Вышедшие номера
Home » Физика и техника полупроводников » Статистика
Общее количество статей:
11073
Распределение количества статей по годам:
517
490
469
411
345
329
302
266
295
311
285
292
278
262
263
259
256
277
251
260
244
294
288
284
279
295
305
301
303
316
330
309
287
248
203
135
117
98
19
Распределение количества просмотров по годам:
1379398
1278601
1229854
1100013
937615
900850
820845
734660
869195
1053824
1045318
980636
971230
970266
945469
981216
1001320
1033193
910899
963070
901713
1130252
1142074
1121948
1079740
1166240
1175803
1129913
1091162
1134165
1037238
911733
706601
543421
410992
208499
132632
52149
4385
Распределение количества авторов по годам:
1228
1240
1185
1078
885
882
744
715
727
800
756
791
761
773
802
802
826
907
876
892
763
962
1019
1010
968
1085
1151
1063
1156
1166
1310
1097
1124
952
833
548
556
467
114
Распределение количества организаций по годам:
143
55
131
107
117
125
151
174
159
167
148
175
163
181
187
187
227
154
216
211
211
237
252
286
241
275
269
295
249
323
260
170
109
93
85
22

Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов. Дата начала обработки информации по просмотрам - 27 января 2016 г.

За 1990 год:
Статья
Просмотров
Изучение комплексов бора и кислорода с литием в компенсированном кремнии
51
Влияние пластической деформации на гальваномагнитные и фотоэлектрические свойства n-CdxHg1-xTe
50
Влияние облучения быстрыми электронами на краевую фотолюминесценцию эпитаксиальных слоев в n-InP
39
Измерение ВАХ InGaAs при помощи пикосекундной электрооптической стробирующей установки
37
Влияние температуры облучения нейтронами на формирование дефектов структуры в кремнии, выращенном методом Чохральского
35
Энергетическая щель и эффективная масса в твердых растворах FexHg1-xSe
34
Фотоэлектрические свойства эпитаксиальных гетероструктур GaAs/InGaAs с квантовой ямой
34
Узкозонные гетеропереходы II типа в системе твердых растворов GaSb-InAs
34
Особенности спектров ИК поглощения термодоноров в кристаллах Si : Ge
33
Ток туннельного типа в поверхностно-барьерных структурах на основе слабо легированного арсенида галлия
33
Ударная ионизация, производимая электронами, движущимися в неоднородном электрическом поле
33
Критика и библиография
33
Влияние давления на электрофизические свойства Pb1-xSnxSe (x=0.25), облученного электронами, в диэлектрической фазе
32
Влияние отклонения от стехиометрии на свойства диффузионных p-n-переходов на основе карбида кремния
32
Редкоземельные элементы в полупроводниках AIIIBV О б з о р
32
Проводимость полупроводниковой сверхрешетки в магнитном поле, перпендикулярном ее оси
32
Влияние отклонения состава от стехиометрии на электрофизические свойства ядерно легированного арсенида галлия
32
Поперечная фотопроводимость классических композиционных сверхрешеток
32
Исследование кинетики фотопроводимости в коротких фоторезисторах на основе InP : Fe
32
Возбуждение и эволюция микроплазм --- пичковых автосолитонов в кремниевых p-i-n-структурах
32
Статья
Просмотров
Теплопроводность карбида кремния в области температур 300-3000 K
3760
Редкоземельные элементы в полупроводниках AIIIBV О б з о р
3299
Фотолюминесценция аморфных пленок a-Si1-xCx : H
3208
Кинетические явления в компенсированном n-InSb при низких температурах (О б з о р)
3147
Памяти Анатолия Робертовича Регеля (1915-1989)
3111
Изменение поверхностного потенциала полупроводника при освещении
3057
Влияние температуры облучения нейтронами на формирование дефектов структуры в кремнии, выращенном методом Чохральского
