Подоскин А.А.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
4
Шушканов И.В.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
4
Пихтин Н.А.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
4
Слипченко С.О.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
3
Багаев Т.А.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
3
Ладугин М.А.
Акционерное общество "Научно-исследовательский институт "Полюс" им. М.Ф. Стельмаха", Москва, Россия
3
Мармалюк А.А.
Акционерное общество "Научно-исследовательский институт "Полюс" им. М.Ф. Стельмаха", Москва, Россия
3
Симаков В.А.
Акционерное общество "Научно-исследовательский институт "Полюс" им. М.Ф. Стельмаха", Москва, Россия
3
Крючков В.А.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
2
Чернышова Е.В.
Университет науки и технологий "МИСиС", Москва, Россия
2
Аргунов Е.В.
Университет науки и технологий "МИСиС", Москва, Россия
2
Ховайло В.В.
Университет науки и технологий "МИСиС", Москва, Россия
2
Сахаров А.В.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
2
Светогоров В.Н.
Акционерное общество "Научно-исследовательский институт "Полюс" им. М.Ф. Стельмаха", Москва, Россия
2
Бессолов В.Н.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
1
Коненкова Е.В.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
1
Родин С.Н.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
1
Соломникова А.В.
Санкт-Петербургский государственный электротехнический университет "ЛЭТИ" им. В.И. Ульянова (Ленина), Санкт-Петербург, Россия
1
Бекин Н.А.
Институт физики микроструктур Российской академии наук, Нижний Новгород, Россия
1
Жукавин Р.Х.
Институт физики микроструктур Российской академии наук, Нижний Новгород, Россия
1
Цыпленков В.В.
Институт физики микроструктур Российской академии наук, Нижний Новгород, Россия
1
Шастин В.Н.
Институт физики микроструктур Российской академии наук, Нижний Новгород, Россия
1
Лифшиц М.Б.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
1
Грабарь В.А.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
1
Аверкиев Н.С.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
1
Смирнов М.Б.
Санкт-Петербургский государственный университет, Санкт-Петербург, Россия
1
Панькин Д.В.
Санкт-Петербургский государственный университет, Санкт-Петербург, Россия
1
Рогинский Е.М.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
1
Савин A.B.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
1
Зайцев С.В.
Институт физики твердого тела им. Ю.А. Осипьяна РАН, Черноголовка, Россия
1
Дремов В.В.
Московский физико-технический институт (Государственный университет), Долгопрудный, Московская обл., Россия
1
Столяров В.С.
Московский физико-технический институт (Государственный университет), Долгопрудный, Московская обл., Россия
1
Шутаев В.А.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
1
Сидоров В.Г.
ООО "АИБИ", Санкт-Петербург, Россия
1
Гребенщикова Е.А.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
1
Яковлев Ю.П.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
1
Ризаев А.Э.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
1
Гришин А.Е.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
1
Лебедев А.А
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
1
Козловский В.В.
Санкт-Петербургский политехнический университет Петра Великого, Санкт-Петербург, Россия
1
Малевский Д.А.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
1
Николаев А.Е.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
1
Левинштейн М.Е.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
1
Протасов Д.Ю.
Институт физики полупроводников им. А.В. Ржанова Сибирского отделения Российской академии наук, Новосибирск, Россия
Новосибирский государственный технический университет, Новосибирск, Россия
1
Камеш П.П.
Новосибирский государственный технический университет, Новосибирск, Россия
1
Свит К.А.
Институт физики полупроводников им. А.В. Ржанова Сибирского отделения Российской академии наук, Новосибирск, Россия
1
Дмитриев Д.В.
Институт физики полупроводников им. А.В. Ржанова Сибирского отделения Российской академии наук, Новосибирск, Россия
1
Макеева А.А.
Институт физики полупроводников им. А.В. Ржанова Сибирского отделения Российской академии наук, Новосибирск, Россия
1
Рзаев Э.М.
Акционерное общество "Зеленоградский нанотехнологический центр", Москва, Зеленоград, Россия
1
Журавлев К.С.
