Вышедшие номера
Home » Физика и техника полупроводников » Статистика
Общее количество статей:
11064
Распределение количества статей по годам:
517
490
469
411
345
329
302
266
295
311
285
292
278
262
263
259
256
277
251
260
244
294
288
284
279
295
305
301
303
316
330
309
287
248
203
135
117
98
10
Распределение количества просмотров по годам:
1319659
1224934
1178729
1054051
900692
863027
787677
701685
833219
1014376
1007825
941578
936110
929737
908692
941628
963956
995323
879189
926654
866963
1090256
1103086
1081167
1041883
1123223
1130467
1089421
1043251
1076954
979608
861800
664940
506732
379031
188762
116753
38472
Распределение количества авторов по годам:
1228
1240
1185
1078
885
882
744
715
727
800
756
791
761
773
802
802
826
907
876
892
763
962
1019
1010
968
1085
1151
1063
1156
1166
1310
1097
1124
952
833
548
556
467
62
Распределение количества организаций по годам:
143
55
131
107
117
125
151
174
159
167
148
175
163
181
187
187
227
154
216
211
211
237
252
286
241
275
269
295
249
323
260
170
109
93
87
15

Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов. Дата начала обработки информации по просмотрам - 27 января 2016 г.

За 1990 год:
Статья
Просмотров
Влияние деструктивного одноосного сжатия на шум 1/f в GaAs
31
Электронное взаимодействие доноров с дислокацией
31
Полевая релаксационная спектроскопия локализованных электронных состояний в системах полупроводник-диэлектрик
31
Особенности примесной проводимости в неупорядоченных полупроводниках, имеющих собственные дефекты с отрицательной корреляционной энергией и электрически активные примесные атомы
31
Насыщение фотопроводимости и особенности аннигиляции фотостимулированных дефектов в нелегированных пленках a-Si : H
31
О понижении порога неустойчивости однородного лавинного пробоя кремниевых p+-n-переходов
30
Устойчивые состояния и структурные превращения в аморфном гидрогенизированном кремнии
30
Горячие экситоны в области неоднородного электрического поля
30
Структура ИК поглощения кислорода в германии
29
Исследование кинетики фотопроводимости в коротких фоторезисторах на основе InP : Fe
29
Структура кристаллов GaAs<Te>, модифицированных импульсным лазерным излучением
29
Механизмы излучательной рекомбинации в селениде свинца вблизи комнатной температуры
29
Кластерные образования в эпитаксиальных слоях твердых растворов p-GaInSbAs, выращенных на подложках n-GaSb : Te
29
Зонная структура короткопериодичных (001)-сверхрешеток (AlAs)n(GaAs)n
29
О природе 0.8 эВ полосы фотолюминесценции в легированном теллуриде кадмия
29
Преимущественное положение примесей IV группы в арсениде галлия
29
ИК люминесценция в полуизолирующем и дырочном фосфиде галлия, обусловленная PGa
28
Вольт-амперные характеристики тонких пленок Pb1-xSnxTe<In> при различных уровнях фоновых засветок
28
Проявление эффектов межслоевого взаимодействия в спектрах электроотражения кристаллов (Bi2Te3)x(Bi2Se3)1-x
28
Исследование влияния химической обработки InP на скорость поверхностной рекомбинации методом комбинационного рассеяния света
28
Статья
Просмотров
Теплопроводность карбида кремния в области температур 300-3000 K
3619
Редкоземельные элементы в полупроводниках AIIIBV О б з о р
3158
Фотолюминесценция аморфных пленок a-Si1-xCx : H
3019
Кинетические явления в компенсированном n-InSb при низких температурах (О б з о р)
2993
Памяти Анатолия Робертовича Регеля (1915-1989)
2977
Влияние температуры облучения нейтронами на формирование дефектов структуры в кремнии, выращенном методом Чохральского
