Вышедшие номера
Home » Физика и техника полупроводников » Статистика
Общее количество статей:
11024
Распределение количества статей по годам:
517
490
469
411
345
329
302
266
295
311
285
292
278
262
263
259
256
277
251
260
244
294
288
284
279
295
305
301
303
316
330
309
287
248
203
135
117
68
Распределение количества просмотров по годам:
1205338
1126880
1085677
966833
829405
794833
727667
648143
771051
939160
928264
863870
862367
858671
838229
870746
893002
918104
809947
853225
799698
1008472
1020517
989742
960148
1035368
1041785
999506
960083
980819
890230
774160
588640
439616
318902
153173
87728
16514
Распределение количества авторов по годам:
1228
1240
1185
1078
885
882
744
715
727
800
756
791
761
773
802
802
826
907
876
892
763
962
1019
1010
968
1085
1151
1063
1156
1166
1310
1097
1124
952
833
548
556
344
Распределение количества организаций по годам:
143
55
131
107
117
125
151
174
159
167
148
175
163
181
187
187
227
154
216
211
211
237
252
286
241
275
269
295
249
323
260
170
109
93
69

Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов. Дата начала обработки информации по просмотрам - 27 января 2016 г.

За 1990 год:
Статья
Просмотров
Нелинейность краевого поглощения CdSe
52
Эффект немонотонной зависимости шума 1/f от интенсивности подсветки в Si и модель объемного шума 1/f в полупроводниках
51
Теория пьезосопротивления в ферромагнитных полупроводниках HgCr2Se4 в CdCr2Se4 p-типа
46
Энергетическая щель и эффективная масса в твердых растворах FexHg1-xSe
44
Воздействие горячих электронов на люминесценцию GaAs
44
Фотолюминесценция аморфных пленок a-Si1-xCx : H
41
Кинетические явления в компенсированном n-InSb при низких температурах (О б з о р)
40
Модификация центра E3 в облученном n-GaAs
38
Критика и библиография
36
(In, Ga, Al)As ДГС РО лазеры на длину волны 1.1 мкм с (In, Ga)As напряженной квантовой ямой, ограниченной короткопериодной сверхрешеткой
36
Электронное взаимодействие доноров с дислокацией
36
Кинетика нарастания и спада концентрации носителей при импульсном фотовозбуждении неоднородных полупроводников
33
Теплопроводность карбида кремния в области температур 300-3000 K
33
Влияние деформационных напряжений границы раздела Si-SiO2 на образование и отжиг радиационных дефектов в кремнии
31
Влияние интенсивности электронного облучения на накопление K-центров в кремнии
31
Отжиг радиационных дефектов с глубокими уровнями в n-InP
31
Исследование размерности странного аттрактора и амплитудного порога синхронизации хаотических автоколебаний фототока в n-Ge(Ni)
31
Проявление донорного характера примеси в монокристаллах PbTe : Tl под действием ИК лазерного излучения
31
Особенности однофононного захвата электрона в магнитном поле
31
Памяти Анатолия Робертовича Регеля (1915-1989)
30
Статья
Просмотров
Теплопроводность карбида кремния в области температур 300-3000 K
3335
Редкоземельные элементы в полупроводниках AIIIBV О б з о р
2904
Памяти Анатолия Робертовича Регеля (1915-1989)
2771
Кинетические явления в компенсированном n-InSb при низких температурах (О б з о р)
2742
Фотолюминесценция аморфных пленок a-Si1-xCx : H
2739
Влияние температуры облучения нейтронами на формирование дефектов структуры в кремнии, выращенном методом Чохральского
2694
Биполяроны и преобразование солнечной энергии
2661
Изменение поверхностного потенциала полупроводника при освещении
2652
Низкотемпературные фотолюминесценция и фотопроводимость в нелегированных аморфных полупроводниках
