Вышедшие номера
Home » Физика и техника полупроводников » Статистика
Общее количество статей:
11064
Распределение количества статей по годам:
517
490
469
411
345
329
302
266
295
311
285
292
278
262
263
259
256
277
251
260
244
294
288
284
279
295
305
301
303
316
330
309
287
248
203
135
117
98
10
Распределение количества просмотров по годам:
1325762
1230712
1184423
1058948
904657
866883
791356
704939
836876
1018239
1011273
945527
939898
933306
912285
945246
967318
999203
882581
929923
870276
1094114
1106958
1085524
1045845
1127090
1136161
1093594
1048952
1083065
984675
867031
669102
510739
382411
190461
118262
39873
159
Распределение количества авторов по годам:
1228
1240
1185
1078
885
882
744
715
727
800
756
791
761
773
802
802
826
907
876
892
763
962
1019
1010
968
1085
1151
1063
1156
1166
1310
1097
1124
952
833
548
556
467
62
Распределение количества организаций по годам:
143
55
131
107
117
125
151
174
159
167
148
175
163
181
187
187
227
154
216
211
211
237
252
286
241
275
269
295
249
323
260
170
109
93
85
15

Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов. Дата начала обработки информации по просмотрам - 27 января 2016 г.

За 1990 год:
Статья
Просмотров
О понижении порога неустойчивости однородного лавинного пробоя кремниевых p+-n-переходов
35
Горячие экситоны в области неоднородного электрического поля
34
Влияние деструктивного одноосного сжатия на шум 1/f в GaAs
34
Изменение высоты потенциального барьера контактов металл-кремний в условиях деформации
33
Пространственный перенос двумерных электронов в структуре металл-AlxGa1-xAs-GaAs с селективным легированием
32
Микроплазмы в идеально однородных p-i-n-структурах
30
Акустоэлектронное взаимодействие в Te и CdS в сильном магнитном поле
30
Электронное взаимодействие доноров с дислокацией
30
Фотолюминесценция аморфных пленок a-Si1-xCx : H
30
Перенос электронов через нерезкий Gamma X-гетеропереход
29
Фотоэмиссия горячих электронов из диодов Шоттки p-InGaAs-Ag
28
Зонная структура короткопериодичных (001)-сверхрешеток (AlAs)n(GaAs)n
28
Электрофизические свойства поверхности непрерывных твердых растворов (MnHg)Te
28
Проявление" скоплений атомов электрически не активных примесей в n-кремнии при gamma-облучении
28
К теории переноса горячих электронов в гетероструктурных транзисторах
28
Изучение комплексов бора и кислорода с литием в компенсированном кремнии
28
Отрицательная фотопроводимость на пороге возбуждения винтовой неустойчивости в плазме полупроводников
28
Бесщелевые полумагнитные полупроводники HgFeSe О б з о р
27
Модификация центра E3 в облученном n-GaAs
27
Фотолюминесценция квантовых слоев InxGa1-xAs, выращенных на плоскостях (100) и (111)A арсенида галлия
27
Статья
Просмотров
Теплопроводность карбида кремния в области температур 300-3000 K
3634
Редкоземельные элементы в полупроводниках AIIIBV О б з о р
3171
Фотолюминесценция аморфных пленок a-Si1-xCx : H
3038
Кинетические явления в компенсированном n-InSb при низких температурах (О б з о р)
3012
Памяти Анатолия Робертовича Регеля (1915-1989)
2996
Влияние температуры облучения нейтронами на формирование дефектов структуры в кремнии, выращенном методом Чохральского
2949
Изменение поверхностного потенциала полупроводника при освещении
2934
Биполяроны и преобразование солнечной энергии
2909
Процессы рекомбинации носителей заряда в CdxHg1-xTe О б з о р
2906
