Вышедшие номера
Общее количество статей:
10892
Распределение количества статей по годам:
517
490
469
411
345
329
302
266
295
311
285
292
278
262
263
259
256
277
251
260
244
294
288
284
279
295
305
301
303
316
330
309
287
248
203
135
53
Распределение количества просмотров по годам:
911028
852335
823587
733790
632824
606357
555506
493468
593086
740452
735400
675712
676797
679944
658631
682015
706921
721567
629070
661736
620838
788715
802028
773071
744549
799219
809279
774865
747049
734206
639066
531804
372876
244988
145769
38638
4719
Распределение количества авторов по годам:
1228
1240
1185
1078
885
882
744
715
727
800
756
791
761
773
802
802
826
907
876
892
763
962
1019
1010
968
1085
1151
1063
1156
1166
1310
1097
1124
952
833
548
254
Распределение количества организаций по годам:
143
55
131
107
117
125
152
174
159
167
148
175
163
181
187
187
227
154
216
211
211
237
252
286
241
275
269
295
249
323
260
170
109
56

Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов. Дата начала обработки информации по просмотрам - 27 января 2016 г.

За 2024 год:
Статья
Просмотров
Статья
Просмотров
Автор
Организация
Статей
Подоскин А.А.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
4
Шушканов И.В.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
4
Пихтин Н.А.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
4
Багаев Т.А.
"НИИ "Полюс" им. М.Ф. Стельмаха", Москва, Россия
4
Ладугин М.А.
"НИИ "Полюс" им. М.Ф. Стельмаха", Москва, Россия
4
Мармалюк А.А.
"НИИ "Полюс" им. М.Ф. Стельмаха", Москва, Россия
4
Слипченко С.О.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
3
Симаков В.А.
Акционерное общество "Научно-исследовательский институт "Полюс" им. М.Ф. Стельмаха", Москва, Россия
3
Аргунов Е.В.
Национальный исследовательский технологический университет "МИСиС", Москва, Россия
3
Ховайло В.В.
Национальный исследовательский технологический университет "МИСиС", Москва, Россия
3
Крючков В.А.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
2
Чернышова Е.В.
Университет науки и технологий "МИСиС", Москва, Россия
2
Сахаров А.В.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
2
Светогоров В.Н.
Акционерное общество "Научно-исследовательский институт "Полюс" им. М.Ф. Стельмаха", Москва, Россия
2
Хабибуллин Р.А.
Институт сверхвысокочастотной полупроводниковой электроники Российской академии наук, Москва, Россия
Московский физико-технический институт (Государственный университет), Долгопрудный, Московская обл., Россия
2
Жукавин Р.Х.
Институт физики микроструктур Российской академии наук, д. Афонино, Кстовский р-н, Нижегородская обл., Россия
2
Кочаровская Е.Р.
Федеральный исследовательский центр Институт прикладной физики Российской академии наук, Нижний Новгород, Россия
2
Кочаровский Вл.В.
Федеральный исследовательский центр Институт прикладной физики Российской академии наук, Нижний Новгород, Россия
Нижегородский государственный университет им. Н.И. Лобачевского, Нижний Новгород, Россия
2
Родякина Е.Е.
Институт физики полупроводников им. А.В. Ржанова Сибирского отделения Российской академии наук, Новосибирск, Россия
Новосибирский государственный университет, Новосибирск, Россия
2
Новиков А.В.
Институт физики микроструктур Российской академии наук, Нижний Новгород, Россия
Нижегородский государственный университет им. Н.И. Лобачевского, Нижний Новгород, Россия
2
Кулагина М.М.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
2
Минтаиров С.А.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
2
Калюжный Н.А.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
2
Надточий А.М.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
Национальный исследовательский университет "Высшая школа экономики", Санкт-Петербург, Россия
2
Крыжановская Н.В.
Национальный исследовательский университет "Высшая школа экономики", Санкт-Петербург, Россия
2
Юсупова Ш.А.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
2
Векслер М.И.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
2
Бекин Н.А.
