"Физика и техника полупроводников"
Вышедшие номера
Гетеропереход n-GaAs-ZnS в МДП приборах. II. Транзисторы с изолированным затвором
Ильичев Э.А., Олейник С.П., Матына Л.И., Варламов И.В., Липшиц Т.Л., Инкин В.Н.
Выставление онлайн: 20 мая 1990 г.

Проведено исследование МДП тразисторов на арсениде галлия с пленкой сульфида цинка в качестве подзатворного диэлектрика, работающих в режиме обеднения. Установлено, что при условии формирования ZnS разложением хелатных комплексов и удалении межфазных оксидов арсенида галлия транзисторы характеризуются высокой термостабильностью характеристик в диапазоне температур 77-500 K и приемлемой для ряда схемных применений частотной дисперсией основных параметров в интервале частот 100-109 Гц, определяемой ловушками, расположенными в объеме изолирующей пленки.

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.