"Физика и техника полупроводников"
Вышедшие номера
Исследование плотности электронных состояний в пленках аморфного германия
Багратишвили Г.Д., Берозашвили Ю.Н., Джанелидзе М.Б., Джанелидзе Р.Б.
Выставление онлайн: 20 мая 1990 г.

В работе исследована плотность локализованных состояний (ПС) в аморфном германии (a-Ge), пассивированном атомами азота и кислорода [a-Ge : (N, O)]. Данные о ПС получены из спектров поглощения, определенных методом спектроскопии фототермического отклонения, и из температурной зависимости электропроводности. Установлено, что в щели подвижности имеется максимум с плотностью состояний Nt=1.4·1018 см-3·эВ-1. В области "хвоста" поглощения рассчитана плотность оборванных связей Ns, равная 4·1016 см-3. Из низкотемпературной зависимости проводимости определена плотность состояний, локализованных вблизи уровня Ферми N(EF)=1.6· 1019 см-3·эВ-1. Анализ плотности электронных состояний в a-Ge : (N, О) свидетельствует о возможности пассивации a-Ge атомами азота и кислорода, что подтверждается его эффективным легированием акцепторной примесью, позволяющим изменять электропроводность в пределах 5 порядков величины.

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.