Вышедшие номера
Home » Физика и техника полупроводников » Статистика
Общее количество статей:
11090
Распределение количества статей по годам:
517
490
469
411
345
329
302
266
295
311
285
292
278
262
263
259
256
277
251
260
244
294
288
284
279
295
305
301
303
316
330
309
287
248
203
135
117
98
36
Распределение количества просмотров по годам:
1407955
1304065
1253421
1121274
954321
917650
836836
748945
884681
1070910
1062741
997180
992242
986340
961427
997828
1017813
1049867
926660
980828
916159
1148055
1161270
1140042
1097300
1185329
1198771
1148766
1113838
1160760
1060587
938091
723989
561847
427333
218322
141168
59082
8848
Распределение количества авторов по годам:
1228
1240
1185
1078
885
882
744
715
727
800
756
791
761
773
802
802
826
907
876
892
763
962
1019
1010
968
1085
1151
1063
1156
1166
1310
1097
1124
952
833
548
556
467
218
Распределение количества организаций по годам:
143
55
131
107
117
125
151
174
159
167
148
175
163
181
187
187
227
154
216
211
211
237
252
286
241
275
269
295
249
323
260
170
109
93
85
42

Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов. Дата начала обработки информации по просмотрам - 27 января 2016 г.

За 1990 год:
Статья
Просмотров
Дефекты структуры в сильно легированном бором кремнии, облученном нейтронами
26
Памяти Анатолия Робертовича Регеля (1915-1989)
26
Исследование размерности странного аттрактора и амплитудного порога синхронизации хаотических автоколебаний фототока в n-Ge(Ni)
26
Структура кристаллов GaAs<Te>, модифицированных импульсным лазерным излучением
24
Фотолюминесценция аморфных пленок a-Si1-xCx : H
24
Фотоэлектрические характеристики многослойных p+-i-n+-структур GaAs-AlGaAs с квантовыми ямами
24
Электронные фазовые переходы полупроводник-полуметалл в магнитном поле у тонких монокристаллических нитей сплавов Bi-Sb
23
Пограничные состояния электронного типа в инверсных гетероструктурах
23
Фотоплеохроизм легированных кристаллов GaSe
23
Примесная фотопроводимость эпитаксиальных слоев GexSi1-x, легированных фосфором
22
Гетеропереход n-GaAs-ZnS в МДП приборах. II. Транзисторы с изолированным затвором
22
Структурная упорядоченность и оптические свойства аморфного кремния
21
Преимущественное положение примесей IV группы в арсениде галлия
21
Детектирование импульсного ионизирующего излучения с помощью варизонных структур
21
Влияние никеля на образование термодоноров в монокристаллах кремния
20
Поперечная фотопроводимость классических композиционных сверхрешеток
20
Пикосекундная фотопроводимость поликристаллических пленок PdTe на неоднородных и ориентирующих подложках
20
Устойчивые состояния и структурные превращения в аморфном гидрогенизированном кремнии
20
Крупномасштабные электрически активные примесные скопления в кристаллах кремния, выращенных методом Чохральского
20
Явления переноса и рекомбинация в твердых растворах MnxHg1-xTe (x~ 0.1)
20
Статья
Просмотров
Теплопроводность карбида кремния в области температур 300-3000 K
3833
Редкоземельные элементы в полупроводниках AIIIBV О б з о р
3361
Фотолюминесценция аморфных пленок a-Si1-xCx : H
3287
Кинетические явления в компенсированном n-InSb при низких температурах (О б з о р)
3208
Памяти Анатолия Робертовича Регеля (1915-1989)
3206
Влияние температуры облучения нейтронами на формирование дефектов структуры в кремнии, выращенном методом Чохральского
3122
Изменение поверхностного потенциала полупроводника при освещении
3116
Процессы рекомбинации носителей заряда в CdxHg1-xTe О б з о р
