Вышедшие номера
Home » Физика и техника полупроводников » Статистика
Общее количество статей:
11013
Распределение количества статей по годам:
517
490
469
411
345
329
302
266
295
311
285
292
278
262
263
259
256
277
251
260
244
294
288
284
279
295
305
301
303
316
330
309
287
248
203
135
117
57
Распределение количества просмотров по годам:
1149891
1075300
1037077
922616
794123
759316
696525
619257
739577
904559
894193
831093
830722
829024
808350
842074
863707
887314
782079
823808
772847
975650
987768
955864
927602
993597
1004459
956952
925312
938332
848150
734007
553657
408443
288263
132507
69868
8495
Распределение количества авторов по годам:
1228
1240
1185
1078
885
882
744
715
727
800
756
791
761
773
802
802
826
907
876
892
763
962
1019
1010
968
1085
1151
1063
1156
1166
1310
1097
1124
952
833
548
556
292
Распределение количества организаций по годам:
143
55
131
107
117
125
151
174
159
167
148
175
163
181
187
187
227
154
216
211
211
237
252
286
241
275
269
295
249
323
260
170
109
93
61

Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов. Дата начала обработки информации по просмотрам - 27 января 2016 г.

За 1990 год:
Статья
Просмотров
Температурные и частотные зависимости электропроводности алмазных пленок
47
Механизм АФН эффекта в поликристаллических полупроводниках
46
Электронные фазовые переходы полупроводник-полуметалл в магнитном поле у тонких монокристаллических нитей сплавов Bi-Sb
45
Примесная фотопроводимость эпитаксиальных слоев GexSi1-x, легированных фосфором
44
Циклотронный резонанс дырок германия с отрицательными массами при H-16pt||[001]
43
Электрофизические свойства и фотолюминесценция кремния, легированного алюминием методом фотоядерных реакций
43
Теплопроводность карбида кремния в области температур 300-3000 K
42
О понижении порога неустойчивости однородного лавинного пробоя кремниевых p+-n-переходов
41
Фотолюминесценция аморфных пленок a-Si1-xCx : H
40
Фотомагнитный эффект в кристаллах изолирующего арсенида галлия при лазерном возбуждении
40
Перенос электронов через нерезкий Gamma X-гетеропереход
39
Низкотемпературные фотолюминесценция и фотопроводимость в нелегированных аморфных полупроводниках
39
Электронное взаимодействие доноров с дислокацией
39
Кинетические явления в компенсированном n-InSb при низких температурах (О б з о р)
38
Влияние центров MnGa в GaAs на эффект Фарадея вблизи края основной полосы поглощения
38
Оптические переходы в GaAs, легированном кислородом и хромом
38
Гетеропереход n-GaAs-ZnS в МДП приборах. I. Электрофизические свойства гетероперехода
37
Особенности излучательной рекомбинации полупроводниковых твердых растворов на основе (GaSb)x(HgTe)1-x, (AlSb)x(HgTe)1-x
37
Влияние нейтронного облучения на спектры электролюминесценции прямозонного GaAsP, легированного цинком
37
Дрейфовая неустойчивость, вызываемая перезарядкой центров на поверхности монополярного полупроводника
37
Статья
Просмотров
Теплопроводность карбида кремния в области температур 300-3000 K
3145
Редкоземельные элементы в полупроводниках AIIIBV О б з о р
2805
Памяти Анатолия Робертовича Регеля (1915-1989)
2656
Кинетические явления в компенсированном n-InSb при низких температурах (О б з о р)
2631
Фотолюминесценция аморфных пленок a-Si1-xCx : H
2613
Влияние температуры облучения нейтронами на формирование дефектов структуры в кремнии, выращенном методом Чохральского
2579
Биполяроны и преобразование солнечной энергии
2545
Изменение поверхностного потенциала полупроводника при освещении
2523
