Вышедшие номера
Home » Физика и техника полупроводников » Статистика
Общее количество статей:
11064
Распределение количества статей по годам:
517
490
469
411
345
329
302
266
295
311
285
292
278
262
263
259
256
277
251
260
244
294
288
284
279
295
305
301
303
316
330
309
287
248
203
135
117
98
10
Распределение количества просмотров по годам:
1357937
1259199
1212222
1083699
924484
887256
808877
723808
855829
1038784
1032175
967090
959332
958065
933684
967683
988565
1020066
899241
949586
889007
1115936
1127597
1106631
1066381
1151387
1161267
1115532
1075660
1115592
1016740
894165
690537
530040
399798
201482
126103
46829
2505
Распределение количества авторов по годам:
1228
1240
1185
1078
885
882
744
715
727
800
756
791
761
773
802
802
826
907
876
892
763
962
1019
1010
968
1085
1151
1063
1156
1166
1310
1097
1124
952
833
548
556
467
62
Распределение количества организаций по годам:
143
55
131
107
117
125
151
174
159
167
148
175
163
181
187
187
227
154
216
211
211
237
252
286
241
275
269
295
249
323
260
170
109
93
85
15

Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов. Дата начала обработки информации по просмотрам - 27 января 2016 г.

За 1990 год:
Статья
Просмотров
Фотолюминесценция аморфных пленок a-Si1-xCx : H
60
Электрофизические свойства планарных n+-p-переходов, созданных легированием арсенида индия ионами серы
50
Электрические и фотоэлектрические свойства твердых растворов p-GaInSbAs
48
Кинетические явления в компенсированном n-InSb при низких температурах (О б з о р)
44
Гальваномагнитные характеристики твердых растворов PbTe(Cr) при изменении температуры и под давлением
41
Поперечная фотопроводимость классических композиционных сверхрешеток
40
Определение электрофизических параметров полупроводников методом математического моделирования сигнала индуцированного тока
39
Четный магнитный фотоэффект в структурах с p-n-переходом цилиндрической формы
38
Кулоновское взаимодействие зарядов вблизи двумерных слоев
38
Магнитофононный резонанс и эффект поперечного пробоя в сплавах Hg1-xCdxTe под давлением
37
Связь желтой электролюминесценции в 6H-SiC с глубокими центрами
37
Зависимость эффективной высоты потенциального барьера в М-ТД-П структурах при инфракрасной подсветке
36
ИК люминесценция в полуизолирующем и дырочном фосфиде галлия, обусловленная PGa
36
Топологическая оценка вероятности образования собственных точечных дефектов в кристаллах AIIIBV со структурой сфалерита
35
(In, Ga, Al)As ДГС РО лазеры на длину волны 1.1 мкм с (In, Ga)As напряженной квантовой ямой, ограниченной короткопериодной сверхрешеткой
35
Влияние поперечного градиента концентрации носителей заряда на распределение холловского потенциала в полупроводнике
35
Взаимодействие таллия с радиационными дефектами в кремнии
35
Изменение концентрации атомов бора и фосфора в узлах решетки кремния при облучении электронами
34
Особенности энергетического спектра Pb1-xSnxTe<Tl, Na>
34
Оптические переходы в GaAs, легированном кислородом и хромом
34
Статья
Просмотров
Теплопроводность карбида кремния в области температур 300-3000 K
3711
Редкоземельные элементы в полупроводниках AIIIBV О б з о р
3251
Фотолюминесценция аморфных пленок a-Si1-xCx : H
3157
Кинетические явления в компенсированном n-InSb при низких температурах (О б з о р)
3101
Памяти Анатолия Робертовича Регеля (1915-1989)
3069
Изменение поверхностного потенциала полупроводника при освещении
3011
Влияние температуры облучения нейтронами на формирование дефектов структуры в кремнии, выращенном методом Чохральского
