Вышедшие номера
Home » Физика и техника полупроводников » Статистика
Общее количество статей:
11082
Распределение количества статей по годам:
517
490
469
411
345
329
302
266
295
311
285
292
278
262
263
259
256
277
251
260
244
294
288
284
279
295
305
301
303
316
330
309
287
248
203
135
117
98
28
Распределение количества просмотров по годам:
1404431
1301049
1250655
1118505
952088
915847
834920
747129
882708
1068480
1060230
994770
989796
983981
958962
995623
1015527
1047506
923689
978679
914235
1145763
1158790
1137914
1095027
1182857
1196260
1146366
1111222
1157487
1057716
935449
722046
559526
424987
216897
140062
58133
8324
Распределение количества авторов по годам:
1228
1240
1185
1078
885
882
744
715
727
800
756
791
761
773
802
802
826
907
876
892
763
962
1019
1010
968
1085
1151
1063
1156
1166
1310
1097
1124
952
833
548
556
467
178
Распределение количества организаций по годам:
143
55
131
107
117
125
151
174
159
167
148
175
163
181
187
187
227
154
216
211
211
237
252
286
241
275
269
295
249
323
260
170
109
93
85
36

Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов. Дата начала обработки информации по просмотрам - 27 января 2016 г.

За 1990 год:
Статья
Просмотров
Фотоэлектрические характеристики многослойных p+-i-n+-структур GaAs-AlGaAs с квантовыми ямами
26
Памяти Анатолия Робертовича Регеля (1915-1989)
25
Пограничные состояния электронного типа в инверсных гетероструктурах
24
Влияние меди на спектры излучения кристаллов ZnSe
24
Исследование размерности странного аттрактора и амплитудного порога синхронизации хаотических автоколебаний фототока в n-Ge(Ni)
24
Детектирование импульсного ионизирующего излучения с помощью варизонных структур
23
Влияние температуры облучения нейтронами на формирование дефектов структуры в кремнии, выращенном методом Чохральского
23
Фотолюминесценция аморфных пленок a-Si1-xCx : H
22
Влияние Yb на остаточные донорные и акцепторные примеси в GaP
22
Колебательные спектры кристаллов CdP2
22
Влияние анизотропного травления на глубокие уровни в приповерхностной области арсенида галлия
21
Редкоземельные элементы в полупроводниках AIIIBV О б з о р
21
Магнитная восприимчивость примесей хрома в арсениде галлия
21
Фотоплеохроизм легированных кристаллов GaSe
21
Проводимость полупроводниковой сверхрешетки в магнитном поле, перпендикулярном ее оси
21
Структурная упорядоченность и оптические свойства аморфного кремния
21
Особенности спектров ИК поглощения термодоноров в кристаллах Si : Ge
20
Примесные состояния таллия в Pb1-xGexTe
20
Характер взаимодействия имплантированного в кремний гелия с атомами решетки
20
Теплопроводность карбида кремния в области температур 300-3000 K
19
Статья
Просмотров
Теплопроводность карбида кремния в области температур 300-3000 K
3825
Редкоземельные элементы в полупроводниках AIIIBV О б з о р
3355
Фотолюминесценция аморфных пленок a-Si1-xCx : H
3275
Кинетические явления в компенсированном n-InSb при низких температурах (О б з о р)
3203
Памяти Анатолия Робертовича Регеля (1915-1989)
3195
Влияние температуры облучения нейтронами на формирование дефектов структуры в кремнии, выращенном методом Чохральского
3118
Изменение поверхностного потенциала полупроводника при освещении
3107
Процессы рекомбинации носителей заряда в CdxHg1-xTe О б з о р
3069
Низкотемпературные фотолюминесценция и фотопроводимость в нелегированных аморфных полупроводниках
