Исследуется трансформация точечных радиационных дефектов при изохронном отжиге облученных нейтронами Si и Si : Ge. Обнаружено, что при отжиге в интервале температур 423/493 K наблюдается появление ряда новых центров, дающих полосы поглощения в области A-центра. Показано, что в состав этих центров входят вакансия и кислород. Установлено, что преобразование центров VO в VO₂2 при отжиге происходит не прямой диффузией VO к межузельному кислороду, как это имеет место в облученных электронами кристаллах, а через промежуточную стадию. Процессы трансформации центров при отжиге Si и Si : Ge проходят идентично.

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.