"Физика и техника полупроводников"
Издателям
Вышедшие номера
Home » Физика и техника полупроводников » Издателям » Статистика
Общее количество статей:
9784
Распределение статей по годам:
517
490
469
411
345
329
302
266
295
311
285
292
278
262
263
259
256
277
251
260
244
294
288
284
279
295
305
301
303
316
330
127

Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов. Дата начала обработки информации по просмотрам - 27 января 2016 г.

За 1990 год:
Статья
Просмотров
Четный магнитный фотоэффект в структурах с p-n-переходом цилиндрической формы
17
Температурное гашение фотопроводимости в аморфном гидрированном кремнии, слабо легированном бором
16
Определение констант деформационного потенциала в HgCdTe
16
Биполяроны и преобразование солнечной энергии
16
Анизотропия переноса носителей заряда в монокристаллах CdGeAs2
16
Радиационно-стимулированное образование термодоноров в зонном n-Si
16
Дрейфовая неустойчивость, вызываемая перезарядкой центров на поверхности монополярного полупроводника
16
Спонтанное образование и эволюция локальных областей ударной ионизации в идеально однородных p-n-структурах
16
Кинетические явления в компенсированном n-InSb при низких температурах (О б з о р)
15
Туннельный ток через контакт к двумерному электронному газу
15
Электронный парамагнитный резонанс комплексов FeFeB в кремнии
15
Анизотропия кинетических эффектов в гетероструктурах с 2D-электронами на сильно разориентированных подложках
15
Тиристор, переключаемый магнитным полем
15
Влияние центров MnGa в GaAs на эффект Фарадея вблизи края основной полосы поглощения
15
Модификация центра E3 в облученном n-GaAs
15
Перестройка спектра излучения лазера на p-Ge при одноосной деформации
15
Влияние периодического импульсного электрического поля на фотоэлектрические свойства примесных компенсированных полупроводников
15
Спектры фототока delta-легированных GaAs сверхрешеток nipi
14
УФ стимулированные изменения зарядового состояния свободной поверхности системы Si-SiO2
14
Нелинейное магнитопоглощение в полупроводнике компоненты сильной бигармонической световой волны
14
Статья
Просмотров
Кинетические явления в компенсированном n-InSb при низких температурах (О б з о р)
764
Туннельный ток через контакт к двумерному электронному газу
744
Биполяроны и преобразование солнечной энергии
740
Влияние температуры облучения нейтронами на формирование дефектов структуры в кремнии, выращенном методом Чохральского
737
Особенности поведения изовалентной примеси --- индия при легировании арсенида галлия в процессе газофазовой эпитаксии из металлоорганических соединений
722
Обнаружение нового метастабильного уровня DX-центра в тонких легированных Si слоях AlxGa1-xAs
720
Распределение атомов кремния по пороговой энергии смещения и его зависимость от температуры
705
Поперечная фотопроводимость классических композиционных сверхрешеток
694
Кластерные образования в эпитаксиальных слоях твердых растворов p-GaInSbAs, выращенных на подложках n-GaSb : Te
691
Колебательные спектры кристаллов CdP2
690
Оценка точности метода определения раздельной концентрации примесей из измерений постоянной Холла
689
О природе K-центра в кремнии
687
Скорость рекомбинации неравновесной электронно-дырочной плазмы в лазерных кристаллах CdS
683
Влияние состава Ga1-xBix жидкой фазы на образование комплексов в эпитаксиальном GaAs, сильно легированном германием
683
Фотомагнитный эффект в системе n-AlxGa1-xAs/GaAs с 2D-электронами
682
Температурные и частотные зависимости электропроводности алмазных пленок
678
Ионизация примесей бризерами в сверхрешетке
677
Теплопроводность карбида кремния в области температур 300-3000 K
672
Влияние магнитного поля на электропроводность полупроводников в условиях резонансного рассеяния носителей тока
670
Спонтанное образование и эволюция локальных областей ударной ионизации в идеально однородных p-n-структурах
669
Вольт-амперные характеристики тонких пленок Pb1-xSnxTe<In> при различных уровнях фоновых засветок
669
Связь желтой электролюминесценции в 6H-SiC с глубокими центрами
668
Электронная структура примеси на дислокации
658
Пространственное распределение носителей заряда в условиях контактной эксклюзии
658
Фотоэлектрические характеристики многослойных p+-i-n+-структур GaAs-AlGaAs с квантовыми ямами
657
Рекомбинация носителей через акцепторные уровни собственных дефектов в кристаллах n-CdxHg1-xTe, подвергнутых ультразвуковой обработке
651
Фотопроводимость p-MnxHg1-xTe в магнитном поле
650
Пограничные состояния электронного типа в инверсных гетероструктурах
645
Изменение поверхностного потенциала полупроводника при освещении
645
Анизотропия кинетических эффектов в гетероструктурах с 2D-электронами на сильно разориентированных подложках
645
Пространственный перенос электронов в полевых транзисторах на гетероструктурах с селективным легированием
643
Влияние Yb на остаточные донорные и акцепторные примеси в GaP
643
Устойчивые состояния и структурные превращения в аморфном гидрогенизированном кремнии
643
Нестационарный фотоэффект в варизонной m-p-n-структуре. IV. Влияние внешней нагрузки
642
Критика и библиография
641
Об определении энергии ионизации глубоких уровней из данных DLTS
641
Генерация и отжиг дефектов при совмещенном геттерировании в кремнии n-типа. II. Точечные дефекты, индуцированные геттерирующими микродефектами
640
Изоэлектронные примеси замещения Sc и Ti в CdTe
640
Фотоэмиссия горячих электронов из диодов Шоттки p-InGaAs-Ag
639
Спектральные характеристики длинных фотодиодов с нелинейным профилем ширины запрещенной зоны
639
Электрические и фотоэлектрические свойства твердых растворов p-GaInSbAs
637
Двумерные ганновские домены в слоистых структурах
637
Дрейфовая неустойчивость, вызываемая перезарядкой центров на поверхности монополярного полупроводника
636
Нелинейность краевого поглощения CdSe
635
Неомическая прыжковая проводимость слабо компенсированных полупроводников
635
Фотолюминесценция аморфных пленок a-Si1-xCx : H
633
Удельные сдвиги носителей заряда и фотопроводимость аморфного гидрированного кремния
633
Влияние крупномасштабных флуктуаций распределения примесей на туннелирование и электропоглощение в обратно смещенных p-n-переходах
633
Пространственное распределение зарядов, прогенерированных туннельной инжекцией электронов из кремния в термический диоксид МДП структуры
632
Внутреннее перераспределение электрического поля и оптическая нелинейность в P-i-N-гетероструктурах при электропоглощении света
632

Учредители

Издатель

© 2019 Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук
Powered by webapplicationthemes.com - High quality HTML Theme