"Физика и техника полупроводников"
Вышедшие номера
Общее количество статей:
10472
Распределение статей по годам:
517
490
469
411
345
329
302
266
295
311
285
292
278
262
263
259
256
277
251
260
244
294
288
284
279
295
305
301
303
316
330
309
287
219

Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов. Дата начала обработки информации по просмотрам - 27 января 2016 г.

За 2002 год:
Статья
Просмотров
Статья
Просмотров
Автор
Организация
Статей
Устинов В.М.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
10
Теруков Е.И.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
8
Копьев П.С.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
7
Александров О.В.
Санкт-Петербургский государственный электротехнический университет "ЛЭТИ" им. В.И. Ульянова (Ленина), Санкт-Петербург, Россия
6
Коньков О.И.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
5
Соболев Н.А.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
5
Борисенко В.Е.
Белорусский государственный университет информатики и радиоэлектроники, Минск, Беларусь
4
Кузьменко Р.В.
Воронежский государственный университет (кафедра физики твердого тела, физический факультет), Воронеж, Россия
4
Домашевская Э.П.
Воронежский государственный университет (кафедра физики твердого тела, физический факультет), Воронеж, Россия
4
Венгер Е.Ф.
Институт физики полупроводников Национальной академии наук Украины, Киев, Украина
4
Немов С.А.
Санкт-Петербургский государственный технический университет, Санкт-Петербург, Россия
4
Серегин Н.П.
Санкт-Петербургский государственный технический университет, Санкт-Петербург, Россия
4
Пихтин Н.А.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
4
Тарасов И.С.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
4
Леденцов Н.Н.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
4
Крыжановская Н.В.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
4
Иванов С.В.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
4
Давыдов В.Ю.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
4
Шутов С.В.
Институт физики полупроводников Национальной академии наук Украины, Херсон, Украина
3
Берашевич Ю.А.
Белорусский государственный университет информатики и радиоэлектроники, Минск, Беларусь
3
Иванов-Омский В.И.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
3
Антонова И.В.
Институт физики полупроводников им. А.В. Ржанова Сибирского отделения Российской академии наук, Новосибирск, Россия
3
Андрианов А.В.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
3
Некрасов В.Ю.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
3
Сресели О.М.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
3
Зиновьев Н.Н.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
3
Болотов В.В.
Институт физики полупроводников им. А.В. Ржанова Сибирского отделения Российской академии наук, Новосибирск, Россия
3
Семягин Б.Р.
Институт физики полупроводников им. А.В. Ржанова Сибирского отделения Российской академии наук, Новосибирск, Россия
3
Астрова Е.В.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
3
Голубев В.Г.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
3
Николаев Ю.А.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
3
Дейбук В.Г.
Черновицкий национальный университет им. Ю. Федьковича, Черновцы, Украина
3
Боднарь И.В.
Белорусский государственный университет информатики и радиоэлектроники, Минск, Беларусь
3
Рудь В.Ю.
Санкт-Петербургский государственный технический университет, Санкт-Петербург, Россия
3
Рудь Ю.В.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
3
Захарьин А.О.
Санкт-Петербургский государственный электротехнический университет "ЛЭТИ" им. В.И. Ульянова (Ленина), Санкт-Петербург, Россия
3
Трапезникова И.Н.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
3
Лебедев А.А.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
3
Яковлев Ю.П.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
3
Лютецкий А.В.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
3
Жуков А.Е.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
3
Ковш А.Р.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
3
Семенова Е.С.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
3
Сизов Д.С.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
3
Цацульников А.Ф.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
3
Богобоящий В.В.
Кременчугский государственный политехнический университет, Кременчуг, Украина
3
Шмидт Н.М.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
3
Торопов А.А.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
3
Ситникова А.А.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
3
Ганжа А.В.
Воронежский государственный университет (Физический факультет, Кафедра физики твердого тела), Воронеж, Россия
2
Коваленко В.Ф.
Институт физики полупроводников Национальной академии наук Украины (Херсонский отдел), Херсон, Украина
2
Ардышев В.М.
Сибирский физико-технический институт им. акад. В.Д. Кузнецова Томского государственного университета, Томск, Россия
2
Ардышев М.В.