Институт физики полупроводников им. А.В. Ржанова Сибирского отделения Российской академии наук, Новосибирск, Россия
1
Григорьева Н.Р.
Санкт-Петербургский государственный университет, Санкт-Петербург, Россия
1
Юрьев В.А.
Воронежский государственный технический университет, Воронеж, Россия
АО "РИФ", Воронеж, Россия
1
Чуйко А.Г.
АО "РИФ", Воронеж, Россия
1
Калинин Ю.Е.
Воронежский государственный технический университет, Воронеж, Россия
1
Гребенников А.А.
Воронежский государственный технический университет, Воронеж, Россия
1
Каширин М.А.
Воронежский государственный технический университет, Воронеж, Россия
1
Щербакова К.А.
Национальный исследовательский технологический университет "МИСиС", Москва, Россия
1
Бочканов Ф.Ю.
Национальный исследовательский технологический университет "МИСиС", Москва, Россия
1
Воронин А.И.
Национальный исследовательский технологический университет "МИСиС", Москва, Россия
1
Шуман В.Б.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
1
Астров Ю.А.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
1
Лодыгин А.Н.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
1
Порцель Л.М.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
1
Орлов Л.К.
Институт физики микроструктур Российской академии наук, Нижний Новгород, Россия
Нижегородский государственный технический университет им. Р.Е. Алексеева, Нижний Новгород, Россия
1
Зедоми Т.Э.
Нижегородский государственный технический университет им. Р.Е. Алексеева, Нижний Новгород, Россия
1
Ивина А.С.
Нижегородский государственный технический университет им. Р.Е. Алексеева, Нижний Новгород, Россия
Нижегородский институт управления при президенте Российской Федерации, филиал Российской академии народного хозяйства и государственной службы при президенте Российской Федерации, Нижний Новгород, Россия
1
Орлов М.Л.
Нижегородский институт управления при президенте Российской Федерации, филиал Российской академии народного хозяйства и государственной службы при президенте Российской Федерации, Нижний Новгород, Россия
1
Быков А.А.
Институт физики полупроводников им. А.В. Ржанова Сибирского отделения Российской академии наук, Новосибирск, Россия
1
Номоконов Д.В.
Институт физики полупроводников им. А.В. Ржанова Сибирского отделения Российской академии наук, Новосибирск, Россия
1
Стрыгин И.С.
Институт физики полупроводников им. А.В. Ржанова Сибирского отделения Российской академии наук, Новосибирск, Россия
1
Марчишин И.В.
Институт физики полупроводников им. А.В. Ржанова Сибирского отделения Российской академии наук, Новосибирск, Россия
1
Родякина Е.Е.
Институт физики полупроводников им. А.В. Ржанова Сибирского отделения Российской академии наук, Новосибирск, Россия
1
Калмыков А.Е.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук,, Санкт-Петербург, Россия
1
Сорокин Л.М.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук,, Санкт-Петербург, Россия
1
Курдюков Д.А.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук,, Санкт-Петербург, Россия
1
Гаврина П.С.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
1
Шашкин И.С.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
1
Wang Z.X.
School of Energy and Environment Science, Yunnan Normal University, Kunming, China
1
Liu M.Q.
Institute of Electronic Engineering, China Academy of Engineering Physics, Mianyang, China
1
Wang T.B.
School of Energy and Environment Science, Yunnan Normal University, Kunming, China
1
Li M.
School of Energy and Environment Science, Yunnan Normal University, Kunming, China
1
Tang G.H.
School of Energy and Environment Science, Yunnan Normal University, Kunming, China
1
Aierken A.
School of Energy and Environment Science, Yunnan Normal University, Kunming, China
1
Zhong L.
Institute of Electronic Engineering, China Academy of Engineering Physics, Mianyang, China
1
Фоминых Н.А.
Национальный исследовательский университет Высшая школа экономики", Санкт-Петербург, Россия
1
Крыжановская Н.В.
Национальный исследовательский университет Высшая школа экономики", Санкт-Петербург, Россия
1
Комаров С.Д.
Национальный исследовательский университет Высшая школа экономики", Санкт-Петербург, Россия
1
Махов И.С.
