"Физика и техника полупроводников"
Издателям
Вышедшие номера
Home » Физика и техника полупроводников » Издателям » Статистика
Общее количество статей:
9912
Распределение статей по годам:
517
490
469
411
345
329
302
266
295
311
285
292
278
262
263
259
256
277
251
260
244
294
288
284
279
295
305
301
303
316
330
255

Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов. Дата начала обработки информации по просмотрам - 27 января 2016 г.

За 1990 год:
Статья
Просмотров
Резонансная зона в сплаве Pb1-xSnxSe (x=0.07), облученном электронами
12
О механизме легирования халькогенидных стеклообразных полупроводников
12
Шумовая температура в компенсированном n-InSb<Cr>
12
Влияние силовых полей на образование радиационных дефектов в кремнии при электронном облучении структур SiO2-Si
12
Параметры зонной структуры твердых растворов SixGe1-x
11
Перенос электронов через нерезкий Gamma X-гетеропереход
10
К теории пограничных состояний в гетеропереходах
10
Влияние поперечного градиента концентрации носителей заряда на распределение холловского потенциала в полупроводнике
10
Электронные свойства бистабильных дефектов
10
Исследование метастабильных квазилокальных состояний индия в теллуриде свинца методом туннельной спектроскопии
10
Локальные состояния в InxBi2-xTe3
10
Дефекты структуры в сильно легированном бором кремнии, облученном нейтронами
10
Изучение комплексов бора и кислорода с литием в компенсированном кремнии
10
Особенности однофононного захвата электрона в магнитном поле
9
Оценка точности метода определения раздельной концентрации примесей из измерений постоянной Холла
9
Затухание бризера в сверхрешетке
9
Релаксационные явления в полупроводниках с заряженными дислокациями
9
Зонная структура короткопериодичных (001)-сверхрешеток (AlAs)n(GaAs)n
9
Бифуркации удвоения периода и хаос в модели температурно-электрической неустойчивости в полупроводнике с двумя уровнями прилипания
9
Изменение концентрации атомов бора и фосфора в узлах решетки кремния при облучении электронами
9
Статья
Просмотров
Кинетические явления в компенсированном n-InSb при низких температурах (О б з о р)
868
Туннельный ток через контакт к двумерному электронному газу
838
Биполяроны и преобразование солнечной энергии
837
Влияние температуры облучения нейтронами на формирование дефектов структуры в кремнии, выращенном методом Чохральского
826
Особенности поведения изовалентной примеси --- индия при легировании арсенида галлия в процессе газофазовой эпитаксии из металлоорганических соединений
823
Обнаружение нового метастабильного уровня DX-центра в тонких легированных Si слоях AlxGa1-xAs
811
Колебательные спектры кристаллов CdP2
788
Распределение атомов кремния по пороговой энергии смещения и его зависимость от температуры
788
Оценка точности метода определения раздельной концентрации примесей из измерений постоянной Холла
785
Поперечная фотопроводимость классических композиционных сверхрешеток
784
Температурные и частотные зависимости электропроводности алмазных пленок
782
Влияние состава Ga1-xBix жидкой фазы на образование комплексов в эпитаксиальном GaAs, сильно легированном германием
776
О природе K-центра в кремнии
772
Кластерные образования в эпитаксиальных слоях твердых растворов p-GaInSbAs, выращенных на подложках n-GaSb : Te
768
Скорость рекомбинации неравновесной электронно-дырочной плазмы в лазерных кристаллах CdS
761
Теплопроводность карбида кремния в области температур 300-3000 K
758
Фотомагнитный эффект в системе n-AlxGa1-xAs/GaAs с 2D-электронами
758
Спонтанное образование и эволюция локальных областей ударной ионизации в идеально однородных p-n-структурах
753
Связь желтой электролюминесценции в 6H-SiC с глубокими центрами
753
Ионизация примесей бризерами в сверхрешетке
753
Фотоэлектрические характеристики многослойных p+-i-n+-структур GaAs-AlGaAs с квантовыми ямами
752
Влияние магнитного поля на электропроводность полупроводников в условиях резонансного рассеяния носителей тока
747
Фотолюминесценция аморфных пленок a-Si1-xCx : H
745
Вольт-амперные характеристики тонких пленок Pb1-xSnxTe<In> при различных уровнях фоновых засветок
743
Критика и библиография
740
Фотопроводимость p-MnxHg1-xTe в магнитном поле
740
Электронная структура примеси на дислокации
739
Рекомбинация носителей через акцепторные уровни собственных дефектов в кристаллах n-CdxHg1-xTe, подвергнутых ультразвуковой обработке
737
Анизотропия кинетических эффектов в гетероструктурах с 2D-электронами на сильно разориентированных подложках
736
Двумерные ганновские домены в слоистых структурах
734
Пространственный перенос электронов в полевых транзисторах на гетероструктурах с селективным легированием
733
Пространственное распределение носителей заряда в условиях контактной эксклюзии
733
Именной указатель
732
Нестационарный фотоэффект в варизонной m-p-n-структуре. IV. Влияние внешней нагрузки
731
Неомическая прыжковая проводимость слабо компенсированных полупроводников
728
Генерация и отжиг дефектов при совмещенном геттерировании в кремнии n-типа. II. Точечные дефекты, индуцированные геттерирующими микродефектами
727
Влияние Yb на остаточные донорные и акцепторные примеси в GaP
727
Внутреннее перераспределение электрического поля и оптическая нелинейность в P-i-N-гетероструктурах при электропоглощении света
722
Спектральные характеристики длинных фотодиодов с нелинейным профилем ширины запрещенной зоны
721
Фотолюминесценция и фото-ЭПР высокочистого селенида цинка, облученного электронами
720
Дрейфовая неустойчивость, вызываемая перезарядкой центров на поверхности монополярного полупроводника
720
Изоэлектронные примеси замещения Sc и Ti в CdTe
719
Фотоэмиссия горячих электронов из диодов Шоттки p-InGaAs-Ag
719
Устойчивые состояния и структурные превращения в аморфном гидрогенизированном кремнии
718
Электрические и фотоэлектрические свойства твердых растворов p-GaInSbAs
718
К теории пограничных состояний в гетеропереходах
717
Изменение поверхностного потенциала полупроводника при освещении
715
Электрофизические свойства планарных n+-p-переходов, созданных легированием арсенида индия ионами серы
714
Удельные сдвиги носителей заряда и фотопроводимость аморфного гидрированного кремния
714
Пространственное распределение зарядов, прогенерированных туннельной инжекцией электронов из кремния в термический диоксид МДП структуры
713

Учредители

Издатель

© 2019 Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук
Powered by webapplicationthemes.com - High quality HTML Theme