Сибирский физико-технический институт им. акад. В.Д. Кузнецова Томского государственного университета, Томск, Россия
2
Тимошенко В.Ю.
Московский государственный университет им. М.В. Ломоносова (физический факультет), Москва, Россия
2
Кашкаров П.К.
Московский государственный университет им. М.В. Ломоносова (физический факультет), Москва, Россия
2
Аверкиев Н.С.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
2
Джаббаров Р.Б.
Институт физики им. Г.М. Абдуллаева НАН Азербайджана, Баку, Азербайджан
2
Шевченко О.Ю.
Научно-исследовательский институт физики Санкт-Петербурского государственного университета, Санкт-Петербург, Россия
2
Яфясов А.М.
Научно-исследовательский институт физики Санкт-Петербурского государственного университета, Санкт-Петербург, Россия
2
Божевольнов В.Б.
Научно-исследовательский институт физики Санкт-Петербурского государственного университета, Санкт-Петербург, Россия
2
Иванкив И.М.
Научно-исследовательский институт физики Санкт-Петербурского государственного университета, Санкт-Петербург, Россия
2
Перепелкин А.Д.
Научно-исследовательский институт физики Санкт-Петербурского государственного университета, Санкт-Петербург, Россия
2
Баграев Н.Т.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
2
Клячкин Л.Е.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
2
Шелых И.А.
Санкт-Петербургский государственный технический университет, Санкт-Петербург, Россия
2
Журавлев К.С.
Институт физики полупроводников им. А.В. Ржанова Сибирского отделения Российской академии наук, Новосибирск, Россия
2
Миронченко А.Ю.
Институт физики полупроводников Национальной академии наук Украины, Херсон, Украина
2
Холод А.Н.
Белорусский государственный университет информатики и радиоэлектроники, Минск, Беларусь
2
Кузнецов О.А.
Нижегородский государственный университет, Научно-исследовательский физико-технический институт, Нижний Новгород, Россия
2
Гутаковский А.К.
Институт физики полупроводников им. А.В. Ржанова Сибирского отделения Российской академии наук, Новосибирск, Россия
2
Беляков Л.В.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
2
Вуль А.Я.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
2
Андреев Б.А.
Институт физики микроструктур Российской академии наук, Нижний Новгород, Россия
2
Красильник З.Ф.
Институт физики микроструктур Российской академии наук, Нижний Новгород, Россия
2
Володин В.А.
Институт физики полупроводников им. А.В. Ржанова Сибирского отделения Российской академии наук, Новосибирск, Россия
2
Давыдов С.Ю.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
2
Георгобиани А.Н.
Физический институт им. П.Н. Лебедева Российской академии наук, Москва, Россия
2
Белогорохов А.И.
Государственный научный центр "Гиредмет", Москва, Россия
2
Белогорохова Л.И.
Московский государственный университет им. М.В. Ломоносова (физический факультет), Москва, Россия
2
Караваев Г.Ф.
Сибирский физико-технический институт им. акад. В.Д. Кузнецова Томского государственного университета, Томск, Россия
2
Чернышов В.Н.
Сибирский физико-технический институт им. акад. В.Д. Кузнецова Томского государственного университета, Томск, Россия
2
Егунов Р.М.
Сибирский физико-технический институт им. акад. В.Д. Кузнецова Томского государственного университета, Томск, Россия
2
Мокеров В.Г.
Институт радиотехники и электроники Российской академии наук, Москва, Россия
2
Пожела Ю.
Институт физики полупроводников, Вильнюс, Литва
2
Пожела К.
Институт физики полупроводников, Вильнюс, Литва
2
Юцене В.
Институт физики полупроводников, Вильнюс, Литва
2
Данилюк А.Л.
Белорусский государственный университет информатики и радиоэлектроники, Минск, Беларусь
2
Грузинцев А.Н.
Институт проблем технологии микроэлектроники Российской академии наук, Черноголовка, Россия
2
Волков В.Т.
Институт проблем технологии микроэлектроники Российской академии наук, Черноголовка, Россия
2
Виолина Г.Н.
Санкт-Петербургский государственный электротехнический университет "ЛЭТИ" им. В.И. Ульянова (Ленина), Санкт-Петербург, Россия
2
Калинина Е.В.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
2
Холуянов Г.Ф.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
2
Коссов В.Г.
