Вышедшие номера
Общее количество статей:
10874
Распределение количества статей по годам:
517
490
469
411
345
329
302
266
295
311
285
292
278
262
263
259
256
277
251
260
244
294
288
284
279
295
305
301
303
316
330
309
287
248
203
135
35
Распределение количества просмотров по годам:
888677
832659
803904
716615
618528
592580
543371
482449
579801
723806
718712
659310
660056
663790
642696
665457
690294
703979
613670
645842
606322
770116
783196
756047
727506
781151
791718
758655
730270
715594
619694
512456
356087
229723
131458
29141
2495
Распределение количества авторов по годам:
1228
1240
1185
1078
885
882
744
715
727
800
756
791
761
773
802
802
826
907
876
892
763
962
1019
1010
968
1085
1151
1063
1156
1166
1310
1097
1124
952
833
548
168
Распределение количества организаций по годам:
143
55
131
107
117
125
152
174
159
167
148
175
163
181
187
187
227
154
216
211
211
237
252
286
241
275
269
295
249
323
260
170
109
42

Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов. Дата начала обработки информации по просмотрам - 27 января 2016 г.

За 2024 год:
Статья
Просмотров
Статья
Просмотров
Автор
Организация
Статей
Подоскин А.А.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
4
Шушканов И.В.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
4
Пихтин Н.А.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
4
Багаев Т.А.
"НИИ "Полюс" им. М.Ф. Стельмаха", Москва, Россия
4
Ладугин М.А.
"НИИ "Полюс" им. М.Ф. Стельмаха", Москва, Россия
4
Мармалюк А.А.
"НИИ "Полюс" им. М.Ф. Стельмаха", Москва, Россия
4
Слипченко С.О.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
3
Симаков В.А.
Акционерное общество "Научно-исследовательский институт "Полюс" им. М.Ф. Стельмаха", Москва, Россия
3
Крючков В.А.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
2
Чернышова Е.В.
Университет науки и технологий "МИСиС", Москва, Россия
2
Аргунов Е.В.
Университет науки и технологий "МИСиС", Москва, Россия
2
Ховайло В.В.
Университет науки и технологий "МИСиС", Москва, Россия
2
Сахаров А.В.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
2
Светогоров В.Н.
Акционерное общество "Научно-исследовательский институт "Полюс" им. М.Ф. Стельмаха", Москва, Россия
2
Хабибуллин Р.А.
Институт сверхвысокочастотной полупроводниковой электроники Российской академии наук, Москва, Россия
Московский физико-технический институт (Государственный университет), Долгопрудный, Московская обл., Россия
2
Жукавин Р.Х.
Институт физики микроструктур Российской академии наук, д. Афонино, Кстовский р-н, Нижегородская обл., Россия
2
Кочаровская Е.Р.
Федеральный исследовательский центр Институт прикладной физики Российской академии наук, Нижний Новгород, Россия
2
Кочаровский Вл.В.
Федеральный исследовательский центр Институт прикладной физики Российской академии наук, Нижний Новгород, Россия
Нижегородский государственный университет им. Н.И. Лобачевского, Нижний Новгород, Россия
2
Бессолов В.Н.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
1
Коненкова Е.В.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
1
Родин С.Н.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
1
Соломникова А.В.
Санкт-Петербургский государственный электротехнический университет "ЛЭТИ" им. В.И. Ульянова (Ленина), Санкт-Петербург, Россия
1
Бекин Н.А.
Институт физики микроструктур Российской академии наук, Нижний Новгород, Россия
1
Цыпленков В.В.
Институт физики микроструктур Российской академии наук, Нижний Новгород, Россия
1
Шастин В.Н.
Институт физики микроструктур Российской академии наук, Нижний Новгород, Россия
1
Лифшиц М.Б.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
1
Грабарь В.А.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
1
Аверкиев Н.С.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
1
Смирнов М.Б.
Санкт-Петербургский государственный университет, Санкт-Петербург, Россия
1
Панькин Д.В.