3049
Процессы рекомбинации носителей заряда в CdxHg1-xTe О б з о р
3020
Низкотемпературные фотолюминесценция и фотопроводимость в нелегированных аморфных полупроводниках
3007
Туннельный ток через контакт к двумерному электронному газу
3006
Биполяроны и преобразование солнечной энергии
2995
Скорость рекомбинации неравновесной электронно-дырочной плазмы в лазерных кристаллах CdS
2968
Оценка точности метода определения раздельной концентрации примесей из измерений постоянной Холла
2959
Именной указатель
2943
Неомическая прыжковая проводимость слабо компенсированных полупроводников
2934
Поперечная фотопроводимость классических композиционных сверхрешеток
2928
Механизмы снижения эффективности излучательной рекомбинации сильно легированного эпитаксиального p-GeAs : Ge
2921
Фотостимулированная диффузия золота в кремнии при импульсной фотонной обработке
2917
Спонтанное образование и эволюция локальных областей ударной ионизации в идеально однородных p-n-структурах
2916
Критика и библиография
2913
Изучение комплексов бора и кислорода с литием в компенсированном кремнии
2911
Циклотронный резонанс дырок германия с отрицательными массами при H-16pt||[001]
2909
Ионизация примесей бризерами в сверхрешетке
2905
(In, Ga, Al)As ДГС РО лазеры на длину волны 1.1 мкм с (In, Ga)As напряженной квантовой ямой, ограниченной короткопериодной сверхрешеткой
2898
Дрейфовая неустойчивость, вызываемая перезарядкой центров на поверхности монополярного полупроводника
2888
Связь желтой электролюминесценции в 6H-SiC с глубокими центрами
2880
Влияние условий электронного облучения на скорость образования A-центров в n-кремнии
2869
Проводимость полупроводниковой сверхрешетки в магнитном поле, перпендикулярном ее оси
2857
Вольт-амперные характеристики тонких пленок Pb1-xSnxTe<In> при различных уровнях фоновых засветок
2847
Температурные и частотные зависимости электропроводности алмазных пленок
2842
Фотолюминесценция и фото-ЭПР высокочистого селенида цинка, облученного электронами
2837
Распределение заряда и формирование глубоких уровней в полупроводниках по данным самосогласованного метода функций Грина: дефекты в кремнии и германии
2834
К теории пограничных состояний в гетеропереходах
2832
Влияние технологии приготовления пленок a-Si : H на излучательную рекомбинацию
2830
Фотоэмиссия горячих электронов из диодов Шоттки p-InGaAs-Ag
2822
Распределение атомов кремния по пороговой энергии смещения и его зависимость от температуры
2822
Бесщелевые полумагнитные полупроводники HgFeSe О б з о р
2821
Гальваномагнитные характеристики твердых растворов PbTe(Cr) при изменении температуры и под давлением
2819
Колебательные спектры кристаллов CdP2
2819
Устойчивые состояния и структурные превращения в аморфном гидрогенизированном кремнии
2816
Обнаружение нового метастабильного уровня DX-центра в тонких легированных Si слоях AlxGa1-xAs
2813
Фотолюминесценция квантовых слоев InxGa1-xAs, выращенных на плоскостях (100) и (111)A арсенида галлия
2807
Влияние температуры на столкновительное уширение уровней Ландау
2807
Метастабильные центры в низкоомных кристаллах CdTe : Cl n-типа
2801
Эффект немонотонной зависимости шума 1/f от интенсивности подсветки в Si и модель объемного шума 1/f в полупроводниках
2800
Электрофизические свойства планарных n+-p-переходов, созданных легированием арсенида индия ионами серы
2796
Энергетическая щель и эффективная масса в твердых растворах FexHg1-xSe
2796