Электрон Оптроник, Санкт-Петербург, Россия
2
Яфаев Р.Р.
Электрон Оптроник, Санкт-Петербург, Россия
2
Халлен А.
Royal Institute of Technology Department of Electronics, Electrum 229, SE 164 40 Kista, Sweden
2
Константинов А.О.
Acreo AB, Electrum 236, SE 164 40 Kista, Sweden
2
Ястребов С.Г.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
2
Савкина Н.С.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
2
Николаев Д.В.
Институт физики полупроводников им. А.В. Ржанова Сибирского отделения Российской академии наук, Новосибирск, Россия
2
Наумова О.В.
Институт физики полупроводников им. А.В. Ржанова Сибирского отделения Российской академии наук, Новосибирск, Россия
2
Попов В.П.
Институт физики полупроводников им. А.В. Ржанова Сибирского отделения Российской академии наук, Новосибирск, Россия
2
Торхов Н.А.
Сибирский физико-технический институт им. акад. В.Д. Кузнецова Томского государственного университета, Томск, Россия
2
Смагулова С.А.
Якутский государственный университет, Якутск, Россия
2
Феоктистов Н.А.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
2
Грудинкин С.А.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
2
Мелехин В.Г.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
2
Винценц С.В.
Институт радиотехники и электроники Российской академии наук, Фрязино, Россия Московский государственный университет им. М.В. Ломоносова (физический факультет), Москва, Россия
2
Равич Ю.И.
Санкт-Петербургский государственный технический университет, Санкт-Петербург, Россия
2
Торопов А.И.
Институт физики полупроводников им. А.В. Ржанова Сибирского отделения Российской академии наук, Новосибирск, Россия
2
Лебедев В.М.
Петербургский институт ядерной физики им. Б.П. Константинова, Национальный исследовательский центр "Курчатовский институт", Гатчина, Ленинградская область, Россия
2
Айдаралиев М.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
2
Зотова Н.В.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
2
Карандашев С.А.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
2
Матвеев Б.А.
Санкт-Петербургский государственный электротехнический университет "ЛЭТИ" им. В.И. Ульянова (Ленина), Санкт-Петербург, Россия
2
Ременный М.А.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
2
Стусь Н.М.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
2
Преображенский В.В.
Институт физики полупроводников им. А.В. Ржанова Сибирского отделения Российской академии наук, Новосибирск, Россия
2
Путято М.А.
Институт физики полупроводников им. А.В. Ржанова Сибирского отделения Российской академии наук, Новосибирск, Россия
2
Chi J.Y.
Industrial Technology Research Institute, Hsinchu 310, Taiwan, R.O.C.
2
Wei L.
Industrial Technology Research Institute, Hsinchu 310, Taiwan, R.O.C.
2
Галль Н.Р.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
2
Рутьков Е.В.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
2
Тонтегоде А.Я.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
2
Кириллова С.И.
Институт физики полупроводников Национальной академии наук Украины, Киев, Украина
2
Примаченко В.Е.
Институт физики полупроводников Национальной академии наук Украины, Киев, Украина
2
Ратников В.В.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
2
Ременюк А.Д.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
2
Елесин В.Ф.
Московский государственный инженерно-физический институт (технический университет), Москва, Россия
2
Катеев И.Ю.
Московский государственный инженерно-физический институт (технический университет), Москва, Россия
2
Подливаев А.И.
Московский государственный инженерно-физический институт (технический университет), Москва, Россия
2
Анкудинов А.В.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
2
Таскин А.А.
Институт физики полупроводников им. А.В. Ржанова Сибирского отделения Российской академии наук, Новосибирск, Россия
2
Виклюк Я.И.
Черновицкий национальный университет им. Ю. Федьковича, Черновцы, Украина
2
Кукушкин С.А.
Институт проблем машиноведения РАН, Санкт-Петербург, Россия
2
Склярчук В.М.
Черновицкий национальный университет, Черновцы, Украина
2
Кревчик В.Д.
Пензенский государственный университет, Пенза, Россия
2
Голикова О.А.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
2
Богданова Е.В.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
2
Садофьев Ю.Г.