Санкт-Петербургский государственный университет, Санкт-Петербург, Россия
1
Рогинский Е.М.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
1
Савин A.B.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
1
Зайцев С.В.
Институт физики твердого тела им. Ю.А. Осипьяна РАН, Черноголовка, Россия
1
Дремов В.В.
Московский физико-технический институт (Государственный университет), Долгопрудный, Московская обл., Россия
1
Столяров В.С.
Московский физико-технический институт (Государственный университет), Долгопрудный, Московская обл., Россия
1
Шутаев В.А.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
1
Сидоров В.Г.
ООО "АИБИ", Санкт-Петербург, Россия
1
Гребенщикова Е.А.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
1
Яковлев Ю.П.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
1
Ризаев А.Э.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
1
Гришин А.Е.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
1
Лебедев А.А
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
1
Козловский В.В.
Санкт-Петербургский политехнический университет Петра Великого, Санкт-Петербург, Россия
1
Малевский Д.А.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
1
Николаев А.Е.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
1
Левинштейн М.Е.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
1
Протасов Д.Ю.
Институт физики полупроводников им. А.В. Ржанова Сибирского отделения Российской академии наук, Новосибирск, Россия
Новосибирский государственный технический университет, Новосибирск, Россия
1
Камеш П.П.
Новосибирский государственный технический университет, Новосибирск, Россия
1
Свит К.А.
Институт физики полупроводников им. А.В. Ржанова Сибирского отделения Российской академии наук, Новосибирск, Россия
1
Дмитриев Д.В.
Институт физики полупроводников им. А.В. Ржанова Сибирского отделения Российской академии наук, Новосибирск, Россия
1
Макеева А.А.
Институт физики полупроводников им. А.В. Ржанова Сибирского отделения Российской академии наук, Новосибирск, Россия
1
Рзаев Э.М.
Акционерное общество "Зеленоградский нанотехнологический центр", Москва, Зеленоград, Россия
1
Журавлев К.С.
Институт физики полупроводников им. А.В. Ржанова Сибирского отделения Российской академии наук, Новосибирск, Россия
1
Григорьева Н.Р.
Санкт-Петербургский государственный университет, Санкт-Петербург, Россия
1
Юрьев В.А.
Воронежский государственный технический университет, Воронеж, Россия
АО "РИФ", Воронеж, Россия
1
Чуйко А.Г.
АО "РИФ", Воронеж, Россия
1
Калинин Ю.Е.
Воронежский государственный технический университет, Воронеж, Россия
1
Гребенников А.А.
Воронежский государственный технический университет, Воронеж, Россия
1
Каширин М.А.
Воронежский государственный технический университет, Воронеж, Россия
1
Щербакова К.А.
Национальный исследовательский технологический университет "МИСиС", Москва, Россия
1
Бочканов Ф.Ю.
Национальный исследовательский технологический университет "МИСиС", Москва, Россия
1
Воронин А.И.
Национальный исследовательский технологический университет "МИСиС", Москва, Россия
1
Шуман В.Б.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
1
Астров Ю.А.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
1
Лодыгин А.Н.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
1
Порцель Л.М.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
1
Орлов Л.К.
Институт физики микроструктур Российской академии наук, Нижний Новгород, Россия
Нижегородский государственный технический университет им. Р.Е. Алексеева, Нижний Новгород, Россия
1
Зедоми Т.Э.
Нижегородский государственный технический университет им. Р.Е. Алексеева, Нижний Новгород, Россия
1
Ивина А.С.
Нижегородский государственный технический университет им. Р.Е. Алексеева, Нижний Новгород, Россия
Нижегородский институт управления при президенте Российской Федерации, филиал Российской академии народного хозяйства и государственной службы при президенте Российской Федерации, Нижний Новгород, Россия
1
Орлов М.Л.
Нижегородский институт управления при президенте Российской Федерации, филиал Российской академии народного хозяйства и государственной службы при президенте Российской Федерации, Нижний Новгород, Россия
1
Быков А.А.
