"Физика и техника полупроводников"
Издателям
Вышедшие номера
Home » Физика и техника полупроводников » Издателям » Статистика
Общее количество статей:
9727
Распределение статей по годам:
517
490
469
411
345
329
302
266
295
311
285
292
278
262
263
259
256
277
251
260
244
294
288
284
279
295
305
301
303
316
330
70

Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов. Дата начала обработки информации по просмотрам - 27 января 2016 г.

За 1990 год:
Статья
Просмотров
К теории пограничных состояний в гетеропереходах
16
Рекомбинация носителей через акцепторные уровни собственных дефектов в кристаллах n-CdxHg1-xTe, подвергнутых ультразвуковой обработке
15
Пространственный перенос двумерных электронов в структуре металл-AlxGa1-xAs-GaAs с селективным легированием
15
Пространственное распределение носителей заряда в условиях контактной эксклюзии
15
О температурной зависимости эффективности образования радиационных дефектов в кремнии и германии
14
Влияние деформационных напряжений границы раздела Si-SiO2 на образование и отжиг радиационных дефектов в кремнии
14
Пьезомодуляционный эффект в структурах с квантовыми ямами
14
Характер взаимодействия имплантированного в кремний гелия с атомами решетки
14
Исследование метастабильных квазилокальных состояний индия в теллуриде свинца методом туннельной спектроскопии
13
Исследование влияния химической обработки InP на скорость поверхностной рекомбинации методом комбинационного рассеяния света
13
Магнитная восприимчивость примесей хрома в арсениде галлия
13
Оценка точности метода определения раздельной концентрации примесей из измерений постоянной Холла
13
Дрейфовая неустойчивость, вызываемая перезарядкой центров на поверхности монополярного полупроводника
13
Образование и отжиг вакансионных комплексов в поверхностном слое монокристаллического кремния, облученного ионами средней массы
12
Энергетическая и импульсная релаксация 2D-электронов в квантующем магнитном поле
12
Поперечная фотопроводимость классических композиционных сверхрешеток
12
К теории акустической инжекции в пьезополупроводниковых p-n-переходах
12
Устойчивые состояния и структурные превращения в аморфном гидрогенизированном кремнии
12
Теория локальной туннельной генерации носителей в p-n-переходах на основе узкозонных полупроводников
12
Памяти Анатолия Робертовича Регеля (1915-1989)
12
Статья
Просмотров
Кинетические явления в компенсированном n-InSb при низких температурах (О б з о р)
698
Биполяроны и преобразование солнечной энергии
684
Туннельный ток через контакт к двумерному электронному газу
679
Влияние температуры облучения нейтронами на формирование дефектов структуры в кремнии, выращенном методом Чохральского
679
Обнаружение нового метастабильного уровня DX-центра в тонких легированных Si слоях AlxGa1-xAs
663
Особенности поведения изовалентной примеси --- индия при легировании арсенида галлия в процессе газофазовой эпитаксии из металлоорганических соединений
660
Распределение атомов кремния по пороговой энергии смещения и его зависимость от температуры
659
Колебательные спектры кристаллов CdP2
635
Ионизация примесей бризерами в сверхрешетке
634
Кластерные образования в эпитаксиальных слоях твердых растворов p-GaInSbAs, выращенных на подложках n-GaSb : Te
633
Влияние магнитного поля на электропроводность полупроводников в условиях резонансного рассеяния носителей тока
633
Фотомагнитный эффект в системе n-AlxGa1-xAs/GaAs с 2D-электронами
630
Скорость рекомбинации неравновесной электронно-дырочной плазмы в лазерных кристаллах CdS
626
Поперечная фотопроводимость классических композиционных сверхрешеток
623
Теплопроводность карбида кремния в области температур 300-3000 K
623
Температурные и частотные зависимости электропроводности алмазных пленок
621
О природе K-центра в кремнии
618
Влияние состава Ga1-xBix жидкой фазы на образование комплексов в эпитаксиальном GaAs, сильно легированном германием
617
Связь желтой электролюминесценции в 6H-SiC с глубокими центрами
616
Вольт-амперные характеристики тонких пленок Pb1-xSnxTe<In> при различных уровнях фоновых засветок
610
Оценка точности метода определения раздельной концентрации примесей из измерений постоянной Холла
606
Спонтанное образование и эволюция локальных областей ударной ионизации в идеально однородных p-n-структурах
606
Изменение поверхностного потенциала полупроводника при освещении
600
Рекомбинация носителей через акцепторные уровни собственных дефектов в кристаллах n-CdxHg1-xTe, подвергнутых ультразвуковой обработке
600
Электронная структура примеси на дислокации
597
Спектральные характеристики длинных фотодиодов с нелинейным профилем ширины запрещенной зоны
597
Критика и библиография
596
Пограничные состояния электронного типа в инверсных гетероструктурах
592
Фотоэлектрические характеристики многослойных p+-i-n+-структур GaAs-AlGaAs с квантовыми ямами
591
Фотолюминесценция аморфных пленок a-Si1-xCx : H
589
Пространственное распределение зарядов, прогенерированных туннельной инжекцией электронов из кремния в термический диоксид МДП структуры
589
Об определении энергии ионизации глубоких уровней из данных DLTS
589
Генерация и отжиг дефектов при совмещенном геттерировании в кремнии n-типа. II. Точечные дефекты, индуцированные геттерирующими микродефектами
589
Фотопроводимость p-MnxHg1-xTe в магнитном поле
588
Неомическая прыжковая проводимость слабо компенсированных полупроводников
588
Электрические и фотоэлектрические свойства твердых растворов p-GaInSbAs
586
Фотоэмиссия горячих электронов из диодов Шоттки p-InGaAs-Ag
586
Оптические характеристики PbSe. Переходы в высшие зоны
585
Изоэлектронные примеси замещения Sc и Ti в CdTe
585
Анизотропия кинетических эффектов в гетероструктурах с 2D-электронами на сильно разориентированных подложках
582
Влияние Yb на остаточные донорные и акцепторные примеси в GaP
582
Устойчивые состояния и структурные превращения в аморфном гидрогенизированном кремнии
582
Нелинейность краевого поглощения CdSe
579
Нестационарный фотоэффект в варизонной m-p-n-структуре. IV. Влияние внешней нагрузки
579
Двумерные ганновские домены в слоистых структурах
576
Фотолюминесценция квантовых слоев InxGa1-xAs, выращенных на плоскостях (100) и (111)A арсенида галлия
576
Влияние крупномасштабных флуктуаций распределения примесей на туннелирование и электропоглощение в обратно смещенных p-n-переходах
575
Внутреннее перераспределение электрического поля и оптическая нелинейность в P-i-N-гетероструктурах при электропоглощении света
574
Электрофизические свойства планарных n+-p-переходов, созданных легированием арсенида индия ионами серы
573
Пространственное распределение носителей заряда в условиях контактной эксклюзии
573

Учредители

Издатель

© 2018 Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук
Powered by webapplicationthemes.com - High quality HTML Theme