Институт физики микроструктур Российской академии наук, Нижний Новгород, Россия
1
Цыпленков В.В.
Институт физики микроструктур Российской академии наук, Нижний Новгород, Россия
1
Шастин В.Н.
Институт физики микроструктур Российской академии наук, Нижний Новгород, Россия
1
Лифшиц М.Б.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
1
Грабарь В.А.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
1
Аверкиев Н.С.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
1
Смирнов М.Б.
Санкт-Петербургский государственный университет, Санкт-Петербург, Россия
1
Панькин Д.В.
Санкт-Петербургский государственный университет, Санкт-Петербург, Россия
1
Рогинский Е.М.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
1
Савин A.B.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
1
Зайцев С.В.
Институт физики твердого тела им. Ю.А. Осипьяна РАН, Черноголовка, Россия
1
Сидоров В.Г.
ООО "АИБИ", Санкт-Петербург, Россия
1
Гребенщикова Е.А.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
1
Яковлев Ю.П.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
1
Ризаев А.Э.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
1
Гришин А.Е.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
1
Лебедев А.А
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
1
Козловский В.В.
Санкт-Петербургский политехнический университет Петра Великого, Санкт-Петербург, Россия
1
Камеш П.П.
Новосибирский государственный технический университет, Новосибирск, Россия
1
Свит К.А.
Институт физики полупроводников им. А.В. Ржанова Сибирского отделения Российской академии наук, Новосибирск, Россия
1
Дмитриев Д.В.
Институт физики полупроводников им. А.В. Ржанова Сибирского отделения Российской академии наук, Новосибирск, Россия
1
Макеева А.А.
Институт физики полупроводников им. А.В. Ржанова Сибирского отделения Российской академии наук, Новосибирск, Россия
1
Рзаев Э.М.
Акционерное общество "Зеленоградский нанотехнологический центр", Москва, Зеленоград, Россия
1
Журавлев К.С.
Институт физики полупроводников им. А.В. Ржанова Сибирского отделения Российской академии наук, Новосибирск, Россия
1
Григорьева Н.Р.
Санкт-Петербургский государственный университет, Санкт-Петербург, Россия
1
Юрьев В.А.
Воронежский государственный технический университет, Воронеж, Россия
АО "РИФ", Воронеж, Россия
1
Чуйко А.Г.
АО "РИФ", Воронеж, Россия
1
Калинин Ю.Е.
Воронежский государственный технический университет, Воронеж, Россия
1
Гребенников А.А.
Воронежский государственный технический университет, Воронеж, Россия
1
Каширин М.А.
Воронежский государственный технический университет, Воронеж, Россия
1
Щербакова К.А.
Национальный исследовательский технологический университет "МИСиС", Москва, Россия
1
Шуман В.Б.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
1
Астров Ю.А.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
1
Лодыгин А.Н.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
1
Порцель Л.М.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
1
Орлов Л.К.
Институт физики микроструктур Российской академии наук, Нижний Новгород, Россия
Нижегородский государственный технический университет им. Р.Е. Алексеева, Нижний Новгород, Россия
1
Зедоми Т.Э.
Нижегородский государственный технический университет им. Р.Е. Алексеева, Нижний Новгород, Россия
1
Ивина А.С.
Нижегородский государственный технический университет им. Р.Е. Алексеева, Нижний Новгород, Россия
Нижегородский институт управления при президенте Российской Федерации, филиал Российской академии народного хозяйства и государственной службы при президенте Российской Федерации, Нижний Новгород, Россия
1
Орлов М.Л.
Нижегородский институт управления при президенте Российской Федерации, филиал Российской академии народного хозяйства и государственной службы при президенте Российской Федерации, Нижний Новгород, Россия
1
Быков А.А.
Институт физики полупроводников им. А.В. Ржанова Сибирского отделения Российской академии наук, Новосибирск, Россия
1
Номоконов Д.В.
Институт физики полупроводников им. А.В. Ржанова Сибирского отделения Российской академии наук, Новосибирск, Россия
1
Стрыгин И.С.
