Вышедшие номера
Home » Физика и техника полупроводников » Статистика
Общее количество статей:
11073
Распределение количества статей по годам:
517
490
469
411
345
329
302
266
295
311
285
292
278
262
263
259
256
277
251
260
244
294
288
284
279
295
305
301
303
316
330
309
287
248
203
135
117
98
19
Распределение количества просмотров по годам:
1361698
1263114
1215799
1087514
927121
889974
811639
726187
858744
1042103
1034987
970592
962160
960928
936334
970809
991649
1023665
902267
952862
892134
1119787
1131252
1109762
1069537
1154888
1164828
1118763
1079689
1120095
1021104
897871
694092
533244
402318
203179
127757
48393
2733
Распределение количества авторов по годам:
1228
1240
1185
1078
885
882
744
715
727
800
756
791
761
773
802
802
826
907
876
892
763
962
1019
1010
968
1085
1151
1063
1156
1166
1310
1097
1124
952
833
548
556
467
114
Распределение количества организаций по годам:
143
55
131
107
117
125
151
174
159
167
148
175
163
181
187
187
227
154
216
211
211
237
252
286
241
275
269
295
249
323
260
170
109
93
85
21

Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов. Дата начала обработки информации по просмотрам - 27 января 2016 г.

За 1990 год:
Статья
Просмотров
ИК люминесценция в полуизолирующем и дырочном фосфиде галлия, обусловленная PGa
47
Энергетическая щель и эффективная масса в твердых растворах FexHg1-xSe
45
(In, Ga, Al)As ДГС РО лазеры на длину волны 1.1 мкм с (In, Ga)As напряженной квантовой ямой, ограниченной короткопериодной сверхрешеткой
45
Гальваномагнитные характеристики твердых растворов PbTe(Cr) при изменении температуры и под давлением
44
Определение электрофизических параметров полупроводников методом математического моделирования сигнала индуцированного тока
44
Изменение концентрации атомов бора и фосфора в узлах решетки кремния при облучении электронами
41
Связь желтой электролюминесценции в 6H-SiC с глубокими центрами
41
Особенности энергетического спектра Pb1-xSnxTe<Tl, Na>
41
Узкозонные гетеропереходы II типа в системе твердых растворов GaSb-InAs
41
Электрические и спектральные характеристики структур Au-n-TlSbS2
39
Кинетика накопления и отжига поверхностных состояний на границе раздела структур кремний-окисел кремния при облучении
39
Оптические переходы в GaAs, легированном кислородом и хромом
39
Аморфизация кремния при имплантации ионов Ar+ в интервале температур 150-400 K
38
Кулоновское взаимодействие зарядов вблизи двумерных слоев
35
Влияние пластической деформации на гальваномагнитные и фотоэлектрические свойства n-CdxHg1-xTe
34
Влияние интенсивности электронного облучения на накопление K-центров в кремнии
34
Проявление дискретных уровней при релаксационной спектроскопии локализованных электронных состояний с непрерывным спектром
31
Электрические и фотоэлектрические свойства твердых растворов p-GaInSbAs
31
Четный магнитный фотоэффект в структурах с p-n-переходом цилиндрической формы
30
Кинетические явления в компенсированном n-InSb при низких температурах (О б з о р)
30
Статья
Просмотров
Теплопроводность карбида кремния в области температур 300-3000 K
3722
Редкоземельные элементы в полупроводниках AIIIBV О б з о р
3263
Фотолюминесценция аморфных пленок a-Si1-xCx : H
3176
Кинетические явления в компенсированном n-InSb при низких температурах (О б з о р)
3111
Памяти Анатолия Робертовича Регеля (1915-1989)
3077
Изменение поверхностного потенциала полупроводника при освещении
3025
Влияние температуры облучения нейтронами на формирование дефектов структуры в кремнии, выращенном методом Чохральского
