Вышедшие номера
Температурная зависимость оптической энергетической щели квантовых точек CdSXSe1-X
Кунец В.П.1, Кулиш Н.Р.1, Кунец Вас.П.1, Лисица М.П.1, Малыш Н.И.1
1Институт полупроводников Национальной академии наук Украины, Киев, Украина
Поступила в редакцию: 14 мая 2001 г.
Выставление онлайн: 20 января 2002 г.

В диапазоне 4.2-500 K исследована температурная зависимость оптической энергетической щели Eg(T) квантовых точек CdSXSe1-X, синтезированных в боросиликатной стеклянной матрице. Показано, что при r>aB ( r - средний радиус точек, aB - радиус боровской орбиты экситона в массивном кристалле) она повторяет зависимость Eg(T) массивных кристаллов и описывается формулой Варшни во всем исследованном диапазоне температур. При переходе к точкам с r<aB наблюдается уменьшение коэффициента температурного изменения ширины запрещенной зоны и отклонение от зависимости Варшни в интервале температур 4.2-100 K. Наблюдаемые особенности объясняются уменьшением результирующего макроскопического потенциала электрон-фононного взаимодействия и модификацией колебательного спектра точек при уменьшении их объема.