Приведены результаты численного моделирования процесса накопления радиационно-индуцированного объемного заряда (РИЗ) в двуокиси кремния МОП структур. В основу расчетов положена диффузионно-дрейфовая модель, учитывающая неоднородное распределение ловушек по объему диэлектрика и процессы туннелирования носителей, захваченных на ловушки. Из сравнения экспериментальных результатов для окислов различной толщины с даннымн расчетов выделены основные физические процессы, влияющие на накопление РИЗ, а также предсказан характер заполнения центров захвата в объем о диэлектрика при наличии напряжения на затворе МОП структуры во время облучения.

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.