Именной указатель
2514
Низкотемпературные фотолюминесценция и фотопроводимость в нелегированных аморфных полупроводниках
2512
Туннельный ток через контакт к двумерному электронному газу
2487
Процессы рекомбинации носителей заряда в CdxHg1-xTe О б з о р
2483
Колебательные спектры кристаллов CdP2
2480
Критика и библиография
2480
Ионизация примесей бризерами в сверхрешетке
2473
Фотостимулированная диффузия золота в кремнии при импульсной фотонной обработке
2469
Поперечная фотопроводимость классических композиционных сверхрешеток
2469
Скорость рекомбинации неравновесной электронно-дырочной плазмы в лазерных кристаллах CdS
2467
Спонтанное образование и эволюция локальных областей ударной ионизации в идеально однородных p-n-структурах
2456
Оценка точности метода определения раздельной концентрации примесей из измерений постоянной Холла
2453
Обнаружение нового метастабильного уровня DX-центра в тонких легированных Si слоях AlxGa1-xAs
2434
Механизмы снижения эффективности излучательной рекомбинации сильно легированного эпитаксиального p-GeAs : Ge
2431
Изучение комплексов бора и кислорода с литием в компенсированном кремнии
2431
Влияние технологии приготовления пленок a-Si : H на излучательную рекомбинацию
2430
Неомическая прыжковая проводимость слабо компенсированных полупроводников
2430
Температурные и частотные зависимости электропроводности алмазных пленок
2428
К теории пограничных состояний в гетеропереходах
2414
Проводимость полупроводниковой сверхрешетки в магнитном поле, перпендикулярном ее оси
2413
Фотоэмиссия горячих электронов из диодов Шоттки p-InGaAs-Ag
2409
Влияние температуры на столкновительное уширение уровней Ландау
2409
Фотомагнитный эффект в системе n-AlxGa1-xAs/GaAs с 2D-электронами
2408
Фотопроводимость p-MnxHg1-xTe в магнитном поле
2404
Распределение атомов кремния по пороговой энергии смещения и его зависимость от температуры
2403
Распределение заряда и формирование глубоких уровней в полупроводниках по данным самосогласованного метода функций Грина: дефекты в кремнии и германии
2402
(In, Ga, Al)As ДГС РО лазеры на длину волны 1.1 мкм с (In, Ga)As напряженной квантовой ямой, ограниченной короткопериодной сверхрешеткой
2398
Циклотронный резонанс дырок германия с отрицательными массами при H-16pt||[001]
2392
Влияние условий электронного облучения на скорость образования A-центров в n-кремнии
2387
Крупномасштабные электрически активные примесные скопления в кристаллах кремния, выращенных методом Чохральского
2384
Влияние Yb на остаточные донорные и акцепторные примеси в GaP
2382
Фотолюминесценция и фото-ЭПР высокочистого селенида цинка, облученного электронами
2378
Влияние силовых полей на образование радиационных дефектов в кремнии при электронном облучении структур SiO2-Si
2376
Особенности поведения изовалентной примеси --- индия при легировании арсенида галлия в процессе газофазовой эпитаксии из металлоорганических соединений
2374
Фотолюминесценция квантовых слоев InxGa1-xAs, выращенных на плоскостях (100) и (111)A арсенида галлия
2372
Дрейфовая неустойчивость, вызываемая перезарядкой центров на поверхности монополярного полупроводника
2372
Низкотемпературное облучение арсенида галлия
2368
Оптические характеристики PbSe. Переходы в высшие зоны
2364
Пограничные состояния электронного типа в инверсных гетероструктурах
2363
Вольт-амперные характеристики тонких пленок Pb1-xSnxTe<In> при различных уровнях фоновых засветок
2359
Пространственное распределение носителей заряда в условиях контактной эксклюзии