Физический институт им. П.Н. Лебедева Российской академии наук, Москва, Россия
2
Демидов Е.С.
Научно-исследовательский физико-технический институт Нижегородского государственного университета им. Н.И. Лобачевского, Нижний Новгород, Россия
2
Емельянов А.М.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
2
Козлов В.А.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
2
Титков А.Н.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
2
Гусев О.Б.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
2
Границына Л.С.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
2
Иркаев С.М.
Институт аналитического приборостроения Российской академии наук, Санкт-Петербург, Россия
2
Козловский В.В.
Санкт-Петербургский государственный политехнический университет, Санкт-Петербург, Россия
2
Строкан Н.Б.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
2
Давыдов Д.В.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
2
Иванов А.М.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
2
Сорокин С.В.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
2
Цырлин Г.Э.
Институт аналитического приборостроения Российской академии наук, Санкт-Петербург, Россия
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
Max-Planck Institut fur Mikrostrukturphysik, Halle / Saale, Germany
2
Именков А.Н.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
2
Колчанова Н.М.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
2
Слипченко С.О.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
2
Соколова З.Н.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
2
Фетисова Н.В.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
2
Михрин С.С.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
2
Малеев Н.А.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
2
Васильев А.П.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
2
Сошников И.П.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
2
Максимов М.В.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
2
Алфёров Ж.И.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
2
Клевков Ю.В.
Физический институт им. П.Н. Лебедева Российской академии наук, Москва, Россия
2
Медведев С.А.
Физический институт им. П.Н. Лебедева Российской академии наук, Москва, Россия
2
Плотников А.Ф.
Физический институт им. П.Н. Лебедева Российской академии наук, Москва, Россия
2
Партыка Я.
Люблинский технический университет, Люблин, Польша
2
Жуковский П.В.
Люблинский технический университет, Люблин, Польша
2
Венгерэк П.
Люблинский технический университет, Люблин, Польша
2
Родзик А.
Люблинский технический университет, Люблин, Польша
2
Сидоренко Ю.В.
Белорусский государственный университет, Минск, Республика Беларусь
2
Шостак Ю.А.
Белорусский государственный университет, Минск, Республика Беларусь
2
Соболев М.М.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
2
Усиков А.С.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
2
Егоров А.Ю.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
2
Борисенко С.И.
Сибирский физико-технический институт им. акад. В.Д. Кузнецова Томского государственного университета, Томск, Россия
2
Дмитриев И.А.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
2
Сурис Р.А.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
2
Соловьев В.А.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
2
Терентьев Я.В.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
2
Мельцер Б.Я.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
2
Семенов А.Н.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
2
Годисов О.Н.
ПО "Электромеханический завод", НТЦ "Центробежные технологии", Санкт-Петербург, Россия
2
Калитеевский А.К.
ПО "Электромеханический завод", НТЦ "Центробежные технологии", Санкт-Петербург, Россия
2
Сафронов А.Ю.
ПО "Электромеханический завод", НТЦ "Центробежные технологии", Санкт-Петербург, Россия
2
Королев В.И.
НПО "Радиевый институт им. В.Г. Хлопина", Санкт-Петербург, Россия
2
Бер Б.Я.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
2
Калитеевский М.А.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
2
Коварский А.П.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
2
Слынько Е.И.
Институт проблем материаловедения им. И.Н. Францевича Национальной академии наук Украины, Черновицкое отделение, Черновцы, Украина
1
Климовская А.И.
Институт физики полупроводников Национальной академии наук Украины Киев, Украина
1
Корбутяк Д.В.
Институт физики полупроводников Национальной академии наук Украины, Киев, Украина
1
Галахов В.Р.
Институт физики металлов им. М.Н. Михеева Уральского отделения Российской академии наук, Екатеринбург, Россия
1
Заварин Е.Е.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
1
Марков К.А.
Нижегородский государственный университет им. Н.И. Лобачевского, Нижний Новгород, Россия
1
Склярчук Е.Ф.
