Вышедшие номера
Home » Физика и техника полупроводников » Статистика
Общее количество статей:
11044
Распределение количества статей по годам:
517
490
469
411
345
329
302
266
295
311
285
292
278
262
263
259
256
277
251
260
244
294
288
284
279
295
305
301
303
316
330
309
287
248
203
135
117
88
Распределение количества просмотров по годам:
1245802
1157935
1115403
995024
851199
817091
747085
665305
790360
959610
949669
884089
882010
876867
856455
888513
911800
938051
828153
872229
817143
1029460
1041953
1012405
980842
1063668
1070154
1027345
983535
1008582
915950
799816
610808
459784
336894
164206
97520
23183
Распределение количества авторов по годам:
1228
1240
1185
1078
885
882
744
715
727
800
756
791
761
773
802
802
826
907
876
892
763
962
1019
1010
968
1085
1151
1063
1156
1166
1310
1097
1124
952
833
548
556
422
Распределение количества организаций по годам:
143
55
131
107
117
125
151
174
159
167
148
175
163
181
187
187
227
154
216
211
211
237
252
286
241
275
269
295
249
323
260
170
109
93
72

Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов. Дата начала обработки информации по просмотрам - 27 января 2016 г.

За 1990 год:
Статья
Просмотров
Полоса фотолюминесценции 1.44 эВ в GaAs, имплантированном азотом и кремнием
54
Простая модель вольтамперных характеристик МДП транзистора
52
Генерация и отжиг дефектов при совмещенном геттерировании в кремнии n-типа. II. Точечные дефекты, индуцированные геттерирующими микродефектами
48
Именной указатель
46
Методика оценки заряда подзатворного диэлектрика в структурах металл-диэлектрик-полупроводник
46
Теплопроводность карбида кремния в области температур 300-3000 K
45
(In, Ga, Al)As ДГС РО лазеры на длину волны 1.1 мкм с (In, Ga)As напряженной квантовой ямой, ограниченной короткопериодной сверхрешеткой
44
Новый способ обработки спектров DLTS
44
Механизмы излучательной рекомбинации в селениде свинца вблизи комнатной температуры
44
Влияние радиационных дефектов на вероятность включения искусственных микроплазм в кремнии
44
Усредненное описание нелинейных волн плотности неравновесных носителей в полупроводниках
43
Межзонные оптические переходы в легированных многодолинных полупроводниках
43
Трансформация точечных дефектов при отжиге Si и Si : Ge, облученных нейтронами
42
Фотолюминесценция эпитаксиальных слоев GaAs : In, полученных хлоридным методом
42
Коротковолновая фоточувствительность поверхностно-барьерных структур GaAs
42
Эффекты разогрева носителей заряда в инжекционных гетеролазерах на InGaAsP/InP
42
Влияние отклонения от стехиометрии на свойства диффузионных p-n-переходов на основе карбида кремния
42
Циклотронный резонанс дырок германия с отрицательными массами при H-16pt||[001]
41
Характер взаимодействия имплантированного в кремний гелия с атомами решетки
41
Термодинамический расчет зависимости ширины запрещенной зоны от состава многокомпонентных твердых растворов на основе соединений AIIIBV
41
Статья
Просмотров
Теплопроводность карбида кремния в области температур 300-3000 K
3435
Редкоземельные элементы в полупроводниках AIIIBV О б з о р
2963
Памяти Анатолия Робертовича Регеля (1915-1989)
2827
Кинетические явления в компенсированном n-InSb при низких температурах (О б з о р)
2826
Фотолюминесценция аморфных пленок a-Si1-xCx : H
2805
Влияние температуры облучения нейтронами на формирование дефектов структуры в кремнии, выращенном методом Чохральского
2754
Изменение поверхностного потенциала полупроводника при освещении
2725
