Проведено исследование МДП тразисторов на арсениде галлия с пленкой сульфида цинка в качестве подзатворного диэлектрика, работающих в режиме обеднения. Установлено, что при условии формирования ZnS разложением хелатных комплексов и удалении межфазных оксидов арсенида галлия транзисторы характеризуются высокой термостабильностью характеристик в диапазоне температур 77-500 K и приемлемой для ряда схемных применений частотной дисперсией основных параметров в интервале частот 10⁰-10⁹ Гц, определяемой ловушками, расположенными в объеме изолирующей пленки.

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.