2935
Изменение поверхностного потенциала полупроводника при освещении
2922
Биполяроны и преобразование солнечной энергии
2895
Процессы рекомбинации носителей заряда в CdxHg1-xTe О б з о р
2895
Низкотемпературные фотолюминесценция и фотопроводимость в нелегированных аморфных полупроводниках
2893
Туннельный ток через контакт к двумерному электронному газу
2880
Скорость рекомбинации неравновесной электронно-дырочной плазмы в лазерных кристаллах CdS
2845
Оценка точности метода определения раздельной концентрации примесей из измерений постоянной Холла
2836
Неомическая прыжковая проводимость слабо компенсированных полупроводников
2829
Именной указатель
2823
Циклотронный резонанс дырок германия с отрицательными массами при H-16pt||[001]
2806
Спонтанное образование и эволюция локальных областей ударной ионизации в идеально однородных p-n-структурах
2806
Механизмы снижения эффективности излучательной рекомбинации сильно легированного эпитаксиального p-GeAs : Ge
2799
Фотостимулированная диффузия золота в кремнии при импульсной фотонной обработке
2796
Ионизация примесей бризерами в сверхрешетке
2794
Критика и библиография
2791
Поперечная фотопроводимость классических композиционных сверхрешеток
2778
Дрейфовая неустойчивость, вызываемая перезарядкой центров на поверхности монополярного полупроводника
2769
Влияние условий электронного облучения на скорость образования A-центров в n-кремнии
2762
(In, Ga, Al)As ДГС РО лазеры на длину волны 1.1 мкм с (In, Ga)As напряженной квантовой ямой, ограниченной короткопериодной сверхрешеткой
2749
Проводимость полупроводниковой сверхрешетки в магнитном поле, перпендикулярном ее оси
2743
Изучение комплексов бора и кислорода с литием в компенсированном кремнии
2735
Колебательные спектры кристаллов CdP2
2733
Температурные и частотные зависимости электропроводности алмазных пленок
2728
Связь желтой электролюминесценции в 6H-SiC с глубокими центрами
2724
Вольт-амперные характеристики тонких пленок Pb1-xSnxTe<In> при различных уровнях фоновых засветок
2724
Распределение заряда и формирование глубоких уровней в полупроводниках по данным самосогласованного метода функций Грина: дефекты в кремнии и германии
2720
Обнаружение нового метастабильного уровня DX-центра в тонких легированных Si слоях AlxGa1-xAs
2719
К теории пограничных состояний в гетеропереходах
2716
Влияние технологии приготовления пленок a-Si : H на излучательную рекомбинацию
2716
Фотоэмиссия горячих электронов из диодов Шоттки p-InGaAs-Ag
2715
Распределение атомов кремния по пороговой энергии смещения и его зависимость от температуры
2710
Влияние температуры на столкновительное уширение уровней Ландау
2709
Фотолюминесценция и фото-ЭПР высокочистого селенида цинка, облученного электронами
2707
Эффект немонотонной зависимости шума 1/f от интенсивности подсветки в Si и модель объемного шума 1/f в полупроводниках
2690
Пространственное распределение носителей заряда в условиях контактной эксклюзии
2688
Фотолюминесценция квантовых слоев InxGa1-xAs, выращенных на плоскостях (100) и (111)A арсенида галлия
2688
Бесщелевые полумагнитные полупроводники HgFeSe О б з о р
2687
Влияние Yb на остаточные донорные и акцепторные примеси в GaP
2687
Фотопроводимость p-MnxHg1-xTe в магнитном поле
2685
Пограничные состояния электронного типа в инверсных гетероструктурах
2682
Метастабильные центры в низкоомных кристаллах CdTe : Cl n-типа
2679
Крупномасштабные электрически активные примесные скопления в кристаллах кремния, выращенных методом Чохральского