Институт физики полупроводников им. А.В. Ржанова Сибирского отделения Российской академии наук, Новосибирск, Россия
1
Марчишин И.В.
Институт физики полупроводников им. А.В. Ржанова Сибирского отделения Российской академии наук, Новосибирск, Россия
1
Курдюков Д.А.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук,, Санкт-Петербург, Россия
1
Гаврина П.С.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
1
Шашкин И.С.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
1
Wang Z.X.
School of Energy and Environment Science, Yunnan Normal University, Kunming, China
1
Liu M.Q.
Institute of Electronic Engineering, China Academy of Engineering Physics, Mianyang, China
1
Wang T.B.
School of Energy and Environment Science, Yunnan Normal University, Kunming, China
1
Li M.
School of Energy and Environment Science, Yunnan Normal University, Kunming, China
1
Комаров С.Д.
Национальный исследовательский университет Высшая школа экономики", Санкт-Петербург, Россия
1
Махов И.С.
Национальный исследовательский университет Высшая школа экономики", Санкт-Петербург, Россия
1
Иванов К.А.
Национальный исследовательский университет Высшая школа экономики", Санкт-Петербург, Россия
1
Моисеев Э.И.
Национальный исследовательский университет Высшая школа экономики", Санкт-Петербург, Россия
1
Антонов Е.Е.
Национальный исследовательский университет Высшая школа экономики", Санкт-Петербург, Россия
1
Гусева Ю.А.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
1
Галиев Р.Р.
Институт сверхвысокочастотной полупроводниковой электроники имени В.Г. Мокерова РАН, Москва, Россия
1
Павлов А.Ю.
Институт сверхвысокочастотной полупроводниковой электроники имени В.Г. Мокерова РАН, Москва, Россия
1
Качоровский В.Ю.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
1
Краснова И.А.
Институт физики полупроводников им. А.В. Ржанова Сибирского отделения Российской академии наук, Новосибирск, Россия
1
Закиров Е.Р.
Институт физики полупроводников им. А.В. Ржанова Сибирского отделения Российской академии наук, Новосибирск, Россия
1
Сидоров Г.Ю.
Институт физики полупроводников им. А.В. Ржанова Сибирского отделения Российской академии наук, Новосибирск, Россия
1
Сабинина И.В.
Институт физики полупроводников им. А.В. Ржанова Сибирского отделения Российской академии наук, Новосибирск, Россия
1
Росляков С.И.
Университет науки и технологий "МИСиС", Москва, Россия
1
Ермекова Ж.С.
Университет науки и технологий "МИСиС", Москва, Россия
1
Московских Д.О.
Университет науки и технологий "МИСиС", Москва, Россия
1
Юдин С.Н.
Университет науки и технологий "МИСиС", Москва, Россия
1
Лундин В.В.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
1
Заварин Е.Е.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
1
Казанцев Д.Ю.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
1
Дричко И.Л.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
1
Смирнов И.Ю.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
1
Иванов С.В.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
1
Шестериков А.Е.
Томский государственный университет систем управления и радиоэлектроники, Томск, Россия
1
Шестерикова Д.А.
Томский государственный университет систем управления и радиоэлектроники, Томск, Россия
1
Ерофеев Е.В.
Томский государственный университет систем управления и радиоэлектроники, Томск, Россия
1
Жидяев К.С.
Нижегородский государственный университет им. Н.И. Лобачевского, Нижний Новгород, Россия
1
Чигинева А.Б.
Нижегородский государственный университет им. Н.И. Лобачевского, Нижний Новгород, Россия
1
Байдусь Н.В.
Нижегородский государственный университет им. Н.И. Лобачевского, Нижний Новгород, Россия
1
Самарцев И.В.
Нижегородский государственный университет им. Н.И. Лобачевского, Нижний Новгород, Россия
1
Кудрин А.В.
Нижегородский государственный университет им. Н.И. Лобачевского, Нижний Новгород, Россия
1
Афоненко Ан.А.
Белорусский государственный университет, Минск, Республика Беларусь
1
Афоненко А.А.
