Вышедшие номера
Home » Физика и техника полупроводников » Статистика
Общее количество статей:
11082
Распределение количества статей по годам:
517
490
469
411
345
329
302
266
295
311
285
292
278
262
263
259
256
277
251
260
244
294
288
284
279
295
305
301
303
316
330
309
287
248
203
135
117
98
28
Распределение количества просмотров по годам:
1400653
1297963
1247256
1115630
949584
913101
832683
745088
880518
1066275
1058041
992471
987846
982008
956954
993178
1013295
1045307
921550
975663
912255
1143264
1155976
1135429
1092707
1180065
1193534
1143806
1108327
1153909
1054764
932485
719666
557091
422538
215474
138657
57053
7719
Распределение количества авторов по годам:
1228
1240
1185
1078
885
882
744
715
727
800
756
791
761
773
802
802
826
907
876
892
763
962
1019
1010
968
1085
1151
1063
1156
1166
1310
1097
1124
952
833
548
556
467
178
Распределение количества организаций по годам:
143
55
131
107
117
125
151
174
159
167
148
175
163
181
187
187
227
154
216
211
211
237
252
286
241
275
269
295
249
323
260
170
109
93
85
36

Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов. Дата начала обработки информации по просмотрам - 27 января 2016 г.

За 1990 год:
Статья
Просмотров
Влияние меди на спектры излучения кристаллов ZnSe
20
Пространственное распределение носителей заряда в условиях контактной эксклюзии
19
Влияние температуры облучения нейтронами на формирование дефектов структуры в кремнии, выращенном методом Чохральского
19
Теплопроводность карбида кремния в области температур 300-3000 K
18
Пограничные состояния электронного типа в инверсных гетероструктурах
17
О коэффициенте термоэдс в эпитаксиальной структуре GaP
17
Взаимодействие таллия с радиационными дефектами в кремнии
17
Памяти Анатолия Робертовича Регеля (1915-1989)
17
(Al, Ga)As ДГС РО лазеры на длины волн 0.8 мкм (175 А/см2) и 0.73 мкм (350 A/см2) с легированной квантовой ямой
17
Влияние облучения электронами на физические свойства легированных германием монокристаллов кремния
17
Редкоземельные элементы в полупроводниках AIIIBV О б з о р
17
Исследование размерности странного аттрактора и амплитудного порога синхронизации хаотических автоколебаний фототока в n-Ge(Ni)
17
Колебательные спектры кристаллов CdP2
17
Нелинейные особенности ВАХ для барьеров с седловыми точками
17
Кинетические явления в компенсированном n-InSb при низких температурах (О б з о р)
16
Критика и библиография
16
Фотостимулированная диффузия золота в кремнии при импульсной фотонной обработке
16
Анизотропия переноса носителей заряда в монокристаллах CdGeAs2
16
Низкотемпературные фотолюминесценция и фотопроводимость в нелегированных аморфных полупроводниках
16
Особенности однофононного захвата электрона в магнитном поле
15
Статья
Просмотров
Теплопроводность карбида кремния в области температур 300-3000 K
3818
Редкоземельные элементы в полупроводниках AIIIBV О б з о р
3346
Фотолюминесценция аморфных пленок a-Si1-xCx : H
3263
Кинетические явления в компенсированном n-InSb при низких температурах (О б з о р)
3196
Памяти Анатолия Робертовича Регеля (1915-1989)
3178
Влияние температуры облучения нейтронами на формирование дефектов структуры в кремнии, выращенном методом Чохральского
3109
Изменение поверхностного потенциала полупроводника при освещении
3102
Процессы рекомбинации носителей заряда в CdxHg1-xTe О б з о р
3063
Низкотемпературные фотолюминесценция и фотопроводимость в нелегированных аморфных полупроводниках