Институт физики полупроводников им. А.В. Ржанова Сибирского отделения Российской академии наук, Новосибирск, Россия
1
Номоконов Д.В.
Институт физики полупроводников им. А.В. Ржанова Сибирского отделения Российской академии наук, Новосибирск, Россия
1
Стрыгин И.С.
Институт физики полупроводников им. А.В. Ржанова Сибирского отделения Российской академии наук, Новосибирск, Россия
1
Марчишин И.В.
Институт физики полупроводников им. А.В. Ржанова Сибирского отделения Российской академии наук, Новосибирск, Россия
1
Родякина Е.Е.
Институт физики полупроводников им. А.В. Ржанова Сибирского отделения Российской академии наук, Новосибирск, Россия
1
Калмыков А.Е.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук,, Санкт-Петербург, Россия
1
Сорокин Л.М.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук,, Санкт-Петербург, Россия
1
Курдюков Д.А.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук,, Санкт-Петербург, Россия
1
Гаврина П.С.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
1
Шашкин И.С.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
1
Wang Z.X.
School of Energy and Environment Science, Yunnan Normal University, Kunming, China
1
Liu M.Q.
Institute of Electronic Engineering, China Academy of Engineering Physics, Mianyang, China
1
Wang T.B.
School of Energy and Environment Science, Yunnan Normal University, Kunming, China
1
Li M.
School of Energy and Environment Science, Yunnan Normal University, Kunming, China
1
Tang G.H.
School of Energy and Environment Science, Yunnan Normal University, Kunming, China
1
Aierken A.
School of Energy and Environment Science, Yunnan Normal University, Kunming, China
1
Zhong L.
Institute of Electronic Engineering, China Academy of Engineering Physics, Mianyang, China
1
Фоминых Н.А.
Национальный исследовательский университет Высшая школа экономики", Санкт-Петербург, Россия
1
Крыжановская Н.В.
Национальный исследовательский университет Высшая школа экономики", Санкт-Петербург, Россия
1
Комаров С.Д.
Национальный исследовательский университет Высшая школа экономики", Санкт-Петербург, Россия
1
Махов И.С.
Национальный исследовательский университет Высшая школа экономики", Санкт-Петербург, Россия
1
Иванов К.А.
Национальный исследовательский университет Высшая школа экономики", Санкт-Петербург, Россия
1
Моисеев Э.И.
Национальный исследовательский университет Высшая школа экономики", Санкт-Петербург, Россия
1
Антонов Е.Е.
Национальный исследовательский университет Высшая школа экономики", Санкт-Петербург, Россия
1
Гусева Ю.А.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
1
Кулагина М.М.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
1
Минтаиров С.А.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
1
Калюжный Н.А.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
1
Галиев Р.Р.
Институт сверхвысокочастотной полупроводниковой электроники имени В.Г. Мокерова РАН, Москва, Россия
1
Павлов А.Ю.
Институт сверхвысокочастотной полупроводниковой электроники имени В.Г. Мокерова РАН, Москва, Россия
1
Томош К.Н.
Институт сверхвысокочастотной полупроводниковой электроники имени В.Г. Мокерова РАН, Москва, Россия
1
Жуков А.Е.
Национальный исследовательский университет Высшая школа экономики", Санкт-Петербург, Россия
1
Горбенко И.В.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
1
Качоровский В.Ю.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
1
Краснова И.А.
Институт физики полупроводников им. А.В. Ржанова Сибирского отделения Российской академии наук, Новосибирск, Россия
1
Закиров Е.Р.
Институт физики полупроводников им. А.В. Ржанова Сибирского отделения Российской академии наук, Новосибирск, Россия
1
Сидоров Г.Ю.
Институт физики полупроводников им. А.В. Ржанова Сибирского отделения Российской академии наук, Новосибирск, Россия
1
Сабинина И.В.
Институт физики полупроводников им. А.В. Ржанова Сибирского отделения Российской академии наук, Новосибирск, Россия
1
Росляков С.И.