3000
Процессы рекомбинации носителей заряда в CdxHg1-xTe О б з о р
2976
Низкотемпературные фотолюминесценция и фотопроводимость в нелегированных аморфных полупроводниках
2970
Биполяроны и преобразование солнечной энергии
2961
Туннельный ток через контакт к двумерному электронному газу
2958
Оценка точности метода определения раздельной концентрации примесей из измерений постоянной Холла
2921
Скорость рекомбинации неравновесной электронно-дырочной плазмы в лазерных кристаллах CdS
2917
Именной указатель
2898
Неомическая прыжковая проводимость слабо компенсированных полупроводников
2896
Поперечная фотопроводимость классических композиционных сверхрешеток
2880
Механизмы снижения эффективности излучательной рекомбинации сильно легированного эпитаксиального p-GeAs : Ge
2879
Фотостимулированная диффузия золота в кремнии при импульсной фотонной обработке
2877
Спонтанное образование и эволюция локальных областей ударной ионизации в идеально однородных p-n-структурах
2874
Циклотронный резонанс дырок германия с отрицательными массами при H-16pt||[001]
2871
Ионизация примесей бризерами в сверхрешетке
2870
Критика и библиография
2861
Дрейфовая неустойчивость, вызываемая перезарядкой центров на поверхности монополярного полупроводника
2847
Изучение комплексов бора и кислорода с литием в компенсированном кремнии
2843
(In, Ga, Al)As ДГС РО лазеры на длину волны 1.1 мкм с (In, Ga)As напряженной квантовой ямой, ограниченной короткопериодной сверхрешеткой
2840
Влияние условий электронного облучения на скорость образования A-центров в n-кремнии
2824
Связь желтой электролюминесценции в 6H-SiC с глубокими центрами
2816
Температурные и частотные зависимости электропроводности алмазных пленок
2813
Проводимость полупроводниковой сверхрешетки в магнитном поле, перпендикулярном ее оси
2808
Влияние технологии приготовления пленок a-Si : H на излучательную рекомбинацию
2801
К теории пограничных состояний в гетеропереходах
2801
Вольт-амперные характеристики тонких пленок Pb1-xSnxTe<In> при различных уровнях фоновых засветок
2800
Фотолюминесценция и фото-ЭПР высокочистого селенида цинка, облученного электронами
2796
Колебательные спектры кристаллов CdP2
2794
Распределение заряда и формирование глубоких уровней в полупроводниках по данным самосогласованного метода функций Грина: дефекты в кремнии и германии
2791
Фотоэмиссия горячих электронов из диодов Шоттки p-InGaAs-Ag
2786
Распределение атомов кремния по пороговой энергии смещения и его зависимость от температуры
2779
Обнаружение нового метастабильного уровня DX-центра в тонких легированных Si слоях AlxGa1-xAs
2778
Бесщелевые полумагнитные полупроводники HgFeSe О б з о р
2774
Влияние температуры на столкновительное уширение уровней Ландау
2769
Фотолюминесценция квантовых слоев InxGa1-xAs, выращенных на плоскостях (100) и (111)A арсенида галлия
2767
Устойчивые состояния и структурные превращения в аморфном гидрогенизированном кремнии
2767
Фотопроводимость p-MnxHg1-xTe в магнитном поле
2765
Электрофизические свойства планарных n+-p-переходов, созданных легированием арсенида индия ионами серы
2761
Эффект немонотонной зависимости шума 1/f от интенсивности подсветки в Si и модель объемного шума 1/f в полупроводниках
2761
Гальваномагнитные характеристики твердых растворов PbTe(Cr) при изменении температуры и под давлением
2760
Метастабильные центры в низкоомных кристаллах CdTe : Cl n-типа
2758