Низкотемпературные фотолюминесценция и фотопроводимость в нелегированных аморфных полупроводниках
2904
Туннельный ток через контакт к двумерному электронному газу
2891
Скорость рекомбинации неравновесной электронно-дырочной плазмы в лазерных кристаллах CdS
2855
Оценка точности метода определения раздельной концентрации примесей из измерений постоянной Холла
2847
Неомическая прыжковая проводимость слабо компенсированных полупроводников
2835
Именной указатель
2830
Циклотронный резонанс дырок германия с отрицательными массами при H-16pt||[001]
2819
Спонтанное образование и эволюция локальных областей ударной ионизации в идеально однородных p-n-структурах
2817
Механизмы снижения эффективности излучательной рекомбинации сильно легированного эпитаксиального p-GeAs : Ge
2810
Ионизация примесей бризерами в сверхрешетке
2807
Фотостимулированная диффузия золота в кремнии при импульсной фотонной обработке
2807
Критика и библиография
2800
Поперечная фотопроводимость классических композиционных сверхрешеток
2792
Дрейфовая неустойчивость, вызываемая перезарядкой центров на поверхности монополярного полупроводника
2780
Влияние условий электронного облучения на скорость образования A-центров в n-кремнии
2776
Изучение комплексов бора и кислорода с литием в компенсированном кремнии
2757
(In, Ga, Al)As ДГС РО лазеры на длину волны 1.1 мкм с (In, Ga)As напряженной квантовой ямой, ограниченной короткопериодной сверхрешеткой
2756
Проводимость полупроводниковой сверхрешетки в магнитном поле, перпендикулярном ее оси
2755
Колебательные спектры кристаллов CdP2
2743
Температурные и частотные зависимости электропроводности алмазных пленок
2739
Связь желтой электролюминесценции в 6H-SiC с глубокими центрами
2739
Вольт-амперные характеристики тонких пленок Pb1-xSnxTe<In> при различных уровнях фоновых засветок
2736
Распределение заряда и формирование глубоких уровней в полупроводниках по данным самосогласованного метода функций Грина: дефекты в кремнии и германии
2734
Влияние технологии приготовления пленок a-Si : H на излучательную рекомбинацию
2731
Обнаружение нового метастабильного уровня DX-центра в тонких легированных Si слоях AlxGa1-xAs
2731
К теории пограничных состояний в гетеропереходах
2729
Фотоэмиссия горячих электронов из диодов Шоттки p-InGaAs-Ag
2727
Распределение атомов кремния по пороговой энергии смещения и его зависимость от температуры
2724
Фотолюминесценция и фото-ЭПР высокочистого селенида цинка, облученного электронами
2723
Влияние температуры на столкновительное уширение уровней Ландау
2718
Фотолюминесценция квантовых слоев InxGa1-xAs, выращенных на плоскостях (100) и (111)A арсенида галлия
2708
Бесщелевые полумагнитные полупроводники HgFeSe О б з о р
2703
Эффект немонотонной зависимости шума 1/f от интенсивности подсветки в Si и модель объемного шума 1/f в полупроводниках
2702
Пространственное распределение носителей заряда в условиях контактной эксклюзии
2699
Фотопроводимость p-MnxHg1-xTe в магнитном поле
2697
Пограничные состояния электронного типа в инверсных гетероструктурах
2696
Влияние Yb на остаточные донорные и акцепторные примеси в GaP
2694
Крупномасштабные электрически активные примесные скопления в кристаллах кремния, выращенных методом Чохральского
2690
Метастабильные центры в низкоомных кристаллах CdTe : Cl n-типа
2690
Фотомагнитный эффект в системе n-AlxGa1-xAs/GaAs с 2D-электронами
2689