Белорусский государственный университет, Минск, Республика Беларусь
1
Ушаков Д.В.
Белорусский государственный университет, Минск, Республика Беларусь
1
Пушкарев С.С.
Институт сверхвысокочастотной полупроводниковой электроники Российской академии наук, Москва, Россия
Московский физико-технический институт (Государственный университет), Долгопрудный, Московская обл., Россия
1
Абрамкин Д.С.
Новосибирский государственный университет, Новосибирск, Россия
Институт физики полупроводников им. А.В. Ржанова Cибирского отделения Российской академии наук, Новосибирск, Россия
1
Петрушков М.О.
Институт физики полупроводников им. А.В. Ржанова Cибирского отделения Российской академии наук, Новосибирск, Россия
1
Богомолов Д.Б.
Институт физики полупроводников им. А.В. Ржанова Cибирского отделения Российской академии наук, Новосибирск, Россия
1
Емельянов Е.А.
Институт физики полупроводников им. А.В. Ржанова Cибирского отделения Российской академии наук, Новосибирск, Россия
1
Путято М.А.
Институт физики полупроводников им. А.В. Ржанова Cибирского отделения Российской академии наук, Новосибирск, Россия
1
Преображенский В.В.
Институт физики полупроводников им. А.В. Ржанова Cибирского отделения Российской академии наук, Новосибирск, Россия
1
Коваленко Ю.Е.
Институт физики металлов им. М.Н. Михеева Уральского отделения Российской академии наук, Екатеринбург, Россия
1
Якушев М.В.
Институт химии твердого тела Уральского oтделения Российской академии наук, Екатеринбург, Россия
Уральский федеральный университет им. первого Президента России Б.Н. Ельцина, Екатеринбург, Россия
Институт физики металлов им. М.Н. Михеева Уральского отделения Российской академии наук, Екатеринбург, Россия
1
Гребенников В.И.
Институт физики металлов им. М.Н. Михеева Уральского отделения Российской академии наук, Екатеринбург, Россия
1
Терещенко О.Е.
Институт физики полупроводников им. А.В. Ржанова Сибирского отделения Российской академии наук, Новосибирск, Россия
Новосибирский государственный университет, Новосибирск, Россия
1
Кузнецова Т.В.
Уральский федеральный университет им. первого Президента России Б.Н. Ельцина, Екатеринбург, Россия
Институт физики металлов им. М.Н. Михеева Уральского отделения Российской академии наук, Екатеринбург, Россия
1
Гавриленко В.И.
Нижегородский государственный университет им. Н.И. Лобачевского, Нижний Новгород, Россия
Институт физики микроструктур Российской академии наук, д. Афонино, Кстовский р-н, Нижегородская обл., Россия
1
Курицын Д.И.
Институт физики микроструктур Российской академии наук, д. Афонино, Кстовский р-н, Нижегородская обл., Россия
1
Фадеев М.А.
Институт физики микроструктур Российской академии наук, д. Афонино, Кстовский р-н, Нижегородская обл., Россия
1
Антонов А.В.
Институт физики микроструктур Российской академии наук, д. Афонино, Кстовский р-н, Нижегородская обл., Россия
1
Янцер А.А.
Нижегородский государственный университет им. Н.И. Лобачевского, Нижний Новгород, Россия
Институт физики микроструктур Российской академии наук, д. Афонино, Кстовский р-н, Нижегородская обл., Россия
1
Ковалеский К.А.
Институт физики микроструктур Российской академии наук, д. Афонино, Кстовский р-н, Нижегородская обл., Россия
1
Морозов С.В.
Нижегородский государственный университет им. Н.И. Лобачевского, Нижний Новгород, Россия
Институт физики микроструктур Российской академии наук, д. Афонино, Кстовский р-н, Нижегородская обл., Россия
1
Дубинов А.А.
Нижегородский государственный университет им. Н.И. Лобачевского, Нижний Новгород, Россия
Институт физики микроструктур Российской академии наук, д. Афонино, Кстовский р-н, Нижегородская обл., Россия
1
Юнин П.А.
