"Физика и техника полупроводников"
Вышедшие номера
Home » Физика и техника полупроводников » Издателям » Статистика
Общее количество статей:
10472
Распределение статей по годам:
517
490
469
411
345
329
302
266
295
311
285
292
278
262
263
259
256
277
251
260
244
294
288
284
279
295
305
301
303
316
330
309
287
219

Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов. Дата начала обработки информации по просмотрам - 27 января 2016 г.

За 1990 год:
Статья
Просмотров
Люминесценция варизонных структур CdxHg1-xTe в условиях магнитоконцентрационного эффекта
28
Влияние технологии приготовления пленок a-Si : H на излучательную рекомбинацию
18
Рекомбинационные свойства кристаллов CdxHg1-xTe<Xe>
17
Поперечный транспорт в двубарьерной гетероструктуре в условиях разогрева носителей
16
О модели двухэлектронной проводимости в Hg1-xCdTe
15
Локальные состояния в InxBi2-xTe3
15
Квантово-размерный и деформационный эффекты в структурах на основе PbSe/Pb1-xEuxSe, выращенных методом молекулярно-лучевой эпитаксии
14
Магнитоконцентрационный эффект в неоднородно легированных полупроводниках
14
Определение констант деформационного потенциала в HgCdTe
14
Компенсация кремния при дрейфе лития из ограниченного резервуара
14
Резонансное межзонное комбинационное рассеяние света в полумагнитном полупроводнике
14
Особенности поведения радиационных дефектов в структурах на основе AlxGa1-xAs/GaAs
14
О состоянии европия в фосфиде индия
14
Электрические и спектральные характеристики структур Au-n-TlSbS2
14
Низкотемпературные фотолюминесценция и фотопроводимость в нелегированных аморфных полупроводниках
13
О степени ионизации собственных дефектов в кристаллах CdxHg1-xTe в широком интервале температур
13
Проявление эффектов межслоевого взаимодействия в спектрах электроотражения кристаллов (Bi2Te3)x(Bi2Se3)1-x
13
Глубокие центры в монокристаллах GaAs, выращенных методом Чохральского с добавлением кислорода
13
Низкотемпературная фотолюминесценция эпитаксиальных пленок фосфида галлия, выращенных на кремниевых подложках
13
Влияние магнитного поля на захват свободных носителей мелкими примесями в Ge
13
Статья
Просмотров
Кинетические явления в компенсированном n-InSb при низких температурах (О б з о р)
1286
Биполяроны и преобразование солнечной энергии
1265
Влияние температуры облучения нейтронами на формирование дефектов структуры в кремнии, выращенном методом Чохральского
1256
Туннельный ток через контакт к двумерному электронному газу
1241
Фотолюминесценция аморфных пленок a-Si1-xCx : H
1231
Редкоземельные элементы в полупроводниках AIIIBV О б з о р
1230
Особенности поведения изовалентной примеси --- индия при легировании арсенида галлия в процессе газофазовой эпитаксии из металлоорганических соединений
1211
Колебательные спектры кристаллов CdP2
1207
Ионизация примесей бризерами в сверхрешетке
1201
Поперечная фотопроводимость классических композиционных сверхрешеток
1197
Обнаружение нового метастабильного уровня DX-центра в тонких легированных Si слоях AlxGa1-xAs
1196
Распределение атомов кремния по пороговой энергии смещения и его зависимость от температуры
1190
Именной указатель
1186
Теплопроводность карбида кремния в области температур 300-3000 K
1183
Оценка точности метода определения раздельной концентрации примесей из измерений постоянной Холла
1180
Влияние состава Ga1-xBix жидкой фазы на образование комплексов в эпитаксиальном GaAs, сильно легированном германием
1180
Критика и библиография
1174
Температурные и частотные зависимости электропроводности алмазных пленок
1170
Фотопроводимость p-MnxHg1-xTe в магнитном поле
1168
Фотомагнитный эффект в системе n-AlxGa1-xAs/GaAs с 2D-электронами
1166
К теории пограничных состояний в гетеропереходах
1165
О природе K-центра в кремнии
1157
Двумерные ганновские домены в слоистых структурах
1155
Связь желтой электролюминесценции в 6H-SiC с глубокими центрами
1153
Влияние Yb на остаточные донорные и акцепторные примеси в GaP
1152
Рекомбинация носителей через акцепторные уровни собственных дефектов в кристаллах n-CdxHg1-xTe, подвергнутых ультразвуковой обработке
1147
Спектральные характеристики длинных фотодиодов с нелинейным профилем ширины запрещенной зоны
1147
Кластерные образования в эпитаксиальных слоях твердых растворов p-GaInSbAs, выращенных на подложках n-GaSb : Te
1146
Процессы рекомбинации носителей заряда в CdxHg1-xTe О б з о р
1142
Удельные сдвиги носителей заряда и фотопроводимость аморфного гидрированного кремния
1142
Пограничные состояния электронного типа в инверсных гетероструктурах
1139
Скорость рекомбинации неравновесной электронно-дырочной плазмы в лазерных кристаллах CdS
1139
Пространственное распределение носителей заряда в условиях контактной эксклюзии
1138
Анизотропия кинетических эффектов в гетероструктурах с 2D-электронами на сильно разориентированных подложках
1137
Влияние технологии приготовления пленок a-Si : H на излучательную рекомбинацию
1137
Вольт-амперные характеристики тонких пленок Pb1-xSnxTe<In> при различных уровнях фоновых засветок
1136
Фотоэмиссия горячих электронов из диодов Шоттки p-InGaAs-Ag
1135
Изучение комплексов бора и кислорода с литием в компенсированном кремнии
1135
Электронная структура примеси на дислокации
1134
Неомическая прыжковая проводимость слабо компенсированных полупроводников
1133
Изоэлектронные примеси замещения Sc и Ti в CdTe
1133
Спонтанное образование и эволюция локальных областей ударной ионизации в идеально однородных p-n-структурах
1131
Зависимость эффективной высоты потенциального барьера в М-ТД-П структурах при инфракрасной подсветке
1129
Влияние магнитного поля на электропроводность полупроводников в условиях резонансного рассеяния носителей тока
1129
Дрейфовая неустойчивость, вызываемая перезарядкой центров на поверхности монополярного полупроводника
1128
Пространственный перенос электронов в полевых транзисторах на гетероструктурах с селективным легированием
1126
Изменение поверхностного потенциала полупроводника при освещении
1126
Генерация и отжиг дефектов при совмещенном геттерировании в кремнии n-типа. II. Точечные дефекты, индуцированные геттерирующими микродефектами
1125
Фотолюминесценция и фото-ЭПР высокочистого селенида цинка, облученного электронами
1125
Устойчивые состояния и структурные превращения в аморфном гидрогенизированном кремнии
1123

Учредители

Издатель

© 2021 Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук
Powered by webapplicationthemes.com - High quality HTML Theme