3074
Низкотемпературные фотолюминесценция и фотопроводимость в нелегированных аморфных полупроводниках
3070
Туннельный ток через контакт к двумерному электронному газу
3055
Биполяроны и преобразование солнечной энергии
3054
Скорость рекомбинации неравновесной электронно-дырочной плазмы в лазерных кристаллах CdS
3022
Оценка точности метода определения раздельной концентрации примесей из измерений постоянной Холла
3016
Неомическая прыжковая проводимость слабо компенсированных полупроводников
3002
Именной указатель
2998
Критика и библиография
2987
Поперечная фотопроводимость классических композиционных сверхрешеток
2986
Спонтанное образование и эволюция локальных областей ударной ионизации в идеально однородных p-n-структурах
2979
Циклотронный резонанс дырок германия с отрицательными массами при H-16pt||[001]
2978
Механизмы снижения эффективности излучательной рекомбинации сильно легированного эпитаксиального p-GeAs : Ge
2975
Фотостимулированная диффузия золота в кремнии при импульсной фотонной обработке
2970
Ионизация примесей бризерами в сверхрешетке
2965
Изучение комплексов бора и кислорода с литием в компенсированном кремнии
2963
(In, Ga, Al)As ДГС РО лазеры на длину волны 1.1 мкм с (In, Ga)As напряженной квантовой ямой, ограниченной короткопериодной сверхрешеткой
2943
Связь желтой электролюминесценции в 6H-SiC с глубокими центрами
2942
Дрейфовая неустойчивость, вызываемая перезарядкой центров на поверхности монополярного полупроводника
2942
Влияние условий электронного облучения на скорость образования A-центров в n-кремнии
2927
Проводимость полупроводниковой сверхрешетки в магнитном поле, перпендикулярном ее оси
2923
Вольт-амперные характеристики тонких пленок Pb1-xSnxTe<In> при различных уровнях фоновых засветок
2915
Температурные и частотные зависимости электропроводности алмазных пленок
2898
Устойчивые состояния и структурные превращения в аморфном гидрогенизированном кремнии
2896
Колебательные спектры кристаллов CdP2
2893
Фотоэмиссия горячих электронов из диодов Шоттки p-InGaAs-Ag
2893
Фотолюминесценция и фото-ЭПР высокочистого селенида цинка, облученного электронами
2888
Распределение заряда и формирование глубоких уровней в полупроводниках по данным самосогласованного метода функций Грина: дефекты в кремнии и германии
2887
К теории пограничных состояний в гетеропереходах
2883
Распределение атомов кремния по пороговой энергии смещения и его зависимость от температуры
2882
Обнаружение нового метастабильного уровня DX-центра в тонких легированных Si слоях AlxGa1-xAs
2878
Гальваномагнитные характеристики твердых растворов PbTe(Cr) при изменении температуры и под давлением
2878
Бесщелевые полумагнитные полупроводники HgFeSe О б з о р
2876
Влияние технологии приготовления пленок a-Si : H на излучательную рекомбинацию
2875
Фотолюминесценция квантовых слоев InxGa1-xAs, выращенных на плоскостях (100) и (111)A арсенида галлия
2866
Влияние температуры на столкновительное уширение уровней Ландау
2864
Метастабильные центры в низкоомных кристаллах CdTe : Cl n-типа
2863
Пограничные состояния электронного типа в инверсных гетероструктурах
2863
Пространственное распределение носителей заряда в условиях контактной эксклюзии
2856
Электрофизические свойства планарных n+-p-переходов, созданных легированием арсенида индия ионами серы
2855
Энергетическая щель и эффективная масса в твердых растворах FexHg1-xSe
2852
Электрофизические свойства и фотолюминесценция кремния, легированного алюминием методом фотоядерных реакций
