Вышедшие номера
Home » Физика и техника полупроводников » Статистика
Общее количество статей:
11064
Распределение количества статей по годам:
517
490
469
411
345
329
302
266
295
311
285
292
278
262
263
259
256
277
251
260
244
294
288
284
279
295
305
301
303
316
330
309
287
248
203
135
117
98
10
Распределение количества просмотров по годам:
1334423
1238725
1192456
1065778
910555
871985
796127
709539
842006
1023179
1016446
950247
944456
937903
917210
950050
971995
1004317
887050
935114
874660
1100131
1112259
1091456
1051809
1132460
1143062
1099101
1056008
1091671
992323
874515
675434
516470
387333
193029
120192
41800
1078
Распределение количества авторов по годам:
1228
1240
1185
1078
885
882
744
715
727
800
756
791
761
773
802
802
826
907
876
892
763
962
1019
1010
968
1085
1151
1063
1156
1166
1310
1097
1124
952
833
548
556
467
62
Распределение количества организаций по годам:
143
55
131
107
117
125
151
174
159
167
148
175
163
181
187
187
227
154
216
211
211
237
252
286
241
275
269
295
249
323
260
170
109
93
85
15

Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов. Дата начала обработки информации по просмотрам - 27 января 2016 г.

За 1990 год:
Статья
Просмотров
Зонная структура короткопериодичных (001)-сверхрешеток (AlAs)n(GaAs)n
35
Особенности температурной зависимости фотопроводимости слабо легированного бором a-Si : H
35
Влияние анизотропного травления на глубокие уровни в приповерхностной области арсенида галлия
35
Кинетика накопления и отжига поверхностных состояний на границе раздела структур кремний-окисел кремния при облучении
35
Изменение энергии ионизации радиационного дефекта с уровнем Ec-0.2 эВ в n-Si при одноосной деформации
35
Электрические характеристики и температурный коэффициент напряжения пробоя микроплазм в низковольтных карбид-кремниевых p-n-структурах
33
Исследование механизмов формирования 1/f-шума в p-n-переходах
33
Эффект немонотонной зависимости шума 1/f от интенсивности подсветки в Si и модель объемного шума 1/f в полупроводниках
32
Фотохимическая перестройка глубоких центров в кремнии, легированном селеном
32
Межзонные оптические переходы в легированных многодолинных полупроводниках
32
Нестабильность проводимости пленок сульфида кадмия, обусловленная фотостимулированной диффузией кислорода
32
Комбинационное рассеяние света на смешанных LO-фонон-плазмонных колебаниях в двухмодовых твердых растворах n-AlxGa1-xAs (x>0.4)
31
Особенности энергетического спектра Pb1-xSnxTe<Tl, Na>
30
Изменение поверхностного потенциала полупроводника при освещении
30
О механизме легирования халькогенидных стеклообразных полупроводников
30
Тиристор, переключаемый магнитным полем
30
Магнитная восприимчивость примесей хрома в арсениде галлия
30
Колебательные спектры кристаллической решетки политипов соединений ZnmIn2S3+m
30
Резонансная зона в сплаве Pb1-xSnxSe (x=0.07), облученном электронами
30
Диффузия примеси в полупроводниках при импульсном лазерном отжиге
29
Статья
Просмотров
Теплопроводность карбида кремния в области температур 300-3000 K
3653
Редкоземельные элементы в полупроводниках AIIIBV О б з о р
3187
Фотолюминесценция аморфных пленок a-Si1-xCx : H
3055
Кинетические явления в компенсированном n-InSb при низких температурах (О б з о р)
3036
Памяти Анатолия Робертовича Регеля (1915-1989)
3016
Влияние температуры облучения нейтронами на формирование дефектов структуры в кремнии, выращенном методом Чохральского
2962
Изменение поверхностного потенциала полупроводника при освещении