Черновицкий национальный университет, Черновцы, Украина
1
Никитина Е.В.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
1
Организация
Статей
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
87
Институт физики полупроводников им. А.В. Ржанова Сибирского отделения Российской академии наук, Новосибирск, Россия
20
Санкт-Петербургский государственный электротехнический университет "ЛЭТИ" им. В.И. Ульянова (Ленина), Санкт-Петербург, Россия
13
Санкт-Петербургский государственный технический университет, Санкт-Петербург, Россия
10
Сибирский физико-технический институт им. акад. В.Д. Кузнецова Томского государственного университета, Томск, Россия
10
Институт физики полупроводников Национальной академии наук Украины, Киев, Украина
10
Белорусский государственный университет информатики и радиоэлектроники, Минск, Беларусь
7
Физический институт им. П.Н. Лебедева Российской академии наук, Москва, Россия
7
Московский государственный университет им. М.В. Ломоносова (физический факультет), Москва, Россия
6
Институт радиотехники и электроники Российской академии наук, Москва, Россия
5
Черновицкий национальный университет, Черновцы, Украина
5
Санкт-Петербургский государственный политехнический университет, Санкт-Петербург, Россия
5
Институт физики микроструктур Российской академии наук, Нижний Новгород, Россия
4
Нижегородский государственный университет им. Н.И. Лобачевского, Нижний Новгород, Россия
4
Кременчугский государственный политехнический университет, Кременчуг, Украина
3
Институт сенсорной микроэлектроники Сибирского отделения Российской академии наук, Омск, Россия
3
Институт физики Дагестанского научного центра Российской академии наук, Махачкала, Россия
3
Белорусский государственный университет, Минск, Республика Беларусь
3
Черновицкий национальный университет им. Ю. Федьковича, Черновцы, Украина
3
Московский государственный инженерно-физический институт (технический университет), Москва, Россия
3
Институт аналитического приборостроения Российской академии наук, Санкт-Петербург, Россия
3
Воронежский государственный университет, Воронеж, Россия
2
Институт физики полупроводников, Вильнюс, Литва
2
Воронежский государственный педагогический университет, Воронеж, Россия
2
Удмуртский государственный университет, Ижевск, Россия
2
Институт радиотехники и электроники Российской академии наук, Фрязино, Россия
2
Пензенский государственный университет, Пенза, Россия
2
Институт проблем технологии микроэлектроники и особочистых материалов Российской академии наук, Черноголовка, Россия
2
Институт физики Национальной академии наук Азербайджана, Баку, Азербайджан
2
Научно-исследовательский институт физики Санкт-Петербургского государственного университета, Санкт-Петербург, Россия
2
Ереванский государственный университет, Ереван, Армения
2
Институт физики металлов им. М.Н. Михеева Уральского отделения Российской академии наук, Екатеринбург, Россия
2
Петербургский институт ядерной физики им. Б.П. Константинова, Национальный исследовательский центр "Курчатовский институт", Гатчина, Ленинградская область, Россия
2
Институт проблем технологии микроэлектроники Российской академии наук, Черноголовка, Россия
2
Acreo AB, Electrum 236, SE 164 40 Kista, Sweden
2
Royal Institute of Technology Department of Electronics, Electrum 229, SE 164 40 Kista, Sweden
2
Электрон Оптроник, Санкт-Петербург, Россия
2
Институт радиотехники и электроники Российской академии наук, Фрязино, Россия Московский государственный университет им. М.В. Ломоносова (физический факультет), Москва, Россия
2
Институт проблем машиноведения РАН, Санкт-Петербург, Россия
2
ООО "Сигм Плюс", Москва, Россия
2
Технический университет, Тбилиси, Грузия
2
Университет Линчепинга, S-581 83 Линчепинг, Швеция
2
Люблинский технический университет, Люблин, Польша
2
ПО "Электромеханический завод", НТЦ "Центробежные технологии", Санкт-Петербург, Россия
2
НПО "Радиевый институт им. В.Г. Хлопина", Санкт-Петербург, Россия
2
Институт проблем материаловедения им. И.Н. Францевича Национальной академии наук Украины, Черновицкое отделение, Черновцы, Украина
1
Московский государственный университет им. М.В. Ломоносова, Москва, Россия
1
Государственный институт прикладной оптики, Казань, Россия
1
Объединенный институт ядерных исследований, Дубна, Россия
1
Institute fur Physik, TU Chemnitz, Chemnitz, Germany
1