Вышедшие номера
Home » Физика и техника полупроводников » Издателям » Статистика
Общее количество статей:
10684
Распределение количества статей по годам:
517
490
469
411
345
329
302
266
295
311
285
292
278
262
263
259
256
277
251
260
244
294
288
284
279
295
305
301
303
316
330
309
287
248
183
Распределение количества просмотров по годам:
685142
643880
619718
552831
476929
458086
422886
374655
456714
571583
565836
518606
517916
525013
508638
525457
545682
557173
487442
518254
486078
621758
632470
621405
593895
641486
645798
621821
593878
563497
462721
354988
221331
106351
26300
Распределение количества авторов по годам:
1228
1240
1185
1078
885
882
744
715
727
800
756
791
761
773
802
802
826
907
876
892
763
962
1019
1010
968
1085
1151
1063
1156
1166
1310
1097
1124
952
781
Распределение количества организаций по годам:
143
55
131
107
117
125
153
174
159
167
148
175
163
181
187
187
227
154
216
211
211
238
252
286
241
275
269
295
249
323
260
166

Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов. Дата начала обработки информации по просмотрам - 27 января 2016 г.

За 1990 год:
Статья
Просмотров
Спектр фоточувствительности инжекционных фотодиодов с варизонной базой в магнитном поле
18
Фотолюминесценция и фото-ЭПР высокочистого селенида цинка, облученного электронами
18
Характер взаимодействия имплантированного в кремний гелия с атомами решетки
17
Электронные фазовые переходы полупроводник-полуметалл в магнитном поле у тонких монокристаллических нитей сплавов Bi-Sb
17
Особенности возбуждения плазмонов в ионно-имплантированном полупроводнике
17
Оптические свойства монокристаллов MnGa2S4
16
Особенности термоэлектрических и электрических свойств слоистого полупроводника InSe при низких температурах
16
Влияние периодического импульсного электрического поля на фотоэлектрические свойства примесных компенсированных полупроводников
16
Растекание и поверхностная рекомбинация неравновесных носителей в квантово-размерных (Al, Ga)As ДГС РО лазерах с широким полоском
15
Влияние ИК подсветки на проводимость фотоносителей в нелегированном аморфном полупроводнике
15
Микроволновый циклотронный резонанс в чистых кристаллах GaAs
15
Воздействие горячих электронов на люминесценцию GaAs
15
Именной указатель
15
Эффекты разогрева носителей заряда в инжекционных гетеролазерах на InGaAsP/InP
15
Фотомагнитный эффект в кристаллах изолирующего арсенида галлия при лазерном возбуждении
15
Аннотации депонированных статей
15
Изменение концентрации атомов бора и фосфора в узлах решетки кремния при облучении электронами
15
Кулоновское взаимодействие зарядов вблизи двумерных слоев
14
"Энергетическая квазибаллистика" в микроструктурах на GaAs при низких температурах
14
Влияние толщины верхнего узкозонного слоя на концентрацию двумерных электронов в инвертированных гетероструктурах InP/In0.53Ga0.47As
14
Статья
Просмотров
Редкоземельные элементы в полупроводниках AIIIBV О б з о р
1641
Туннельный ток через контакт к двумерному электронному газу
1616
Биполяроны и преобразование солнечной энергии
1594
Фотолюминесценция аморфных пленок a-Si1-xCx : H
1593
Кинетические явления в компенсированном n-InSb при низких температурах (О б з о р)
1592
Влияние температуры облучения нейтронами на формирование дефектов структуры в кремнии, выращенном методом Чохральского
1577
Именной указатель
1560
Ионизация примесей бризерами в сверхрешетке
1532
Распределение атомов кремния по пороговой энергии смещения и его зависимость от температуры
1531
Колебательные спектры кристаллов CdP2
1524
Особенности поведения изовалентной примеси --- индия при легировании арсенида галлия в процессе газофазовой эпитаксии из металлоорганических соединений
1523
Памяти Анатолия Робертовича Регеля (1915-1989)
1521
Теплопроводность карбида кремния в области температур 300-3000 K
1515
Обнаружение нового метастабильного уровня DX-центра в тонких легированных Si слоях AlxGa1-xAs
1513
Влияние технологии приготовления пленок a-Si : H на излучательную рекомбинацию
1510
Влияние состава Ga1-xBix жидкой фазы на образование комплексов в эпитаксиальном GaAs, сильно легированном германием
1503
Фотомагнитный эффект в системе n-AlxGa1-xAs/GaAs с 2D-электронами
1501
Критика и библиография
1498
Поперечная фотопроводимость классических композиционных сверхрешеток
1498
Температурные и частотные зависимости электропроводности алмазных пленок
1494
Оценка точности метода определения раздельной концентрации примесей из измерений постоянной Холла
1487
Неомическая прыжковая проводимость слабо компенсированных полупроводников
1486
Двумерные ганновские домены в слоистых структурах
1477
О природе K-центра в кремнии
1475
Фотопроводимость p-MnxHg1-xTe в магнитном поле
1474
Низкотемпературные фотолюминесценция и фотопроводимость в нелегированных аморфных полупроводниках
1474
Фотолюминесценция квантовых слоев InxGa1-xAs, выращенных на плоскостях (100) и (111)A арсенида галлия
1468
Дрейфовая неустойчивость, вызываемая перезарядкой центров на поверхности монополярного полупроводника
1463
Изучение комплексов бора и кислорода с литием в компенсированном кремнии
1458
Пограничные состояния электронного типа в инверсных гетероструктурах
1457
Влияние Yb на остаточные донорные и акцепторные примеси в GaP
1457
Спонтанное образование и эволюция локальных областей ударной ионизации в идеально однородных p-n-структурах
1455
Крупномасштабные электрически активные примесные скопления в кристаллах кремния, выращенных методом Чохральского
1455
Процессы рекомбинации носителей заряда в CdxHg1-xTe О б з о р
1454
К теории пограничных состояний в гетеропереходах
1451
Кластерные образования в эпитаксиальных слоях твердых растворов p-GaInSbAs, выращенных на подложках n-GaSb : Te
1450
Влияние силовых полей на образование радиационных дефектов в кремнии при электронном облучении структур SiO2-Si
1448
Устойчивые состояния и структурные превращения в аморфном гидрогенизированном кремнии
1447
Изменение поверхностного потенциала полупроводника при освещении
1444
Влияние магнитного поля на захват свободных носителей мелкими примесями в Ge
1440
Анизотропия кинетических эффектов в гетероструктурах с 2D-электронами на сильно разориентированных подложках
1439
Фотолюминесценция и фото-ЭПР высокочистого селенида цинка, облученного электронами
1439
Электронные свойства пленок моно- и субселенидов индия
1438
Зависимость эффективной высоты потенциального барьера в М-ТД-П структурах при инфракрасной подсветке
1438
Рекомбинация носителей через акцепторные уровни собственных дефектов в кристаллах n-CdxHg1-xTe, подвергнутых ультразвуковой обработке
1438
Скорость рекомбинации неравновесной электронно-дырочной плазмы в лазерных кристаллах CdS
1437
Связь желтой электролюминесценции в 6H-SiC с глубокими центрами
1435
Гальваномагнитные характеристики твердых растворов PbTe(Cr) при изменении температуры и под давлением
1435
Пространственный перенос электронов в полевых транзисторах на гетероструктурах с селективным легированием
1434
Генерация и отжиг дефектов при совмещенном геттерировании в кремнии n-типа. II. Точечные дефекты, индуцированные геттерирующими микродефектами
1434

Учредители

Издатель

© 2022 Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук
Powered by webapplicationthemes.com - High quality HTML Theme