"Физика и техника полупроводников"
Вышедшие номера
Home » Физика и техника полупроводников » Издателям » Статистика
Общее количество статей:
10293
Распределение статей по годам:
517
490
469
411
345
329
302
266
295
311
285
292
278
262
263
259
256
277
251
260
244
294
288
284
279
295
305
301
303
316
330
309
287
40

Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов. Дата начала обработки информации по просмотрам - 27 января 2016 г.

За 1990 год:
Статья
Просмотров
Изучение комплексов бора и кислорода с литием в компенсированном кремнии
16
Фотостимулированная диффузия золота в кремнии при импульсной фотонной обработке
15
Энергия связи дырки с нейтральным акцептором в алмазоподобных полупроводниках
15
Вольтамперные характеристики потенциальных барьеров в гетероструктурах СdxHg1-xTe/CdTe
15
О влиянии рекомбинации носителей заряда на параметры сигнала в методе фотодефлекционной спектроскопии
15
Отрицательная дифференциальная проводимость монокристаллов InSe в диапазоне температур 4.2-30 K
14
Особенности температурной зависимости фотопроводимости слабо легированного бором a-Si : H
14
Поверхностные плазменные волны в сверхрешетках с квантовыми ямами
14
Влияние никеля на образование термодоноров в монокристаллах кремния
14
Междузонные ИК переходы в одноосно деформированном узкощелевом полупроводнике
14
Физическая модель эффекта управления полевым транзистором через полуизолирующую подложку
14
Памяти Анатолия Робертовича Регеля (1915-1989)
13
О природе K-центра в кремнии
13
Бесщелевые полумагнитные полупроводники HgFeSe О б з о р
13
Влияние обработки в водородной плазме на электрофизические свойства кремния, легированного фосфором
13
Дрейфовая неустойчивость, вызываемая перезарядкой центров на поверхности монополярного полупроводника
13
Критика и библиография
13
Колебательные спектры кристаллической решетки политипов соединений ZnmIn2S3+m
13
Ионизация примесей бризерами в сверхрешетке
12
Кинетические явления в компенсированном n-InSb при низких температурах (О б з о р)
12
Статья
Просмотров
Кинетические явления в компенсированном n-InSb при низких температурах (О б з о р)
1124
Биполяроны и преобразование солнечной энергии
1094
Влияние температуры облучения нейтронами на формирование дефектов структуры в кремнии, выращенном методом Чохральского
1087
Туннельный ток через контакт к двумерному электронному газу
1070
Особенности поведения изовалентной примеси --- индия при легировании арсенида галлия в процессе газофазовой эпитаксии из металлоорганических соединений
1059
Колебательные спектры кристаллов CdP2
1042
Обнаружение нового метастабильного уровня DX-центра в тонких легированных Si слоях AlxGa1-xAs
1042
Ионизация примесей бризерами в сверхрешетке
1033
Фотолюминесценция аморфных пленок a-Si1-xCx : H
1031
Распределение атомов кремния по пороговой энергии смещения и его зависимость от температуры
1028
Поперечная фотопроводимость классических композиционных сверхрешеток
1025
Оценка точности метода определения раздельной концентрации примесей из измерений постоянной Холла
1020
Влияние состава Ga1-xBix жидкой фазы на образование комплексов в эпитаксиальном GaAs, сильно легированном германием
1014
Критика и библиография
1008
Фотомагнитный эффект в системе n-AlxGa1-xAs/GaAs с 2D-электронами
1005
Теплопроводность карбида кремния в области температур 300-3000 K
1002
Температурные и частотные зависимости электропроводности алмазных пленок
999
Связь желтой электролюминесценции в 6H-SiC с глубокими центрами
998
Фотопроводимость p-MnxHg1-xTe в магнитном поле
994
Кластерные образования в эпитаксиальных слоях твердых растворов p-GaInSbAs, выращенных на подложках n-GaSb : Te
993
Двумерные ганновские домены в слоистых структурах
993
О природе K-центра в кремнии
990
Именной указатель
987
Скорость рекомбинации неравновесной электронно-дырочной плазмы в лазерных кристаллах CdS
983
К теории пограничных состояний в гетеропереходах
980
Анизотропия кинетических эффектов в гетероструктурах с 2D-электронами на сильно разориентированных подложках
978
Пространственное распределение носителей заряда в условиях контактной эксклюзии
977
Удельные сдвиги носителей заряда и фотопроводимость аморфного гидрированного кремния
974
Рекомбинация носителей через акцепторные уровни собственных дефектов в кристаллах n-CdxHg1-xTe, подвергнутых ультразвуковой обработке
971
Электронная структура примеси на дислокации
969
Влияние магнитного поля на электропроводность полупроводников в условиях резонансного рассеяния носителей тока
969
Вольт-амперные характеристики тонких пленок Pb1-xSnxTe<In> при различных уровнях фоновых засветок
968
Пограничные состояния электронного типа в инверсных гетероструктурах
968
Пространственный перенос электронов в полевых транзисторах на гетероструктурах с селективным легированием
967
Фотоэмиссия горячих электронов из диодов Шоттки p-InGaAs-Ag
966
Устойчивые состояния и структурные превращения в аморфном гидрогенизированном кремнии
966
Образование позитронно-чувствительных дефектов в процессе термообработки кремния в хлорсодержащей атмосфере
965
Дрейфовая неустойчивость, вызываемая перезарядкой центров на поверхности монополярного полупроводника
965
Изоэлектронные примеси замещения Sc и Ti в CdTe
964
Генерация и отжиг дефектов при совмещенном геттерировании в кремнии n-типа. II. Точечные дефекты, индуцированные геттерирующими микродефектами
962
Процессы рекомбинации носителей заряда в CdxHg1-xTe О б з о р
962
Редкоземельные элементы в полупроводниках AIIIBV О б з о р
962
Спектральные характеристики длинных фотодиодов с нелинейным профилем ширины запрещенной зоны
961
Влияние Yb на остаточные донорные и акцепторные примеси в GaP
960
Спонтанное образование и эволюция локальных областей ударной ионизации в идеально однородных p-n-структурах
960
Изменение поверхностного потенциала полупроводника при освещении
959
Фотоэлектрические характеристики многослойных p+-i-n+-структур GaAs-AlGaAs с квантовыми ямами
958
Неомическая прыжковая проводимость слабо компенсированных полупроводников
957
Проявление" скоплений атомов электрически не активных примесей в n-кремнии при gamma-облучении
953
Изучение комплексов бора и кислорода с литием в компенсированном кремнии
952

Учредители

Издатель

© 2020 Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук
Powered by webapplicationthemes.com - High quality HTML Theme