Вышедшие номера
Home » Физика и техника полупроводников » Статистика
Общее количество статей:
10966
Распределение количества статей по годам:
517
490
469
411
345
329
302
266
295
311
285
292
278
262
263
259
256
277
251
260
244
294
288
284
279
295
305
301
303
316
330
309
287
248
203
135
117
10
Распределение количества просмотров по годам:
1031697
966377
929579
828056
713703
681636
625580
556341
666794
827594
820660
757675
758254
760562
737276
763580
788468
805726
705997
741670
695129
880843
893133
861976
833475
891894
904052
861632
832749
833220
741402
632237
462716
326358
218060
86538
29684
Распределение количества авторов по годам:
1228
1240
1185
1078
885
882
744
715
727
800
756
791
761
773
802
802
826
907
876
892
763
962
1019
1010
968
1085
1151
1063
1156
1166
1310
1097
1124
952
833
548
556
68
Распределение количества организаций по годам:
143
55
131
107
117
125
151
174
159
167
148
175
163
181
187
187
227
154
216
211
211
237
252
286
241
275
269
295
249
323
260
170
109
93
18

Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов. Дата начала обработки информации по просмотрам - 27 января 2016 г.

За 1990 год:
Статья
Просмотров
Полевая релаксационная спектроскопия локализованных электронных состояний в системах полупроводник-диэлектрик
28
Низкотемпературные фотолюминесценция и фотопроводимость в нелегированных аморфных полупроводниках
28
Теплопроводность карбида кремния в области температур 300-3000 K
25
Акустические бризеры в ограниченных полупроводниках
24
Электрофизические свойства планарных n+-p-переходов, созданных легированием арсенида индия ионами серы
23
Влияние отклонения состава от стехиометрии на электрофизические свойства ядерно легированного арсенида галлия
23
Глубокие центры в монокристаллах GaAs, выращенных методом Чохральского с добавлением кислорода
22
Диффузия заряженных примесей в полупроводниках. Учет корреляционных эффектов и расчет изоконцентрационных коэффициентов диффузии
22
Эффективная подвижность при рассеянии на шероховатостях границы раздела в инверсионном слое
22
Изгиб зон в арсениде галлия при формировании омического контакта (омические исследования)
21
Особенности токопереноса в ПДП структурах со сквозными проводящими каналами в диэлектрике
21
Влияние примесей на высокочастотную проводимость сверхрешетки
21
Функция распределения (ФР) электронов в субмикронных слоях в греющих электрических полях
20
Влияние интенсивности облучения и энергии частиц на эффективность образования глубоких центров в n-InP
20
Вольт-амперные характеристики тонких пленок Pb1-xSnxTe<In> при различных уровнях фоновых засветок
20
Проявление дискретных уровней при релаксационной спектроскопии локализованных электронных состояний с непрерывным спектром
20
Аннотации депонированных статей
20
Возбуждение и эволюция микроплазм --- пичковых автосолитонов в кремниевых p-i-n-структурах
19
Зонная структура, оптические свойства и распределение заряда валентных электронов в CdSiAs2
19
Температурная зависимость шума 1/f в p-InSb
19
Статья
Просмотров
Теплопроводность карбида кремния в области температур 300-3000 K
2696
Редкоземельные элементы в полупроводниках AIIIBV О б з о р
2499
Памяти Анатолия Робертовича Регеля (1915-1989)
2405
Кинетические явления в компенсированном n-InSb при низких температурах (О б з о р)
2394
Влияние температуры облучения нейтронами на формирование дефектов структуры в кремнии, выращенном методом Чохральского
2357
Фотолюминесценция аморфных пленок a-Si1-xCx : H
2356
Биполяроны и преобразование солнечной энергии
2296
Именной указатель
2291
Колебательные спектры кристаллов CdP2
2272
Туннельный ток через контакт к двумерному электронному газу
