"Физика и техника полупроводников"
Вышедшие номера
Home » Физика и техника полупроводников » Издателям » Статистика
Общее количество статей:
10328
Распределение статей по годам:
517
490
469
411
345
329
302
266
295
311
285
292
278
262
263
259
256
277
251
260
244
294
288
284
279
295
305
301
303
316
330
309
287
75

Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов. Дата начала обработки информации по просмотрам - 27 января 2016 г.

За 1990 год:
Статья
Просмотров
Эффект запирания электронов в фотопреобразователях при высокой интенсивности освещения
15
Редкоземельные элементы в полупроводниках AIIIBV О б з о р
13
Гигантские диффузионные длины неравновесных носителей в квантово-размерных гетероструктурах
13
Рекомбинационные свойства кристаллов CdxHg1-xTe<Xe>
13
Подавление "природных" акцепторов в GaSb путем изовалентного легирования висмутом
12
Фотолюминесценция горячих двумерных электронов в квантовых ямах и определение времен полярного рассеяния
12
О связи шумовых характеристик с эффективностью термоэлектрического преобразования
11
Простой метод определения плотности поверхностных состояний по температурным измерениям ВАХ МОП транзисторов
11
Микроплазмы в идеально однородных p-i-n-структурах
11
Влияние никеля на образование термодоноров в монокристаллах кремния
11
Исследования планарных фотосопротивлений на основе InGaAs/InP со скрытым p+-затвором
11
Влияние технологии приготовления пленок a-Si : H на излучательную рекомбинацию
11
О механизме воздействия изовалентной примеси In на свойства и ансамбль дефектов GaAs, выращиваемого методом молекулярно-лучевой эпитаксии
11
Образование глубоких уровней в p-Si при газовом травлении в хлорсодержащей атмосфере
11
Радиационно-стимулированное образование термодоноров в зонном n-Si
11
Кулоновская щель в спектре состояний a-CdGeAs2<Fe>
11
О природе 0.8 эВ полосы фотолюминесценции в легированном теллуриде кадмия
11
Акустические бризеры в ограниченных полупроводниках
11
Воздействие горячих электронов на люминесценцию GaAs
11
Теплопроводность карбида кремния в области температур 300-3000 K
11
Статья
Просмотров
Кинетические явления в компенсированном n-InSb при низких температурах (О б з о р)
1172
Биполяроны и преобразование солнечной энергии
1138
Влияние температуры облучения нейтронами на формирование дефектов структуры в кремнии, выращенном методом Чохральского
1131
Туннельный ток через контакт к двумерному электронному газу
1118
Особенности поведения изовалентной примеси --- индия при легировании арсенида галлия в процессе газофазовой эпитаксии из металлоорганических соединений
1099
Фотолюминесценция аморфных пленок a-Si1-xCx : H
1089
Колебательные спектры кристаллов CdP2
1088
Обнаружение нового метастабильного уровня DX-центра в тонких легированных Si слоях AlxGa1-xAs
1081
Ионизация примесей бризерами в сверхрешетке
1076
Поперечная фотопроводимость классических композиционных сверхрешеток
1076
Распределение атомов кремния по пороговой энергии смещения и его зависимость от температуры
1073
Оценка точности метода определения раздельной концентрации примесей из измерений постоянной Холла
1062
Теплопроводность карбида кремния в области температур 300-3000 K
1055
Влияние состава Ga1-xBix жидкой фазы на образование комплексов в эпитаксиальном GaAs, сильно легированном германием
1054
Редкоземельные элементы в полупроводниках AIIIBV О б з о р
1054
Именной указатель
1053
Критика и библиография
1052
Температурные и частотные зависимости электропроводности алмазных пленок
1051
Фотомагнитный эффект в системе n-AlxGa1-xAs/GaAs с 2D-электронами
1048
Связь желтой электролюминесценции в 6H-SiC с глубокими центрами
1043
Фотопроводимость p-MnxHg1-xTe в магнитном поле
1042
О природе K-центра в кремнии
1040
Двумерные ганновские домены в слоистых структурах
1037
Кластерные образования в эпитаксиальных слоях твердых растворов p-GaInSbAs, выращенных на подложках n-GaSb : Te
1034
Скорость рекомбинации неравновесной электронно-дырочной плазмы в лазерных кристаллах CdS
1024
К теории пограничных состояний в гетеропереходах
1023
Анизотропия кинетических эффектов в гетероструктурах с 2D-электронами на сильно разориентированных подложках
1022
Пространственное распределение носителей заряда в условиях контактной эксклюзии
1020
Пограничные состояния электронного типа в инверсных гетероструктурах
1019
Удельные сдвиги носителей заряда и фотопроводимость аморфного гидрированного кремния
1018
Электронная структура примеси на дислокации
1017
Фотоэмиссия горячих электронов из диодов Шоттки p-InGaAs-Ag
1015
Влияние магнитного поля на электропроводность полупроводников в условиях резонансного рассеяния носителей тока
1013
Изоэлектронные примеси замещения Sc и Ti в CdTe
1012
Рекомбинация носителей через акцепторные уровни собственных дефектов в кристаллах n-CdxHg1-xTe, подвергнутых ультразвуковой обработке
1011
Процессы рекомбинации носителей заряда в CdxHg1-xTe О б з о р
1010
Пространственный перенос электронов в полевых транзисторах на гетероструктурах с селективным легированием
1010
Спонтанное образование и эволюция локальных областей ударной ионизации в идеально однородных p-n-структурах
1010
Устойчивые состояния и структурные превращения в аморфном гидрогенизированном кремнии
1009
Образование позитронно-чувствительных дефектов в процессе термообработки кремния в хлорсодержащей атмосфере
1008
Спектральные характеристики длинных фотодиодов с нелинейным профилем ширины запрещенной зоны
1007
Влияние Yb на остаточные донорные и акцепторные примеси в GaP
1007
Генерация и отжиг дефектов при совмещенном геттерировании в кремнии n-типа. II. Точечные дефекты, индуцированные геттерирующими микродефектами
1007
Дрейфовая неустойчивость, вызываемая перезарядкой центров на поверхности монополярного полупроводника
1005
Фотоэлектрические характеристики многослойных p+-i-n+-структур GaAs-AlGaAs с квантовыми ямами
1005
Изменение поверхностного потенциала полупроводника при освещении
1004
Вольт-амперные характеристики тонких пленок Pb1-xSnxTe<In> при различных уровнях фоновых засветок
1004
Проявление" скоплений атомов электрически не активных примесей в n-кремнии при gamma-облучении
1001
Изучение комплексов бора и кислорода с литием в компенсированном кремнии
999
Зависимость эффективной высоты потенциального барьера в М-ТД-П структурах при инфракрасной подсветке
998

Учредители

Издатель

© 2021 Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук
Powered by webapplicationthemes.com - High quality HTML Theme