3067
Биполяроны и преобразование солнечной энергии
3052
Туннельный ток через контакт к двумерному электронному газу
3051
Скорость рекомбинации неравновесной электронно-дырочной плазмы в лазерных кристаллах CdS
3018
Оценка точности метода определения раздельной концентрации примесей из измерений постоянной Холла
3008
Неомическая прыжковая проводимость слабо компенсированных полупроводников
2996
Именной указатель
2994
Критика и библиография
2981
Поперечная фотопроводимость классических композиционных сверхрешеток
2977
Циклотронный резонанс дырок германия с отрицательными массами при H-16pt||[001]
2970
Спонтанное образование и эволюция локальных областей ударной ионизации в идеально однородных p-n-структурах
2969
Механизмы снижения эффективности излучательной рекомбинации сильно легированного эпитаксиального p-GeAs : Ge
2969
Фотостимулированная диффузия золота в кремнии при импульсной фотонной обработке
2967
Ионизация примесей бризерами в сверхрешетке
2960
Изучение комплексов бора и кислорода с литием в компенсированном кремнии
2959
(In, Ga, Al)As ДГС РО лазеры на длину волны 1.1 мкм с (In, Ga)As напряженной квантовой ямой, ограниченной короткопериодной сверхрешеткой
2939
Связь желтой электролюминесценции в 6H-SiC с глубокими центрами
2936
Дрейфовая неустойчивость, вызываемая перезарядкой центров на поверхности монополярного полупроводника
2934
Влияние условий электронного облучения на скорость образования A-центров в n-кремнии
2923
Проводимость полупроводниковой сверхрешетки в магнитном поле, перпендикулярном ее оси
2916
Вольт-амперные характеристики тонких пленок Pb1-xSnxTe<In> при различных уровнях фоновых засветок
2908
Температурные и частотные зависимости электропроводности алмазных пленок
2896
Устойчивые состояния и структурные превращения в аморфном гидрогенизированном кремнии
2887
Колебательные спектры кристаллов CdP2
2886
Фотоэмиссия горячих электронов из диодов Шоттки p-InGaAs-Ag
2885
Распределение заряда и формирование глубоких уровней в полупроводниках по данным самосогласованного метода функций Грина: дефекты в кремнии и германии
2882
Фотолюминесценция и фото-ЭПР высокочистого селенида цинка, облученного электронами
2878
К теории пограничных состояний в гетеропереходах
2876
Распределение атомов кремния по пороговой энергии смещения и его зависимость от температуры
2875
Гальваномагнитные характеристики твердых растворов PbTe(Cr) при изменении температуры и под давлением
2875
Обнаружение нового метастабильного уровня DX-центра в тонких легированных Si слоях AlxGa1-xAs
2873
Влияние технологии приготовления пленок a-Si : H на излучательную рекомбинацию
2872
Бесщелевые полумагнитные полупроводники HgFeSe О б з о р
2870
Фотолюминесценция квантовых слоев InxGa1-xAs, выращенных на плоскостях (100) и (111)A арсенида галлия
2861
Влияние температуры на столкновительное уширение уровней Ландау
2860
Метастабильные центры в низкоомных кристаллах CdTe : Cl n-типа
2856
Электрофизические свойства планарных n+-p-переходов, созданных легированием арсенида индия ионами серы
2851
Пограничные состояния электронного типа в инверсных гетероструктурах
2849
Пространственное распределение носителей заряда в условиях контактной эксклюзии
2848
Энергетическая щель и эффективная масса в твердых растворах FexHg1-xSe
2847
Влияние Yb на остаточные донорные и акцепторные примеси в GaP
2843