Университет науки и технологий "МИСиС", Москва, Россия
1
Ермекова Ж.С.
Университет науки и технологий "МИСиС", Москва, Россия
1
Московских Д.О.
Университет науки и технологий "МИСиС", Москва, Россия
1
Юдин С.Н.
Университет науки и технологий "МИСиС", Москва, Россия
1
Лундин В.В.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
1
Заварин Е.Е.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
1
Казанцев Д.Ю.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
1
Бер Б.Я.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
1
Цацульников А.Ф.
Научно-технологический центр микроэлектроники и субмикронных гетероструктур Российской академии наук, Санкт-Петербург, Россия
1
Чернов М.Ю.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
1
Соловьев В.А.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
1
Дричко И.Л.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
1
Смирнов И.Ю.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
1
Иванов С.В.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
1
Шестериков А.Е.
Томский государственный университет систем управления и радиоэлектроники, Томск, Россия
1
Шестерикова Д.А.
Томский государственный университет систем управления и радиоэлектроники, Томск, Россия
1
Ерофеев Е.В.
Томский государственный университет систем управления и радиоэлектроники, Томск, Россия
1
Жидяев К.С.
Нижегородский государственный университет им. Н.И. Лобачевского, Нижний Новгород, Россия
1
Чигинева А.Б.
Нижегородский государственный университет им. Н.И. Лобачевского, Нижний Новгород, Россия
1
Байдусь Н.В.
Нижегородский государственный университет им. Н.И. Лобачевского, Нижний Новгород, Россия
1
Самарцев И.В.
Нижегородский государственный университет им. Н.И. Лобачевского, Нижний Новгород, Россия
1
Кудрин А.В.
Нижегородский государственный университет им. Н.И. Лобачевского, Нижний Новгород, Россия
1
Яроцкая И.В.
"НИИ "Полюс" им. М.Ф. Стельмаха", Москва, Россия
1
Рябоштан Ю.Л.
Акционерное общество "Научно-исследовательский институт "Полюс" им. М.Ф. Стельмаха", Москва, Россия
1
Хомицкий Д.В.
Физический факультет Нижегородского государственного университета им. Н.И. Лобачевского, Нижний Новгород, Россия
1
Запруднов Н.А.
Физический факультет Нижегородского государственного университета им. Н.И. Лобачевского, Нижний Новгород, Россия
1
Афоненко Ан.А.
Белорусский государственный университет, Минск, Республика Беларусь
1
Афоненко А.А.
Белорусский государственный университет, Минск, Республика Беларусь
1
Ушаков Д.В.
Белорусский государственный университет, Минск, Республика Беларусь
1
Пушкарев С.С.
Институт сверхвысокочастотной полупроводниковой электроники Российской академии наук, Москва, Россия
Московский физико-технический институт (Государственный университет), Долгопрудный, Московская обл., Россия
1
Абрамкин Д.С.
Новосибирский государственный университет, Новосибирск, Россия
Институт физики полупроводников им. А.В. Ржанова Cибирского отделения Российской академии наук, Новосибирск, Россия
1
Петрушков М.О.
Институт физики полупроводников им. А.В. Ржанова Cибирского отделения Российской академии наук, Новосибирск, Россия
1
Богомолов Д.Б.
Институт физики полупроводников им. А.В. Ржанова Cибирского отделения Российской академии наук, Новосибирск, Россия
1
Емельянов Е.А.
Институт физики полупроводников им. А.В. Ржанова Cибирского отделения Российской академии наук, Новосибирск, Россия
1
Путято М.А.
Институт физики полупроводников им. А.В. Ржанова Cибирского отделения Российской академии наук, Новосибирск, Россия
1
Преображенский В.В.
Институт физики полупроводников им. А.В. Ржанова Cибирского отделения Российской академии наук, Новосибирск, Россия
1
Коваленко Ю.Е.
Институт физики металлов им. М.Н. Михеева Уральского отделения Российской академии наук, Екатеринбург, Россия
1
Якушев М.В.
