Вышедшие номера
Home » Физика и техника полупроводников » Статистика
Общее количество статей:
11064
Распределение количества статей по годам:
517
490
469
411
345
329
302
266
295
311
285
292
278
262
263
259
256
277
251
260
244
294
288
284
279
295
305
301
303
316
330
309
287
248
203
135
117
98
10
Распределение количества просмотров по годам:
1344418
1248291
1200887
1073056
917255
878113
801599
714456
847558
1029534
1022553
956568
950225
943519
922961
955934
977960
1012275
892688
941375
880825
1107020
1118429
1097898
1058385
1139026
1151472
1105694
1064337
1100725
1000047
882480
682196
522454
392672
196498
122844
44205
1859
Распределение количества авторов по годам:
1228
1240
1185
1078
885
882
744
715
727
800
756
791
761
773
802
802
826
907
876
892
763
962
1019
1010
968
1085
1151
1063
1156
1166
1310
1097
1124
952
833
548
556
467
62
Распределение количества организаций по годам:
143
55
131
107
117
125
151
174
159
167
148
175
163
181
187
187
227
154
216
211
211
237
252
286
241
275
269
295
249
323
260
170
109
93
85
15

Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов. Дата начала обработки информации по просмотрам - 27 января 2016 г.

За 1990 год:
Статья
Просмотров
Фотохимическая перестройка глубоких центров в кремнии, легированном селеном
30
Теплопроводность карбида кремния в области температур 300-3000 K
29
Фотопроводимость p-MnxHg1-xTe в магнитном поле
29
Теория локальной туннельной генерации носителей в p-n-переходах на основе узкозонных полупроводников
28
Влияние интенсивности облучения и энергии частиц на эффективность образования глубоких центров в n-InP
28
Винтовая неустойчивость в варизонных полупроводниках
27
Устойчивые состояния и структурные превращения в аморфном гидрогенизированном кремнии
27
Зависимость эффективной высоты потенциального барьера в М-ТД-П структурах при инфракрасной подсветке
27
Критика и библиография Новые книги по полупроводникам
27
Инжекционно-стимулированная трансформация спектров люминесценции зеленых GaP : N-светодиодов
26
Исправления к статье Спектральная память фотопроводимости высокоомного ZnSe" (ФТП. 1989. Т. 23. В 11. С. 2090--2093
26
Влияние деструктивного одноосного сжатия на шум 1/f в GaAs
25
Изменение концентрации атомов бора и фосфора в узлах решетки кремния при облучении электронами
25
К теории акустической инжекции в пьезополупроводниковых p-n-переходах
25
Фотоэлектрические свойства эпитаксиальных гетероструктур GaAs/InGaAs с квантовой ямой
25
Фотолюминесценция аморфных пленок a-Si1-xCx : H
25
Температурное гашение фотопроводимости в аморфном гидрированном кремнии, слабо легированном бором
25
Диффузия примеси в полупроводниках при импульсном лазерном отжиге
25
Квантово-размерный и деформационный эффекты в структурах на основе PbSe/Pb1-xEuxSe, выращенных методом молекулярно-лучевой эпитаксии
24
Простой метод определения плотности поверхностных состояний по температурным измерениям ВАХ МОП транзисторов
24
Статья
Просмотров
Теплопроводность карбида кремния в области температур 300-3000 K
3684
Редкоземельные элементы в полупроводниках AIIIBV О б з о р
3208
Фотолюминесценция аморфных пленок a-Si1-xCx : H
3080
Кинетические явления в компенсированном n-InSb при низких температурах (О б з о р)
3053
Памяти Анатолия Робертовича Регеля (1915-1989)
3036
Влияние температуры облучения нейтронами на формирование дефектов структуры в кремнии, выращенном методом Чохральского
2984
Изменение поверхностного потенциала полупроводника при освещении
