Вышедшие номера
Home » Физика и техника полупроводников » Статистика
Общее количество статей:
11024
Распределение количества статей по годам:
517
490
469
411
345
329
302
266
295
311
285
292
278
262
263
259
256
277
251
260
244
294
288
284
279
295
305
301
303
316
330
309
287
248
203
135
117
68
Распределение количества просмотров по годам:
1177702
1100355
1061040
943267
811151
776419
711226
632871
754869
920769
909883
846295
845480
843047
822504
855099
876810
901191
794991
837447
785406
990732
1002848
971308
943040
1011270
1021702
974986
941127
958561
868619
753038
570115
422482
300535
140723
76397
11379
Распределение количества авторов по годам:
1228
1240
1185
1078
885
882
744
715
727
800
756
791
761
773
802
802
826
907
876
892
763
962
1019
1010
968
1085
1151
1063
1156
1166
1310
1097
1124
952
833
548
556
340
Распределение количества организаций по годам:
143
55
131
107
117
125
151
174
159
167
148
175
163
181
187
187
227
154
216
211
211
237
252
286
241
275
269
295
249
323
260
170
109
93
69

Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов. Дата начала обработки информации по просмотрам - 27 января 2016 г.

За 1990 год:
Статья
Просмотров
Теплопроводность карбида кремния в области температур 300-3000 K
49
Резонансное прохождение резкой гетерограницы электроном проводимости
42
Фотопроводимость в области циклотронного резонанса двумерного электронного газа в GaAs/AlGaAs при больших факторах заполнения
41
Термодинамический расчет зависимости ширины запрещенной зоны от состава многокомпонентных твердых растворов на основе соединений AIIIBV
39
Насыщение фотопроводимости и особенности аннигиляции фотостимулированных дефектов в нелегированных пленках a-Si : H
39
Взаимная сортировка электронов и фононов по энергиям электрон-фононным увлечением
37
Влияние магнитного поля на электропроводность полупроводников в условиях резонансного рассеяния носителей тока
36
Двукратное резонансное рассеяние света с участием акустических фононов в CdS
35
Нестабильность проводимости пленок сульфида кадмия, обусловленная фотостимулированной диффузией кислорода
34
Удельные сдвиги носителей заряда и фотопроводимость аморфного гидрированного кремния
34
ИК люминесценция в полуизолирующем и дырочном фосфиде галлия, обусловленная PGa
33
Перенос электронов через нерезкий Gamma X-гетеропереход
32
Зонная структура короткопериодичных (001)-сверхрешеток (AlAs)n(GaAs)n
32
Фотомагнитный эффект в кристаллах изолирующего арсенида галлия при лазерном возбуждении
32
Ударная ионизация, производимая электронами, движущимися в неоднородном электрическом поле
32
Особенности рассеяния фононов в твердом растворе GaxIn1-xAs
32
Изменение механизма локализации экситонов в CdS1-xTex при структурном преобразовании решетки
32
Фотолюминесценция горячих двумерных электронов в квантовых ямах и определение времен полярного рассеяния
31
О модели двухэлектронной проводимости в Hg1-xCdTe
31
Влияние поперечного градиента концентрации носителей заряда на распределение холловского потенциала в полупроводнике
31
Статья
Просмотров
Теплопроводность карбида кремния в области температур 300-3000 K
3253
Редкоземельные элементы в полупроводниках AIIIBV О б з о р
2852
Памяти Анатолия Робертовича Регеля (1915-1989)
2706
Кинетические явления в компенсированном n-InSb при низких температурах (О б з о р)
2676
Фотолюминесценция аморфных пленок a-Si1-xCx : H
2666
Влияние температуры облучения нейтронами на формирование дефектов структуры в кремнии, выращенном методом Чохральского
2636