Национальный исследовательский университет Высшая школа экономики", Санкт-Петербург, Россия
1
Иванов К.А.
Национальный исследовательский университет Высшая школа экономики", Санкт-Петербург, Россия
1
Моисеев Э.И.
Национальный исследовательский университет Высшая школа экономики", Санкт-Петербург, Россия
1
Антонов Е.Е.
Национальный исследовательский университет Высшая школа экономики", Санкт-Петербург, Россия
1
Гусева Ю.А.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
1
Кулагина М.М.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
1
Минтаиров С.А.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
1
Калюжный Н.А.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
1
Хабибуллин Р.А.
Институт сверхвысокочастотной полупроводниковой электроники имени В.Г. Мокерова РАН, Москва, Россия
1
Галиев Р.Р.
Институт сверхвысокочастотной полупроводниковой электроники имени В.Г. Мокерова РАН, Москва, Россия
1
Павлов А.Ю.
Институт сверхвысокочастотной полупроводниковой электроники имени В.Г. Мокерова РАН, Москва, Россия
1
Томош К.Н.
Институт сверхвысокочастотной полупроводниковой электроники имени В.Г. Мокерова РАН, Москва, Россия
1
Жуков А.Е.
Национальный исследовательский университет Высшая школа экономики", Санкт-Петербург, Россия
1
Горбенко И.В.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
1
Качоровский В.Ю.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
1
Краснова И.А.
Институт физики полупроводников им. А.В. Ржанова Сибирского отделения Российской академии наук, Новосибирск, Россия
1
Закиров Е.Р.
Институт физики полупроводников им. А.В. Ржанова Сибирского отделения Российской академии наук, Новосибирск, Россия
1
Сидоров Г.Ю.
Институт физики полупроводников им. А.В. Ржанова Сибирского отделения Российской академии наук, Новосибирск, Россия
1
Сабинина И.В.
Институт физики полупроводников им. А.В. Ржанова Сибирского отделения Российской академии наук, Новосибирск, Россия
1
Росляков С.И.
Университет науки и технологий "МИСиС", Москва, Россия
1
Ермекова Ж.С.
Университет науки и технологий "МИСиС", Москва, Россия
1
Московских Д.О.
Университет науки и технологий "МИСиС", Москва, Россия
1
Юдин С.Н.
Университет науки и технологий "МИСиС", Москва, Россия
1
Лундин В.В.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
1
Заварин Е.Е.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
1
Казанцев Д.Ю.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
1
Бер Б.Я.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
1
Цацульников А.Ф.
Научно-технологический центр микроэлектроники и субмикронных гетероструктур Российской академии наук, Санкт-Петербург, Россия
1
Чернов М.Ю.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
1
Соловьев В.А.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
1
Дричко И.Л.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
1
Смирнов И.Ю.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
1
Иванов С.В.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
1
Шестериков А.Е.
Томский государственный университет систем управления и радиоэлектроники, Томск, Россия
1
Шестерикова Д.А.
Томский государственный университет систем управления и радиоэлектроники, Томск, Россия
1
Ерофеев Е.В.
Томский государственный университет систем управления и радиоэлектроники, Томск, Россия
1
Жидяев К.С.
Нижегородский государственный университет им. Н.И. Лобачевского, Нижний Новгород, Россия
1
Чигинева А.Б.
Нижегородский государственный университет им. Н.И. Лобачевского, Нижний Новгород, Россия
1
Байдусь Н.В.
Нижегородский государственный университет им. Н.И. Лобачевского, Нижний Новгород, Россия
1
Самарцев И.В.
Нижегородский государственный университет им. Н.И. Лобачевского, Нижний Новгород, Россия
1
Кудрин А.В.
Нижегородский государственный университет им. Н.И. Лобачевского, Нижний Новгород, Россия
1
Яроцкая И.В.
"НИИ "Полюс" им. М.Ф. Стельмаха", Москва, Россия
1
Рябоштан Ю.Л.
Акционерное общество "Научно-исследовательский институт "Полюс" им. М.Ф. Стельмаха", Москва, Россия
1