Низкотемпературные фотолюминесценция и фотопроводимость в нелегированных аморфных полупроводниках
2724
Биполяроны и преобразование солнечной энергии
2721
Именной указатель
2710
Туннельный ток через контакт к двумерному электронному газу
2689
Процессы рекомбинации носителей заряда в CdxHg1-xTe О б з о р
2682
Критика и библиография
2652
Фотостимулированная диффузия золота в кремнии при импульсной фотонной обработке
2651
Ионизация примесей бризерами в сверхрешетке
2645
Спонтанное образование и эволюция локальных областей ударной ионизации в идеально однородных p-n-структурах
2642
Скорость рекомбинации неравновесной электронно-дырочной плазмы в лазерных кристаллах CdS
2639
Оценка точности метода определения раздельной концентрации примесей из измерений постоянной Холла
2631
Поперечная фотопроводимость классических композиционных сверхрешеток
2629
Колебательные спектры кристаллов CdP2
2627
Неомическая прыжковая проводимость слабо компенсированных полупроводников
2621
Механизмы снижения эффективности излучательной рекомбинации сильно легированного эпитаксиального p-GeAs : Ge
2617
Температурные и частотные зависимости электропроводности алмазных пленок
2602
Влияние технологии приготовления пленок a-Si : H на излучательную рекомбинацию
2602
Обнаружение нового метастабильного уровня DX-центра в тонких легированных Si слоях AlxGa1-xAs
2600
(In, Ga, Al)As ДГС РО лазеры на длину волны 1.1 мкм с (In, Ga)As напряженной квантовой ямой, ограниченной короткопериодной сверхрешеткой
2591
Влияние температуры на столкновительное уширение уровней Ландау
2590
Проводимость полупроводниковой сверхрешетки в магнитном поле, перпендикулярном ее оси
2585
Изучение комплексов бора и кислорода с литием в компенсированном кремнии
2584
Распределение заряда и формирование глубоких уровней в полупроводниках по данным самосогласованного метода функций Грина: дефекты в кремнии и германии
2580
Фотоэмиссия горячих электронов из диодов Шоттки p-InGaAs-Ag
2579
Влияние условий электронного облучения на скорость образования A-центров в n-кремнии
2573
Циклотронный резонанс дырок германия с отрицательными массами при H-16pt||[001]
2568
Фотомагнитный эффект в системе n-AlxGa1-xAs/GaAs с 2D-электронами
2566
Фотолюминесценция и фото-ЭПР высокочистого селенида цинка, облученного электронами
2565
Распределение атомов кремния по пороговой энергии смещения и его зависимость от температуры
2562
К теории пограничных состояний в гетеропереходах
2559
Фотопроводимость p-MnxHg1-xTe в магнитном поле
2552
Дрейфовая неустойчивость, вызываемая перезарядкой центров на поверхности монополярного полупроводника
2549
Влияние Yb на остаточные донорные и акцепторные примеси в GaP
2548
Фотолюминесценция квантовых слоев InxGa1-xAs, выращенных на плоскостях (100) и (111)A арсенида галлия
2548
Крупномасштабные электрически активные примесные скопления в кристаллах кремния, выращенных методом Чохральского
2547
Связь желтой электролюминесценции в 6H-SiC с глубокими центрами
2543
Пограничные состояния электронного типа в инверсных гетероструктурах
2542
Пространственное распределение носителей заряда в условиях контактной эксклюзии
2542
Вольт-амперные характеристики тонких пленок Pb1-xSnxTe<In> при различных уровнях фоновых засветок
2536
Влияние силовых полей на образование радиационных дефектов в кремнии при электронном облучении структур SiO2-Si
2532
Эмиссионные характеристики полупроводниковых гетероструктур с барьером Шоттки InGaAs-InP-Ag
2531