3006
Процессы рекомбинации носителей заряда в CdxHg1-xTe О б з о р
2987
Низкотемпературные фотолюминесценция и фотопроводимость в нелегированных аморфных полупроводниках
2979
Туннельный ток через контакт к двумерному электронному газу
2970
Биполяроны и преобразование солнечной энергии
2970
Скорость рекомбинации неравновесной электронно-дырочной плазмы в лазерных кристаллах CdS
2932
Оценка точности метода определения раздельной концентрации примесей из измерений постоянной Холла
2928
Неомическая прыжковая проводимость слабо компенсированных полупроводников
2905
Именной указатель
2903
Поперечная фотопроводимость классических композиционных сверхрешеток
2892
Механизмы снижения эффективности излучательной рекомбинации сильно легированного эпитаксиального p-GeAs : Ge
2892
Спонтанное образование и эволюция локальных областей ударной ионизации в идеально однородных p-n-структурах
2889
Фотостимулированная диффузия золота в кремнии при импульсной фотонной обработке
2887
Ионизация примесей бризерами в сверхрешетке
2880
Циклотронный резонанс дырок германия с отрицательными массами при H-16pt||[001]
2878
Критика и библиография
2874
(In, Ga, Al)As ДГС РО лазеры на длину волны 1.1 мкм с (In, Ga)As напряженной квантовой ямой, ограниченной короткопериодной сверхрешеткой
2864
Дрейфовая неустойчивость, вызываемая перезарядкой центров на поверхности монополярного полупроводника
2856
Изучение комплексов бора и кислорода с литием в компенсированном кремнии
2851
Связь желтой электролюминесценции в 6H-SiC с глубокими центрами
2838
Влияние условий электронного облучения на скорость образования A-центров в n-кремнии
2836
Проводимость полупроводниковой сверхрешетки в магнитном поле, перпендикулярном ее оси
2823
Температурные и частотные зависимости электропроводности алмазных пленок
2818
Влияние технологии приготовления пленок a-Si : H на излучательную рекомбинацию
2814
Вольт-амперные характеристики тонких пленок Pb1-xSnxTe<In> при различных уровнях фоновых засветок
2812
Фотолюминесценция и фото-ЭПР высокочистого селенида цинка, облученного электронами
2808
К теории пограничных состояний в гетеропереходах
2807
Распределение заряда и формирование глубоких уровней в полупроводниках по данным самосогласованного метода функций Грина: дефекты в кремнии и германии
2801
Колебательные спектры кристаллов CdP2
2800
Фотоэмиссия горячих электронов из диодов Шоттки p-InGaAs-Ag
2796
Распределение атомов кремния по пороговой энергии смещения и его зависимость от температуры
2790
Обнаружение нового метастабильного уровня DX-центра в тонких легированных Si слоях AlxGa1-xAs
2788
Гальваномагнитные характеристики твердых растворов PbTe(Cr) при изменении температуры и под давлением
2784
Бесщелевые полумагнитные полупроводники HgFeSe О б з о р
2784
Устойчивые состояния и структурные превращения в аморфном гидрогенизированном кремнии
2783
Влияние температуры на столкновительное уширение уровней Ландау
2777
Эффект немонотонной зависимости шума 1/f от интенсивности подсветки в Si и модель объемного шума 1/f в полупроводниках
2774
Фотолюминесценция квантовых слоев InxGa1-xAs, выращенных на плоскостях (100) и (111)A арсенида галлия
2774
Фотопроводимость p-MnxHg1-xTe в магнитном поле
2772
Метастабильные центры в низкоомных кристаллах CdTe : Cl n-типа
2770
Электрофизические свойства планарных n+-p-переходов, созданных легированием арсенида индия ионами серы
2768