Электрофизические свойства и фотолюминесценция кремния, легированного алюминием методом фотоядерных реакций
2795
Фотопроводимость p-MnxHg1-xTe в магнитном поле
2795
Пространственное распределение носителей заряда в условиях контактной эксклюзии
2792
Автор
Организация
Статей
Малютенко В.К.
9
Ломако В.М.
9
Копьев П.С.
7
Иванов-Омский В.И.
7
Леденцов Н.Н.
6
Грибников З.С.
6
Шаховцов В.И.
6
Иванов С.В.
5
Мельцер Б.Я.
5
Баранов А.Н.
5
Яковлев Ю.П.
5
Кадушкин В.И.
5
Кольченко Т.И.
5
Шик А.Я.
5
Ломасов В.Н.
5
Гельмонт Б.Л.
4
Алфёров Ж.И.
4
Хируненко Л.И.
4
Скипетров Е.П.
4
Немов С.А.
4
Казанский А.Г.
4
Капустин Ю.А.
4
Кернер Б.С.
4
Осипов В.В.
4
Пека Г.П.
4
Райчев О.Э.
4
Левинштейн М.Е.
4
Румянцев С.Л.
4
Чалдышев В.В.
4
Шмарцев Ю.В.
4
4
Конников С.Г.
4
Сеничкин А.П.
4
Георгицэ Е.И.
4
Берман Л.С.
4
Ткаченко В.Н.
4
Новиков С.В.
4
Крещук А.М.
4
Зебрев Г.И.
3
Яшник В.И.
3
Савельев И.Г.
3
Васько Ф.Т.
3
Герасименко Н.Н.
3
Хасиева Р.В.
3
Ковалюк З.Д.
3
Стельмах В.Ф.
3
Дьяконова Н.В.
3
Устинов В.М.
3
Клячкин Л.Е.
3
Суханов В.Л.
3
Рыжий В.И.
3
Толстихин В.И.
3
Житинская М.К.
3
Журавлев К.С.
3
Якушева Н.А.
3
Васильев В.А.
3
Пипа В.И.
3
Лашкарев Г.В.
3
Колокольников Б.М.
3
Андреев В.М.
3
Львова Т.В.
3
Шпинар Л.И.
3
Ясковец И.И.
3
Болгов С.С.
3
Савченко А.П.
3
Руссу Е.В.
3
Курова И.А.
3
Владимиров В.В.
3
Коллюх А.Г.
3
Беляев А.Е.
3
Медведев Б.К.
3
Архипов В.И.
3
Иванюкович В.А.
3
Карась В.И.
3
Ладыгин Е.А.
3
Дмитриев А.Г.
3
Ильичев Э.А.
3
Быковский В.А.
3
Царенков Б.В.
3
Гершензон Е.М.
3
Погорлецкий В.М.
3
Смирнов В.А.
3
Алешкин В.Я.
3
Гореленок А.Т.
3
Шмидт Н.М.
3
Витовский Н.А.
3
Крючков С.В.
3
Воробьева В.В.
3
Луценко М.Э.
2
Булах Б.М.
2
Кулиш Н.Р.
2
Лисица М.П.
2
Малыш Н.И.
2
Шапошников С.В.
2
Барышев Н.С.
2
Ибрагимова М.И.
2
Гольдман Е.И.
2
Ждан А.Г.
2
Афанасьева Н.П.
2
Цидильковский И.М.
2
Волков А.С.
2
Козловский С.И.
2
Абдукадыров А.Г.
2
Ивченко Е.Л.
2
Ашкинадзе Б.М.
2
Бельков В.В.
2
Красинская А.Г.
2
Богобоящий В.В.
2
Олейник С.П.
2
Матына Л.И.
2
Варламов И.В.
2
Липшиц Т.Л.
2
Инкин В.Н.
2
Крылов Д.Г.
2
Берковиц В.Л.
2
Мякенькая Г.С.
2
Дахно А.Н.
2
Джуртанов Б.Е.
2
Лагунова Т.С.
2
Сиповская М.А.
2
Добровольский В.Н.
2
Фистуль В.И.
2
Сыродоев Г.А.
2
Кюрегян А.С.
2
Яблоновский Е.И.
2
Голикова О.А.
2
Емцев В.В.
2
Клингер П.М.
2
Гафийчук В.В.
2
Дацко Б.И.
2
Жиляев Ю.В.
2
Криволапчук В.В.
2
Машкевич О.Л.
2
Шейнкман М.К.
2
Стрельчук А.М.
2
Прошин В.И.
2
Дощанов К.М.
2
Лазоренко В.И.
2
Аветисян С.К.
2
Минасян Г.Р.
2
Жуковский П.В.
2
Захаренков Л.Ф.
2
Комиренко С.М.
2
Мусатов А.Л.
2
Филиппов С.Л.
2
Баграев Н.Т.
2
Маляренко А.М.
2
Половцев И.С.
2
Терлецкий И.А.
2
Романов В.В.
2
Пихтин А.Н.
2
Сурис Р.А.
2
Лагвилава Т.А.
2
Лютович К.Л.
2
Глинчук К.Д.
2
Свешников А.А.
2
Гуревич Ю.Г.
2
Боднарук О.А.
2
Горбатюк И.Н.
2
Кикоин К.А.
2
Гольдберг Ю.А.
2
Мезрин О.А.
2
Трошков С.И.
2
Лубышев Д.И.
2
Мигаль В.П.
2
Семягин Б.Р.
2
Клингер М.И.
2
Акопян А.А.
2
Козуб В.И.
2
Гольдфарб М.В.
2
Молоцкий М.И.
2
Цэндин К.Д.
2
Викулин И.М.
2
Корольков В.И.
2
Кисин М.В.
2
Звягин И.П.
2
Мелешко Н.В.
2
Ормонт Н.Н.
2
Зуев В.В.
2
Цыпленков И.Н.
2
Фукс Б.И.
2
Никитенко В.Р.
2
Дашевский З.М.
2
Руленко М.П.
2
Велиюлин Э.И.
2
Шикина Н.И.
2
Шикин В.Б.
2
Джаманбалин К.К.
2
Поссе Е.А.
2
Заячук Д.М.
2
Литвак-Горская Л.Б.
2
Шастин В.Н.
2
Вейс А.Н.
2
Мастеров В.Ф.
2
Пиотровский Т.
2
Дмитриев А.П.
2
Яссиевич И.Н.
2
Талипов Ф.М.
2
Шубников М.Л.
2
Гицу Д.В.
2

Учредители

Издатель

© 2026 Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук
Powered by webapplicationthemes.com - High quality HTML Theme