Вышедшие номера
Home » Физика и техника полупроводников » Статистика
Общее количество статей:
10768
Распределение количества статей по годам:
517
490
469
411
345
329
302
266
295
311
285
292
278
262
263
259
256
277
251
260
244
294
288
284
279
295
305
301
303
316
330
309
287
248
203
64
Распределение количества просмотров по годам:
777844
729652
701211
624618
538447
520494
476457
422703
511593
640804
635731
582152
582072
587610
569497
590558
614076
622997
542748
573765
538848
686035
697681
679700
652511
702533
711206
682638
654070
630455
532569
424506
280202
161617
69095
5201
Распределение количества авторов по годам:
1228
1240
1185
1078
885
882
744
715
727
800
756
791
761
773
802
802
826
907
876
892
763
962
1019
1010
968
1085
1151
1063
1156
1166
1310
1097
1124
952
833
293
Распределение количества организаций по годам:
143
55
131
107
117
125
152
174
159
167
148
175
163
181
187
187
227
154
216
211
211
237
252
286
241
275
269
295
249
323
260
170
70

Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов. Дата начала обработки информации по просмотрам - 27 января 2016 г.

За 1990 год:
Статья
Просмотров
Взаимодействие таллия с радиационными дефектами в кремнии
15
Изоэлектронные примеси замещения Sc и Ti в CdTe
14
Диффузия индия в эпитаксиальных слоях CdxHg1-xTe
14
Явления переноса в p-PbTe<Ag, Na>
14
Резонансная зона в сплаве Pb1-xSnxSe (x=0.07), облученном электронами
14
Теплопроводность карбида кремния в области температур 300-3000 K
14
Памяти Анатолия Робертовича Регеля (1915-1989)
13
Особенности возбуждения плазмонов в ионно-имплантированном полупроводнике
13
(Al, Ga)As ДГС РО лазеры на длины волн 0.8 мкм (175 А/см2) и 0.73 мкм (350 A/см2) с легированной квантовой ямой
13
Фотопроводимость и генерация фотоэдс в полупроводниковом бикристалле
13
Влияние магнитного поля на электропроводность полупроводников в условиях резонансного рассеяния носителей тока
13
Затухание бризера в сверхрешетке
13
Отжиг радиационных дефектов EM1 и E10 в GaAs
12
Влияние условий электронного облучения на скорость образования A-центров в n-кремнии
12
Параметры компенсирующих центров в n-Si сильно компенсированным облучением
12
Об определении энергии ионизации глубоких уровней из данных DLTS
12
Двумерный электронный газ в изотипном гетеропереходе
12
Микроволновый циклотронный резонанс в чистых кристаллах GaAs
12
Особенности поведения изовалентной примеси --- индия при легировании арсенида галлия в процессе газофазовой эпитаксии из металлоорганических соединений
12
Электронно-зондовые исследования деградации непрерывных инжекционных гетеролазеров
12
Статья
Просмотров
Редкоземельные элементы в полупроводниках AIIIBV О б з о р
1865
Биполяроны и преобразование солнечной энергии
1803
Влияние температуры облучения нейтронами на формирование дефектов структуры в кремнии, выращенном методом Чохральского
1798
Фотолюминесценция аморфных пленок a-Si1-xCx : H
1793
Туннельный ток через контакт к двумерному электронному газу
1787
Кинетические явления в компенсированном n-InSb при низких температурах (О б з о р)
1766
Теплопроводность карбида кремния в области температур 300-3000 K
1765
Памяти Анатолия Робертовича Регеля (1915-1989)
1743
Ионизация примесей бризерами в сверхрешетке
1742
Именной указатель
1735
Колебательные спектры кристаллов CdP2
1721
Особенности поведения изовалентной примеси --- индия при легировании арсенида галлия в процессе газофазовой эпитаксии из металлоорганических соединений
1704
Влияние технологии приготовления пленок a-Si : H на излучательную рекомбинацию
1701
Критика и библиография
1699
Распределение атомов кремния по пороговой энергии смещения и его зависимость от температуры
1696
Поперечная фотопроводимость классических композиционных сверхрешеток
1689
Фотомагнитный эффект в системе n-AlxGa1-xAs/GaAs с 2D-электронами
1681
Температурные и частотные зависимости электропроводности алмазных пленок
1681
Фотопроводимость p-MnxHg1-xTe в магнитном поле
1681
Скорость рекомбинации неравновесной электронно-дырочной плазмы в лазерных кристаллах CdS
1679
Влияние состава Ga1-xBix жидкой фазы на образование комплексов в эпитаксиальном GaAs, сильно легированном германием
1673
Обнаружение нового метастабильного уровня DX-центра в тонких легированных Si слоях AlxGa1-xAs
1670
Неомическая прыжковая проводимость слабо компенсированных полупроводников
1669
Изменение поверхностного потенциала полупроводника при освещении
1667
Оценка точности метода определения раздельной концентрации примесей из измерений постоянной Холла
1664
О природе K-центра в кремнии
1663
Спонтанное образование и эволюция локальных областей ударной ионизации в идеально однородных p-n-структурах
1657
Низкотемпературные фотолюминесценция и фотопроводимость в нелегированных аморфных полупроводниках
1655
Процессы рекомбинации носителей заряда в CdxHg1-xTe О б з о р
1651
Изучение комплексов бора и кислорода с литием в компенсированном кремнии
1649
Двумерные ганновские домены в слоистых структурах
1647
Дрейфовая неустойчивость, вызываемая перезарядкой центров на поверхности монополярного полупроводника
1647
Пограничные состояния электронного типа в инверсных гетероструктурах
1640
Фотолюминесценция квантовых слоев InxGa1-xAs, выращенных на плоскостях (100) и (111)A арсенида галлия
1637
Крупномасштабные электрически активные примесные скопления в кристаллах кремния, выращенных методом Чохральского
1635
Пространственный перенос электронов в полевых транзисторах на гетероструктурах с селективным легированием
1634
Особенности возбуждения плазмонов в ионно-имплантированном полупроводнике
1634
Устойчивые состояния и структурные превращения в аморфном гидрогенизированном кремнии
1628
Фотолюминесценция и фото-ЭПР высокочистого селенида цинка, облученного электронами
1626
К теории пограничных состояний в гетеропереходах
1624
Влияние Yb на остаточные донорные и акцепторные примеси в GaP
1623
Гальваномагнитные характеристики твердых растворов PbTe(Cr) при изменении температуры и под давлением
1621
Влияние условий электронного облучения на скорость образования A-центров в n-кремнии
1620
Влияние силовых полей на образование радиационных дефектов в кремнии при электронном облучении структур SiO2-Si
1619
Электронные свойства пленок моно- и субселенидов индия
1617
Пространственное распределение носителей заряда в условиях контактной эксклюзии
1616
Образование позитронно-чувствительных дефектов в процессе термообработки кремния в хлорсодержащей атмосфере
1613
Зависимость эффективной высоты потенциального барьера в М-ТД-П структурах при инфракрасной подсветке
1613
Рекомбинация носителей через акцепторные уровни собственных дефектов в кристаллах n-CdxHg1-xTe, подвергнутых ультразвуковой обработке
1611
Анизотропия кинетических эффектов в гетероструктурах с 2D-электронами на сильно разориентированных подложках
1610

Учредители

Издатель

© 2023 Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук
Powered by webapplicationthemes.com - High quality HTML Theme