3059
Биполяроны и преобразование солнечной энергии
3044
Туннельный ток через контакт к двумерному электронному газу
3039
Скорость рекомбинации неравновесной электронно-дырочной плазмы в лазерных кристаллах CdS
3010
Оценка точности метода определения раздельной концентрации примесей из измерений постоянной Холла
3001
Неомическая прыжковая проводимость слабо компенсированных полупроводников
2989
Именной указатель
2988
Критика и библиография
2972
Фотостимулированная диффузия золота в кремнии при импульсной фотонной обработке
2964
Поперечная фотопроводимость классических композиционных сверхрешеток
2963
Спонтанное образование и эволюция локальных областей ударной ионизации в идеально однородных p-n-структурах
2961
Механизмы снижения эффективности излучательной рекомбинации сильно легированного эпитаксиального p-GeAs : Ge
2959
Циклотронный резонанс дырок германия с отрицательными массами при H-16pt||[001]
2958
Изучение комплексов бора и кислорода с литием в компенсированном кремнии
2948
Ионизация примесей бризерами в сверхрешетке
2947
(In, Ga, Al)As ДГС РО лазеры на длину волны 1.1 мкм с (In, Ga)As напряженной квантовой ямой, ограниченной короткопериодной сверхрешеткой
2931
Связь желтой электролюминесценции в 6H-SiC с глубокими центрами
2929
Дрейфовая неустойчивость, вызываемая перезарядкой центров на поверхности монополярного полупроводника
2927
Влияние условий электронного облучения на скорость образования A-центров в n-кремнии
2912
Проводимость полупроводниковой сверхрешетки в магнитном поле, перпендикулярном ее оси
2904
Вольт-амперные характеристики тонких пленок Pb1-xSnxTe<In> при различных уровнях фоновых засветок
2898
Температурные и частотные зависимости электропроводности алмазных пленок
2890
Колебательные спектры кристаллов CdP2
2876
Устойчивые состояния и структурные превращения в аморфном гидрогенизированном кремнии
2876
Распределение заряда и формирование глубоких уровней в полупроводниках по данным самосогласованного метода функций Грина: дефекты в кремнии и германии
2873
Фотоэмиссия горячих электронов из диодов Шоттки p-InGaAs-Ag
2873
К теории пограничных состояний в гетеропереходах
2872
Фотолюминесценция и фото-ЭПР высокочистого селенида цинка, облученного электронами
2870
Распределение атомов кремния по пороговой энергии смещения и его зависимость от температуры
2866
Гальваномагнитные характеристики твердых растворов PbTe(Cr) при изменении температуры и под давлением
2866
Обнаружение нового метастабильного уровня DX-центра в тонких легированных Si слоях AlxGa1-xAs
2865
Влияние технологии приготовления пленок a-Si : H на излучательную рекомбинацию
2863
Бесщелевые полумагнитные полупроводники HgFeSe О б з о р
2860
Влияние температуры на столкновительное уширение уровней Ландау
2854
Фотолюминесценция квантовых слоев InxGa1-xAs, выращенных на плоскостях (100) и (111)A арсенида галлия
2853
Пространственное распределение носителей заряда в условиях контактной эксклюзии
2844
Метастабильные центры в низкоомных кристаллах CdTe : Cl n-типа
2843
Электрофизические свойства планарных n+-p-переходов, созданных легированием арсенида индия ионами серы
2842
Пограничные состояния электронного типа в инверсных гетероструктурах
2839
Энергетическая щель и эффективная масса в твердых растворах FexHg1-xSe
2837
Электрофизические свойства и фотолюминесценция кремния, легированного алюминием методом фотоядерных реакций
