Вышедшие номера
Home » Физика и техника полупроводников » Статистика
Общее количество статей:
11064
Распределение количества статей по годам:
517
490
469
411
345
329
302
266
295
311
285
292
278
262
263
259
256
277
251
260
244
294
288
284
279
295
305
301
303
316
330
309
287
248
203
135
117
98
10
Распределение количества просмотров по годам:
1330756
1235365
1189279
1062960
908233
869833
794098
707689
839916
1020847
1014066
948175
942418
935937
915155
948013
970117
1002124
885176
933007
872857
1097747
1110113
1089135
1049570
1130177
1140528
1096868
1053016
1087811
988886
871275
672570
513894
385406
192126
119501
41128
781
Распределение количества авторов по годам:
1228
1240
1185
1078
885
882
744
715
727
800
756
791
761
773
802
802
826
907
876
892
763
962
1019
1010
968
1085
1151
1063
1156
1166
1310
1097
1124
952
833
548
556
467
62
Распределение количества организаций по годам:
143
55
131
107
117
125
151
174
159
167
148
175
163
181
187
187
227
154
216
211
211
237
252
286
241
275
269
295
249
323
260
170
109
93
85
15

Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов. Дата начала обработки информации по просмотрам - 27 января 2016 г.

За 1990 год:
Статья
Просмотров
Влияние анизотропного травления на глубокие уровни в приповерхностной области арсенида галлия
38
Зонная структура короткопериодичных (001)-сверхрешеток (AlAs)n(GaAs)n
35
Акустоэлектронное взаимодействие в Te и CdS в сильном магнитном поле
35
Кинетика накопления и отжига поверхностных состояний на границе раздела структур кремний-окисел кремния при облучении
34
Изменение энергии ионизации радиационного дефекта с уровнем Ec-0.2 эВ в n-Si при одноосной деформации
34
Фотостимулированный поперечный радиоэлектрический эффект при межзонной подсветке
34
Межзонные оптические переходы в легированных многодолинных полупроводниках
33
Динамический эффект Бурштейна-Мосса в монокристаллическом CdSe и стекле КС-19
33
Резонансная зона в сплаве Pb1-xSnxSe (x=0.07), облученном электронами
32
Нестабильность проводимости пленок сульфида кадмия, обусловленная фотостимулированной диффузией кислорода
32
Особенности энергетического спектра Pb1-xSnxTe<Tl, Na>
32
Кинетические явления в компенсированном n-InSb при низких температурах (О б з о р)
32
Особенности температурной зависимости фотопроводимости слабо легированного бором a-Si : H
32
Исследование механизмов формирования 1/f-шума в p-n-переходах
31
Комбинационное рассеяние света на смешанных LO-фонон-плазмонных колебаниях в двухмодовых твердых растворах n-AlxGa1-xAs (x>0.4)
31
Фотолюминесценция твердых растворов Cd0.4Hg0.6Te
31
Памяти Анатолия Робертовича Регеля (1915-1989)
31
О применимости метода температурной зависимости емкости и активной проводимости для определения параметров глубоких центров в перекомпенсированном полупроводнике
31
Изучение комплексов бора и кислорода с литием в компенсированном кремнии
31
Тиристор, переключаемый магнитным полем
31
Статья
Просмотров
Теплопроводность карбида кремния в области температур 300-3000 K
3642
Редкоземельные элементы в полупроводниках AIIIBV О б з о р
3180
Фотолюминесценция аморфных пленок a-Si1-xCx : H
3046
Кинетические явления в компенсированном n-InSb при низких температурах (О б з о р)
3032
Памяти Анатолия Робертовича Регеля (1915-1989)
3009
Влияние температуры облучения нейтронами на формирование дефектов структуры в кремнии, выращенном методом Чохральского
2958
Изменение поверхностного потенциала полупроводника при освещении