2960
Биполяроны и преобразование солнечной энергии
2927
Низкотемпературные фотолюминесценция и фотопроводимость в нелегированных аморфных полупроводниках
2920
Туннельный ток через контакт к двумерному электронному газу
2918
Процессы рекомбинации носителей заряда в CdxHg1-xTe О б з о р
2918
Скорость рекомбинации неравновесной электронно-дырочной плазмы в лазерных кристаллах CdS
2875
Оценка точности метода определения раздельной концентрации примесей из измерений постоянной Холла
2869
Неомическая прыжковая проводимость слабо компенсированных полупроводников
2851
Именной указатель
2851
Спонтанное образование и эволюция локальных областей ударной ионизации в идеально однородных p-n-структурах
2835
Циклотронный резонанс дырок германия с отрицательными массами при H-16pt||[001]
2830
Фотостимулированная диффузия золота в кремнии при импульсной фотонной обработке
2829
Механизмы снижения эффективности излучательной рекомбинации сильно легированного эпитаксиального p-GeAs : Ge
2825
Ионизация примесей бризерами в сверхрешетке
2825
Критика и библиография
2823
Поперечная фотопроводимость классических композиционных сверхрешеток
2810
Дрейфовая неустойчивость, вызываемая перезарядкой центров на поверхности монополярного полупроводника
2799
Влияние условий электронного облучения на скорость образования A-центров в n-кремнии
2791
Изучение комплексов бора и кислорода с литием в компенсированном кремнии
2778
(In, Ga, Al)As ДГС РО лазеры на длину волны 1.1 мкм с (In, Ga)As напряженной квантовой ямой, ограниченной короткопериодной сверхрешеткой
2777
Проводимость полупроводниковой сверхрешетки в магнитном поле, перпендикулярном ее оси
2775
Колебательные спектры кристаллов CdP2
2761
Температурные и частотные зависимости электропроводности алмазных пленок
2760
Связь желтой электролюминесценции в 6H-SiC с глубокими центрами
2752
Вольт-амперные характеристики тонких пленок Pb1-xSnxTe<In> при различных уровнях фоновых засветок
2751
Обнаружение нового метастабильного уровня DX-центра в тонких легированных Si слоях AlxGa1-xAs
2750
К теории пограничных состояний в гетеропереходах
2749
Распределение заряда и формирование глубоких уровней в полупроводниках по данным самосогласованного метода функций Грина: дефекты в кремнии и германии
2749
Фотоэмиссия горячих электронов из диодов Шоттки p-InGaAs-Ag
2748
Влияние технологии приготовления пленок a-Si : H на излучательную рекомбинацию
2745
Фотолюминесценция и фото-ЭПР высокочистого селенида цинка, облученного электронами
2743
Влияние температуры на столкновительное уширение уровней Ландау
2741
Распределение атомов кремния по пороговой энергии смещения и его зависимость от температуры
2739
Эффект немонотонной зависимости шума 1/f от интенсивности подсветки в Si и модель объемного шума 1/f в полупроводниках
2726
Фотолюминесценция квантовых слоев InxGa1-xAs, выращенных на плоскостях (100) и (111)A арсенида галлия
2725
Бесщелевые полумагнитные полупроводники HgFeSe О б з о р
2721
Пространственное распределение носителей заряда в условиях контактной эксклюзии
2718
Пограничные состояния электронного типа в инверсных гетероструктурах
2711
Влияние Yb на остаточные донорные и акцепторные примеси в GaP
2710
Фотопроводимость p-MnxHg1-xTe в магнитном поле
2709
Метастабильные центры в низкоомных кристаллах CdTe : Cl n-типа
2705
Устойчивые состояния и структурные превращения в аморфном гидрогенизированном кремнии
2705