2975
Биполяроны и преобразование солнечной энергии
2948
Низкотемпературные фотолюминесценция и фотопроводимость в нелегированных аморфных полупроводниках
2943
Процессы рекомбинации носителей заряда в CdxHg1-xTe О б з о р
2939
Туннельный ток через контакт к двумерному электронному газу
2931
Скорость рекомбинации неравновесной электронно-дырочной плазмы в лазерных кристаллах CdS
2895
Оценка точности метода определения раздельной концентрации примесей из измерений постоянной Холла
2892
Неомическая прыжковая проводимость слабо компенсированных полупроводников
2871
Именной указатель
2868
Спонтанное образование и эволюция локальных областей ударной ионизации в идеально однородных p-n-структурах
2854
Циклотронный резонанс дырок германия с отрицательными массами при H-16pt||[001]
2850
Фотостимулированная диффузия золота в кремнии при импульсной фотонной обработке
2847
Механизмы снижения эффективности излучательной рекомбинации сильно легированного эпитаксиального p-GeAs : Ge
2844
Ионизация примесей бризерами в сверхрешетке
2844
Критика и библиография
2837
Поперечная фотопроводимость классических композиционных сверхрешеток
2834
Дрейфовая неустойчивость, вызываемая перезарядкой центров на поверхности монополярного полупроводника
2819
Влияние условий электронного облучения на скорость образования A-центров в n-кремнии
2805
Изучение комплексов бора и кислорода с литием в компенсированном кремнии
2802
(In, Ga, Al)As ДГС РО лазеры на длину волны 1.1 мкм с (In, Ga)As напряженной квантовой ямой, ограниченной короткопериодной сверхрешеткой
2792
Проводимость полупроводниковой сверхрешетки в магнитном поле, перпендикулярном ее оси
2790
Колебательные спектры кристаллов CdP2
2777
Температурные и частотные зависимости электропроводности алмазных пленок
2777
Связь желтой электролюминесценции в 6H-SiC с глубокими центрами
2772
Вольт-амперные характеристики тонких пленок Pb1-xSnxTe<In> при различных уровнях фоновых засветок
2771
Влияние технологии приготовления пленок a-Si : H на излучательную рекомбинацию
2769
Обнаружение нового метастабильного уровня DX-центра в тонких легированных Si слоях AlxGa1-xAs
2766
К теории пограничных состояний в гетеропереходах
2764
Фотоэмиссия горячих электронов из диодов Шоттки p-InGaAs-Ag
2764
Фотолюминесценция и фото-ЭПР высокочистого селенида цинка, облученного электронами
2763
Распределение заряда и формирование глубоких уровней в полупроводниках по данным самосогласованного метода функций Грина: дефекты в кремнии и германии
2763
Влияние температуры на столкновительное уширение уровней Ландау
2762
Распределение атомов кремния по пороговой энергии смещения и его зависимость от температуры
2758
Фотолюминесценция квантовых слоев InxGa1-xAs, выращенных на плоскостях (100) и (111)A арсенида галлия
2749
Бесщелевые полумагнитные полупроводники HgFeSe О б з о р
2744
Фотопроводимость p-MnxHg1-xTe в магнитном поле
2741
Эффект немонотонной зависимости шума 1/f от интенсивности подсветки в Si и модель объемного шума 1/f в полупроводниках
2740
Влияние Yb на остаточные донорные и акцепторные примеси в GaP
2734
Пространственное распределение носителей заряда в условиях контактной эксклюзии
2734
Устойчивые состояния и структурные превращения в аморфном гидрогенизированном кремнии
2733
Пограничные состояния электронного типа в инверсных гетероструктурах
2726
Метастабильные центры в низкоомных кристаллах CdTe : Cl n-типа
2724