Институт физики микроструктур Российской академии наук, Нижний Новгород, Россия
1
Скороходов Е.В.
Институт физики микроструктур Российской академии наук, Нижний Новгород, Россия
1
Красильник З.Ф.
Институт физики микроструктур Российской академии наук, Нижний Новгород, Россия
Нижегородский государственный университет им. Н.И. Лобачевского, Нижний Новгород, Россия
1
Хорошилов В.С.
Институт физики полупроводников им. А.В. Ржанова Сибирского отделения Российской академии наук, Новосибирск, Россия
Новосибирский государственный университет, Новосибирск, Россия
1
Шайблер Г.Э.
Институт физики полупроводников им. А.В. Ржанова Сибирского отделения Российской академии наук, Новосибирск, Россия
Новосибирский государственный университет, Новосибирск, Россия
1
Казанцев Д.М.
Институт физики полупроводников им. А.В. Ржанова Сибирского отделения Российской академии наук, Новосибирск, Россия
Новосибирский государственный университет, Новосибирск, Россия
1
Рожков С.А.
Институт физики полупроводников им. А.В. Ржанова Сибирского отделения Российской академии наук, Новосибирск, Россия
Новосибирский государственный университет, Новосибирск, Россия
1
Альперович В.Л.
Институт физики полупроводников им. А.В. Ржанова Сибирского отделения Российской академии наук, Новосибирск, Россия
Новосибирский государственный университет, Новосибирск, Россия
1
Голышков Г.М.
Федеральное государственное бюджетное учреждение науки Институт физики твердого тела имени Ю.А. Осипьяна Российской академии наук, Черноголовка, Россия
1
Бричкин А.С.
Федеральное государственное бюджетное учреждение науки Институт физики твердого тела имени Ю.А. Осипьяна Российской академии наук, Черноголовка, Россия
1
Черненко А.В.
Федеральное государственное бюджетное учреждение науки Институт физики твердого тела имени Ю.А. Осипьяна Российской академии наук, Черноголовка, Россия
1
Астанкова К.Н.
Институт физики полупроводников им. А.В. Ржанова Сибирского отделения Российской академии наук, Новосибирск, Россия
1
Барышникова К.В.
Университет ИТМО, Санкт-Петербург, Россия
1
Петров М.И.
Университет ИТМО, Санкт-Петербург, Россия
1
Михайловский М.С.
Университет ИТМО, Санкт-Петербург, Россия
1
Вербус В.А.
Институт физики микроструктур Российской академии наук, Нижний Новгород, Россия
Национальный исследовательский университет ” Высшая школа экономики“, Нижний Новгород, Россия
1
Степихова М.В.
Институт физики микроструктур Российской академии наук, Нижний Новгород, Россия
1
Сидоренко Н.А.
Общество с ограниченной ответственностью "РусТек", Москва, Россия
1
Сорокин А.И.
Общество с ограниченной ответственностью Технологическое бюро "Норд", Москва, Россия
1
Дашевский З.М.
Общество с ограниченной ответственностью "РусТек", Москва, Россия
1
Скипидаров С.Я.
Общество с ограниченной ответственностью "РусТек", Москва, Россия
1
Апрелева А.С.
Московский государственный университет им. М.В. Ломоносова (физический факультет, кафедра физики низких температур и сверхпроводимости), ГСП-1 Москва, Россия
1
Карпенков Д.Ю.
Национальный исследовательский технологический университет "МИСиС", Москва, Россия
1
Власенко Л.С.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
1
Kawahala N.M.
Instituto de Fisica da Universidade de Sao Paulo,135960-170, Sao Paulo, SP, Brazil
1
Гусев Г.М.
Instituto de Fisica da Universidade de Sao Paulo,135960-170, Sao Paulo, SP, Brazil
1
Ольшанецкий E.Б.
Институт физики полупроводников им. А.В. Ржанова Сибирского отделения Российской академии наук, Новосибирск, Россия
Новосибирский государственный технический университет НЭТИ, Новосибирск, Россия
1
Hernandez F.G.G.
