"Физика и техника полупроводников"
Издателям
Вышедшие номера
Home » Физика и техника полупроводников » Издателям » Статистика
Общее количество статей:
9966
Распределение статей по годам:
517
490
469
411
345
329
302
266
295
311
285
292
278
262
263
259
256
277
251
260
244
294
288
284
279
295
305
301
303
316
330
309

Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов. Дата начала обработки информации по просмотрам - 27 января 2016 г.

За 1990 год:
Статья
Просмотров
Микроплазмы в идеально однородных p-i-n-структурах
11
Особенности изменения физических свойств InSe интеркалированием хлором
11
Электрофизические свойства сплавов Cu2-xSe, легированных электроактивными добавками
11
(In, Ga, Al)As ДГС РО лазеры на длину волны 1.1 мкм с (In, Ga)As напряженной квантовой ямой, ограниченной короткопериодной сверхрешеткой
11
Гальваномагнитные эффекты в сплаве p-Pb1-xSnxTe (x=0.2), облученном электронами
10
Тензоэлектрические явления в контактах металл-арсенид галлия при анизотропном давлении
10
Нестабильность проводимости пленок сульфида кадмия, обусловленная фотостимулированной диффузией кислорода
10
Простой метод определения плотности поверхностных состояний по температурным измерениям ВАХ МОП транзисторов
9
Подвижность и механизмы рассеяния дырок в Pb0.92Sn0.08S0.8Se0.2
9
Квантовый эффект Холла и g-фактор 2D-электронов в гетероструктурах на основе GaAs
9
Образование позитронно-чувствительных дефектов в процессе термообработки кремния в хлорсодержащей атмосфере
9
Опечатки и исправления (ФТП, 1990. Т. 24. В. 6. С. 1019-1025)
9
Особенности электрофизических свойств GaAsSb, легированного амфотерной примесь --- германием
9
Эффект "отрицательного сопротивления" в Cd0.1Hg0.9Te
9
Фотопроводимость в области циклотронного резонанса двумерного электронного газа в GaAs/AlGaAs при больших факторах заполнения
9
Исследование комплексообразования в эпитаксиальном сильно легированном p-GaAs : Ge методом фотолюминесценции
8
Поверхностные плазменные волны в сверхрешетках с квантовыми ямами
8
Фотоэмиссия горячих электронов из диодов Шоттки p-InGaAs-Ag
8
О механизмах образования фотоиндуцированных дефектов в нелегированных пленках a-Si : H
8
Подвижность электронов и термоэдс полупроводниковой сверхрешетки при рассеянии на фононах
8
Статья
Просмотров
Кинетические явления в компенсированном n-InSb при низких температурах (О б з о р)
918
Биполяроны и преобразование солнечной энергии
880
Влияние температуры облучения нейтронами на формирование дефектов структуры в кремнии, выращенном методом Чохральского
873
Туннельный ток через контакт к двумерному электронному газу
869
Особенности поведения изовалентной примеси --- индия при легировании арсенида галлия в процессе газофазовой эпитаксии из металлоорганических соединений
847
Обнаружение нового метастабильного уровня DX-центра в тонких легированных Si слоях AlxGa1-xAs
839
Колебательные спектры кристаллов CdP2
818
Распределение атомов кремния по пороговой энергии смещения и его зависимость от температуры
816
Поперечная фотопроводимость классических композиционных сверхрешеток
816
Оценка точности метода определения раздельной концентрации примесей из измерений постоянной Холла
815
Температурные и частотные зависимости электропроводности алмазных пленок
809
Влияние состава Ga1-xBix жидкой фазы на образование комплексов в эпитаксиальном GaAs, сильно легированном германием
805
О природе K-центра в кремнии
800
Критика и библиография
793
Кластерные образования в эпитаксиальных слоях твердых растворов p-GaInSbAs, выращенных на подложках n-GaSb : Te
792
Фотомагнитный эффект в системе n-AlxGa1-xAs/GaAs с 2D-электронами
790
Теплопроводность карбида кремния в области температур 300-3000 K
790
Скорость рекомбинации неравновесной электронно-дырочной плазмы в лазерных кристаллах CdS
787
Связь желтой электролюминесценции в 6H-SiC с глубокими центрами
784
Ионизация примесей бризерами в сверхрешетке
782
Анизотропия кинетических эффектов в гетероструктурах с 2D-электронами на сильно разориентированных подложках
780
Спонтанное образование и эволюция локальных областей ударной ионизации в идеально однородных p-n-структурах
780
Фотолюминесценция аморфных пленок a-Si1-xCx : H
779
Фотоэлектрические характеристики многослойных p+-i-n+-структур GaAs-AlGaAs с квантовыми ямами
778
Влияние магнитного поля на электропроводность полупроводников в условиях резонансного рассеяния носителей тока
774
Рекомбинация носителей через акцепторные уровни собственных дефектов в кристаллах n-CdxHg1-xTe, подвергнутых ультразвуковой обработке
770
Фотопроводимость p-MnxHg1-xTe в магнитном поле
770
Электронная структура примеси на дислокации
767
Вольт-амперные характеристики тонких пленок Pb1-xSnxTe<In> при различных уровнях фоновых засветок
767
Пространственное распределение носителей заряда в условиях контактной эксклюзии
762
Именной указатель
762
Двумерные ганновские домены в слоистых структурах
761
Пространственный перенос электронов в полевых транзисторах на гетероструктурах с селективным легированием
760
Изоэлектронные примеси замещения Sc и Ti в CdTe
757
Нестационарный фотоэффект в варизонной m-p-n-структуре. IV. Влияние внешней нагрузки
757
Влияние Yb на остаточные донорные и акцепторные примеси в GaP
756
Неомическая прыжковая проводимость слабо компенсированных полупроводников
756
Удельные сдвиги носителей заряда и фотопроводимость аморфного гидрированного кремния
754
Дрейфовая неустойчивость, вызываемая перезарядкой центров на поверхности монополярного полупроводника
753
Генерация и отжиг дефектов при совмещенном геттерировании в кремнии n-типа. II. Точечные дефекты, индуцированные геттерирующими микродефектами
752
Устойчивые состояния и структурные превращения в аморфном гидрогенизированном кремнии
752
Фотоэмиссия горячих электронов из диодов Шоттки p-InGaAs-Ag
751
Внутреннее перераспределение электрического поля и оптическая нелинейность в P-i-N-гетероструктурах при электропоглощении света
750
Фотолюминесценция и фото-ЭПР высокочистого селенида цинка, облученного электронами
750
Спектральные характеристики длинных фотодиодов с нелинейным профилем ширины запрещенной зоны
749
К теории пограничных состояний в гетеропереходах
749
Изменение поверхностного потенциала полупроводника при освещении
746
Пограничные состояния электронного типа в инверсных гетероструктурах
744
Влияние крупномасштабных флуктуаций распределения примесей на туннелирование и электропоглощение в обратно смещенных p-n-переходах
742
Электрофизические свойства планарных n+-p-переходов, созданных легированием арсенида индия ионами серы
741

Учредители

Издатель

© 2019 Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук
Powered by webapplicationthemes.com - High quality HTML Theme