Вышедшие номера
Home » Физика и техника полупроводников » Год 2002, выпуск 8 » Статья стр. 1010
<<<>>>
Изопериодные структуры GaInPAsSb/InAs для приборов инфракрасной оптоэлектроники
Айдаралиев М.1, Зотова Н.В.1, Карандашев С.А.1, Матвеев Б.А.2, Ременный М.А.1, Стусь Н.М.1, Талалакин Г.Н.1, Шустов В.В.1, Кузнецов В.В.2, Когновицкая Е.А.2
1Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
2Санкт-Петербургский государственный электротехнический университет "ЛЭТИ" им. В.И. Ульянова (Ленина), Санкт-Петербург, Россия
Поступила в редакцию: 23 января 2002 г.
Выставление онлайн: 20 июля 2002 г.
PDF версия
Сообщается о получении пятикомпонентного твердого раствора Ga0.92In0.08P0.05As0.08Sb0.87 с шириной запрещенной зоны 695 мэВ (77 K) и 640 мэВ (300 K) изопериодного с InAs. Показано, что в структуре InAs/Ga0.92In0.08P0.05As0.08Sb0.87 реализуется гетеропереход II рода. Полученный твердый раствор был использован для создания прототипов светодиода и фотодиода с максимумом интенсивности излучения и фоточувствительности в области 1.9 мкм.
  1. Н.А. Чарыков, А.М. Литвак, М.П. Михайлова, К.Д. Моисеев, Ю.П. Яковлев. ФТП, 31, 410 (1997)
  2. В.В. Кузнецов, Э.Р. Рубцов, В.С. Сорокин. ЖФХ, 71, 415 (1997)
  3. В.В. Кузнецов, П.П. Москвин, В.С. Сорокин. Неравновесные явления при жидкостной гетероэпитаксии полупроводниковых твердых растворов (М., Металлургия, 1991)
  4. В.В. Кузнецов, Э.Р. Рубцов. Изв. вузов. Матер. электрон. техн., 2, 48 (1998)
  5. В.В. Кузнецов, Э.Р. Рубцов, О.А. Лебедев. Неорг. матер., 34 (5), 525 (1998)
  6. В.В. Кузнецов, Н.М. Стусь, Г.Н. Талалакин, Э.Р. Рубцов. Кристаллография, 37, 998 (1992)
  7. V.L. Vasil'ev, M.V. Baidakova, E.A. Kognovitskaya, V.I. Kuchinskii, L.P. Nikitina, V.M. Smirnov. Abstracts 3rd Int. Conf. Mid-IR Optoel. Materials and Devices, Sept., 1999 (Aachen, Germany, 1999) p. 9
  8. V.L. Vasil'ev, S.N. Losev, V.M. Smirnov, V.V. Kuznetsov, E.A. Kognovitskaya, E.R. Rubtsov. Proc. 5th Conf. on Intermolecular Interaction in Matter (Lublin, Poland, 1999) p. 96
  9. V.L. Vasil'ev, D. Akhmedov, G.S. Gagis, V.I. Kuchinskii, V.M. Smirnov, D.N. Tretyakov. Abstracts 4th Int. Conf. on Mid-IR Optoel. Materials and Devices, April 1--4 (Montpellier, France, 2001) p. 97
  10. М.П. Михайлова, Г.Г. Зегря, К.Д. Моисеев, Н.И. Тимченко, Ю.П. Яковлев. ФТП, 29, 687 (1995)
  11. M.P. Mikhailova, K.D. Moiseev, Y.A. Berezovets, R.V. Parfeniev, N.L. Bazhenov, V.A. Smirnov, Yu.P. Yakovlev. IEEE Proc. Optoelectron., 145, 269 (1998)
  12. К.Д. Моисеев, А.А. Торопов, Я.В. Терентьев, М.П. Михайлова, Ю.П. Яковлев. ФТП, 34, 1432 (2000)
  13. M.P. Mikhailova, A.N. Titkov. Semicond.Sci. Technol., 9, 1279 (1994)
  14. Н.Л. Баженов, Г.Г. Зегря, В.И. Иванов-Омский, М.П. Михайлова, М.Ю. Михайлов, К.Д. Моисеев, В.А. Смирнов, Ю.П. Яковлев. ФТП, 31, 1216 (1997)

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.

Учредители

Издатель

© 2025 Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук
Powered by webapplicationthemes.com - High quality HTML Theme