Электрофизические свойства и фотолюминесценция кремния, легированного алюминием методом фотоядерных реакций
2842
Автор
Организация
Статей
Малютенко В.К.
9
Ломако В.М.
9
Копьев П.С.
7
Иванов-Омский В.И.
7
Леденцов Н.Н.
6
Грибников З.С.
6
Шаховцов В.И.
6
Иванов С.В.
5
Мельцер Б.Я.
5
Баранов А.Н.
5
Яковлев Ю.П.
5
Кадушкин В.И.
5
Кольченко Т.И.
5
Шик А.Я.
5
Ломасов В.Н.
5
Гельмонт Б.Л.
4
Алфёров Ж.И.
4
Хируненко Л.И.
4
Скипетров Е.П.
4
Немов С.А.
4
Казанский А.Г.
4
Капустин Ю.А.
4
Кернер Б.С.
4
Осипов В.В.
4
Пека Г.П.
4
Райчев О.Э.
4
Левинштейн М.Е.
4
Румянцев С.Л.
4
Чалдышев В.В.
4
Шмарцев Ю.В.
4
4
Конников С.Г.
4
Сеничкин А.П.
4
Георгицэ Е.И.
4
Берман Л.С.
4
Ткаченко В.Н.
4
Новиков С.В.
4
Крещук А.М.
4
Зебрев Г.И.
3
Яшник В.И.
3
Савельев И.Г.
3
Васько Ф.Т.
3
Герасименко Н.Н.
3
Хасиева Р.В.
3
Ковалюк З.Д.
3
Стельмах В.Ф.
3
Дьяконова Н.В.
3
Устинов В.М.
3
Клячкин Л.Е.
3
Суханов В.Л.
3
Рыжий В.И.
3
Толстихин В.И.
3
Житинская М.К.
3
Журавлев К.С.
3
Якушева Н.А.
3
Васильев В.А.
3
Пипа В.И.
3
Лашкарев Г.В.
3
Колокольников Б.М.
3
Андреев В.М.
3
Львова Т.В.
3
Шпинар Л.И.
3
Ясковец И.И.
3
Болгов С.С.
3
Савченко А.П.
3
Руссу Е.В.
3
Курова И.А.
3
Владимиров В.В.
3
Коллюх А.Г.
3
Беляев А.Е.
3
Медведев Б.К.
3
Архипов В.И.
3
Иванюкович В.А.
3
Карась В.И.
3
Ладыгин Е.А.
3
Дмитриев А.Г.
3
Ильичев Э.А.
3
Быковский В.А.
3
Царенков Б.В.
3
Гершензон Е.М.
3
Погорлецкий В.М.
3
Смирнов В.А.
3
Алешкин В.Я.
3
Гореленок А.Т.
3
Шмидт Н.М.
3
Витовский Н.А.
3
Крючков С.В.
3
Воробьева В.В.
3
Любченко А.В.
2
Булах Б.М.
2
Кулиш Н.Р.
2
Лисица М.П.
2
Малыш Н.И.
2
Шапошников С.В.
2
Барышев Н.С.
2
Ибрагимова М.И.
2
Гольдман Е.И.
2
Ждан А.Г.
2
Марков А.В.
2
Освенский В.Б.
2
Цидильковский И.М.
2
Волков А.С.
2
Теруков Е.И.
2
Дехтяр Ю.Д.
2
Козловский С.И.
2
Таиров Ю.М.
2
Цветков В.Ф.
2
Абдукадыров А.Г.
2
Ивченко Е.Л.
2
Полыгалов Ю.И.
2
Поплавной А.С.
2
Варламов И.В.
2
Липшиц Т.Л.
2
Инкин В.Н.
2
Крылов Д.Г.
2
Погребицкий К.Ю.
2
Резников Б.И.
2
Царенков Г.В.
2
Фистуль В.И.
2
Покровский Я.Е.
2
Кюрегян А.С.
2
Голикова О.А.
2
Казанин М.М.
2
Емцев В.В.
2
Клингер П.М.
2
Гафийчук В.В.
2
Дацко Б.И.
2
Жиляев Ю.В.
2
Криволапчук В.В.
2
Машкевич О.Л.
2
Шейнкман М.К.
2
Мильвидский М.Г.
2
Лебедев А.А.
2
Стрельчук А.М.
2
Прошин В.И.
2
Аветисян С.К.
2
Минасян Г.Р.
2
Захаренков Л.Ф.
2
Баранский П.И.
2
Половцев И.С.
2
Долманов И.Н.
2
Штельмах К.Ф.
2
Терлецкий И.А.
2
Романов В.В.
2
Пихтин А.Н.
2
Лютович К.Л.
2
Юнович А.Э.
2
Глинчук К.Д.
2
Свешников А.А.
2
Болотов В.В.
2
Камаев Г.Н.
2
Гусейнов А.А.
2
Гуревич Ю.Г.
2
Лугаков П.Ф.
2
Смоляр А.Н.
2
Хвостиков В.П.
2
Боднарук О.А.
2
Горбатюк И.Н.
2
Раренко И.М.
2
Шиндич В.Л.
2
Решина И.И.
2
Гольдберг Ю.А.
2
Мигаль В.П.
2
Семягин Б.Р.
2
Акопян А.А.
2
Скрышевский В.А.
2
Львин В.Э.
2
Гольдфарб М.В.
2
Мороз С.Е.
2
Корольков В.И.
2
Табаров Т.С.
2
Брунков П.Н.
2
Соболев М.М.
2
Кисин М.В.
2
Звягин И.П.
2
Каплан Б.И.
2
Шевченко Н.В.
2
Утенко В.И.
2
Радауцан С.И.
2
Соболев Н.А.
2
Омельяновская Н.М.
2
Никитенко В.Р.
2
Велиюлин Э.И.
2
Шикина Н.И.
2
Шикин В.Б.
2
Поссе Е.А.
2
Константинов О.В.
2
Литвак-Горская Л.Б.
2
Шастин В.Н.
2
Мастеров В.Ф.
2
Аншон А.В.
2
Бабушкина Т.С.
2
Мокина И.А.
2
Рудь Ю.В.
2
Шубников М.Л.
2
Гицу Д.В.
2
Вывенко О.Ф.
2
Бирюлин Ю.Ф.
2
Миронов К.Е.
2
Мынбаев К.Д.
2

Учредители

Издатель

© 2026 Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук
Powered by webapplicationthemes.com - High quality HTML Theme