Вышедшие номера
Структурное состояние InSb в композитном материале InSb/опал по данным просвечивающей электронной микроскопии
Калмыков А.Е. 1, Сорокин Л.М. 1, Курдюков Д.А. 1
1Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
Email: lev.sorokin@mail.ioffe.ru, Lev.Sorokin@mail.ioffe.ru, Kurd@gvg.ioffe.ru
Поступила в редакцию: 26 февраля 2024 г.
В окончательной редакции: 18 марта 2024 г.
Принята к печати: 21 марта 2024 г.
Выставление онлайн: 27 апреля 2024 г.

Методом просвечивающей электронной микроскопии высокого разрешения проведено исследование структурного состояния антимонида индия, введенного в опаловую матрицу. Показано, что наполнитель имеет микрокристаллическую структуру с размерами зерен, на порядок превышающими размеры отдельных пор матрицы. Охарактеризована дефектная структура отдельных кристаллов. Ключевые слова: композит, опал, InSb, просвечивающая электронная микроскопия.