Пространственное распределение носителей заряда в условиях контактной эксклюзии
2765
Влияние Yb на остаточные донорные и акцепторные примеси в GaP
2762
Радиационно-стимулированное образование термодоноров в зонном n-Si
2758
Автор
Организация
Статей
Малютенко В.К.
9
Ломако В.М.
9
Копьев П.С.
7
Иванов-Омский В.И.
7
Леденцов Н.Н.
6
Грибников З.С.
6
Шаховцов В.И.
6
Иванов С.В.
5
Мельцер Б.Я.
5
Баранов А.Н.
5
Яковлев Ю.П.
5
Кадушкин В.И.
5
Кольченко Т.И.
5
Шик А.Я.
5
Ломасов В.Н.
5
Гельмонт Б.Л.
4
Алфёров Ж.И.
4
Хируненко Л.И.
4
Скипетров Е.П.
4
Немов С.А.
4
Казанский А.Г.
4
Капустин Ю.А.
4
Кернер Б.С.
4
Осипов В.В.
4
Пека Г.П.
4
Райчев О.Э.
4
Левинштейн М.Е.
4
Румянцев С.Л.
4
Чалдышев В.В.
4
Шмарцев Ю.В.
4
4
Конников С.Г.
4
Сеничкин А.П.
4
Георгицэ Е.И.
4
Берман Л.С.
4
Ткаченко В.Н.
4
Новиков С.В.
4
Крещук А.М.
4
Зебрев Г.И.
3
Яшник В.И.
3
Савельев И.Г.
3
Васько Ф.Т.
3
Герасименко Н.Н.
3
Хасиева Р.В.
3
Ковалюк З.Д.
3
Стельмах В.Ф.
3
Дьяконова Н.В.
3
Устинов В.М.
3
Клячкин Л.Е.
3
Суханов В.Л.
3
Рыжий В.И.
3
Толстихин В.И.
3
Житинская М.К.
3
Журавлев К.С.
3
Якушева Н.А.
3
Васильев В.А.
3
Пипа В.И.
3
Лашкарев Г.В.
3
Колокольников Б.М.
3
Андреев В.М.
3
Львова Т.В.
3
Шпинар Л.И.
3
Ясковец И.И.
3
Болгов С.С.
3
Савченко А.П.
3
Руссу Е.В.
3
Курова И.А.
3
Владимиров В.В.
3
Коллюх А.Г.
3
Беляев А.Е.
3
Медведев Б.К.
3
Архипов В.И.
3
Иванюкович В.А.
3
Карась В.И.
3
Ладыгин Е.А.
3
Дмитриев А.Г.
3
Ильичев Э.А.
3
Быковский В.А.
3
Царенков Б.В.
3
Гершензон Е.М.
3
Погорлецкий В.М.
3
Смирнов В.А.
3
Алешкин В.Я.
3
Гореленок А.Т.
3
Шмидт Н.М.
3
Витовский Н.А.
3
Крючков С.В.
3
Воробьева В.В.
3
Булах Б.М.
2
Кулиш Н.Р.
2
Лисица М.П.
2
Малыш Н.И.
2
Шапошников С.В.
2
Барышев Н.С.
2
Ибрагимова М.И.
2
Гольдман Е.И.
2
Ждан А.Г.
2
Марков А.В.
2
Освенский В.Б.
2
Цидильковский И.М.
2
Волков А.С.
2
Теруков Е.И.
2
Дехтяр Ю.Д.
2
Козловский С.И.
2
Таиров Ю.М.
2
Цветков В.Ф.
2
Абдукадыров А.Г.
2
Ивченко Е.Л.
2
Полыгалов Ю.И.
2
Поплавной А.С.
2
Варламов И.В.
2
Липшиц Т.Л.
2
Инкин В.Н.
2
Крылов Д.Г.
2
Погребицкий К.Ю.
2
Резников Б.И.
2
Царенков Г.В.
2
Фистуль В.И.
2
Покровский Я.Е.
2
Кюрегян А.С.
2
Голикова О.А.
2
Казанин М.М.
2
Емцев В.В.
2
Клингер П.М.
2
Гафийчук В.В.
2
Дацко Б.И.
2
Жиляев Ю.В.
2
Криволапчук В.В.
2
Машкевич О.Л.
2
Шейнкман М.К.
2
Мильвидский М.Г.
2
Лебедев А.А.
2
Стрельчук А.М.
2
Прошин В.И.
2
Аветисян С.К.
2
Минасян Г.Р.
2
Жуковский П.В.
2
Захаренков Л.Ф.
2
Мусатов А.Л.
2
Филиппов С.Л.
2
Долманов И.Н.
2
Штельмах К.Ф.
2
Терлецкий И.А.
2
Романов В.В.
2
Пихтин А.Н.
2
Лагвилава Т.А.
2
Лютович К.Л.
2
Юнович А.Э.
2
Глинчук К.Д.
2
Свешников А.А.
2
Болотов В.В.
2
Камаев Г.Н.
2
Гусейнов А.А.
2
Гуревич Ю.Г.
2
Лугаков П.Ф.
2
Смоляр А.Н.
2
Хвостиков В.П.
2
Шиндич В.Л.
2
Решина И.И.
2
Гольдберг Ю.А.
2
Мигаль В.П.
2
Семягин Б.Р.
2
Акопян А.А.
2
Козуб В.И.
2
Львин В.Э.
2
Гольдфарб М.В.
2
Молоцкий М.И.
2
Мороз С.Е.
2
Корольков В.И.
2
Табаров Т.С.
2
Соболев М.М.
2
Кисин М.В.
2
Звягин И.П.
2
Мелешко Н.В.
2
Ормонт Н.Н.
2
Каплан Б.И.
2
Утенко В.И.
2
Фукс Б.И.
2
Омельяновская Н.М.
2
Велиюлин Э.И.
2
Шикина Н.И.
2
Шикин В.Б.
2
Джаманбалин К.К.
2
Поссе Е.А.
2
Литвак-Горская Л.Б.
2
Шастин В.Н.
2
Мастеров В.Ф.
2
Пиотровский Т.
2
Аншон А.В.
2
Бабушкина Т.С.
2
Мокина И.А.
2
Рудь Ю.В.
2
Дмитриев А.П.
2
Талипов Ф.М.
2
Шубников М.Л.
2
Гицу Д.В.
2
Вывенко О.Ф.
2
Бирюлин Ю.Ф.
2
Миронов К.Е.
2
Мынбаев К.Д.
2

Учредители

Издатель

© 2026 Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук
Powered by webapplicationthemes.com - High quality HTML Theme