Для различных направлений плоскости роста периодической структуры относительно главных кристаллографических осей получены соотношения, связывающие поляризацию (упругие деформации) в слоях сверхрешетки с упругими (электрическими) силами, действующими в них. В зависимости от величины наведенного пьезоэффектом электрического поля проведены оценки относительного смещения нижних уровней размерного квантования в потенциальной яме, образованной слоем In_0.1Ga_0.9As в GaAs. Проанализированы связанные с эффектом параметрической модуляции характеристик системы особенности поглощения высокочастотного излучения на частоте межуровневых переходов.

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.