Крупномасштабные электрически активные примесные скопления в кристаллах кремния, выращенных методом Чохральского
2703
Фотомагнитный эффект в системе n-AlxGa1-xAs/GaAs с 2D-электронами
2702
Автор
Организация
Статей
Малютенко В.К.
9
Ломако В.М.
9
Копьев П.С.
7
Иванов-Омский В.И.
7
Леденцов Н.Н.
6
Грибников З.С.
6
Шаховцов В.И.
6
Иванов С.В.
5
Мельцер Б.Я.
5
Баранов А.Н.
5
Яковлев Ю.П.
5
Кадушкин В.И.
5
Кольченко Т.И.
5
Шик А.Я.
5
Ломасов В.Н.
5
Гельмонт Б.Л.
4
Алфёров Ж.И.
4
Хируненко Л.И.
4
Скипетров Е.П.
4
Немов С.А.
4
Казанский А.Г.
4
Капустин Ю.А.
4
Кернер Б.С.
4
Осипов В.В.
4
Пека Г.П.
4
Райчев О.Э.
4
Левинштейн М.Е.
4
Румянцев С.Л.
4
Чалдышев В.В.
4
Шмарцев Ю.В.
4
4
Конников С.Г.
4
Сеничкин А.П.
4
Георгицэ Е.И.
4
Берман Л.С.
4
Ткаченко В.Н.
4
Новиков С.В.
4
Крещук А.М.
4
Зебрев Г.И.
3
Яшник В.И.
3
Савельев И.Г.
3
Васько Ф.Т.
3
Герасименко Н.Н.
3
Хасиева Р.В.
3
Ковалюк З.Д.
3
Стельмах В.Ф.
3
Дьяконова Н.В.
3
Устинов В.М.
3
Клячкин Л.Е.
3
Суханов В.Л.
3
Рыжий В.И.
3
Толстихин В.И.
3
Житинская М.К.
3
Журавлев К.С.
3
Якушева Н.А.
3
Васильев В.А.
3
Пипа В.И.
3
Лашкарев Г.В.
3
Колокольников Б.М.
3
Андреев В.М.
3
Львова Т.В.
3
Шпинар Л.И.
3
Ясковец И.И.
3
Болгов С.С.
3
Савченко А.П.
3
Руссу Е.В.
3
Курова И.А.
3
Владимиров В.В.
3
Коллюх А.Г.
3
Беляев А.Е.
3
Медведев Б.К.
3
Архипов В.И.
3
Иванюкович В.А.
3
Карась В.И.
3
Ладыгин Е.А.
3
Дмитриев А.Г.
3
Ильичев Э.А.
3
Быковский В.А.
3
Царенков Б.В.
3
Гершензон Е.М.
3
Погорлецкий В.М.
3
Смирнов В.А.
3
Алешкин В.Я.
3
Гореленок А.Т.
3
Шмидт Н.М.
3
Витовский Н.А.
3
Крючков С.В.
3
Воробьева В.В.
3
Любченко А.В.
2
Луценко М.Э.
2
Булах Б.М.
2
Марков А.В.
2
Освенский В.Б.
2
Бордовский Г.А.
2
Афанасьева Н.П.
2
Волков А.С.
2
Теруков Е.И.
2
Дехтяр Ю.Д.
2
Сагалович Г.Л.
2
Козловский С.И.
2
Таиров Ю.М.
2
Цветков В.Ф.
2
Ивченко Е.Л.
2
Ашкинадзе Б.М.
2
Бельков В.В.
2
Полыгалов Ю.И.
2
Поплавной А.С.
2
Елизаров А.И.
2
Богобоящий В.В.
2
Олейник С.П.
2
Крылов Д.Г.
2
Погребицкий К.Ю.
2
Мякенькая Г.С.
2
Гуцев Г.Л.
2
Дахно А.Н.
2
Джуртанов Б.Е.
2
Лагунова Т.С.
2
Резников Б.И.
2
Царенков Г.В.
2
Добровольский В.Н.
2
Покровский Я.Е.
2
Яблоновский Е.И.
2
Кальфа А.А.
2
Пашковский А.Б.
2
Голикова О.А.
2
Казанин М.М.
2
Емцев В.В.
2
Дацко Б.И.
2
Криволапчук В.В.
2
Машкевич О.Л.
2
Мильвидский М.Г.
2
Лебедев А.А.
2
Дощанов К.М.
2
Лазоренко В.И.
2
Жуковский П.В.
2
Баранский П.И.
2
Комиренко С.М.
2
Баграев Н.Т.
2
Маляренко А.М.
2
Половцев И.С.
2
Долманов И.Н.
2
Пихтин А.Н.
2
Сурис Р.А.
2
Юнович А.Э.
2
Свешников А.А.
2
Болотов В.В.
2
Камаев Г.Н.
2
Гусейнов А.А.
2
Лугаков П.Ф.
2
Смоляр А.Н.
2
Боднарук О.А.
2
Горбатюк И.Н.
2
Раренко И.М.
2
Шиндич В.Л.
2
Решина И.И.
2
Кикоин К.А.
2
Мезрин О.А.
2
Трошков С.И.
2
Клингер М.И.
2
Скрышевский В.А.
2
Стриха В.И.
2
Кульбачинский В.А.
2
Львин В.Э.
2
Цэндин К.Д.
2
Викулин И.М.
2
Мороз С.Е.
2
Корольков В.И.
2
Табаров Т.С.
2
Брунков П.Н.
2
Соболев М.М.
2
Кисин М.В.
2
Шевченко Н.В.
2
Утенко В.И.
2
Мокеров В.Г.
2
Зуев В.В.
2
Радауцан С.И.
2
Соболев Н.А.
2
Фукс Б.И.
2
Омельяновская Н.М.
2
Никитенко В.Р.
2
Дашевский З.М.
2
Руленко М.П.
2
Велиюлин Э.И.
2
Шикин В.Б.
2
Джаманбалин К.К.
2
Заячук Д.М.
2
Константинов О.В.
2
Вейс А.Н.
2
Аншон А.В.
2
Бабушкина Т.С.
2
Звонков Б.Н.
2
Малкина И.Г.
2
Мокина И.А.
2
Яссиевич И.Н.
2
Талипов Ф.М.
2
Гицу Д.В.
2
Вывенко О.Ф.
2
Бирюлин Ю.Ф.
2
Миронов К.Е.
2
Мынбаев К.Д.
2

Учредители

Издатель

© 2026 Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук
Powered by webapplicationthemes.com - High quality HTML Theme