Instituto de Fisica da Universidade de Sao Paulo,135960-170, Sao Paulo, SP, Brazil
1
Дворецкий С.А.
Институт физики полупроводников им. А.В. Ржанова Сибирского отделения Российской академии наук, Новосибирск, Россия
1
Илларионов Ю.Ю.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
Институт микроэлектроники Технического университета гор. Вены, Вена, Австрия
1
Банщиков А.Г.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
1
Knobloch T.
Институт микроэлектроники Технического университета гор. Вены, Вена, Австрия
1
Михайлов Н.Н.
Институт физики полупроводников им. А.В. Ржанова Сибирского отделения Российской академии наук, Новосибирск, Россия
1
Кучинская П.А.
Институт физики полупроводников им. А.В. Ржанова Сибирского отделения Российской академии наук, Новосибирск, Россия
1
Кукушкин В.А.
Нижегородский государственный университет им. Н.И. Лобачевского, Нижний Новгород, Россия
Федеральный исследовательский центр Институт прикладной физики им. А.В. Гапонова-Грехова РАН, Нижний Новгород, Россия
1
Кукушкин Ю.В.
Нижегородский государственный университет им. Н.И. Лобачевского, Нижний Новгород, Россия
1
Давидович М.В.
Саратовский национальный исследовательский государственный университет им. Н.Г. Чернышевского, Саратов, Россия
1
Марков Л.К.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
1
Смирнова И.П.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
1
Павлюченко А.С.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
1
Яговкина М.А.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
1
Аксенова В.В.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
АО "СКТБ Кольцова", Санкт-Петербург, Россия
1
Лебедев М.В.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
1
Львова Т.В.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
1
Седова И.В.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
1
Королева А.В.
Санкт-Петербургский государственный университет, Санкт-Петербург, Россия
1
Жижин Е.В.
Санкт-Петербургский государственный университет, Санкт-Петербург, Россия
1
Шерняков Ю.М.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
1
Гордеев Н.Ю.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
1
Паюсов А.С.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
1
Бекман А.А.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
1
Корнышов Г.О.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
1
Симчук О.И.
Санкт-Петербургский национальный исследовательский Академический университет имени Ж.И. Алфёрова Российской академии наук, Санкт-Петербург, Россия
1
Салий Ю.А.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
1
Максимов М.В.
Санкт-Петербургский национальный исследовательский Академический университет имени Ж.И. Алфёрова Российской академии наук, Санкт-Петербург, Россия
1
Бабичев А.В.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
1
Блохин С.А.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
1
Неведомский В.Н.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
1
Бобров М.А.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
1
Егоров А.Ю.
Университет ИТМО, Санкт-Петербург, Россия
1
Кардо-Сысоев А.Ф.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
1
Черенёв М.Н.