2949
Биполяроны и преобразование солнечной энергии
2920
Процессы рекомбинации носителей заряда в CdxHg1-xTe О б з о р
2913
Низкотемпературные фотолюминесценция и фотопроводимость в нелегированных аморфных полупроводниках
2913
Туннельный ток через контакт к двумерному электронному газу
2910
Скорость рекомбинации неравновесной электронно-дырочной плазмы в лазерных кристаллах CdS
2869
Оценка точности метода определения раздельной концентрации примесей из измерений постоянной Холла
2863
Неомическая прыжковая проводимость слабо компенсированных полупроводников
2847
Именной указатель
2843
Спонтанное образование и эволюция локальных областей ударной ионизации в идеально однородных p-n-структурах
2830
Циклотронный резонанс дырок германия с отрицательными массами при H-16pt||[001]
2826
Фотостимулированная диффузия золота в кремнии при импульсной фотонной обработке
2824
Механизмы снижения эффективности излучательной рекомбинации сильно легированного эпитаксиального p-GeAs : Ge
2821
Ионизация примесей бризерами в сверхрешетке
2820
Критика и библиография
2813
Поперечная фотопроводимость классических композиционных сверхрешеток
2803
Дрейфовая неустойчивость, вызываемая перезарядкой центров на поверхности монополярного полупроводника
2792
Влияние условий электронного облучения на скорость образования A-центров в n-кремнии
2785
Проводимость полупроводниковой сверхрешетки в магнитном поле, перпендикулярном ее оси
2769
(In, Ga, Al)As ДГС РО лазеры на длину волны 1.1 мкм с (In, Ga)As напряженной квантовой ямой, ограниченной короткопериодной сверхрешеткой
2769
Изучение комплексов бора и кислорода с литием в компенсированном кремнии
2768
Температурные и частотные зависимости электропроводности алмазных пленок
2755
Колебательные спектры кристаллов CdP2
2754
Вольт-амперные характеристики тонких пленок Pb1-xSnxTe<In> при различных уровнях фоновых засветок
2747
Распределение заряда и формирование глубоких уровней в полупроводниках по данным самосогласованного метода функций Грина: дефекты в кремнии и германии
2746
Связь желтой электролюминесценции в 6H-SiC с глубокими центрами
2746
Обнаружение нового метастабильного уровня DX-центра в тонких легированных Si слоях AlxGa1-xAs
2745
К теории пограничных состояний в гетеропереходах
2744
Влияние технологии приготовления пленок a-Si : H на излучательную рекомбинацию
2742
Фотоэмиссия горячих электронов из диодов Шоттки p-InGaAs-Ag
2741
Влияние температуры на столкновительное уширение уровней Ландау
2734
Распределение атомов кремния по пороговой энергии смещения и его зависимость от температуры
2733
Фотолюминесценция и фото-ЭПР высокочистого селенида цинка, облученного электронами
2732
Фотолюминесценция квантовых слоев InxGa1-xAs, выращенных на плоскостях (100) и (111)A арсенида галлия
2719
Бесщелевые полумагнитные полупроводники HgFeSe О б з о р
2716
Эффект немонотонной зависимости шума 1/f от интенсивности подсветки в Si и модель объемного шума 1/f в полупроводниках
2714
Пространственное распределение носителей заряда в условиях контактной эксклюзии
2711
Влияние Yb на остаточные донорные и акцепторные примеси в GaP
2705
Пограничные состояния электронного типа в инверсных гетероструктурах
2704
Фотопроводимость p-MnxHg1-xTe в магнитном поле
2704
Устойчивые состояния и структурные превращения в аморфном гидрогенизированном кремнии
2700
Метастабильные центры в низкоомных кристаллах CdTe : Cl n-типа
2699