Институт химии твердого тела Уральского oтделения Российской академии наук, Екатеринбург, Россия
Уральский федеральный университет им. первого Президента России Б.Н. Ельцина, Екатеринбург, Россия
Институт физики металлов им. М.Н. Михеева Уральского отделения Российской академии наук, Екатеринбург, Россия
1
Гребенников В.И.
Институт физики металлов им. М.Н. Михеева Уральского отделения Российской академии наук, Екатеринбург, Россия
1
Орлита M.
Национальная лаборатория сильных магнитных полей (LNCMI), Гренобль, Франция
1
Титова С.Г.
Институт металлургии Уральского отделения Российской академии наук, Екатеринбург, Россия
1
Кох К.А.
Институт геологии и минералогии им. В.С. Соболева СО РАН, Новосибирск, Россия
Кемеровский государственный университет, Кемерово, Россия
Новосибирский государственный университет, Новосибирск, Россия
1
Терещенко О.Е.
Институт физики полупроводников им. А.В. Ржанова Сибирского отделения Российской академии наук, Новосибирск, Россия
Новосибирский государственный университет, Новосибирск, Россия
1
Кузнецова Т.В.
Уральский федеральный университет им. первого Президента России Б.Н. Ельцина, Екатеринбург, Россия
Институт физики металлов им. М.Н. Михеева Уральского отделения Российской академии наук, Екатеринбург, Россия
1
Гавриленко В.И.
Нижегородский государственный университет им. Н.И. Лобачевского, Нижний Новгород, Россия
Институт физики микроструктур Российской академии наук, д. Афонино, Кстовский р-н, Нижегородская обл., Россия
1
Курицын Д.И.
Институт физики микроструктур Российской академии наук, д. Афонино, Кстовский р-н, Нижегородская обл., Россия
1
Фадеев М.А.
Институт физики микроструктур Российской академии наук, д. Афонино, Кстовский р-н, Нижегородская обл., Россия
1
Антонов А.В.
Институт физики микроструктур Российской академии наук, д. Афонино, Кстовский р-н, Нижегородская обл., Россия
1
Янцер А.А.
Нижегородский государственный университет им. Н.И. Лобачевского, Нижний Новгород, Россия
Институт физики микроструктур Российской академии наук, д. Афонино, Кстовский р-н, Нижегородская обл., Россия
1
Ковалеский К.А.
Институт физики микроструктур Российской академии наук, д. Афонино, Кстовский р-н, Нижегородская обл., Россия
1
Морозов С.В.
Нижегородский государственный университет им. Н.И. Лобачевского, Нижний Новгород, Россия
Институт физики микроструктур Российской академии наук, д. Афонино, Кстовский р-н, Нижегородская обл., Россия
1
Дубинов А.А.
Нижегородский государственный университет им. Н.И. Лобачевского, Нижний Новгород, Россия
Институт физики микроструктур Российской академии наук, д. Афонино, Кстовский р-н, Нижегородская обл., Россия
1
Лобанов Д.Н.
Институт физики микроструктур Российской академии наук, Нижний Новгород, Россия
1
Калинников М.А.
Институт физики микроструктур Российской академии наук, Нижний Новгород, Россия
1
Кудрявцев К.Е.
Институт физики микроструктур Российской академии наук, Нижний Новгород, Россия
1
Андреев Б.А.
Институт физики микроструктур Российской академии наук, Нижний Новгород, Россия
1
Юнин П.А.
Институт физики микроструктур Российской академии наук, Нижний Новгород, Россия
1
Новиков А.В.
Институт физики микроструктур Российской академии наук, Нижний Новгород, Россия
1
Скороходов Е.В.
Институт физики микроструктур Российской академии наук, Нижний Новгород, Россия
1
Красильник З.Ф.