2357
О применимости метода температурной зависимости емкости и активной проводимости для определения параметров глубоких центров в перекомпенсированном полупроводнике
2355
Автор
Организация
Статей
Малютенко В.К.
9
Ломако В.М.
9
Копьев П.С.
7
Иванов-Омский В.И.
7
Леденцов Н.Н.
6
Грибников З.С.
6
Шаховцов В.И.
6
Иванов С.В.
5
Мельцер Б.Я.
5
Баранов А.Н.
5
Яковлев Ю.П.
5
Кадушкин В.И.
5
Кольченко Т.И.
5
Шик А.Я.
5
Ломасов В.Н.
5
Гельмонт Б.Л.
4
Алфёров Ж.И.
4
Хируненко Л.И.
4
Скипетров Е.П.
4
Немов С.А.
4
Казанский А.Г.
4
Капустин Ю.А.
4
Кернер Б.С.
4
Осипов В.В.
4
Пека Г.П.
4
Райчев О.Э.
4
Левинштейн М.Е.
4
Румянцев С.Л.
4
Чалдышев В.В.
4
Шмарцев Ю.В.
4
4
Конников С.Г.
4
Сеничкин А.П.
4
Георгицэ Е.И.
4
Берман Л.С.
4
Ткаченко В.Н.
4
Новиков С.В.
4
Крещук А.М.
4
Зебрев Г.И.
3
Яшник В.И.
3
Савельев И.Г.
3
Васько Ф.Т.
3
Герасименко Н.Н.
3
Хасиева Р.В.
3
Ковалюк З.Д.
3
Стельмах В.Ф.
3
Дьяконова Н.В.
3
Устинов В.М.
3
Клячкин Л.Е.
3
Суханов В.Л.
3
Рыжий В.И.
3
Толстихин В.И.
3
Житинская М.К.
3
Журавлев К.С.
3
Якушева Н.А.
3
Васильев В.А.
3
Пипа В.И.
3
Лашкарев Г.В.
3
Колокольников Б.М.
3
Андреев В.М.
3
Львова Т.В.
3
Шпинар Л.И.
3
Ясковец И.И.
3
Болгов С.С.
3
Савченко А.П.
3
Руссу Е.В.
3
Курова И.А.
3
Владимиров В.В.
3
Коллюх А.Г.
3
Беляев А.Е.
3
Медведев Б.К.
3
Архипов В.И.
3
Иванюкович В.А.
3
Карась В.И.
3
Ладыгин Е.А.
3
Дмитриев А.Г.
3
Ильичев Э.А.
3
Быковский В.А.
3
Царенков Б.В.
3
Гершензон Е.М.
3
Погорлецкий В.М.
3
Смирнов В.А.
3
Алешкин В.Я.
3
Гореленок А.Т.
3
Шмидт Н.М.
3
Витовский Н.А.
3
Крючков С.В.
3
Воробьева В.В.
3
Любченко А.В.
2
Луценко М.Э.
2
Кулиш Н.Р.
2
Лисица М.П.
2
Шапошников С.В.
2
Барышев Н.С.
2
Ибрагимова М.И.
2
Гольдман Е.И.
2
Освенский В.Б.
2
Бордовский Г.А.
2
Афанасьева Н.П.
2
Цидильковский И.М.
2
Сагалович Г.Л.
2
Цветков В.Ф.
2
Абдукадыров А.Г.
2
Ашкинадзе Б.М.
2
Бельков В.В.
2
Красинская А.Г.
2
Елизаров А.И.
2
Богобоящий В.В.
2
Олейник С.П.
2
Матына Л.И.
2
Варламов И.В.
2
Липшиц Т.Л.
2
Инкин В.Н.
2
Берковиц В.Л.
2
Мякенькая Г.С.
2
Гуцев Г.Л.
2
Дахно А.Н.
2
Джуртанов Б.Е.
2
Лагунова Т.С.
2
Сиповская М.А.
2
Царенков Г.В.
2
Добровольский В.Н.
2
Фистуль В.И.
2
Сыродоев Г.А.
2
Кюрегян А.С.
2
Яблоновский Е.И.
2
Кальфа А.А.
2
Пашковский А.Б.
2
Гафийчук В.В.
2
Шейнкман М.К.
2
Стрельчук А.М.
2
Прошин В.И.
2
Дощанов К.М.
2
Лазоренко В.И.
2
Аветисян С.К.
2
Минасян Г.Р.
2
Жуковский П.В.
2
Захаренков Л.Ф.
2
Баранский П.И.
2
Комиренко С.М.
2
Мусатов А.Л.
2
Филиппов С.Л.
2
Баграев Н.Т.
2
Маляренко А.М.
2
Половцев И.С.
2
Долманов И.Н.
2
Терлецкий И.А.
2
Романов В.В.
2
Сурис Р.А.
2
Лагвилава Т.А.
2
Лютович К.Л.
2
Глинчук К.Д.
2
Камаев Г.Н.
2
Гусейнов А.А.
2
Гуревич Ю.Г.
2
Боднарук О.А.
2
Горбатюк И.Н.
2
Кикоин К.А.
2
Гольдберг Ю.А.
2
Мезрин О.А.
2
Трошков С.И.
2
Лубышев Д.И.
2
Мигаль В.П.
2
Семягин Б.Р.
2
Клингер М.И.
2
Акопян А.А.
2
Скрышевский В.А.
2
Стриха В.И.
2
Козуб В.И.
2
Кульбачинский В.А.
2
Гольдфарб М.В.
2
Молоцкий М.И.
2
Цэндин К.Д.
2
Викулин И.М.
2
Звягин И.П.
2
Мелешко Н.В.
2
Ормонт Н.Н.
2
Мокеров В.Г.
2
Зуев В.В.
2
Радауцан С.И.
2
Цыпленков И.Н.
2
Фукс Б.И.
2
Никитенко В.Р.
2
Дашевский З.М.
2
Руленко М.П.
2
Джаманбалин К.К.
2
Поссе Е.А.
2
Заячук Д.М.
2
Константинов О.В.
2
Литвак-Горская Л.Б.
2
Шастин В.Н.
2
Вейс А.Н.
2
Мастеров В.Ф.
2
Пиотровский Т.
2
Звонков Б.Н.
2
Малкина И.Г.
2
Дмитриев А.П.
2
Яссиевич И.Н.
2
Талипов Ф.М.
2
Шубников М.Л.
2

Учредители

Издатель

© 2025 Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук
Powered by webapplicationthemes.com - High quality HTML Theme