Физика и техника полупроводников

Авторам

Правила оформления публикаций

Вышедшие номера

2024
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9
2023
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9
2022
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2021
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2020
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2019
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2018
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 13
2017
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2016
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2015
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2014
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2013
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2012
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2011
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2010
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2009
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2008
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2007
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2006
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2005
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2004
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2003
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2002
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2001
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2000
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1999
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1998
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1997
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1996
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1995
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1994
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1993
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1992
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1991
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1990
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1989
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1988
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12

Влияние отжига в радикалах кислорода на люминесценцию и электропроводность пленок ZnO : N

Георгобиани А.Н.¹, Грузинцев А.Н.², Волков В.Т.², Воробьев М.О.¹

¹Физический институт им. П.Н. Лебедева Российской академии наук, Москва, Россия Lebedev Physical Institute, Russian Academy of Sciences, Moscow, Russia

Lebedev Physical Institute, Russian Academy of Sciences, Moscow, Russia

²Институт проблем технологии микроэлектроники и особочистых материалов Российской академии наук, Черноголовка, Россия Institute of Microelectronics Technology and High Purity Materials, Russian Academy of Sciences, Chernogolovka, Russia

Institute of Microelectronics Technology and High Purity Materials, Russian Academy of Sciences, Chernogolovka, Russia

Поступила в редакцию: 3 июля 2001 г.

Выставление онлайн: 17 февраля 2002 г.

PDF версия

Абстракт
Литература
Статистика просмотров

Показано, что внедрение в процессе роста в пленки оксида цинка акцепторной примеси азота может привести к формированию дырочной проводимости лишь после отжига в парах атомарного кислорода. Отжиг влияет не только на электрические свойства, но и на люминесценцию ZnO : N. В спектре фотолюминесценции появляются полосы в ультрафиолетовой и видимой областях, обусловленные внедрением азота.

T. Yamamoto, H. Katayama-Yoshida. Japan. J. Appl. Phys., 38, L166 (1999)
M. Joseph, H. Tabata, T. Kawai. Japan. J. Appl. Phys., 38, L1205 (1999)
K. Minegishi, Y. Kowai, Y. Kikuchi, K. Yano, M. Kasuga, A. Shimizu. Japan. J. Appl. Phys., 36, L1453 (1997)
Y.R. Ryu, W.J. Kim, H.W. White. J. Cryst. Growth, 219, 419 (2000)
X. Guo, J. Choi, H. Tabata, T. Kawai. Japan. J. Appl. Phys., 40, L177 (2001)
S.B. Zhang, S.H. Wei, A. Zunger. Phys. Rev. B, 63, 205 (2001)
T.V. Buthuzi, T.G. Chelidze, A.N. Georgobiani. Phys. Rev. B, 58, 10 692 (1998)
A.N. Georgobiani, M.B. Kotlyarevskii. Nucl. Phys. B, 61, 341 (1998)
A.N. Georgobiani, M.B. Kotlyarevskii, V.V. Kidalov, I.V. Rogozin. Inorg. Mater., 33, 185 (1997)
W. Van Gool, A.P. Cleiren. Phil. Res. Reports, 15, 238 (1960)
W. Van Gool. Phil. Res. Reports, Suppl. N 3, 61 (1963)

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.

Учредители

Издатель