"Физика и техника полупроводников"
Вышедшие номера
Home » Физика и техника полупроводников » Издателям » Статистика
Общее количество статей:
10651
Распределение количества статей по годам:
517
490
469
411
345
329
302
266
295
311
285
292
278
262
263
259
256
277
251
260
244
294
288
284
279
295
305
301
303
316
330
309
287
248
150
Распределение количества просмотров по годам:
639706
601267
580885
518330
447267
429010
395869
351256
429652
541771
536385
490810
489896
497971
481287
497273
517214
527739
462245
491610
460516
589174
600515
591431
563978
610959
614699
592106
564019
528928
428177
322578
192858
100503
12271
Распределение количества авторов по годам:
1228
1240
1185
1078
885
882
744
715
727
800
756
791
761
773
802
802
826
907
876
892
763
962
1019
1010
968
1085
1151
1063
1156
1166
1310
1097
1124
953
685
Распределение количества организаций по годам:
143
55
131
107
117
125
153
175
159
167
148
175
163
182
187
188
227
155
217
211
213
239
253
286
242
277
270
295
249
323
261
155

Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов. Дата начала обработки информации по просмотрам - 27 января 2016 г.

За 1990 год:
Статья
Просмотров
Критика и библиография Новые книги по полупроводникам
33
Накопление дивакансий в кремнии при длительном облучении нейтронами
32
Крупномасштабные электрически активные примесные скопления в кристаллах кремния, выращенных методом Чохральского
29
Поляризованная люминесценция размерно-квантованных гетероструктур
27
Микроволновый циклотронный резонанс в чистых кристаллах GaAs
27
О состоянии европия в фосфиде индия
25
Температурная зависимость положения уровня Ферми в аморфном гидрированном кремнии n-типа
20
Влияние поперечного градиента концентрации носителей заряда на распределение холловского потенциала в полупроводнике
18
Влияние нейтронного облучения на спектры электролюминесценции прямозонного GaAsP, легированного цинком
17
Акустические бризеры в ограниченных полупроводниках
16
Дрейфовая неустойчивость, вызываемая перезарядкой центров на поверхности монополярного полупроводника
15
Редкоземельные элементы в полупроводниках AIIIBV О б з о р
15
Памяти Анатолия Робертовича Регеля (1915-1989)
14
Радиационно-стимулированное образование термодоноров в зонном n-Si
14
Аномальный эффект Холла в пленках антимонида индия, выращенных на подложках из окисленного кремния
13
О механизме воздействия изовалентной примеси In на свойства и ансамбль дефектов GaAs, выращиваемого методом молекулярно-лучевой эпитаксии
13
К теории термоэлектрических явлений в биполярных полупроводниках
13
Электронное взаимодействие доноров с дислокацией
13
Циклотронный и комбинированный резонансы в полумагнитных твердых растворах Hg1-x-yCdxMnyTe
13
Влияние условий электронного облучения на скорость образования A-центров в n-кремнии
13
Статья
Просмотров
Редкоземельные элементы в полупроводниках AIIIBV О б з о р
1545
Туннельный ток через контакт к двумерному электронному газу
1534
Кинетические явления в компенсированном n-InSb при низких температурах (О б з о р)
1508
Биполяроны и преобразование солнечной энергии
1506
Влияние температуры облучения нейтронами на формирование дефектов структуры в кремнии, выращенном методом Чохральского
1493
Фотолюминесценция аморфных пленок a-Si1-xCx : H
1493
Распределение атомов кремния по пороговой энергии смещения и его зависимость от температуры
1448
Особенности поведения изовалентной примеси --- индия при легировании арсенида галлия в процессе газофазовой эпитаксии из металлоорганических соединений
1445
Ионизация примесей бризерами в сверхрешетке
1445
Именной указатель
1440
Колебательные спектры кристаллов CdP2
1437
Обнаружение нового метастабильного уровня DX-центра в тонких легированных Si слоях AlxGa1-xAs
1436
Теплопроводность карбида кремния в области температур 300-3000 K
1424
Критика и библиография
1423
Влияние состава Ga1-xBix жидкой фазы на образование комплексов в эпитаксиальном GaAs, сильно легированном германием
1423
Фотомагнитный эффект в системе n-AlxGa1-xAs/GaAs с 2D-электронами
1412
Поперечная фотопроводимость классических композиционных сверхрешеток
1409
Неомическая прыжковая проводимость слабо компенсированных полупроводников
1406
Влияние технологии приготовления пленок a-Si : H на излучательную рекомбинацию
1404
Температурные и частотные зависимости электропроводности алмазных пленок
1402
Оценка точности метода определения раздельной концентрации примесей из измерений постоянной Холла
1399
Двумерные ганновские домены в слоистых структурах
1391
Фотопроводимость p-MnxHg1-xTe в магнитном поле
1391
Низкотемпературные фотолюминесценция и фотопроводимость в нелегированных аморфных полупроводниках
1386
О природе K-центра в кремнии
1386
Дрейфовая неустойчивость, вызываемая перезарядкой центров на поверхности монополярного полупроводника
1386
Фотолюминесценция квантовых слоев InxGa1-xAs, выращенных на плоскостях (100) и (111)A арсенида галлия
1385
Влияние Yb на остаточные донорные и акцепторные примеси в GaP
1384
Кластерные образования в эпитаксиальных слоях твердых растворов p-GaInSbAs, выращенных на подложках n-GaSb : Te
1379
К теории пограничных состояний в гетеропереходах
1374
Пограничные состояния электронного типа в инверсных гетероструктурах
1372
Памяти Анатолия Робертовича Регеля (1915-1989)
1372
Изучение комплексов бора и кислорода с литием в компенсированном кремнии
1370
Процессы рекомбинации носителей заряда в CdxHg1-xTe О б з о р
1368
Устойчивые состояния и структурные превращения в аморфном гидрогенизированном кремнии
1367
Крупномасштабные электрически активные примесные скопления в кристаллах кремния, выращенных методом Чохральского
1363
Рекомбинация носителей через акцепторные уровни собственных дефектов в кристаллах n-CdxHg1-xTe, подвергнутых ультразвуковой обработке
1363
Спонтанное образование и эволюция локальных областей ударной ионизации в идеально однородных p-n-структурах
1359
Связь желтой электролюминесценции в 6H-SiC с глубокими центрами
1359
Влияние силовых полей на образование радиационных дефектов в кремнии при электронном облучении структур SiO2-Si
1359
Генерация и отжиг дефектов при совмещенном геттерировании в кремнии n-типа. II. Точечные дефекты, индуцированные геттерирующими микродефектами
1357
Влияние меди на спектры излучения кристаллов ZnSe
1356
Пространственный перенос электронов в полевых транзисторах на гетероструктурах с селективным легированием
1356
Изменение поверхностного потенциала полупроводника при освещении
1356
Зависимость эффективной высоты потенциального барьера в М-ТД-П структурах при инфракрасной подсветке
1356
Влияние условий электронного облучения на скорость образования A-центров в n-кремнии
1355
Спектральные характеристики длинных фотодиодов с нелинейным профилем ширины запрещенной зоны
1355
Скорость рекомбинации неравновесной электронно-дырочной плазмы в лазерных кристаллах CdS
1353
Гальваномагнитные характеристики твердых растворов PbTe(Cr) при изменении температуры и под давлением
1352
Анизотропия кинетических эффектов в гетероструктурах с 2D-электронами на сильно разориентированных подложках
1352

Учредители

Издатель

© 2022 Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук
Powered by webapplicationthemes.com - High quality HTML Theme