Физика и техника полупроводников
Авторам
Вышедшие номера
- 2024
- 2023
- 2022
- 2021
- 2020
- 2019
- 2018
- 2017
- 2016
- 2015
- 2014
- 2013
- 2012
- 2011
- 2010
- 2009
- 2008
- 2007
- 2006
- 2005
- 2004
- 2003
- 2002
- 2001
- 2000
- 1999
- 1998
- 1997
- 1996
- 1995
- 1994
- 1993
- 1992
- 1991
- 1990
- 1989
- 1988
Изопериодные структуры GaInPAsSb/InAs для приборов инфракрасной оптоэлектроники
Айдаралиев М.1, Зотова Н.В.1, Карандашев С.А.1, Матвеев Б.А.2, Ременный М.А.1, Стусь Н.М.1, Талалакин Г.Н.1, Шустов В.В.1, Кузнецов В.В.2, Когновицкая Е.А.2
1Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия 
2Санкт-Петербургский государственный электротехнический университет "ЛЭТИ" им. В.И. Ульянова (Ленина), Санкт-Петербург, Россия
2Санкт-Петербургский государственный электротехнический университет "ЛЭТИ" им. В.И. Ульянова (Ленина), Санкт-Петербург, Россия
Поступила в редакцию: 23 января 2002 г.
Выставление онлайн: 20 июля 2002 г.
Сообщается о получении пятикомпонентного твердого раствора Ga0.92In0.08P0.05As0.08Sb0.87 с шириной запрещенной зоны 695 мэВ (77 K) и 640 мэВ (300 K) изопериодного с InAs. Показано, что в структуре InAs/Ga0.92In0.08P0.05As0.08Sb0.87 реализуется гетеропереход II рода. Полученный твердый раствор был использован для создания прототипов светодиода и фотодиода с максимумом интенсивности излучения и фоточувствительности в области 1.9 мкм.
- Н.А. Чарыков, А.М. Литвак, М.П. Михайлова, К.Д. Моисеев, Ю.П. Яковлев. ФТП, 31, 410 (1997)
- В.В. Кузнецов, Э.Р. Рубцов, В.С. Сорокин. ЖФХ, 71, 415 (1997)
- В.В. Кузнецов, П.П. Москвин, В.С. Сорокин. Неравновесные явления при жидкостной гетероэпитаксии полупроводниковых твердых растворов (М., Металлургия, 1991)
- В.В. Кузнецов, Э.Р. Рубцов. Изв. вузов. Матер. электрон. техн., 2, 48 (1998)
- В.В. Кузнецов, Э.Р. Рубцов, О.А. Лебедев. Неорг. матер., 34 (5), 525 (1998)
- В.В. Кузнецов, Н.М. Стусь, Г.Н. Талалакин, Э.Р. Рубцов. Кристаллография, 37, 998 (1992)
- V.L. Vasil'ev, M.V. Baidakova, E.A. Kognovitskaya, V.I. Kuchinskii, L.P. Nikitina, V.M. Smirnov. Abstracts 3rd Int. Conf. Mid-IR Optoel. Materials and Devices, Sept., 1999 (Aachen, Germany, 1999) p. 9
- V.L. Vasil'ev, S.N. Losev, V.M. Smirnov, V.V. Kuznetsov, E.A. Kognovitskaya, E.R. Rubtsov. Proc. 5th Conf. on Intermolecular Interaction in Matter (Lublin, Poland, 1999) p. 96
- V.L. Vasil'ev, D. Akhmedov, G.S. Gagis, V.I. Kuchinskii, V.M. Smirnov, D.N. Tretyakov. Abstracts 4th Int. Conf. on Mid-IR Optoel. Materials and Devices, April 1--4 (Montpellier, France, 2001) p. 97
- М.П. Михайлова, Г.Г. Зегря, К.Д. Моисеев, Н.И. Тимченко, Ю.П. Яковлев. ФТП, 29, 687 (1995)
- M.P. Mikhailova, K.D. Moiseev, Y.A. Berezovets, R.V. Parfeniev, N.L. Bazhenov, V.A. Smirnov, Yu.P. Yakovlev. IEEE Proc. Optoelectron., 145, 269 (1998)
- К.Д. Моисеев, А.А. Торопов, Я.В. Терентьев, М.П. Михайлова, Ю.П. Яковлев. ФТП, 34, 1432 (2000)
- M.P. Mikhailova, A.N. Titkov. Semicond.Sci. Technol., 9, 1279 (1994)
- Н.Л. Баженов, Г.Г. Зегря, В.И. Иванов-Омский, М.П. Михайлова, М.Ю. Михайлов, К.Д. Моисеев, В.А. Смирнов, Ю.П. Яковлев. ФТП, 31, 1216 (1997)
Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.
Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.