2678
Фотомагнитный эффект в системе n-AlxGa1-xAs/GaAs с 2D-электронами
2677
Устойчивые состояния и структурные превращения в аморфном гидрогенизированном кремнии
2675
Автор
Организация
Статей
Малютенко В.К.
9
Ломако В.М.
9
Копьев П.С.
7
Иванов-Омский В.И.
7
Леденцов Н.Н.
6
Грибников З.С.
6
Шаховцов В.И.
6
Иванов С.В.
5
Мельцер Б.Я.
5
Баранов А.Н.
5
Яковлев Ю.П.
5
Кадушкин В.И.
5
Кольченко Т.И.
5
Шик А.Я.
5
Ломасов В.Н.
5
Гельмонт Б.Л.
4
Алфёров Ж.И.
4
Хируненко Л.И.
4
Скипетров Е.П.
4
Немов С.А.
4
Казанский А.Г.
4
Капустин Ю.А.
4
Кернер Б.С.
4
Осипов В.В.
4
Пека Г.П.
4
Райчев О.Э.
4
Левинштейн М.Е.
4
Румянцев С.Л.
4
Чалдышев В.В.
4
Шмарцев Ю.В.
4
4
Конников С.Г.
4
Сеничкин А.П.
4
Георгицэ Е.И.
4
Берман Л.С.
4
Ткаченко В.Н.
4
Новиков С.В.
4
Крещук А.М.
4
Зебрев Г.И.
3
Яшник В.И.
3
Савельев И.Г.
3
Васько Ф.Т.
3
Герасименко Н.Н.
3
Хасиева Р.В.
3
Ковалюк З.Д.
3
Стельмах В.Ф.
3
Дьяконова Н.В.
3
Устинов В.М.
3
Клячкин Л.Е.
3
Суханов В.Л.
3
Рыжий В.И.
3
Толстихин В.И.
3
Житинская М.К.
3
Журавлев К.С.
3
Якушева Н.А.
3
Васильев В.А.
3
Пипа В.И.
3
Лашкарев Г.В.
3
Колокольников Б.М.
3
Андреев В.М.
3
Львова Т.В.
3
Шпинар Л.И.
3
Ясковец И.И.
3
Болгов С.С.
3
Савченко А.П.
3
Руссу Е.В.
3
Курова И.А.
3
Владимиров В.В.
3
Коллюх А.Г.
3
Беляев А.Е.
3
Медведев Б.К.
3
Архипов В.И.
3
Иванюкович В.А.
3
Карась В.И.
3
Ладыгин Е.А.
3
Дмитриев А.Г.
3
Ильичев Э.А.
3
Быковский В.А.
3
Царенков Б.В.
3
Гершензон Е.М.
3
Погорлецкий В.М.
3
Смирнов В.А.
3
Алешкин В.Я.
3
Гореленок А.Т.
3
Шмидт Н.М.
3
Витовский Н.А.
3
Крючков С.В.
3
Воробьева В.В.
3
Любченко А.В.
2
Луценко М.Э.
2
Булах Б.М.
2
Марков А.В.
2
Освенский В.Б.
2
Бордовский Г.А.
2
Афанасьева Н.П.
2
Волков А.С.
2
Теруков Е.И.
2
Дехтяр Ю.Д.
2
Сагалович Г.Л.
2
Козловский С.И.
2
Таиров Ю.М.
2
Цветков В.Ф.
2
Ивченко Е.Л.
2
Ашкинадзе Б.М.
2
Полыгалов Ю.И.
2
Поплавной А.С.
2
Елизаров А.И.
2
Богобоящий В.В.
2
Крылов Д.Г.
2
Погребицкий К.Ю.
2
Мякенькая Г.С.
2
Гуцев Г.Л.
2
Дахно А.Н.
2
Джуртанов Б.Е.
2
Лагунова Т.С.
2
Резников Б.И.
2
Царенков Г.В.
2
Покровский Я.Е.
2
Яблоновский Е.И.
2
Кальфа А.А.
2
Пашковский А.Б.
2
Голикова О.А.
2
Казанин М.М.
2
Емцев В.В.
2
Дацко Б.И.
2
Криволапчук В.В.
2
Машкевич О.Л.
2
Мильвидский М.Г.
2
Лебедев А.А.
2
Дощанов К.М.
2
Лазоренко В.И.
2
Жуковский П.В.
2
Баранский П.И.
2
Комиренко С.М.
2
Мусатов А.Л.
2
Филиппов С.Л.
2
Баграев Н.Т.
2
Маляренко А.М.
2
Половцев И.С.
2
Долманов И.Н.
2
Терлецкий И.А.
2
Романов В.В.
2
Пихтин А.Н.
2
Сурис Р.А.
2
Лагвилава Т.А.
2
Лютович К.Л.
2
Юнович А.Э.
2
Глинчук К.Д.
2
Свешников А.А.
2
Болотов В.В.
2
Камаев Г.Н.
2
Гусейнов А.А.
2
Гуревич Ю.Г.
2
Лугаков П.Ф.
2
Боднарук О.А.
2
Горбатюк И.Н.
2
Шиндич В.Л.
2
Кикоин К.А.
2
Мезрин О.А.
2
Трошков С.И.
2
Клингер М.И.
2
Акопян А.А.
2
Скрышевский В.А.
2
Стриха В.И.
2
Козуб В.И.
2
Кульбачинский В.А.
2
Гольдфарб М.В.
2
Молоцкий М.И.
2
Мороз С.Е.
2
Корольков В.И.
2
Табаров Т.С.
2
Кисин М.В.
2
Звягин И.П.
2
Мелешко Н.В.
2
Ормонт Н.Н.
2
Утенко В.И.
2
Мокеров В.Г.
2
Зуев В.В.
2
Фукс Б.И.
2
Омельяновская Н.М.
2
Никитенко В.Р.
2
Велиюлин Э.И.
2
Шикин В.Б.
2
Джаманбалин К.К.
2
Заячук Д.М.
2
Константинов О.В.
2
Шастин В.Н.
2
Вейс А.Н.
2
Пиотровский Т.
2
Аншон А.В.
2
Бабушкина Т.С.
2
Звонков Б.Н.
2
Малкина И.Г.
2
Дмитриев А.П.
2
Яссиевич И.Н.
2
Талипов Ф.М.
2
Шубников М.Л.
2
Гицу Д.В.
2
Миронов К.Е.
2
Мынбаев К.Д.
2

Учредители

Издатель

© 2026 Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук
Powered by webapplicationthemes.com - High quality HTML Theme