2645
Именной указатель
2629
Туннельный ток через контакт к двумерному электронному газу
2611
Процессы рекомбинации носителей заряда в CdxHg1-xTe О б з о р
2606
Критика и библиография
2594
Фотостимулированная диффузия золота в кремнии при импульсной фотонной обработке
2581
Колебательные спектры кристаллов CdP2
2579
Ионизация примесей бризерами в сверхрешетке
2578
Скорость рекомбинации неравновесной электронно-дырочной плазмы в лазерных кристаллах CdS
2575
Спонтанное образование и эволюция локальных областей ударной ионизации в идеально однородных p-n-структурах
2574
Поперечная фотопроводимость классических композиционных сверхрешеток
2564
Неомическая прыжковая проводимость слабо компенсированных полупроводников
2558
Оценка точности метода определения раздельной концентрации примесей из измерений постоянной Холла
2557
Механизмы снижения эффективности излучательной рекомбинации сильно легированного эпитаксиального p-GeAs : Ge
2542
Температурные и частотные зависимости электропроводности алмазных пленок
2538
Влияние технологии приготовления пленок a-Si : H на излучательную рекомбинацию
2531
Обнаружение нового метастабильного уровня DX-центра в тонких легированных Si слоях AlxGa1-xAs
2531
Фотоэмиссия горячих электронов из диодов Шоттки p-InGaAs-Ag
2527
Влияние температуры на столкновительное уширение уровней Ландау
2526
Проводимость полупроводниковой сверхрешетки в магнитном поле, перпендикулярном ее оси
2523
Изучение комплексов бора и кислорода с литием в компенсированном кремнии
2521
(In, Ga, Al)As ДГС РО лазеры на длину волны 1.1 мкм с (In, Ga)As напряженной квантовой ямой, ограниченной короткопериодной сверхрешеткой
2515
Распределение заряда и формирование глубоких уровней в полупроводниках по данным самосогласованного метода функций Грина: дефекты в кремнии и германии
2512
Фотомагнитный эффект в системе n-AlxGa1-xAs/GaAs с 2D-электронами
2511
К теории пограничных состояний в гетеропереходах
2508
Влияние условий электронного облучения на скорость образования A-центров в n-кремнии
2507
Распределение атомов кремния по пороговой энергии смещения и его зависимость от температуры
2507
Циклотронный резонанс дырок германия с отрицательными массами при H-16pt||[001]
2505
Фотопроводимость p-MnxHg1-xTe в магнитном поле
2495
Фотолюминесценция и фото-ЭПР высокочистого селенида цинка, облученного электронами
2489
Фотолюминесценция квантовых слоев InxGa1-xAs, выращенных на плоскостях (100) и (111)A арсенида галлия
2486
Крупномасштабные электрически активные примесные скопления в кристаллах кремния, выращенных методом Чохральского
2485
Дрейфовая неустойчивость, вызываемая перезарядкой центров на поверхности монополярного полупроводника
2483
Влияние Yb на остаточные донорные и акцепторные примеси в GaP
2482
Пограничные состояния электронного типа в инверсных гетероструктурах
2482
Особенности поведения изовалентной примеси --- индия при легировании арсенида галлия в процессе газофазовой эпитаксии из металлоорганических соединений
2476
Связь желтой электролюминесценции в 6H-SiC с глубокими центрами
2474
Пространственное распределение носителей заряда в условиях контактной эксклюзии
2473
Влияние силовых полей на образование радиационных дефектов в кремнии при электронном облучении структур SiO2-Si
2472
Эмиссионные характеристики полупроводниковых гетероструктур с барьером Шоттки InGaAs-InP-Ag
2470
