"Физика и техника полупроводников"
Вышедшие номера
Инжекционное возбуждение люминесценции в многослойных структурах nc-Si/диэлектрик
Берашевич Ю.А.1, Каменев Б.В.2, Борисенко В.Е.1
1Белорусский государственный университет информатики и радиоэлектроники, Минск, Беларусь
2IMEL/NCSR Demokritos, Athens, Greece
Поступила в редакцию: 14 мая 2001 г.
Выставление онлайн: 20 января 2002 г.

Предложена модель рекомбинации неравновесных носителей заряда в многослойных структурах нанокристаллический Si-диэлектрик. Установлено, что ограничение переноса носителей заряда через локализованные состояния в диэлектрике ведет к нелинейному росту интенсивности электролюминесценции с увеличением протекающего через структуру тока. Последующий переход этой зависимости в режим насыщения связан с возрастанием роли рекомбинации Оже при увеличении тока. Снижение вклада безызлучательного процесса Оже можно достичь увеличением концентрации наноразмерных кластеров в кремнии и числа периодов структуры. Показано, что одним из основных путей увеличения интенсивности электролюминесценции является увеличение концентрации дырок на инжектирующем их контакте.
  1. L.T. Canham. Appl. Phys. Lett., 57, 1046 (1990)
  2. L. Tsybeskov, K.D. Hirschman, S.P. Duttagupta, M. Zacharias, P.M. Fauchet, J.P. McCaffrey, D.J. Lockwood. Appl. Phys. Lett., 72 (1), 43 (1998)
  3. G. Pucker, P.B. Bellutti, C. Spinella, K. Gatterer, M. Cazzanelli, L. Pavesi. J. Appl. Phys., 88 (10), 6044 (2000)
  4. P. Photopoulos, A.G. Nassiopoulou. Appl. Phys. Lett., 77, 1816 (2000)
  5. V.I. Klimov, Ch.J. Schwarz, D.W. McBranch, C.W. White. Appl. Phys. Lett., 73 (18), 2603 (1998)
  6. Y. Kanemitsu, T. Ogawa, K. Shiraishi, K. Takeda. Phys. Rev. B, 48, 4883 (1993)
  7. D.J. Lokwood, Z.H. Liu, J.M. Baribeau. Phys. Rev. Lett., 76, 539 (1996)
  8. F. Bassani, L. Vervoot, I. Mihalescu, J.C. Vial, F. Amaud d'Avitaya. J. Appl. Phys., 79, 4066 (1996)
  9. M. Zacharias, L. Tsybeskov, K.D. Hirschman, P.M. Fauchet, J. Balsing, P. Kohlert, P. Veit. J. Non-Cryst. Sol., 227--230, 1132 (1998)
  10. V. Vinciguerra, G. Franzo, F. Priolo, F. Iacona, C. Spinella. J. Appl. Phys., 87 (11), 8165 (2000)
  11. D. Kovalev, H. Hecler, G. Polisski, F. Koch. Phys. St., Sol. (b), 215, 871 (1999)
  12. Ю.А. Берашевич, А.Л. Данилюк, А.Н. Холод, В.Е. Борисенко. ФТП, 35 (1), 110 (2001)
  13. M. Lannoo, C. Delerue, G. Allan. Phys. Rev. Lett., 74 (17), 3415 (1995)
  14. C. Delerue, M. Lannoo, G. Allan. Phys. Rev. Lett., 84 (11), 2457 (2000)
  15. V. Ioannou-Sougleridis, T. Ouisse, A.G. Nassiopoulou, F. Bassani, F. Arnaud d'Avitaya. J. Appl. Phys., 89 (1), 610 (2001)
  16. J.M. Shannon, B.A. Morgan. J. Appl. Phys., 86 (3), 1548 (1999)
  17. C. Svensson, I. Lundstrom. J. Appl. Phys., 44, 4657 (1973)
  18. Spectroscopy of Isolated and Assembled Semiconductor Nanocrystals. Ed. by L.E. Brus, Al.L. Efros, T. Itoh. J. Luminesc., 70 (1996)
  19. G. Pucke, Z. Caburro, V. Mulloni, C. Mazzoleni, L. Pavesi. European projects: Silicon Modules for Integrated Light Engineering (Marseille, France, 2000) p. 133

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.