"Физика и техника полупроводников"
Вышедшие номера
Home » Физика и техника полупроводников » Издателям » Статистика
Общее количество статей:
10210
Распределение статей по годам:
517
490
469
411
345
329
302
266
295
311
285
292
278
262
263
259
256
277
251
260
244
294
288
284
279
295
305
301
303
316
330
309
244

Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов. Дата начала обработки информации по просмотрам - 27 января 2016 г.

За 1990 год:
Статья
Просмотров
Распределение атомов кремния по пороговой энергии смещения и его зависимость от температуры
14
Микроплазмы в идеально однородных p-i-n-структурах
14
Предметный указатель
13
Исследование механизмов формирования 1/f-шума в p-n-переходах
13
Спектр отрицательной люминесценции в InSb
13
Электрофизические свойства поверхности непрерывных твердых растворов (MnHg)Te
13
Процессы рекомбинации носителей заряда в CdxHg1-xTe О б з о р
13
Нелинейное поглощение инфракрасного излучения в n-Ge при низких температурах
13
Исследование коэффициента поглощения в PbTe, имплантированном цинком
12
Именной указатель
12
Проявление донорного характера примеси в монокристаллах PbTe : Tl под действием ИК лазерного излучения
12
О степени ионизации собственных дефектов в кристаллах CdxHg1-xTe в широком интервале температур
12
Формирование структур с блокированной прыжковой проводимостью гидрогенизацией кремния, легированного галлием
12
Исследование кинетики фотопроводимости в коротких фоторезисторах на основе InP : Fe
12
Теплопроводность карбида кремния в области температур 300-3000 K
12
Возбуждение и эволюция микроплазм --- пичковых автосолитонов в кремниевых p-i-n-структурах
12
Влияние нейтронного облучения на спектры электролюминесценции прямозонного GaAsP, легированного цинком
12
Особенности примесной проводимости в неупорядоченных полупроводниках, имеющих собственные дефекты с отрицательной корреляционной энергией и электрически активные примесные атомы
12
Влияние эффектов легирования на экситоны, связанные с нейтральными донорами, в 6H-SiC
12
Критика и библиография Новые книги по полупроводникам
12
Статья
Просмотров
Кинетические явления в компенсированном n-InSb при низких температурах (О б з о р)
1072
Биполяроны и преобразование солнечной энергии
1044
Влияние температуры облучения нейтронами на формирование дефектов структуры в кремнии, выращенном методом Чохральского
1043
Туннельный ток через контакт к двумерному электронному газу
1024
Особенности поведения изовалентной примеси --- индия при легировании арсенида галлия в процессе газофазовой эпитаксии из металлоорганических соединений
1017
Обнаружение нового метастабильного уровня DX-центра в тонких легированных Si слоях AlxGa1-xAs
994
Колебательные спектры кристаллов CdP2
982
Фотолюминесценция аморфных пленок a-Si1-xCx : H
980
Ионизация примесей бризерами в сверхрешетке
979
Распределение атомов кремния по пороговой энергии смещения и его зависимость от температуры
976
Поперечная фотопроводимость классических композиционных сверхрешеток
973
Влияние состава Ga1-xBix жидкой фазы на образование комплексов в эпитаксиальном GaAs, сильно легированном германием
964
Оценка точности метода определения раздельной концентрации примесей из измерений постоянной Холла
963
Фотомагнитный эффект в системе n-AlxGa1-xAs/GaAs с 2D-электронами
957
Критика и библиография
956
Связь желтой электролюминесценции в 6H-SiC с глубокими центрами
955
Температурные и частотные зависимости электропроводности алмазных пленок
953
Фотопроводимость p-MnxHg1-xTe в магнитном поле
949
Теплопроводность карбида кремния в области температур 300-3000 K
946
Кластерные образования в эпитаксиальных слоях твердых растворов p-GaInSbAs, выращенных на подложках n-GaSb : Te
941
О природе K-центра в кремнии
941
Именной указатель
935
Пространственное распределение носителей заряда в условиях контактной эксклюзии
934
Скорость рекомбинации неравновесной электронно-дырочной плазмы в лазерных кристаллах CdS
933
Двумерные ганновские домены в слоистых структурах
932
Анизотропия кинетических эффектов в гетероструктурах с 2D-электронами на сильно разориентированных подложках
926
Фотоэлектрические характеристики многослойных p+-i-n+-структур GaAs-AlGaAs с квантовыми ямами
924
Влияние магнитного поля на электропроводность полупроводников в условиях резонансного рассеяния носителей тока
923
К теории пограничных состояний в гетеропереходах
922
Рекомбинация носителей через акцепторные уровни собственных дефектов в кристаллах n-CdxHg1-xTe, подвергнутых ультразвуковой обработке
922
Электронная структура примеси на дислокации
922
Удельные сдвиги носителей заряда и фотопроводимость аморфного гидрированного кремния
918
Вольт-амперные характеристики тонких пленок Pb1-xSnxTe<In> при различных уровнях фоновых засветок
918
Пространственный перенос электронов в полевых транзисторах на гетероструктурах с селективным легированием
917
Спектральные характеристики длинных фотодиодов с нелинейным профилем ширины запрещенной зоны
916
Спонтанное образование и эволюция локальных областей ударной ионизации в идеально однородных p-n-структурах
916
Пограничные состояния электронного типа в инверсных гетероструктурах
913
Генерация и отжиг дефектов при совмещенном геттерировании в кремнии n-типа. II. Точечные дефекты, индуцированные геттерирующими микродефектами
913
Неомическая прыжковая проводимость слабо компенсированных полупроводников
912
Влияние Yb на остаточные донорные и акцепторные примеси в GaP
911
Дрейфовая неустойчивость, вызываемая перезарядкой центров на поверхности монополярного полупроводника
911
Изоэлектронные примеси замещения Sc и Ti в CdTe
911
Изменение поверхностного потенциала полупроводника при освещении
910
Фотоэмиссия горячих электронов из диодов Шоттки p-InGaAs-Ag
908
Образование позитронно-чувствительных дефектов в процессе термообработки кремния в хлорсодержащей атмосфере
907
Устойчивые состояния и структурные превращения в аморфном гидрогенизированном кремнии
904
Фотолюминесценция и фото-ЭПР высокочистого селенида цинка, облученного электронами
901
Внутреннее перераспределение электрического поля и оптическая нелинейность в P-i-N-гетероструктурах при электропоглощении света
901
Проявление" скоплений атомов электрически не активных примесей в n-кремнии при gamma-облучении
900
Редкоземельные элементы в полупроводниках AIIIBV О б з о р
900

Учредители

Издатель

© 2020 Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук
Powered by webapplicationthemes.com - High quality HTML Theme