Биполяроны и преобразование солнечной энергии
2602
Низкотемпературные фотолюминесценция и фотопроводимость в нелегированных аморфных полупроводниках
2583
Изменение поверхностного потенциала полупроводника при освещении
2582
Именной указатель
2571
Туннельный ток через контакт к двумерному электронному газу
2547
Процессы рекомбинации носителей заряда в CdxHg1-xTe О б з о р
2540
Колебательные спектры кристаллов CdP2
2526
Критика и библиография
2522
Фотостимулированная диффузия золота в кремнии при импульсной фотонной обработке
2519
Ионизация примесей бризерами в сверхрешетке
2518
Скорость рекомбинации неравновесной электронно-дырочной плазмы в лазерных кристаллах CdS
2516
Поперечная фотопроводимость классических композиционных сверхрешеток
2511
Спонтанное образование и эволюция локальных областей ударной ионизации в идеально однородных p-n-структурах
2510
Оценка точности метода определения раздельной концентрации примесей из измерений постоянной Холла
2508
Механизмы снижения эффективности излучательной рекомбинации сильно легированного эпитаксиального p-GeAs : Ge
2494
Неомическая прыжковая проводимость слабо компенсированных полупроводников
2486
Температурные и частотные зависимости электропроводности алмазных пленок
2481
Обнаружение нового метастабильного уровня DX-центра в тонких легированных Si слоях AlxGa1-xAs
2479
Влияние технологии приготовления пленок a-Si : H на излучательную рекомбинацию
2478
Изучение комплексов бора и кислорода с литием в компенсированном кремнии
2473
Проводимость полупроводниковой сверхрешетки в магнитном поле, перпендикулярном ее оси
2467
Влияние температуры на столкновительное уширение уровней Ландау
2464
Фотоэмиссия горячих электронов из диодов Шоттки p-InGaAs-Ag
2463
К теории пограничных состояний в гетеропереходах
2462
Циклотронный резонанс дырок германия с отрицательными массами при H-16pt||[001]
2459
Фотомагнитный эффект в системе n-AlxGa1-xAs/GaAs с 2D-электронами
2459
Распределение заряда и формирование глубоких уровней в полупроводниках по данным самосогласованного метода функций Грина: дефекты в кремнии и германии
2457
(In, Ga, Al)As ДГС РО лазеры на длину волны 1.1 мкм с (In, Ga)As напряженной квантовой ямой, ограниченной короткопериодной сверхрешеткой
2452
Распределение атомов кремния по пороговой энергии смещения и его зависимость от температуры
2450
Фотопроводимость p-MnxHg1-xTe в магнитном поле
2450
Влияние условий электронного облучения на скорость образования A-центров в n-кремнии
2446
Крупномасштабные электрически активные примесные скопления в кристаллах кремния, выращенных методом Чохральского
2436
Фотолюминесценция и фото-ЭПР высокочистого селенида цинка, облученного электронами
2435
Пограничные состояния электронного типа в инверсных гетероструктурах
2428
Дрейфовая неустойчивость, вызываемая перезарядкой центров на поверхности монополярного полупроводника
2428
Особенности поведения изовалентной примеси --- индия при легировании арсенида галлия в процессе газофазовой эпитаксии из металлоорганических соединений
2425
Влияние Yb на остаточные донорные и акцепторные примеси в GaP
2424
Влияние силовых полей на образование радиационных дефектов в кремнии при электронном облучении структур SiO2-Si
2424
Фотолюминесценция квантовых слоев InxGa1-xAs, выращенных на плоскостях (100) и (111)A арсенида галлия
2422
Связь желтой электролюминесценции в 6H-SiC с глубокими центрами
2414
Вольт-амперные характеристики тонких пленок Pb1-xSnxTe<In> при различных уровнях фоновых засветок
2414