2835
Эффект немонотонной зависимости шума 1/f от интенсивности подсветки в Si и модель объемного шума 1/f в полупроводниках
2831
Автор
Организация
Статей
Малютенко В.К.
9
Ломако В.М.
9
Копьев П.С.
7
Иванов-Омский В.И.
7
Леденцов Н.Н.
6
Грибников З.С.
6
Шаховцов В.И.
6
Иванов С.В.
5
Мельцер Б.Я.
5
Баранов А.Н.
5
Яковлев Ю.П.
5
Кадушкин В.И.
5
Кольченко Т.И.
5
Шик А.Я.
5
Ломасов В.Н.
5
Гельмонт Б.Л.
4
Алфёров Ж.И.
4
Хируненко Л.И.
4
Скипетров Е.П.
4
Немов С.А.
4
Казанский А.Г.
4
Капустин Ю.А.
4
Кернер Б.С.
4
Осипов В.В.
4
Пека Г.П.
4
Райчев О.Э.
4
Левинштейн М.Е.
4
Румянцев С.Л.
4
Чалдышев В.В.
4
Шмарцев Ю.В.
4
4
Конников С.Г.
4
Сеничкин А.П.
4
Георгицэ Е.И.
4
Берман Л.С.
4
Ткаченко В.Н.
4
Новиков С.В.
4
Крещук А.М.
4
Зебрев Г.И.
3
Яшник В.И.
3
Савельев И.Г.
3
Васько Ф.Т.
3
Герасименко Н.Н.
3
Хасиева Р.В.
3
Ковалюк З.Д.
3
Стельмах В.Ф.
3
Дьяконова Н.В.
3
Устинов В.М.
3
Клячкин Л.Е.
3
Суханов В.Л.
3
Рыжий В.И.
3
Толстихин В.И.
3
Житинская М.К.
3
Журавлев К.С.
3
Якушева Н.А.
3
Васильев В.А.
3
Пипа В.И.
3
Лашкарев Г.В.
3
Колокольников Б.М.
3
Андреев В.М.
3
Львова Т.В.
3
Шпинар Л.И.
3
Ясковец И.И.
3
Болгов С.С.
3
Савченко А.П.
3
Руссу Е.В.
3
Курова И.А.
3
Владимиров В.В.
3
Коллюх А.Г.
3
Беляев А.Е.
3
Медведев Б.К.
3
Архипов В.И.
3
Иванюкович В.А.
3
Карась В.И.
3
Ладыгин Е.А.
3
Дмитриев А.Г.
3
Ильичев Э.А.
3
Быковский В.А.
3
Царенков Б.В.
3
Гершензон Е.М.
3
Погорлецкий В.М.
3
Смирнов В.А.
3
Алешкин В.Я.
3
Гореленок А.Т.
3
Шмидт Н.М.
3
Витовский Н.А.
3
Крючков С.В.
3
Воробьева В.В.
3
Луценко М.Э.
2
Булах Б.М.
2
Кулиш Н.Р.
2
Лисица М.П.
2
Малыш Н.И.
2
Шапошников С.В.
2
Барышев Н.С.
2
Ибрагимова М.И.
2
Гольдман Е.И.
2
Ждан А.Г.
2
Афанасьева Н.П.
2
Цидильковский И.М.
2
Волков А.С.
2
Козловский С.И.
2
Абдукадыров А.Г.
2
Ивченко Е.Л.
2
Ашкинадзе Б.М.
2
Бельков В.В.
2
Красинская А.Г.
2
Богобоящий В.В.
2
Олейник С.П.
2
Матына Л.И.
2
Варламов И.В.
2
Липшиц Т.Л.
2
Инкин В.Н.
2
Крылов Д.Г.
2
Берковиц В.Л.
2
Мякенькая Г.С.
2
Дахно А.Н.
2
Джуртанов Б.Е.
2
Лагунова Т.С.
2
Сиповская М.А.
2
Добровольский В.Н.
2
Фистуль В.И.
2
Сыродоев Г.А.
2
Кюрегян А.С.
2
Яблоновский Е.И.
2
Голикова О.А.
2
Емцев В.В.
2
Клингер П.М.
2
Гафийчук В.В.
2
Дацко Б.И.
2
Жиляев Ю.В.
2
Криволапчук В.В.
2
Машкевич О.Л.
2
Шейнкман М.К.
2
Стрельчук А.М.
2
Прошин В.И.
2
Лазоренко В.И.
2
Аветисян С.К.
2
Минасян Г.Р.
2
Захаренков Л.Ф.
2
Комиренко С.М.
2
Половцев И.С.
2
Штельмах К.Ф.
2
Терлецкий И.А.
2
Романов В.В.
2
Пихтин А.Н.
2
Сурис Р.А.
2
Лютович К.Л.
2
Юнович А.Э.
2
Глинчук К.Д.
2
Свешников А.А.
2
Гуревич Ю.Г.
2
Смоляр А.Н.
2
Хвостиков В.П.
2
Боднарук О.А.
2
Горбатюк И.Н.
2
Раренко И.М.
2
Решина И.И.
2
Кикоин К.А.
2
Гольдберг Ю.А.
2
Мезрин О.А.
2
Трошков С.И.
2
Лубышев Д.И.
2
Мигаль В.П.
2
Семягин Б.Р.
2
Акопян А.А.
2
Львин В.Э.
2
Гольдфарб М.В.
2
Цэндин К.Д.
2
Викулин И.М.
2
Корольков В.И.
2
Брунков П.Н.
2
Соболев М.М.
2
Звягин И.П.
2
Мелешко Н.В.
2
Каплан Б.И.
2
Шевченко Н.В.
2
Зуев В.В.
2
Радауцан С.И.
2
Соболев Н.А.
2
Цыпленков И.Н.
2
Никитенко В.Р.
2
Дашевский З.М.
2
Руленко М.П.
2
Велиюлин Э.И.
2
Шикина Н.И.
2
Шикин В.Б.
2
Поссе Е.А.
2
Заячук Д.М.
2
Константинов О.В.
2
Литвак-Горская Л.Б.
2
Шастин В.Н.
2
Вейс А.Н.
2
Мастеров В.Ф.
2
Мокина И.А.
2
Рудь Ю.В.
2
Шубников М.Л.
2
Гицу Д.В.
2
Вывенко О.Ф.
2
Бирюлин Ю.Ф.
2

Учредители

Издатель

© 2026 Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук
Powered by webapplicationthemes.com - High quality HTML Theme