Радиационно-стимулированное образование термодоноров в зонном n-Si
2723
Эмиссионные характеристики полупроводниковых гетероструктур с барьером Шоттки InGaAs-InP-Ag
2717
Автор
Организация
Статей
Малютенко В.К.
9
Ломако В.М.
9
Копьев П.С.
7
Иванов-Омский В.И.
7
Леденцов Н.Н.
6
Грибников З.С.
6
Шаховцов В.И.
6
Иванов С.В.
5
Мельцер Б.Я.
5
Баранов А.Н.
5
Яковлев Ю.П.
5
Кадушкин В.И.
5
Кольченко Т.И.
5
Шик А.Я.
5
Ломасов В.Н.
5
Гельмонт Б.Л.
4
Алфёров Ж.И.
4
Хируненко Л.И.
4
Скипетров Е.П.
4
Немов С.А.
4
Казанский А.Г.
4
Капустин Ю.А.
4
Кернер Б.С.
4
Осипов В.В.
4
Пека Г.П.
4
Райчев О.Э.
4
Левинштейн М.Е.
4
Румянцев С.Л.
4
Чалдышев В.В.
4
Шмарцев Ю.В.
4
4
Конников С.Г.
4
Сеничкин А.П.
4
Георгицэ Е.И.
4
Берман Л.С.
4
Ткаченко В.Н.
4
Новиков С.В.
4
Крещук А.М.
4
Зебрев Г.И.
3
Яшник В.И.
3
Савельев И.Г.
3
Васько Ф.Т.
3
Герасименко Н.Н.
3
Хасиева Р.В.
3
Ковалюк З.Д.
3
Стельмах В.Ф.
3
Дьяконова Н.В.
3
Устинов В.М.
3
Клячкин Л.Е.
3
Суханов В.Л.
3
Рыжий В.И.
3
Толстихин В.И.
3
Житинская М.К.
3
Журавлев К.С.
3
Якушева Н.А.
3
Васильев В.А.
3
Пипа В.И.
3
Лашкарев Г.В.
3
Колокольников Б.М.
3
Андреев В.М.
3
Львова Т.В.
3
Шпинар Л.И.
3
Ясковец И.И.
3
Болгов С.С.
3
Савченко А.П.
3
Руссу Е.В.
3
Курова И.А.
3
Владимиров В.В.
3
Коллюх А.Г.
3
Беляев А.Е.
3
Медведев Б.К.
3
Архипов В.И.
3
Иванюкович В.А.
3
Карась В.И.
3
Ладыгин Е.А.
3
Дмитриев А.Г.
3
Ильичев Э.А.
3
Быковский В.А.
3
Царенков Б.В.
3
Гершензон Е.М.
3
Погорлецкий В.М.
3
Смирнов В.А.
3
Алешкин В.Я.
3
Гореленок А.Т.
3
Шмидт Н.М.
3
Витовский Н.А.
3
Крючков С.В.
3
Воробьева В.В.
3
Любченко А.В.
2
Луценко М.Э.
2
Булах Б.М.
2
Марков А.В.
2
Освенский В.Б.
2
Бордовский Г.А.
2
Афанасьева Н.П.
2
Волков А.С.
2
Теруков Е.И.
2
Дехтяр Ю.Д.
2
Сагалович Г.Л.
2
Козловский С.И.
2
Таиров Ю.М.
2
Цветков В.Ф.
2
Ивченко Е.Л.
2
Ашкинадзе Б.М.
2
Бельков В.В.
2
Полыгалов Ю.И.
2
Поплавной А.С.
2
Елизаров А.И.
2
Богобоящий В.В.
2
Олейник С.П.
2
Крылов Д.Г.
2
Погребицкий К.Ю.
2
Берковиц В.Л.
2
Мякенькая Г.С.
2
Гуцев Г.Л.
2
Дахно А.Н.
2
Джуртанов Б.Е.
2
Лагунова Т.С.
2
Сиповская М.А.
2
Резников Б.И.
2
Царенков Г.В.
2
Добровольский В.Н.
2
Покровский Я.Е.
2
Яблоновский Е.И.
2
Кальфа А.А.
2
Пашковский А.Б.
2
Голикова О.А.
2
Казанин М.М.
2
Емцев В.В.
2
Дацко Б.И.
2
Криволапчук В.В.
2
Машкевич О.Л.
2
Мильвидский М.Г.
2
Лебедев А.А.
2
Дощанов К.М.
2
Лазоренко В.И.
2
Жуковский П.В.
2
Баранский П.И.
2
Комиренко С.М.
2
Баграев Н.Т.
2
Маляренко А.М.
2
Половцев И.С.
2
Долманов И.Н.
2
Пихтин А.Н.
2
Сурис Р.А.
2
Юнович А.Э.
2
Свешников А.А.
2
Болотов В.В.
2
Камаев Г.Н.
2
Гусейнов А.А.
2
Лугаков П.Ф.
2
Смоляр А.Н.
2
Боднарук О.А.
2
Горбатюк И.Н.
2
Раренко И.М.
2
Шиндич В.Л.
2
Решина И.И.
2
Кикоин К.А.
2
Мезрин О.А.
2
Трошков С.И.
2
Клингер М.И.
2
Скрышевский В.А.
2
Стриха В.И.
2
Кульбачинский В.А.
2
Львин В.Э.
2
Викулин И.М.
2
Мороз С.Е.
2
Корольков В.И.
2
Табаров Т.С.
2
Брунков П.Н.
2
Соболев М.М.
2
Кисин М.В.
2
Шевченко Н.В.
2
Утенко В.И.
2
Мокеров В.Г.
2
Зуев В.В.
2
Радауцан С.И.
2
Соболев Н.А.
2
Фукс Б.И.
2
Омельяновская Н.М.
2
Никитенко В.Р.
2
Дашевский З.М.
2
Велиюлин Э.И.
2
Шикин В.Б.
2
Джаманбалин К.К.
2
Заячук Д.М.
2
Константинов О.В.
2
Вейс А.Н.
2
Аншон А.В.
2
Бабушкина Т.С.
2
Звонков Б.Н.
2
Малкина И.Г.
2
Мокина И.А.
2
Яссиевич И.Н.
2
Талипов Ф.М.
2
Гицу Д.В.
2
Вывенко О.Ф.
2
Бирюлин Ю.Ф.
2
Миронов К.Е.
2
Мынбаев К.Д.
2

Учредители

Издатель

© 2026 Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук
Powered by webapplicationthemes.com - High quality HTML Theme