"Физика и техника полупроводников"
Вышедшие номера
Home » Физика и техника полупроводников » Издателям » Статистика
Общее количество статей:
10051
Распределение статей по годам:
517
490
469
411
345
329
302
266
295
311
285
292
278
262
263
259
256
277
251
260
244
294
288
284
279
295
305
301
303
316
330
309
85

Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов. Дата начала обработки информации по просмотрам - 27 января 2016 г.

За 1990 год:
Статья
Просмотров
О природе 0.8 эВ полосы фотолюминесценции в легированном теллуриде кадмия
15
Влияние глубоких уровней на время жизни неосновных носителей заряда
13
Примесные состояния индия в PbS
11
Новый способ обработки спектров DLTS
11
Температурная и концентрационная зависимости положения линии излучения локализованных экситонов твердых полупроводниковых растворов ZnxCd1-xS
11
Фотоионизация квантовых ям в сильном электрическом поле
10
Исследование метастабильных квазилокальных состояний индия в теллуриде свинца методом туннельной спектроскопии
10
Кулоновское взаимодействие зарядов вблизи двумерных слоев
10
Фотолюминесценция аморфных пленок a-Si1-xCx : H
10
Оптические свойства монокристаллов MnGa2S4
10
Влияние радиационных дефектов на вероятность включения искусственных микроплазм в кремнии
10
Влияние отклонения от стехиометрии на свойства диффузионных p-n-переходов на основе карбида кремния
10
Нелинейное поглощение инфракрасного излучения в n-Ge при низких температурах
10
Изучение комплексов бора и кислорода с литием в компенсированном кремнии
10
Кинетические свойства твердых растворов Pb1-xSnxS1-ySey (x=0.19, y=0.5 и 0.98)
9
Излучение n-InSb в далекой ИК области
9
Расчет аномального эффекта Холла при комнатной температуре в термообработанном образце n-Ge
9
Усредненное описание нелинейных волн плотности неравновесных носителей в полупроводниках
9
Характер взаимодействия имплантированного в кремний гелия с атомами решетки
9
Аннотации депонированных статей
9
Статья
Просмотров
Кинетические явления в компенсированном n-InSb при низких температурах (О б з о р)
974
Биполяроны и преобразование солнечной энергии
936
Влияние температуры облучения нейтронами на формирование дефектов структуры в кремнии, выращенном методом Чохральского
930
Особенности поведения изовалентной примеси --- индия при легировании арсенида галлия в процессе газофазовой эпитаксии из металлоорганических соединений
920
Туннельный ток через контакт к двумерному электронному газу
918
Обнаружение нового метастабильного уровня DX-центра в тонких легированных Si слоях AlxGa1-xAs
886
Колебательные спектры кристаллов CdP2
871
Поперечная фотопроводимость классических композиционных сверхрешеток
868
Распределение атомов кремния по пороговой энергии смещения и его зависимость от температуры
865
Оценка точности метода определения раздельной концентрации примесей из измерений постоянной Холла
861
Фотолюминесценция аморфных пленок a-Si1-xCx : H
861
Температурные и частотные зависимости электропроводности алмазных пленок
861
Влияние состава Ga1-xBix жидкой фазы на образование комплексов в эпитаксиальном GaAs, сильно легированном германием
860
Фотомагнитный эффект в системе n-AlxGa1-xAs/GaAs с 2D-электронами
849
Критика и библиография
849
О природе K-центра в кремнии
847
Кластерные образования в эпитаксиальных слоях твердых растворов p-GaInSbAs, выращенных на подложках n-GaSb : Te
844
Связь желтой электролюминесценции в 6H-SiC с глубокими центрами
840
Ионизация примесей бризерами в сверхрешетке
840
Теплопроводность карбида кремния в области температур 300-3000 K
833
Скорость рекомбинации неравновесной электронно-дырочной плазмы в лазерных кристаллах CdS
832
Анизотропия кинетических эффектов в гетероструктурах с 2D-электронами на сильно разориентированных подложках
831
Рекомбинация носителей через акцепторные уровни собственных дефектов в кристаллах n-CdxHg1-xTe, подвергнутых ультразвуковой обработке
829
Фотопроводимость p-MnxHg1-xTe в магнитном поле
827
Фотоэлектрические характеристики многослойных p+-i-n+-структур GaAs-AlGaAs с квантовыми ямами
823
Спонтанное образование и эволюция локальных областей ударной ионизации в идеально однородных p-n-структурах
823
Влияние магнитного поля на электропроводность полупроводников в условиях резонансного рассеяния носителей тока
821
Именной указатель
821
Пространственное распределение носителей заряда в условиях контактной эксклюзии
820
Двумерные ганновские домены в слоистых структурах
819
Электронная структура примеси на дислокации
818
Вольт-амперные характеристики тонких пленок Pb1-xSnxTe<In> при различных уровнях фоновых засветок
817
К теории пограничных состояний в гетеропереходах
812
Фотоэмиссия горячих электронов из диодов Шоттки p-InGaAs-Ag
810
Изоэлектронные примеси замещения Sc и Ti в CdTe
808
Устойчивые состояния и структурные превращения в аморфном гидрогенизированном кремнии
808
Удельные сдвиги носителей заряда и фотопроводимость аморфного гидрированного кремния
808
Дрейфовая неустойчивость, вызываемая перезарядкой центров на поверхности монополярного полупроводника
807
Неомическая прыжковая проводимость слабо компенсированных полупроводников
807
Влияние Yb на остаточные донорные и акцепторные примеси в GaP
807
Пространственный перенос электронов в полевых транзисторах на гетероструктурах с селективным легированием
806
Спектральные характеристики длинных фотодиодов с нелинейным профилем ширины запрещенной зоны
802
Нестационарный фотоэффект в варизонной m-p-n-структуре. IV. Влияние внешней нагрузки
802
Изменение поверхностного потенциала полупроводника при освещении
800
Фотолюминесценция и фото-ЭПР высокочистого селенида цинка, облученного электронами
797
Внутреннее перераспределение электрического поля и оптическая нелинейность в P-i-N-гетероструктурах при электропоглощении света
797
Пространственное распределение зарядов, прогенерированных туннельной инжекцией электронов из кремния в термический диоксид МДП структуры
797
Генерация и отжиг дефектов при совмещенном геттерировании в кремнии n-типа. II. Точечные дефекты, индуцированные геттерирующими микродефектами
796
Пограничные состояния электронного типа в инверсных гетероструктурах
795
Об определении энергии ионизации глубоких уровней из данных DLTS
795

Учредители

Издатель

© 2020 Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук
Powered by webapplicationthemes.com - High quality HTML Theme