2849
Эффект немонотонной зависимости шума 1/f от интенсивности подсветки в Si и модель объемного шума 1/f в полупроводниках
2847
Автор
Организация
Статей
Малютенко В.К.
9
Ломако В.М.
9
Копьев П.С.
7
Иванов-Омский В.И.
7
Леденцов Н.Н.
6
Грибников З.С.
6
Шаховцов В.И.
6
Иванов С.В.
5
Мельцер Б.Я.
5
Баранов А.Н.
5
Яковлев Ю.П.
5
Кадушкин В.И.
5
Кольченко Т.И.
5
Шик А.Я.
5
Ломасов В.Н.
5
Гельмонт Б.Л.
4
Алфёров Ж.И.
4
Хируненко Л.И.
4
Скипетров Е.П.
4
Немов С.А.
4
Казанский А.Г.
4
Капустин Ю.А.
4
Кернер Б.С.
4
Осипов В.В.
4
Пека Г.П.
4
Райчев О.Э.
4
Левинштейн М.Е.
4
Румянцев С.Л.
4
Чалдышев В.В.
4
Шмарцев Ю.В.
4
4
Конников С.Г.
4
Сеничкин А.П.
4
Георгицэ Е.И.
4
Берман Л.С.
4
Ткаченко В.Н.
4
Новиков С.В.
4
Крещук А.М.
4
Зебрев Г.И.
3
Яшник В.И.
3
Савельев И.Г.
3
Васько Ф.Т.
3
Герасименко Н.Н.
3
Хасиева Р.В.
3
Ковалюк З.Д.
3
Стельмах В.Ф.
3
Дьяконова Н.В.
3
Устинов В.М.
3
Клячкин Л.Е.
3
Суханов В.Л.
3
Рыжий В.И.
3
Толстихин В.И.
3
Житинская М.К.
3
Журавлев К.С.
3
Якушева Н.А.
3
Васильев В.А.
3
Пипа В.И.
3
Лашкарев Г.В.
3
Колокольников Б.М.
3
Андреев В.М.
3
Львова Т.В.
3
Шпинар Л.И.
3
Ясковец И.И.
3
Болгов С.С.
3
Савченко А.П.
3
Руссу Е.В.
3
Курова И.А.
3
Владимиров В.В.
3
Коллюх А.Г.
3
Беляев А.Е.
3
Медведев Б.К.
3
Архипов В.И.
3
Иванюкович В.А.
3
Карась В.И.
3
Ладыгин Е.А.
3
Дмитриев А.Г.
3
Ильичев Э.А.
3
Быковский В.А.
3
Царенков Б.В.
3
Гершензон Е.М.
3
Погорлецкий В.М.
3
Смирнов В.А.
3
Алешкин В.Я.
3
Гореленок А.Т.
3
Шмидт Н.М.
3
Витовский Н.А.
3
Крючков С.В.
3
Воробьева В.В.
3
Луценко М.Э.
2
Булах Б.М.
2
Кулиш Н.Р.
2
Лисица М.П.
2
Малыш Н.И.
2
Шапошников С.В.
2
Барышев Н.С.
2
Ибрагимова М.И.
2
Гольдман Е.И.
2
Ждан А.Г.
2
Афанасьева Н.П.
2
Цидильковский И.М.
2
Волков А.С.
2
Козловский С.И.
2
Абдукадыров А.Г.
2
Ивченко Е.Л.
2
Ашкинадзе Б.М.
2
Бельков В.В.
2
Красинская А.Г.
2
Богобоящий В.В.
2
Олейник С.П.
2
Матына Л.И.
2
Варламов И.В.
2
Липшиц Т.Л.
2
Инкин В.Н.
2
Крылов Д.Г.
2
Берковиц В.Л.
2
Мякенькая Г.С.
2
Дахно А.Н.
2
Джуртанов Б.Е.
2
Лагунова Т.С.
2
Сиповская М.А.
2
Добровольский В.Н.
2
Фистуль В.И.
2
Сыродоев Г.А.
2
Кюрегян А.С.
2
Яблоновский Е.И.
2
Голикова О.А.
2
Клингер П.М.
2
Гафийчук В.В.
2
Дацко Б.И.
2
Жиляев Ю.В.
2
Криволапчук В.В.
2
Машкевич О.Л.
2
Шейнкман М.К.
2
Стрельчук А.М.
2
Прошин В.И.
2
Лазоренко В.И.
2
Аветисян С.К.
2
Минасян Г.Р.
2
Захаренков Л.Ф.
2
Комиренко С.М.
2
Мусатов А.Л.
2
Половцев И.С.
2
Штельмах К.Ф.
2
Терлецкий И.А.
2
Романов В.В.
2
Пихтин А.Н.
2
Сурис Р.А.
2
Юнович А.Э.
2
Глинчук К.Д.
2
Свешников А.А.
2
Гуревич Ю.Г.
2
Смоляр А.Н.
2
Хвостиков В.П.
2
Боднарук О.А.
2
Горбатюк И.Н.
2
Раренко И.М.
2
Решина И.И.
2
Кикоин К.А.
2
Гольдберг Ю.А.
2
Мезрин О.А.
2
Трошков С.И.
2
Лубышев Д.И.
2
Мигаль В.П.
2
Семягин Б.Р.
2
Акопян А.А.
2
Львин В.Э.
2
Гольдфарб М.В.
2
Цэндин К.Д.
2
Викулин И.М.
2
Корольков В.И.
2
Брунков П.Н.
2
Соболев М.М.
2
Кисин М.В.
2
Звягин И.П.
2
Мелешко Н.В.
2
Каплан Б.И.
2
Шевченко Н.В.
2
Зуев В.В.
2
Радауцан С.И.
2
Соболев Н.А.
2
Цыпленков И.Н.
2
Никитенко В.Р.
2
Дашевский З.М.
2
Руленко М.П.
2
Велиюлин Э.И.
2
Шикина Н.И.
2
Шикин В.Б.
2
Поссе Е.А.
2
Заячук Д.М.
2
Константинов О.В.
2
Литвак-Горская Л.Б.
2
Шастин В.Н.
2
Вейс А.Н.
2
Мастеров В.Ф.
2
Мокина И.А.
2
Рудь Ю.В.
2
Шубников М.Л.
2
Гицу Д.В.
2
Вывенко О.Ф.
2
Бирюлин Ю.Ф.
2

Учредители

Издатель

© 2026 Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук
Powered by webapplicationthemes.com - High quality HTML Theme