Особенности поведения изовалентной примеси --- индия при легировании арсенида галлия в процессе газофазовой эпитаксии из металлоорганических соединений
2529
Кластерные образования в эпитаксиальных слоях твердых растворов p-GaInSbAs, выращенных на подложках n-GaSb : Te
2515
Автор
Организация
Статей
Малютенко В.К.
9
Ломако В.М.
9
Копьев П.С.
7
Иванов-Омский В.И.
7
Леденцов Н.Н.
6
Грибников З.С.
6
Шаховцов В.И.
6
Иванов С.В.
5
Мельцер Б.Я.
5
Баранов А.Н.
5
Яковлев Ю.П.
5
Кадушкин В.И.
5
Кольченко Т.И.
5
Шик А.Я.
5
Ломасов В.Н.
5
Гельмонт Б.Л.
4
Алфёров Ж.И.
4
Хируненко Л.И.
4
Скипетров Е.П.
4
Немов С.А.
4
Казанский А.Г.
4
Капустин Ю.А.
4
Кернер Б.С.
4
Осипов В.В.
4
Пека Г.П.
4
Райчев О.Э.
4
Левинштейн М.Е.
4
Румянцев С.Л.
4
Чалдышев В.В.
4
Шмарцев Ю.В.
4
4
Конников С.Г.
4
Сеничкин А.П.
4
Георгицэ Е.И.
4
Берман Л.С.
4
Ткаченко В.Н.
4
Новиков С.В.
4
Крещук А.М.
4
Зебрев Г.И.
3
Яшник В.И.
3
Савельев И.Г.
3
Васько Ф.Т.
3
Герасименко Н.Н.
3
Хасиева Р.В.
3
Ковалюк З.Д.
3
Стельмах В.Ф.
3
Дьяконова Н.В.
3
Устинов В.М.
3
Клячкин Л.Е.
3
Суханов В.Л.
3
Рыжий В.И.
3
Толстихин В.И.
3
Житинская М.К.
3
Журавлев К.С.
3
Якушева Н.А.
3
Васильев В.А.
3
Пипа В.И.
3
Лашкарев Г.В.
3
Колокольников Б.М.
3
Андреев В.М.
3
Львова Т.В.
3
Шпинар Л.И.
3
Ясковец И.И.
3
Болгов С.С.
3
Савченко А.П.
3
Руссу Е.В.
3
Курова И.А.
3
Владимиров В.В.
3
Коллюх А.Г.
3
Беляев А.Е.
3
Медведев Б.К.
3
Архипов В.И.
3
Иванюкович В.А.
3
Карась В.И.
3
Ладыгин Е.А.
3
Дмитриев А.Г.
3
Ильичев Э.А.
3
Быковский В.А.
3
Царенков Б.В.
3
Гершензон Е.М.
3
Погорлецкий В.М.
3
Смирнов В.А.
3
Алешкин В.Я.
3
Гореленок А.Т.
3
Шмидт Н.М.
3
Витовский Н.А.
3
Крючков С.В.
3
Воробьева В.В.
3
Луценко М.Э.
2
Булах Б.М.
2
Кулиш Н.Р.
2
Лисица М.П.
2
Малыш Н.И.
2
Шапошников С.В.
2
Барышев Н.С.
2
Ибрагимова М.И.
2
Гольдман Е.И.
2
Ждан А.Г.
2
Афанасьева Н.П.
2
Цидильковский И.М.
2
Волков А.С.
2
Теруков Е.И.
2
Дехтяр Ю.Д.
2
Козловский С.И.
2
Абдукадыров А.Г.
2
Ивченко Е.Л.
2
Ашкинадзе Б.М.
2
Бельков В.В.
2
Красинская А.Г.
2
Полыгалов Ю.И.
2
Олейник С.П.
2
Матына Л.И.
2
Варламов И.В.
2
Липшиц Т.Л.
2
Инкин В.Н.
2
Крылов Д.Г.
2
Берковиц В.Л.
2
Джуртанов Б.Е.
2
Лагунова Т.С.
2
Сиповская М.А.
2
Добровольский В.Н.
2
Фистуль В.И.
2
Сыродоев Г.А.
2
Покровский Я.Е.
2
Кюрегян А.С.
2
Голикова О.А.
2
Казанин М.М.
2
Емцев В.В.
2
Клингер П.М.
2
Гафийчук В.В.
2
Дацко Б.И.
2
Жиляев Ю.В.
2
Криволапчук В.В.
2
Машкевич О.Л.
2
Шейнкман М.К.
2
Лебедев А.А.
2
Стрельчук А.М.
2
Прошин В.И.
2
Дощанов К.М.
2
Лазоренко В.И.
2
Аветисян С.К.
2
Минасян Г.Р.
2
Жуковский П.В.
2
Захаренков Л.Ф.
2
Баграев Н.Т.
2
Маляренко А.М.
2
Половцев И.С.
2
Пихтин А.Н.
2
Сурис Р.А.
2
Юнович А.Э.
2
Свешников А.А.
2
Лугаков П.Ф.
2
Смоляр А.Н.
2
Боднарук О.А.
2
Горбатюк И.Н.
2
Раренко И.М.
2
Решина И.И.
2
Кикоин К.А.
2
Гольдберг Ю.А.
2
Трошков С.И.
2
Лубышев Д.И.
2
Мигаль В.П.
2
Семягин Б.Р.
2
Клингер М.И.
2
Львин В.Э.
2
Цэндин К.Д.
2
Викулин И.М.
2
Мороз С.Е.
2
Корольков В.И.
2
Табаров Т.С.
2
Брунков П.Н.
2
Соболев М.М.
2
Кисин М.В.
2
Шевченко Н.В.
2
Зуев В.В.
2
Радауцан С.И.
2
Соболев Н.А.
2
Цыпленков И.Н.
2
Фукс Б.И.
2
Никитенко В.Р.
2
Дашевский З.М.
2
Руленко М.П.
2
Велиюлин Э.И.
2
Шикина Н.И.
2
Шикин В.Б.
2
Джаманбалин К.К.
2
Поссе Е.А.
2
Заячук Д.М.
2
Константинов О.В.
2
Литвак-Горская Л.Б.
2
Вейс А.Н.
2
Мастеров В.Ф.
2
Аншон А.В.
2
Бабушкина Т.С.
2
Мокина И.А.
2
Яссиевич И.Н.
2
Талипов Ф.М.
2
Гицу Д.В.
2
Бирюлин Ю.Ф.
2
Миронов К.Е.
2

Учредители

Издатель

© 2025 Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук
Powered by webapplicationthemes.com - High quality HTML Theme