Вольт-амперные характеристики тонких пленок Pb1-xSnxTe<In> при различных уровнях фоновых засветок
2469
Низкотемпературное облучение арсенида галлия
2458
Автор
Организация
Статей
Малютенко В.К.
9
Ломако В.М.
9
Копьев П.С.
7
Иванов-Омский В.И.
7
Леденцов Н.Н.
6
Грибников З.С.
6
Шаховцов В.И.
6
Иванов С.В.
5
Мельцер Б.Я.
5
Баранов А.Н.
5
Яковлев Ю.П.
5
Кадушкин В.И.
5
Кольченко Т.И.
5
Шик А.Я.
5
Ломасов В.Н.
5
Гельмонт Б.Л.
4
Алфёров Ж.И.
4
Хируненко Л.И.
4
Скипетров Е.П.
4
Немов С.А.
4
Казанский А.Г.
4
Капустин Ю.А.
4
Кернер Б.С.
4
Осипов В.В.
4
Пека Г.П.
4
Райчев О.Э.
4
Левинштейн М.Е.
4
Румянцев С.Л.
4
Чалдышев В.В.
4
Шмарцев Ю.В.
4
4
Конников С.Г.
4
Сеничкин А.П.
4
Георгицэ Е.И.
4
Берман Л.С.
4
Ткаченко В.Н.
4
Новиков С.В.
4
Крещук А.М.
4
Зебрев Г.И.
3
Яшник В.И.
3
Савельев И.Г.
3
Васько Ф.Т.
3
Герасименко Н.Н.
3
Хасиева Р.В.
3
Ковалюк З.Д.
3
Стельмах В.Ф.
3
Дьяконова Н.В.
3
Устинов В.М.
3
Клячкин Л.Е.
3
Суханов В.Л.
3
Рыжий В.И.
3
Толстихин В.И.
3
Житинская М.К.
3
Журавлев К.С.
3
Якушева Н.А.
3
Васильев В.А.
3
Пипа В.И.
3
Лашкарев Г.В.
3
Колокольников Б.М.
3
Андреев В.М.
3
Львова Т.В.
3
Шпинар Л.И.
3
Ясковец И.И.
3
Болгов С.С.
3
Савченко А.П.
3
Руссу Е.В.
3
Курова И.А.
3
Владимиров В.В.
3
Коллюх А.Г.
3
Беляев А.Е.
3
Медведев Б.К.
3
Архипов В.И.
3
Иванюкович В.А.
3
Карась В.И.
3
Ладыгин Е.А.
3
Дмитриев А.Г.
3
Ильичев Э.А.
3
Быковский В.А.
3
Царенков Б.В.
3
Гершензон Е.М.
3
Погорлецкий В.М.
3
Смирнов В.А.
3
Алешкин В.Я.
3
Гореленок А.Т.
3
Шмидт Н.М.
3
Витовский Н.А.
3
Крючков С.В.
3
Воробьева В.В.
3
Любченко А.В.
2
Булах Б.М.
2
Кулиш Н.Р.
2
Лисица М.П.
2
Малыш Н.И.
2
Шапошников С.В.
2
Барышев Н.С.
2
Ибрагимова М.И.
2
Гольдман Е.И.
2
Ждан А.Г.
2
Марков А.В.
2
Освенский В.Б.
2
Волков А.С.
2
Теруков Е.И.
2
Дехтяр Ю.Д.
2
Сагалович Г.Л.
2
Козловский С.И.
2
Таиров Ю.М.
2
Цветков В.Ф.
2
Абдукадыров А.Г.
2
Ивченко Е.Л.
2
Полыгалов Ю.И.
2
Поплавной А.С.
2
Липшиц Т.Л.
2
Инкин В.Н.
2
Крылов Д.Г.
2
Погребицкий К.Ю.
2
Резников Б.И.
2
Царенков Г.В.
2
Фистуль В.И.
2
Покровский Я.Е.
2
Кальфа А.А.
2
Голикова О.А.
2
Казанин М.М.
2
Емцев В.В.
2
Клингер П.М.
2
Гафийчук В.В.
2
Дацко Б.И.
2
Жиляев Ю.В.
2
Криволапчук В.В.
2
Машкевич О.Л.
2
Мильвидский М.Г.
2
Лебедев А.А.
2
Стрельчук А.М.
2
Прошин В.И.
2
Аветисян С.К.
2
Минасян Г.Р.
2
Захаренков Л.Ф.
2
Баранский П.И.
2
Мусатов А.Л.
2
Филиппов С.Л.
2
Долманов И.Н.
2
Штельмах К.Ф.
2
Терлецкий И.А.
2
Романов В.В.
2
Пихтин А.Н.
2
Лагвилава Т.А.
2
Лютович К.Л.
2
Юнович А.Э.
2
Глинчук К.Д.
2
Свешников А.А.
2
Болотов В.В.
2
Камаев Г.Н.
2
Гусейнов А.А.
2
Гуревич Ю.Г.
2
Лугаков П.Ф.
2
Смоляр А.Н.
2
Хвостиков В.П.
2
Шиндич В.Л.
2
Решина И.И.
2
Семягин Б.Р.
2
Акопян А.А.
2
Скрышевский В.А.
2
Стриха В.И.
2
Козуб В.И.
2
Львин В.Э.
2
Гольдфарб М.В.
2
Молоцкий М.И.
2
Мороз С.Е.
2
Корольков В.И.
2
Табаров Т.С.
2
Соболев М.М.
2
Кисин М.В.
2
Звягин И.П.
2
Мелешко Н.В.
2
Ормонт Н.Н.
2
Каплан Б.И.
2
Утенко В.И.
2
Мокеров В.Г.
2
Фукс Б.И.
2
Омельяновская Н.М.
2
Велиюлин Э.И.
2
Шикина Н.И.
2
Шикин В.Б.
2
Джаманбалин К.К.
2
Поссе Е.А.
2
Шастин В.Н.
2
Мастеров В.Ф.
2
Пиотровский Т.
2
Аншон А.В.
2
Бабушкина Т.С.
2
Звонков Б.Н.
2
Мокина И.А.
2
Рудь Ю.В.
2
Дмитриев А.П.
2
Талипов Ф.М.
2
Шубников М.Л.
2
Гицу Д.В.
2
Вывенко О.Ф.
2
Бирюлин Ю.Ф.
2
Миронов К.Е.
2
Мынбаев К.Д.
2

Учредители

Издатель

© 2025 Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук
Powered by webapplicationthemes.com - High quality HTML Theme