Институт физики микроструктур Российской академии наук, Нижний Новгород, Россия
Нижегородский государственный университет им. Н.И. Лобачевского, Нижний Новгород, Россия
1
Организация
Статей
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
14
Нижегородский государственный университет им. Н.И. Лобачевского, Нижний Новгород, Россия
5
Институт физики полупроводников им. А.В. Ржанова Сибирского отделения Российской академии наук, Новосибирск, Россия
4
Институт физики микроструктур Российской академии наук, Нижний Новгород, Россия
3
Московский физико-технический институт (Государственный университет), Долгопрудный, Московская обл., Россия
2
Акционерное общество "Научно-исследовательский институт "Полюс" им. М.Ф. Стельмаха", Москва, Россия
2
"НИИ "Полюс" им. М.Ф. Стельмаха", Москва, Россия
2
Новосибирский государственный университет, Новосибирск, Россия
2
Федеральный исследовательский центр Институт прикладной физики Российской академии наук, Нижний Новгород, Россия
2
Санкт-Петербургский государственный электротехнический университет "ЛЭТИ" им. В.И. Ульянова (Ленина), Санкт-Петербург, Россия
1
Санкт-Петербургский государственный университет, Санкт-Петербург, Россия
1
Институт физики твердого тела им. Ю.А. Осипьяна РАН, Черноголовка, Россия
1
ООО "АИБИ", Санкт-Петербург, Россия
1
Санкт-Петербургский политехнический университет Петра Великого, Санкт-Петербург, Россия
1
Новосибирский государственный технический университет, Новосибирск, Россия
1
Акционерное общество "Зеленоградский нанотехнологический центр", Москва, Зеленоград, Россия
1
Воронежский государственный технический университет, Воронеж, Россия
1
АО "РИФ", Воронеж, Россия
1
Национальный исследовательский технологический университет "МИСиС", Москва, Россия
1
Нижегородский государственный технический университет им. Р.Е. Алексеева, Нижний Новгород, Россия
1
Нижегородский институт управления при президенте Российской Федерации, филиал Российской академии народного хозяйства и государственной службы при президенте Российской Федерации, Нижний Новгород, Россия
1
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук,, Санкт-Петербург, Россия
1
School of Energy and Environment Science, Yunnan Normal University, Kunming, China
1
Institute of Electronic Engineering, China Academy of Engineering Physics, Mianyang, China
1
Институт сверхвысокочастотной полупроводниковой электроники имени В.Г. Мокерова РАН, Москва, Россия
1
Национальный исследовательский университет Высшая школа экономики", Санкт-Петербург, Россия
1
Университет науки и технологий "МИСиС", Москва, Россия
1
Научно-технологический центр микроэлектроники и субмикронных гетероструктур Российской академии наук, Санкт-Петербург, Россия
1
Томский государственный университет систем управления и радиоэлектроники, Томск, Россия
1
Российский университет дружбы народов, Москва, Россия
1
Физический факультет Нижегородского государственного университета им. Н.И. Лобачевского, Нижний Новгород, Россия
1
Институт сверхвысокочастотной полупроводниковой электроники Российской академии наук, Москва, Россия
1
Белорусский государственный университет, Минск, Республика Беларусь
1
Институт физики полупроводников им. А.В. Ржанова Cибирского отделения Российской академии наук, Новосибирск, Россия
1
Институт геологии и минералогии им. В.С. Соболева СО РАН, Новосибирск, Россия
1
Институт металлургии Уральского отделения Российской академии наук, Екатеринбург, Россия
1
Институт химии твердого тела Уральского oтделения Российской академии наук, Екатеринбург, Россия
1
Кемеровский государственный университет, Кемерово, Россия
1
Уральский федеральный университет им. первого Президента России Б.Н. Ельцина, Екатеринбург, Россия
1
Институт физики металлов им. М.Н. Михеева Уральского отделения Российской академии наук, Екатеринбург, Россия
1
Национальная лаборатория сильных магнитных полей (LNCMI), Гренобль, Франция
1
Институт физики микроструктур Российской академии наук, д. Афонино, Кстовский р-н, Нижегородская обл., Россия
1