Устойчивые состояния и структурные превращения в аморфном гидрогенизированном кремнии
2688
Автор
Организация
Статей
Малютенко В.К.
9
Ломако В.М.
9
Копьев П.С.
7
Иванов-Омский В.И.
7
Леденцов Н.Н.
6
Грибников З.С.
6
Шаховцов В.И.
6
Иванов С.В.
5
Мельцер Б.Я.
5
Баранов А.Н.
5
Яковлев Ю.П.
5
Кадушкин В.И.
5
Кольченко Т.И.
5
Шик А.Я.
5
Ломасов В.Н.
5
Гельмонт Б.Л.
4
Алфёров Ж.И.
4
Хируненко Л.И.
4
Скипетров Е.П.
4
Немов С.А.
4
Казанский А.Г.
4
Капустин Ю.А.
4
Кернер Б.С.
4
Осипов В.В.
4
Пека Г.П.
4
Райчев О.Э.
4
Левинштейн М.Е.
4
Румянцев С.Л.
4
Чалдышев В.В.
4
Шмарцев Ю.В.
4
4
Конников С.Г.
4
Сеничкин А.П.
4
Георгицэ Е.И.
4
Берман Л.С.
4
Ткаченко В.Н.
4
Новиков С.В.
4
Крещук А.М.
4
Зебрев Г.И.
3
Яшник В.И.
3
Савельев И.Г.
3
Васько Ф.Т.
3
Герасименко Н.Н.
3
Хасиева Р.В.
3
Ковалюк З.Д.
3
Стельмах В.Ф.
3
Дьяконова Н.В.
3
Устинов В.М.
3
Клячкин Л.Е.
3
Суханов В.Л.
3
Рыжий В.И.
3
Толстихин В.И.
3
Житинская М.К.
3
Журавлев К.С.
3
Якушева Н.А.
3
Васильев В.А.
3
Пипа В.И.
3
Лашкарев Г.В.
3
Колокольников Б.М.
3
Андреев В.М.
3
Львова Т.В.
3
Шпинар Л.И.
3
Ясковец И.И.
3
Болгов С.С.
3
Савченко А.П.
3
Руссу Е.В.
3
Курова И.А.
3
Владимиров В.В.
3
Коллюх А.Г.
3
Беляев А.Е.
3
Медведев Б.К.
3
Архипов В.И.
3
Иванюкович В.А.
3
Карась В.И.
3
Ладыгин Е.А.
3
Дмитриев А.Г.
3
Ильичев Э.А.
3
Быковский В.А.
3
Царенков Б.В.
3
Гершензон Е.М.
3
Погорлецкий В.М.
3
Смирнов В.А.
3
Алешкин В.Я.
3
Гореленок А.Т.
3
Шмидт Н.М.
3
Витовский Н.А.
3
Крючков С.В.
3
Воробьева В.В.
3
Любченко А.В.
2
Булах Б.М.
2
Кулиш Н.Р.
2
Лисица М.П.
2
Малыш Н.И.
2
Шапошников С.В.
2
Барышев Н.С.
2
Ибрагимова М.И.
2
Гольдман Е.И.
2
Ждан А.Г.
2
Марков А.В.
2
Освенский В.Б.
2
Цидильковский И.М.
2
Волков А.С.
2
Теруков Е.И.
2
Дехтяр Ю.Д.
2
Сагалович Г.Л.
2
Козловский С.И.
2
Таиров Ю.М.
2
Цветков В.Ф.
2
Абдукадыров А.Г.
2
Ивченко Е.Л.
2
Полыгалов Ю.И.
2
Поплавной А.С.
2
Варламов И.В.
2
Липшиц Т.Л.
2
Инкин В.Н.
2
Крылов Д.Г.
2
Погребицкий К.Ю.
2
Резников Б.И.
2
Царенков Г.В.
2
Фистуль В.И.
2
Покровский Я.Е.
2
Кюрегян А.С.
2
Кальфа А.А.
2
Голикова О.А.
2
Казанин М.М.
2
Емцев В.В.
2
Клингер П.М.
2
Гафийчук В.В.
2
Дацко Б.И.
2
Жиляев Ю.В.
2
Криволапчук В.В.
2
Машкевич О.Л.
2
Шейнкман М.К.
2
Мильвидский М.Г.
2
Лебедев А.А.
2
Стрельчук А.М.
2
Прошин В.И.
2
Дощанов К.М.
2
Аветисян С.К.
2
Минасян Г.Р.
2
Жуковский П.В.
2
Захаренков Л.Ф.
2
Баранский П.И.
2
Баграев Н.Т.
2
Маляренко А.М.
2
Половцев И.С.
2
Долманов И.Н.
2
Пихтин А.Н.
2
Юнович А.Э.
2
Свешников А.А.
2
Болотов В.В.
2
Камаев Г.Н.
2
Гусейнов А.А.
2
Лугаков П.Ф.
2
Смоляр А.Н.
2
Боднарук О.А.
2
Горбатюк И.Н.
2
Раренко И.М.
2
Шиндич В.Л.
2
Решина И.И.
2
Гольдберг Ю.А.
2
Мигаль В.П.
2
Семягин Б.Р.
2
Клингер М.И.
2
Скрышевский В.А.
2
Стриха В.И.
2
Львин В.Э.
2
Мороз С.Е.
2
Корольков В.И.
2
Табаров Т.С.
2
Брунков П.Н.
2
Соболев М.М.
2
Кисин М.В.
2
Шевченко Н.В.
2
Утенко В.И.
2
Мокеров В.Г.
2
Радауцан С.И.
2
Соболев Н.А.
2
Фукс Б.И.
2
Омельяновская Н.М.
2
Никитенко В.Р.
2
Велиюлин Э.И.
2
Шикина Н.И.
2
Шикин В.Б.
2
Джаманбалин К.К.
2
Поссе Е.А.
2
Константинов О.В.
2
Литвак-Горская Л.Б.
2
Мастеров В.Ф.
2
Аншон А.В.
2
Бабушкина Т.С.
2
Звонков Б.Н.
2
Мокина И.А.
2
Яссиевич И.Н.
2
Талипов Ф.М.
2
Гицу Д.В.
2
Вывенко О.Ф.
2
Бирюлин Ю.Ф.
2
Миронов К.Е.
2
Мынбаев К.Д.
2

Учредители

Издатель

© 2026 Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук
Powered by webapplicationthemes.com - High quality HTML Theme