Влияние Yb на остаточные донорные и акцепторные примеси в GaP
2754
Пространственное распределение носителей заряда в условиях контактной эксклюзии
2754
Радиационно-стимулированное образование термодоноров в зонном n-Si
2752
Автор
Организация
Статей
Малютенко В.К.
9
Ломако В.М.
9
Копьев П.С.
7
Иванов-Омский В.И.
7
Леденцов Н.Н.
6
Грибников З.С.
6
Шаховцов В.И.
6
Иванов С.В.
5
Мельцер Б.Я.
5
Баранов А.Н.
5
Яковлев Ю.П.
5
Кадушкин В.И.
5
Кольченко Т.И.
5
Шик А.Я.
5
Ломасов В.Н.
5
Гельмонт Б.Л.
4
Алфёров Ж.И.
4
Хируненко Л.И.
4
Скипетров Е.П.
4
Немов С.А.
4
Казанский А.Г.
4
Капустин Ю.А.
4
Кернер Б.С.
4
Осипов В.В.
4
Пека Г.П.
4
Райчев О.Э.
4
Левинштейн М.Е.
4
Румянцев С.Л.
4
Чалдышев В.В.
4
Шмарцев Ю.В.
4
4
Конников С.Г.
4
Сеничкин А.П.
4
Георгицэ Е.И.
4
Берман Л.С.
4
Ткаченко В.Н.
4
Новиков С.В.
4
Крещук А.М.
4
Зебрев Г.И.
3
Яшник В.И.
3
Савельев И.Г.
3
Васько Ф.Т.
3
Герасименко Н.Н.
3
Хасиева Р.В.
3
Ковалюк З.Д.
3
Стельмах В.Ф.
3
Дьяконова Н.В.
3
Устинов В.М.
3
Клячкин Л.Е.
3
Суханов В.Л.
3
Рыжий В.И.
3
Толстихин В.И.
3
Житинская М.К.
3
Журавлев К.С.
3
Якушева Н.А.
3
Васильев В.А.
3
Пипа В.И.
3
Лашкарев Г.В.
3
Колокольников Б.М.
3
Андреев В.М.
3
Львова Т.В.
3
Шпинар Л.И.
3
Ясковец И.И.
3
Болгов С.С.
3
Савченко А.П.
3
Руссу Е.В.
3
Курова И.А.
3
Владимиров В.В.
3
Коллюх А.Г.
3
Беляев А.Е.
3
Медведев Б.К.
3
Архипов В.И.
3
Иванюкович В.А.
3
Карась В.И.
3
Ладыгин Е.А.
3
Дмитриев А.Г.
3
Ильичев Э.А.
3
Быковский В.А.
3
Царенков Б.В.
3
Гершензон Е.М.
3
Погорлецкий В.М.
3
Смирнов В.А.
3
Алешкин В.Я.
3
Гореленок А.Т.
3
Шмидт Н.М.
3
Витовский Н.А.
3
Крючков С.В.
3
Воробьева В.В.
3
Булах Б.М.
2
Кулиш Н.Р.
2
Лисица М.П.
2
Малыш Н.И.
2
Шапошников С.В.
2
Барышев Н.С.
2
Ибрагимова М.И.
2
Гольдман Е.И.
2
Ждан А.Г.
2
Марков А.В.
2
Освенский В.Б.
2
Цидильковский И.М.
2
Волков А.С.
2
Теруков Е.И.
2
Дехтяр Ю.Д.
2
Козловский С.И.
2
Таиров Ю.М.
2
Цветков В.Ф.
2
Абдукадыров А.Г.
2
Ивченко Е.Л.
2
Полыгалов Ю.И.
2
Поплавной А.С.
2
Варламов И.В.
2
Липшиц Т.Л.
2
Инкин В.Н.
2
Крылов Д.Г.
2
Погребицкий К.Ю.
2
Резников Б.И.
2
Фистуль В.И.
2
Покровский Я.Е.
2
Кюрегян А.С.
2
Голикова О.А.
2
Казанин М.М.
2
Емцев В.В.
2
Клингер П.М.
2
Гафийчук В.В.
2
Дацко Б.И.
2
Жиляев Ю.В.
2
Криволапчук В.В.
2
Машкевич О.Л.
2
Шейнкман М.К.
2
Мильвидский М.Г.
2
Лебедев А.А.
2
Стрельчук А.М.
2
Прошин В.И.
2
Аветисян С.К.
2
Минасян Г.Р.
2
Жуковский П.В.
2
Захаренков Л.Ф.
2
Мусатов А.Л.
2
Филиппов С.Л.
2
Долманов И.Н.
2
Штельмах К.Ф.
2
Терлецкий И.А.
2
Романов В.В.
2
Пихтин А.Н.
2
Лагвилава Т.А.
2
Лютович К.Л.
2
Юнович А.Э.
2
Глинчук К.Д.
2
Свешников А.А.
2
Болотов В.В.
2
Камаев Г.Н.
2
Гусейнов А.А.
2
Гуревич Ю.Г.
2
Лугаков П.Ф.
2
Смоляр А.Н.
2
Хвостиков В.П.
2
Шиндич В.Л.
2
Решина И.И.
2
Гольдберг Ю.А.
2
Мигаль В.П.
2
Семягин Б.Р.
2
Клингер М.И.
2
Акопян А.А.
2
Козуб В.И.
2
Львин В.Э.
2
Гольдфарб М.В.
2
Молоцкий М.И.
2
Мороз С.Е.
2
Корольков В.И.
2
Табаров Т.С.
2
Соболев М.М.
2
Кисин М.В.
2
Звягин И.П.
2
Мелешко Н.В.
2
Ормонт Н.Н.
2
Каплан Б.И.
2
Утенко В.И.
2
Фукс Б.И.
2
Омельяновская Н.М.
2
Велиюлин Э.И.
2
Шикина Н.И.
2
Шикин В.Б.
2
Джаманбалин К.К.
2
Поссе Е.А.
2
Литвак-Горская Л.Б.
2
Шастин В.Н.
2
Мастеров В.Ф.
2
Пиотровский Т.
2
Аншон А.В.
2
Бабушкина Т.С.
2
Мокина И.А.
2
Рудь Ю.В.
2
Дмитриев А.П.
2
Талипов Ф.М.
2
Шубников М.Л.
2
Гицу Д.В.
2
Вывенко О.Ф.
2
Бирюлин Ю.Ф.
2
Миронов К.Е.
2
Мынбаев К.Д.
2

Учредители

Издатель

© 2026 Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук
Powered by webapplicationthemes.com - High quality HTML Theme