077
366855
252064
108845
49639
3012
Распределение количества авторов по годам:
1228
1240
1185
1078
885
882
744
715
727
800
756
791
761
773
802
802
826
907
876
892
763
962
1019
1010
968
1085
1151
1063
1156
1166
1310
1097
1124
952
833
548
556
68
Распределение количества организаций по годам:
143
55
131
107
117
125
151
174
159
167
148
175
163
181
187
187
227
154
216
211
211
237
252
286
241
275
269
295
249
323
260
170
109
93
17

Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов. Дата начала обработки информации по просмотрам - 27 января 2016 г.

За 1990 год:
Статья
Просмотров
Теплопроводность карбида кремния в области температур 300-3000 K
45
Исследование эффекта охлаждения и нагрева дырок светом в p-Ge
30
Эффект Стеблера-Вронского в аморфном гидрированном кремнии, легированном фосфором
29
Акустические бризеры в ограниченных полупроводниках
29
Влияние центров MnGa в GaAs на эффект Фарадея вблизи края основной полосы поглощения
28
Электрофизические свойства планарных n+-p-переходов, созданных легированием арсенида индия ионами серы
28
Удельные сдвиги носителей заряда и фотопроводимость аморфного гидрированного кремния
28
Двухфононные процессы и межзонные переходы в магнитофононном резонансе дырок в InSb
28
Спектры фототока delta-легированных GaAs сверхрешеток nipi
28
Анизотропия краевого оптического поглощения компенсированных кристаллов n-CdGeP2
27
К вопросу о величине коэффициента ионизации в кремнии
27
Электронное взаимодействие доноров с дислокацией
27
Параметры зонной структуры твердых растворов SixGe1-x
27
Усредненное описание нелинейных волн плотности неравновесных носителей в полупроводниках
27
Исследование плотности электронных состояний в пленках аморфного германия
27
Спектр отрицательной люминесценции в InSb
27
О связи шумовых характеристик с эффективностью термоэлектрического преобразования
26
Влияние легирующей примеси на процесс формирования разупорядоченной области в нейтронно-облученном кремнии
26
К теории термоэлектрических явлений в биполярных полупроводниках
26
Устойчивые состояния и структурные превращения в аморфном гидрогенизированном кремнии
26
Статья
Просмотров
Теплопроводность карбида кремния в области температур 300-3000 K
2894
Редкоземельные элементы в полупроводниках AIIIBV О б з о р
2639
Памяти Анатолия Робертовича Регеля (1915-1989)
2484
Кинетические явления в компенсированном n-InSb при низких температурах (О б з о р)
2478
Фотолюминесценция аморфных пленок a-Si1-xCx : H
2456
Влияние температуры облучения нейтронами на формирование дефектов структуры в кремнии, выращенном методом Чохральского
2447
Биполяроны и преобразование солнечной энергии
2394
Именной указатель
2372
Изменение поверхностного потенциала полупроводника при освещении
2354
Колебательные спектры кристаллов CdP2
2353
Туннельный ток через контакт к двумерному электронному газу
2345
Процессы рекомбинации носителей заряда в CdxHg1-xTe О б з о р
2339
Низкотемпературные фотолюминесценция и фотопроводимость в нелегированных аморфных полупроводниках
2339
Критика и библиография
2331
Ионизация примесей бризерами в сверхрешетке
2319
Спонтанное образование и эволюция локальных областей ударной ионизации в идеально однородных p-n-структурах
2314
Скорость рекомбинации неравновесной электронно-дырочной плазмы в лазерных кристаллах CdS
2313
Обнаружение нового метастабильного уровня DX-центра в тонких легированных Si слоях AlxGa1-xAs
2311
Оценка точности метода определения раздельной концентрации примесей из измерений постоянной Холла
2305
Поперечная фотопроводимость классических композиционных сверхрешеток
2302
Фотостимулированная диффузия золота в кремнии при импульсной фотонной обработке
2298
Влияние технологии приготовления пленок a-Si : H на излучательную рекомбинацию
2281
Изучение комплексов бора и кислорода с литием в компенсированном кремнии
2276
К теории пограничных состояний в гетеропереходах
2275
Механизмы снижения эффективности излучательной рекомбинации сильно легированного эпитаксиального p-GeAs : Ge
2272
Температурные и частотные зависимости электропроводности алмазных пленок
2266
Фотопроводимость p-MnxHg1-xTe в магнитном поле
2266
Неомическая прыжковая проводимость слабо компенсированных полупроводников
2266
Влияние температуры на столкновительное уширение уровней Ландау
2264
Фотомагнитный эффект в системе n-AlxGa1-xAs/GaAs с 2D-электронами
2255
Распределение атомов кремния по пороговой энергии смещения и его зависимость от температуры
2254
Распределение заряда и формирование глубоких уровней в полупроводниках по данным самосогласованного метода функций Грина: дефекты в кремнии и германии
2253
Проводимость полупроводниковой сверхрешетки в магнитном поле, перпендикулярном ее оси
2249
Фотоэмиссия горячих электронов из диодов Шоттки p-InGaAs-Ag
2249
(In, Ga, Al)As ДГС РО лазеры на длину волны 1.1 мкм с (In, Ga)As напряженной квантовой ямой, ограниченной короткопериодной сверхрешеткой
2243
Влияние условий электронного облучения на скорость образования A-центров в n-кремнии
2242
Оптические характеристики PbSe. Переходы в высшие зоны
2236
Крупномасштабные электрически активные примесные скопления в кристаллах кремния, выращенных методом Чохральского
2233
Влияние Yb на остаточные донорные и акцепторные примеси в GaP
2232
Особенности поведения изовалентной примеси --- индия при легировании арсенида галлия в процессе газофазовой эпитаксии из металлоорганических соединений
2231
Фотолюминесценция квантовых слоев InxGa1-xAs, выращенных на плоскостях (100) и (111)A арсенида галлия
2230
Фотолюминесценция и фото-ЭПР высокочистого селенида цинка, облученного электронами
2228
Дрейфовая неустойчивость, вызываемая перезарядкой центров на поверхности монополярного полупроводника
2223
Пограничные состояния электронного типа в инверсных гетероструктурах
2221
Низкотемпературное облучение арсенида галлия
2220
Влияние состава Ga1-xBix жидкой фазы на образование комплексов в эпитаксиальном GaAs, сильно легированном германием
2215
О применимости метода температурной зависимости емкости и активной проводимости для определения параметров глубоких центров в перекомпенсированном полупроводнике
2213
О природе K-центра в кремнии
2210
Вольт-амперные характеристики тонких пленок Pb1-xSnxTe<In> при различных уровнях фоновых засветок
2209
Циклотронный резонанс дырок германия с отрицательными массами при H-16pt||[001]
2209

Учредители

Издатель

© 2025 Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук
Powered by webapplicationthemes.com - High quality HTML Theme