Фотомагнитный эффект в системе n-AlxGa1-xAs/GaAs с 2D-электронами
2698
Крупномасштабные электрически активные примесные скопления в кристаллах кремния, выращенных методом Чохральского
2695
Автор
Организация
Статей
Малютенко В.К.
9
Ломако В.М.
9
Копьев П.С.
7
Иванов-Омский В.И.
7
Леденцов Н.Н.
6
Грибников З.С.
6
Шаховцов В.И.
6
Иванов С.В.
5
Мельцер Б.Я.
5
Баранов А.Н.
5
Яковлев Ю.П.
5
Кадушкин В.И.
5
Кольченко Т.И.
5
Шик А.Я.
5
Ломасов В.Н.
5
Гельмонт Б.Л.
4
Алфёров Ж.И.
4
Хируненко Л.И.
4
Скипетров Е.П.
4
Немов С.А.
4
Казанский А.Г.
4
Капустин Ю.А.
4
Кернер Б.С.
4
Осипов В.В.
4
Пека Г.П.
4
Райчев О.Э.
4
Левинштейн М.Е.
4
Румянцев С.Л.
4
Чалдышев В.В.
4
Шмарцев Ю.В.
4
4
Конников С.Г.
4
Сеничкин А.П.
4
Георгицэ Е.И.
4
Берман Л.С.
4
Ткаченко В.Н.
4
Новиков С.В.
4
Крещук А.М.
4
Зебрев Г.И.
3
Яшник В.И.
3
Савельев И.Г.
3
Васько Ф.Т.
3
Герасименко Н.Н.
3
Хасиева Р.В.
3
Ковалюк З.Д.
3
Стельмах В.Ф.
3
Дьяконова Н.В.
3
Устинов В.М.
3
Клячкин Л.Е.
3
Суханов В.Л.
3
Рыжий В.И.
3
Толстихин В.И.
3
Житинская М.К.
3
Журавлев К.С.
3
Якушева Н.А.
3
Васильев В.А.
3
Пипа В.И.
3
Лашкарев Г.В.
3
Колокольников Б.М.
3
Андреев В.М.
3
Львова Т.В.
3
Шпинар Л.И.
3
Ясковец И.И.
3
Болгов С.С.
3
Савченко А.П.
3
Руссу Е.В.
3
Курова И.А.
3
Владимиров В.В.
3
Коллюх А.Г.
3
Беляев А.Е.
3
Медведев Б.К.
3
Архипов В.И.
3
Иванюкович В.А.
3
Карась В.И.
3
Ладыгин Е.А.
3
Дмитриев А.Г.
3
Ильичев Э.А.
3
Быковский В.А.
3
Царенков Б.В.
3
Гершензон Е.М.
3
Погорлецкий В.М.
3
Смирнов В.А.
3
Алешкин В.Я.
3
Гореленок А.Т.
3
Шмидт Н.М.
3
Витовский Н.А.
3
Крючков С.В.
3
Воробьева В.В.
3
Луценко М.Э.
2
Булах Б.М.
2
Кулиш Н.Р.
2
Лисица М.П.
2
Малыш Н.И.
2
Шапошников С.В.
2
Барышев Н.С.
2
Ибрагимова М.И.
2
Гольдман Е.И.
2
Ждан А.Г.
2
Афанасьева Н.П.
2
Цидильковский И.М.
2
Волков А.С.
2
Теруков Е.И.
2
Козловский С.И.
2
Абдукадыров А.Г.
2
Ивченко Е.Л.
2
Ашкинадзе Б.М.
2
Бельков В.В.
2
Красинская А.Г.
2
Богобоящий В.В.
2
Олейник С.П.
2
Матына Л.И.
2
Варламов И.В.
2
Липшиц Т.Л.
2
Инкин В.Н.
2
Крылов Д.Г.
2
Берковиц В.Л.
2
Мякенькая Г.С.
2
Дахно А.Н.
2
Джуртанов Б.Е.
2
Лагунова Т.С.
2
Сиповская М.А.
2
Добровольский В.Н.
2
Фистуль В.И.
2
Сыродоев Г.А.
2
Покровский Я.Е.
2
Кюрегян А.С.
2
Яблоновский Е.И.
2
Голикова О.А.
2
Емцев В.В.
2
Клингер П.М.
2
Гафийчук В.В.
2
Дацко Б.И.
2
Жиляев Ю.В.
2
Криволапчук В.В.
2
Машкевич О.Л.
2
Шейнкман М.К.
2
Лебедев А.А.
2
Стрельчук А.М.
2
Прошин В.И.
2
Дощанов К.М.
2
Лазоренко В.И.
2
Аветисян С.К.
2
Минасян Г.Р.
2
Жуковский П.В.
2
Захаренков Л.Ф.
2
Комиренко С.М.
2
Баграев Н.Т.
2
Маляренко А.М.
2
Половцев И.С.
2
Пихтин А.Н.
2
Сурис Р.А.
2
Юнович А.Э.
2
Свешников А.А.
2
Смоляр А.Н.
2
Боднарук О.А.
2
Горбатюк И.Н.
2
Раренко И.М.
2
Кикоин К.А.
2
Гольдберг Ю.А.
2
Мезрин О.А.
2
Трошков С.И.
2
Лубышев Д.И.
2
Мигаль В.П.
2
Семягин Б.Р.
2
Клингер М.И.
2
Львин В.Э.
2
Цэндин К.Д.
2
Викулин И.М.
2
Мороз С.Е.
2
Корольков В.И.
2
Табаров Т.С.
2
Брунков П.Н.
2
Соболев М.М.
2
Кисин М.В.
2
Шевченко Н.В.
2
Зуев В.В.
2
Радауцан С.И.
2
Соболев Н.А.
2
Цыпленков И.Н.
2
Фукс Б.И.
2
Никитенко В.Р.
2
Дашевский З.М.
2
Руленко М.П.
2
Велиюлин Э.И.
2
Шикина Н.И.
2
Шикин В.Б.
2
Джаманбалин К.К.
2
Поссе Е.А.
2
Заячук Д.М.
2
Константинов О.В.
2
Литвак-Горская Л.Б.
2
Вейс А.Н.
2
Мастеров В.Ф.
2
Аншон А.В.
2
Мокина И.А.
2
Яссиевич И.Н.
2
Талипов Ф.М.
2
Гицу Д.В.
2
Вывенко О.Ф.
2
Бирюлин Ю.Ф.
2

Учредители

Издатель

© 2026 Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук
Powered by webapplicationthemes.com - High quality HTML Theme