Пространственное распределение носителей заряда в условиях контактной эксклюзии
2413
Низкотемпературное облучение арсенида галлия
2409
Влияние состава Ga1-xBix жидкой фазы на образование комплексов в эпитаксиальном GaAs, сильно легированном германием
2409
Автор
Организация
Статей
Малютенко В.К.
9
Ломако В.М.
9
Копьев П.С.
7
Иванов-Омский В.И.
7
Леденцов Н.Н.
6
Грибников З.С.
6
Шаховцов В.И.
6
Иванов С.В.
5
Мельцер Б.Я.
5
Баранов А.Н.
5
Яковлев Ю.П.
5
Кадушкин В.И.
5
Кольченко Т.И.
5
Шик А.Я.
5
Ломасов В.Н.
5
Гельмонт Б.Л.
4
Алфёров Ж.И.
4
Хируненко Л.И.
4
Скипетров Е.П.
4
Немов С.А.
4
Казанский А.Г.
4
Капустин Ю.А.
4
Кернер Б.С.
4
Осипов В.В.
4
Пека Г.П.
4
Райчев О.Э.
4
Левинштейн М.Е.
4
Румянцев С.Л.
4
Чалдышев В.В.
4
Шмарцев Ю.В.
4
4
Конников С.Г.
4
Сеничкин А.П.
4
Георгицэ Е.И.
4
Берман Л.С.
4
Ткаченко В.Н.
4
Новиков С.В.
4
Крещук А.М.
4
Зебрев Г.И.
3
Яшник В.И.
3
Савельев И.Г.
3
Васько Ф.Т.
3
Герасименко Н.Н.
3
Хасиева Р.В.
3
Ковалюк З.Д.
3
Стельмах В.Ф.
3
Дьяконова Н.В.
3
Устинов В.М.
3
Клячкин Л.Е.
3
Суханов В.Л.
3
Рыжий В.И.
3
Толстихин В.И.
3
Житинская М.К.
3
Журавлев К.С.
3
Якушева Н.А.
3
Васильев В.А.
3
Пипа В.И.
3
Лашкарев Г.В.
3
Колокольников Б.М.
3
Андреев В.М.
3
Львова Т.В.
3
Шпинар Л.И.
3
Ясковец И.И.
3
Болгов С.С.
3
Савченко А.П.
3
Руссу Е.В.
3
Курова И.А.
3
Владимиров В.В.
3
Коллюх А.Г.
3
Беляев А.Е.
3
Медведев Б.К.
3
Архипов В.И.
3
Иванюкович В.А.
3
Карась В.И.
3
Ладыгин Е.А.
3
Дмитриев А.Г.
3
Ильичев Э.А.
3
Быковский В.А.
3
Царенков Б.В.
3
Гершензон Е.М.
3
Погорлецкий В.М.
3
Смирнов В.А.
3
Алешкин В.Я.
3
Гореленок А.Т.
3
Шмидт Н.М.
3
Витовский Н.А.
3
Крючков С.В.
3
Воробьева В.В.
3
Любченко А.В.
2
Луценко М.Э.
2
Марков А.В.
2
Освенский В.Б.
2
Бордовский Г.А.
2
Афанасьева Н.П.
2
Теруков Е.И.
2
Дехтяр Ю.Д.
2
Сагалович Г.Л.
2
Козловский С.И.
2
Таиров Ю.М.
2
Цветков В.Ф.
2
Ашкинадзе Б.М.
2
Бельков В.В.
2
Красинская А.Г.
2
Полыгалов Ю.И.
2
Поплавной А.С.
2
Елизаров А.И.
2
Богобоящий В.В.
2
Олейник С.П.
2
Матына Л.И.
2
Погребицкий К.Ю.
2
Мякенькая Г.С.
2
Гуцев Г.Л.
2
Дахно А.Н.
2
Джуртанов Б.Е.
2
Лагунова Т.С.
2
Сиповская М.А.
2
Резников Б.И.
2
Царенков Г.В.
2
Добровольский В.Н.
2
Сыродоев Г.А.
2
Покровский Я.Е.
2
Яблоновский Е.И.
2
Кальфа А.А.
2
Пашковский А.Б.
2
Казанин М.М.
2
Емцев В.В.
2
Мильвидский М.Г.
2
Лебедев А.А.
2
Лазоренко В.И.
2
Баранский П.И.
2
Комиренко С.М.
2
Мусатов А.Л.
2
Половцев И.С.
2
Долманов И.Н.
2
Штельмах К.Ф.
2
Терлецкий И.А.
2
Романов В.В.
2
Сурис Р.А.
2
Лютович К.Л.
2
Юнович А.Э.
2
Глинчук К.Д.
2
Болотов В.В.
2
Камаев Г.Н.
2
Гусейнов А.А.
2
Гуревич Ю.Г.
2
Лугаков П.Ф.
2
Смоляр А.Н.
2
Хвостиков В.П.
2
Боднарук О.А.
2
Горбатюк И.Н.
2
Раренко И.М.
2
Шиндич В.Л.
2
Решина И.И.
2
Кикоин К.А.
2
Мезрин О.А.
2
Трошков С.И.
2
Акопян А.А.
2
Скрышевский В.А.
2
Стриха В.И.
2
Кульбачинский В.А.
2
Львин В.Э.
2
Гольдфарб М.В.
2
Молоцкий М.И.
2
Цэндин К.Д.
2
Викулин И.М.
2
Мороз С.Е.
2
Корольков В.И.
2
Табаров Т.С.
2
Брунков П.Н.
2
Соболев М.М.
2
Кисин М.В.
2
Звягин И.П.
2
Мелешко Н.В.
2
Каплан Б.И.
2
Шевченко Н.В.
2
Утенко В.И.
2
Мокеров В.Г.
2
Зуев В.В.
2
Радауцан С.И.
2
Соболев Н.А.
2
Омельяновская Н.М.
2
Никитенко В.Р.
2
Дашевский З.М.
2
Руленко М.П.
2
Велиюлин Э.И.
2
Заячук Д.М.
2
Константинов О.В.
2
Шастин В.Н.
2
Вейс А.Н.
2
Аншон А.В.
2
Бабушкина Т.С.
2
Звонков Б.Н.
2
Малкина И.Г.
2
Мокина И.А.
2
Рудь Ю.В.
2
Шубников М.Л.
2
Вывенко О.Ф.
2
Бирюлин Ю.Ф.
2
Миронов К.Е.
2
Мынбаев К.Д.
2

Учредители

Издатель

© 2025 Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук
Powered by webapplicationthemes.com - High quality HTML Theme