Санкт-Петербургский государственный электротехнический университет "ЛЭТИ" им. В.И. Ульянова (Ленина), Санкт-Петербург, Россия
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
1
Люблинский А.Г.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
1
Смирнова И.А.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
1
Белякова Е.И.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
1
Еремин В.К.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
1
Фадеева Н.Н.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
1
Вербицкая E.М.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
1
Еремин И.В.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
1
Организация
Статей
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
22
Институт физики полупроводников им. А.В. Ржанова Сибирского отделения Российской академии наук, Новосибирск, Россия
7
Нижегородский государственный университет им. Н.И. Лобачевского, Нижний Новгород, Россия
7
Институт физики микроструктур Российской академии наук, Нижний Новгород, Россия
4
Новосибирский государственный университет, Новосибирск, Россия
4
Санкт-Петербургский государственный электротехнический университет "ЛЭТИ" им. В.И. Ульянова (Ленина), Санкт-Петербург, Россия
2
Санкт-Петербургский государственный университет, Санкт-Петербург, Россия
2
Московский физико-технический институт (Государственный университет), Долгопрудный, Московская обл., Россия
2
Национальный исследовательский технологический университет "МИСиС", Москва, Россия
2
Акционерное общество "Научно-исследовательский институт "Полюс" им. М.Ф. Стельмаха", Москва, Россия
2
Национальный исследовательский университет Высшая школа экономики", Санкт-Петербург, Россия
2
"НИИ "Полюс" им. М.Ф. Стельмаха", Москва, Россия
2
Федеральный исследовательский центр Институт прикладной физики Российской академии наук, Нижний Новгород, Россия
2
Университет ИТМО, Санкт-Петербург, Россия
2
Институт физики твердого тела им. Ю.А. Осипьяна РАН, Черноголовка, Россия
1
ООО "АИБИ", Санкт-Петербург, Россия
1
Санкт-Петербургский политехнический университет Петра Великого, Санкт-Петербург, Россия
1
Новосибирский государственный технический университет, Новосибирск, Россия
1
Акционерное общество "Зеленоградский нанотехнологический центр", Москва, Зеленоград, Россия
1
Воронежский государственный технический университет, Воронеж, Россия
1
АО "РИФ", Воронеж, Россия
1
Нижегородский государственный технический университет им. Р.Е. Алексеева, Нижний Новгород, Россия
1
Нижегородский институт управления при президенте Российской Федерации, филиал Российской академии народного хозяйства и государственной службы при президенте Российской Федерации, Нижний Новгород, Россия
1
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук,, Санкт-Петербург, Россия
1
School of Energy and Environment Science, Yunnan Normal University, Kunming, China
1
Institute of Electronic Engineering, China Academy of Engineering Physics, Mianyang, China
1
Институт сверхвысокочастотной полупроводниковой электроники имени В.Г. Мокерова РАН, Москва, Россия
1
Университет науки и технологий "МИСиС", Москва, Россия
1
Научно-технологический центр микроэлектроники и субмикронных гетероструктур Российской академии наук, Санкт-Петербург, Россия
1
Томский государственный университет систем управления и радиоэлектроники, Томск, Россия
1
Российский университет дружбы народов, Москва, Россия
1
Физический факультет Нижегородского государственного университета им. Н.И. Лобачевского, Нижний Новгород, Россия
1
Институт сверхвысокочастотной полупроводниковой электроники Российской академии наук, Москва, Россия
1
Белорусский государственный университет, Минск, Республика Беларусь
1
Институт физики полупроводников им. А.В. Ржанова Cибирского отделения Российской академии наук, Новосибирск, Россия
1
Институт геологии и минералогии им. В.С. Соболева СО РАН, Новосибирск, Россия
1
Институт металлургии Уральского отделения Российской академии наук, Екатеринбург, Россия
1
Институт химии твердого тела Уральского oтделения Российской академии наук, Екатеринбург, Россия
1
Кемеровский государственный университет, Кемерово, Россия
1
Уральский федеральный университет им. первого Президента России Б.Н. Ельцина, Екатеринбург, Россия
1
Институт физики металлов им. М.Н. Михеева Уральского отделения Российской академии наук, Екатеринбург, Россия
1
Национальная лаборатория сильных магнитных полей (LNCMI), Гренобль, Франция
1
Институт физики микроструктур Российской академии наук, д. Афонино, Кстовский р-н, Нижегородская обл., Россия
1
Федеральное государственное бюджетное учреждение науки Институт физики твердого тела имени Ю.А. Осипьяна Российской академии наук, Черноголовка, Россия
1
Национальный исследовательский университет ” Высшая школа экономики“, Нижний Новгород, Россия
1
Общество с ограниченной ответственностью "РусТек", Москва, Россия
1
Общество с ограниченной ответственностью Технологическое бюро "Норд", Москва, Россия
1
Московский государственный университет им. М.В. Ломоносова (физический факультет, кафедра физики низких температур и сверхпроводимости), ГСП-1 Москва, Россия
1
Новосибирский государственный технический университет НЭТИ, Новосибирск, Россия
1
Instituto de Fisica da Universidade de Sao Paulo,135960-170, Sao Paulo, SP, Brazil
1