"Физика и техника полупроводников"
Вышедшие номера
Home » Физика и техника полупроводников » Издателям » Статистика
Общее количество статей:
10379
Распределение статей по годам:
517
490
469
411
345
329
302
266
295
311
285
292
278
262
263
259
256
277
251
260
244
294
288
284
279
295
305
301
303
316
330
309
287
126

Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов. Дата начала обработки информации по просмотрам - 27 января 2016 г.

За 1990 год:
Статья
Просмотров
Микроплазмы в идеально однородных p-i-n-структурах
13
О влиянии туннельной рекомбинации на квантовый выход фотогенерации носителей в неупорядоченных материалах
11
Горячие экситоны в области неоднородного электрического поля
10
Винтовая неустойчивость в варизонных полупроводниках
10
Кинетика дефектообразования в кремнии при имплантации в него ионов фосфора
10
Температурная зависимость шума 1/f в p-InSb
10
Электропроводность n+-n-n+-структур GaAs микронной и субмикронной длин в слабо греющем электрическом поле
10
Датчик электронов на основе кремниевого барьера Шоттки со слоем туннельно-прозрачного диэлектрика
10
Эффект немонотонной зависимости шума 1/f от интенсивности подсветки в Si и модель объемного шума 1/f в полупроводниках
10
Излучение n-InSb в далекой ИК области
9
Фотолюминесценция квантовых слоев InxGa1-xAs, выращенных на плоскостях (100) и (111)A арсенида галлия
9
Усиление гиперзвука при межпримесном поглощении света в полупроводниках
9
Фотоионизация квантовых ям в сильном электрическом поле
9
Именной указатель
9
Резонансная зона в сплаве Pb1-xSnxSe (x=0.07), облученном электронами
9
О модели двухэлектронной проводимости в Hg1-xCdTe
9
Полевое гашение экситонной фотопроводимости в монокристаллах
9
Определение концентрации марганца в твердых растворах Hg1-xMnxTe методом электроотражения
9
Диэлектрическая релаксация в компенсированном кремнии
9
Зеемановское расщепление 3Gamma8--состояния мелких акцепторов в германии
9
Статья
Просмотров
Кинетические явления в компенсированном n-InSb при низких температурах (О б з о р)
1223
Биполяроны и преобразование солнечной энергии
1198
Влияние температуры облучения нейтронами на формирование дефектов структуры в кремнии, выращенном методом Чохральского
1193
Туннельный ток через контакт к двумерному электронному газу
1176
Фотолюминесценция аморфных пленок a-Si1-xCx : H
1152
Особенности поведения изовалентной примеси --- индия при легировании арсенида галлия в процессе газофазовой эпитаксии из металлоорганических соединений
1151
Редкоземельные элементы в полупроводниках AIIIBV О б з о р
1138
Колебательные спектры кристаллов CdP2
1138
Поперечная фотопроводимость классических композиционных сверхрешеток
1133
Ионизация примесей бризерами в сверхрешетке
1133
Обнаружение нового метастабильного уровня DX-центра в тонких легированных Si слоях AlxGa1-xAs
1130
Распределение атомов кремния по пороговой энергии смещения и его зависимость от температуры
1126
Оценка точности метода определения раздельной концентрации примесей из измерений постоянной Холла
1112
Влияние состава Ga1-xBix жидкой фазы на образование комплексов в эпитаксиальном GaAs, сильно легированном германием
1110
Критика и библиография
1110
Именной указатель
1107
Теплопроводность карбида кремния в области температур 300-3000 K
1106
Фотомагнитный эффект в системе n-AlxGa1-xAs/GaAs с 2D-электронами
1103
Температурные и частотные зависимости электропроводности алмазных пленок
1101
О природе K-центра в кремнии
1098
Фотопроводимость p-MnxHg1-xTe в магнитном поле
1095
Связь желтой электролюминесценции в 6H-SiC с глубокими центрами
1092
Двумерные ганновские домены в слоистых структурах
1090
Кластерные образования в эпитаксиальных слоях твердых растворов p-GaInSbAs, выращенных на подложках n-GaSb : Te
1088
К теории пограничных состояний в гетеропереходах
1083
Анизотропия кинетических эффектов в гетероструктурах с 2D-электронами на сильно разориентированных подложках
1075
Скорость рекомбинации неравновесной электронно-дырочной плазмы в лазерных кристаллах CdS
1074
Процессы рекомбинации носителей заряда в CdxHg1-xTe О б з о р
1071
Фотоэмиссия горячих электронов из диодов Шоттки p-InGaAs-Ag
1070
Электронная структура примеси на дислокации
1070
Пространственное распределение носителей заряда в условиях контактной эксклюзии
1070
Удельные сдвиги носителей заряда и фотопроводимость аморфного гидрированного кремния
1068
Изоэлектронные примеси замещения Sc и Ti в CdTe
1066
Влияние магнитного поля на электропроводность полупроводников в условиях резонансного рассеяния носителей тока
1064
Рекомбинация носителей через акцепторные уровни собственных дефектов в кристаллах n-CdxHg1-xTe, подвергнутых ультразвуковой обработке
1063
Изучение комплексов бора и кислорода с литием в компенсированном кремнии
1063
Пограничные состояния электронного типа в инверсных гетероструктурах
1063
Влияние Yb на остаточные донорные и акцепторные примеси в GaP
1062
Устойчивые состояния и структурные превращения в аморфном гидрогенизированном кремнии
1062
Генерация и отжиг дефектов при совмещенном геттерировании в кремнии n-типа. II. Точечные дефекты, индуцированные геттерирующими микродефектами
1061
Спонтанное образование и эволюция локальных областей ударной ионизации в идеально однородных p-n-структурах
1061
Вольт-амперные характеристики тонких пленок Pb1-xSnxTe<In> при различных уровнях фоновых засветок
1061
Дрейфовая неустойчивость, вызываемая перезарядкой центров на поверхности монополярного полупроводника
1059
Неомическая прыжковая проводимость слабо компенсированных полупроводников
1059
Пространственный перенос электронов в полевых транзисторах на гетероструктурах с селективным легированием
1059
Спектральные характеристики длинных фотодиодов с нелинейным профилем ширины запрещенной зоны
1058
Фотоэлектрические характеристики многослойных p+-i-n+-структур GaAs-AlGaAs с квантовыми ямами
1057
Зависимость эффективной высоты потенциального барьера в М-ТД-П структурах при инфракрасной подсветке
1055
Изменение поверхностного потенциала полупроводника при освещении
1055
Образование позитронно-чувствительных дефектов в процессе термообработки кремния в хлорсодержащей атмосфере
1053

Учредители

Издатель

© 2021 Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук
Powered by webapplicationthemes.com - High quality HTML Theme