"Физика и техника полупроводников"
Издателям
Вышедшие номера
Home » Физика и техника полупроводников » Издателям » Статистика
Общее количество статей:
10012
Распределение статей по годам:
517
490
469
411
345
329
302
266
295
311
285
292
278
262
263
259
256
277
251
260
244
294
288
284
279
295
305
301
303
316
330
309
46

Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов. Дата начала обработки информации по просмотрам - 27 января 2016 г.

За 1990 год:
Статья
Просмотров
Аннотации депонированных статей
12
Изучение переходной области между эпитаксиальными слоями InP и In0.53Ga0.47As в гетероструктурах с 2МЭГ
11
Примесная фотопроводимость эпитаксиальных слоев GexSi1-x, легированных фосфором
10
Дуальные датчики Холла
10
Глубокие уровни дефектов, возникающих в структурах Si-PtaSib в результате воздействия импульсной фотонной обработки
10
Двухзарядный метастабильный центр, обусловленный дислокациями в CdS
10
Вольт-амперные характеристики тонких пленок Pb1-xSnxTe<In> при различных уровнях фоновых засветок
10
Критика и библиография
10
Образование глубоких уровней в p-Si при газовом травлении в хлорсодержащей атмосфере
10
Электропроводность n+-n-n+-структур GaAs микронной и субмикронной длин в слабо греющем электрическом поле
9
Бифуркации удвоения периода и хаос в модели температурно-электрической неустойчивости в полупроводнике с двумя уровнями прилипания
9
Влияние радиационных дефектов на вероятность включения искусственных микроплазм в кремнии
9
Кислородосодержащие термодоноры, образующиеся в кремнии при горячем" gamma-облучении
9
Детектирование импульсного ионизирующего излучения с помощью варизонных структур
9
Связь желтой электролюминесценции в 6H-SiC с глубокими центрами
9
Влияние температуры на столкновительное уширение уровней Ландау
9
Температурная и концентрационная зависимости положения линии излучения локализованных экситонов твердых полупроводниковых растворов ZnxCd1-xS
9
Акустические бризеры в ограниченных полупроводниках
9
Изменение поверхностного потенциала полупроводника при освещении
9
Затухание бризера в сверхрешетке
9
Статья
Просмотров
Кинетические явления в компенсированном n-InSb при низких температурах (О б з о р)
944
Биполяроны и преобразование солнечной энергии
904
Влияние температуры облучения нейтронами на формирование дефектов структуры в кремнии, выращенном методом Чохральского
894
Туннельный ток через контакт к двумерному электронному газу
886
Особенности поведения изовалентной примеси --- индия при легировании арсенида галлия в процессе газофазовой эпитаксии из металлоорганических соединений
880
Обнаружение нового метастабильного уровня DX-центра в тонких легированных Si слоях AlxGa1-xAs
857
Колебательные спектры кристаллов CdP2
837
Распределение атомов кремния по пороговой энергии смещения и его зависимость от температуры
835
Оценка точности метода определения раздельной концентрации примесей из измерений постоянной Холла
834
Поперечная фотопроводимость классических композиционных сверхрешеток
834
Влияние состава Ga1-xBix жидкой фазы на образование комплексов в эпитаксиальном GaAs, сильно легированном германием
833
Температурные и частотные зависимости электропроводности алмазных пленок
833
Фотолюминесценция аморфных пленок a-Si1-xCx : H
822
О природе K-центра в кремнии
821
Кластерные образования в эпитаксиальных слоях твердых растворов p-GaInSbAs, выращенных на подложках n-GaSb : Te
818
Фотомагнитный эффект в системе n-AlxGa1-xAs/GaAs с 2D-электронами
817
Критика и библиография
817
Связь желтой электролюминесценции в 6H-SiC с глубокими центрами
811
Ионизация примесей бризерами в сверхрешетке
811
Скорость рекомбинации неравновесной электронно-дырочной плазмы в лазерных кристаллах CdS
811
Теплопроводность карбида кремния в области температур 300-3000 K
810
Спонтанное образование и эволюция локальных областей ударной ионизации в идеально однородных p-n-структурах
799
Рекомбинация носителей через акцепторные уровни собственных дефектов в кристаллах n-CdxHg1-xTe, подвергнутых ультразвуковой обработке
799
Фотопроводимость p-MnxHg1-xTe в магнитном поле
798
Фотоэлектрические характеристики многослойных p+-i-n+-структур GaAs-AlGaAs с квантовыми ямами
798
Анизотропия кинетических эффектов в гетероструктурах с 2D-электронами на сильно разориентированных подложках
798
Влияние магнитного поля на электропроводность полупроводников в условиях резонансного рассеяния носителей тока
794
Вольт-амперные характеристики тонких пленок Pb1-xSnxTe<In> при различных уровнях фоновых засветок
793
Неомическая прыжковая проводимость слабо компенсированных полупроводников
786
Именной указатель
786
Электронная структура примеси на дислокации
786
Двумерные ганновские домены в слоистых структурах
784
Пространственное распределение носителей заряда в условиях контактной эксклюзии
783
Изоэлектронные примеси замещения Sc и Ti в CdTe
783
Пространственный перенос электронов в полевых транзисторах на гетероструктурах с селективным легированием
780
Удельные сдвиги носителей заряда и фотопроводимость аморфного гидрированного кремния
780
Фотоэмиссия горячих электронов из диодов Шоттки p-InGaAs-Ag
780
Устойчивые состояния и структурные превращения в аморфном гидрогенизированном кремнии
778
Спектральные характеристики длинных фотодиодов с нелинейным профилем ширины запрещенной зоны
777
Дрейфовая неустойчивость, вызываемая перезарядкой центров на поверхности монополярного полупроводника
777
Влияние Yb на остаточные донорные и акцепторные примеси в GaP
777
К теории пограничных состояний в гетеропереходах
776
Нестационарный фотоэффект в варизонной m-p-n-структуре. IV. Влияние внешней нагрузки
776
Внутреннее перераспределение электрического поля и оптическая нелинейность в P-i-N-гетероструктурах при электропоглощении света
774
Изменение поверхностного потенциала полупроводника при освещении
774
Генерация и отжиг дефектов при совмещенном геттерировании в кремнии n-типа. II. Точечные дефекты, индуцированные геттерирующими микродефектами
773
Фотолюминесценция и фото-ЭПР высокочистого селенида цинка, облученного электронами
769
Пограничные состояния электронного типа в инверсных гетероструктурах
766
Об определении энергии ионизации глубоких уровней из данных DLTS
765
Электрофизические свойства планарных n+-p-переходов, созданных легированием арсенида индия ионами серы
763

Учредители

Издатель

© 2019 Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук
Powered by webapplicationthemes.com - High quality HTML Theme