2269
Изменение поверхностного потенциала полупроводника при освещении
2264
Процессы рекомбинации носителей заряда в CdxHg1-xTe О б з о р
2240
Ионизация примесей бризерами в сверхрешетке
2236
Оценка точности метода определения раздельной концентрации примесей из измерений постоянной Холла
2235
Критика и библиография
2232
Обнаружение нового метастабильного уровня DX-центра в тонких легированных Si слоях AlxGa1-xAs
2229
Спонтанное образование и эволюция локальных областей ударной ионизации в идеально однородных p-n-структурах
2223
Низкотемпературные фотолюминесценция и фотопроводимость в нелегированных аморфных полупроводниках
2223
Скорость рекомбинации неравновесной электронно-дырочной плазмы в лазерных кристаллах CdS
2223
Поперечная фотопроводимость классических композиционных сверхрешеток
2212
Влияние технологии приготовления пленок a-Si : H на излучательную рекомбинацию
2200
К теории пограничных состояний в гетеропереходах
2197
Температурные и частотные зависимости электропроводности алмазных пленок
2196
Изучение комплексов бора и кислорода с литием в компенсированном кремнии
2192
Неомическая прыжковая проводимость слабо компенсированных полупроводников
2184
Проводимость полупроводниковой сверхрешетки в магнитном поле, перпендикулярном ее оси
2180
Фотомагнитный эффект в системе n-AlxGa1-xAs/GaAs с 2D-электронами
2179
Фотопроводимость p-MnxHg1-xTe в магнитном поле
2173
Фотоэмиссия горячих электронов из диодов Шоттки p-InGaAs-Ag
2166
Распределение атомов кремния по пороговой энергии смещения и его зависимость от температуры
2166
Влияние Yb на остаточные донорные и акцепторные примеси в GaP
2162
Фотолюминесценция квантовых слоев InxGa1-xAs, выращенных на плоскостях (100) и (111)A арсенида галлия
2159
Крупномасштабные электрически активные примесные скопления в кристаллах кремния, выращенных методом Чохральского
2153
Особенности поведения изовалентной примеси --- индия при легировании арсенида галлия в процессе газофазовой эпитаксии из металлоорганических соединений
2152
(In, Ga, Al)As ДГС РО лазеры на длину волны 1.1 мкм с (In, Ga)As напряженной квантовой ямой, ограниченной короткопериодной сверхрешеткой
2149
Фотолюминесценция и фото-ЭПР высокочистого селенида цинка, облученного электронами
2143
О природе K-центра в кремнии
2141
Влияние состава Ga1-xBix жидкой фазы на образование комплексов в эпитаксиальном GaAs, сильно легированном германием
2141
Дрейфовая неустойчивость, вызываемая перезарядкой центров на поверхности монополярного полупроводника
2138
Пограничные состояния электронного типа в инверсных гетероструктурах
2133
Пространственное распределение носителей заряда в условиях контактной эксклюзии
2131
Кластерные образования в эпитаксиальных слоях твердых растворов p-GaInSbAs, выращенных на подложках n-GaSb : Te
2131
Влияние условий электронного облучения на скорость образования A-центров в n-кремнии
2123
Вольт-амперные характеристики тонких пленок Pb1-xSnxTe<In> при различных уровнях фоновых засветок
2120
Особенности возбуждения плазмонов в ионно-имплантированном полупроводнике
2119
Микроплазмы в идеально однородных p-i-n-структурах
2118
Влияние силовых полей на образование радиационных дефектов в кремнии при электронном облучении структур SiO2-Si
2117
Электронные свойства пленок моно- и субселенидов индия
2111
Связь желтой электролюминесценции в 6H-SiC с глубокими центрами
2111
Пространственный перенос электронов в полевых транзисторах на гетероструктурах с селективным легированием
2107

Учредители

Издатель

© 2025 Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук
Powered by webapplicationthemes.com - High quality HTML Theme