Физика и техника полупроводников
Авторам
Вышедшие номера
- 2024
- 2023
- 2022
- 2021
- 2020
- 2019
- 2018
- 2017
- 2016
- 2015
- 2014
- 2013
- 2012
- 2011
- 2010
- 2009
- 2008
- 2007
- 2006
- 2005
- 2004
- 2003
- 2002
- 2001
- 2000
- 1999
- 1998
- 1997
- 1996
- 1995
- 1994
- 1993
- 1992
- 1991
- 1990
- 1989
- 1988
Влияние длины резонатора на выходную оптическую мощность полупроводниковых лазеров-тиристоров на основе гетероструктур AlGaAs/GaAs/InGaAs
Гаврина П.С.1, Подоскин А.А.
1, Шушканов И.В.1, Шашкин И.С.
1, Крючков В.А.1, Слипченко С.О.
1, Пихтин Н.А.
1, Багаев Т.А.
1, Ладугин М.А.2, Мармалюк А.А.2, Симаков В.А.2
1Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия 
2Акционерное общество "Научно-исследовательский институт "Полюс" им. М.Ф. Стельмаха", Москва, Россия
2Акционерное общество "Научно-исследовательский институт "Полюс" им. М.Ф. Стельмаха", Москва, Россия
Email: gavrina@mail.ioffe.ru
Поступила в редакцию: 12 декабря 2023 г.
В окончательной редакции: 19 марта 2024 г.
Принята к печати: 19 марта 2024 г.
Выставление онлайн: 27 апреля 2024 г.
Исследовалось влияние длины резонатора лазера-тиристора на характеристики генерируемых лазерных импульсов. Установлено, что для длительностей импульса ~ 20-30 нс, обеспечиваемых номиналом разрядного конденсатора 22 нФ, увеличение длины резонатора с 480 до 980 мкм позволяет поднять максимальную пиковую мощность с 16.6 до 25.4 Вт. Дальнейшее увеличение длины резонатора до 1950 мкм приводит к несущественному падению максимальной пиковой мощности до 23.7 Вт из-за более низкой внешней дифференциальной эффективности образцов на начальном участке ватт-амперной характеристики, однако обеспечивает снижение длительности оптического импульса по сравнению с образцами других длин во всем диапазоне напряжений питания. Ключевые слова: лазеры-тиристоры, полупроводниковые лазеры, токовые ключи, импульсные лазеры.
- H. Wenzel, A. Klehr, A. Liero, H. Christopher, J. Fricke, A. Maab dorf, A. Zeghuzi, A. Knigge. 2019 IEEE High Power Diode Lasers and Systems Conf. (HPD) (Coventry, UK, 2019) p. 7. DOI: 10.1109/HPD48113.2019.8938682
- S.S. Freeborn, J. Hannigan, F. Greig, R.A. Suttie, H.A. MacKenzie. Rev. Sci. Instrum., 69, 3948 (1998). DOI: 10.1063/1.1149204
- B. Huang, T.T.W. Wong. J. Biomedical Optics, 29 (S1), S11503 (2023). DOI: 10.1117/1.JBO.29.S1.S11503
- B. Svobodova, A. Kloudova, J. Ruzicka, L. Kajtmanova, L. Navratil, R. Sedlacek, T. Suchy, M. Jhanwar-Uniyal, P. Jendelova, M. Jhanwar-Uniyal, P. Jendelova. Sci Rep., 9, 7660 (2019). DOI: 10.1038/s41598-019-44141-2
- S.O. Slipchenko, A.A. Podoskin, A.V. Rozhkov, N.A. Pikhtin, I.S. Tarasov, T.A. Bagaev, M.A. Ladugin, A.A. Marmalyuk, A.A. Padalitsa, V.A. Simakov. IEEE Photon. Technol. Lett., 27, 307 (2015). DOI: 10.1109/LPT.2014.2370064
- P.S. Gavrina, A.A. Podoskin, D.N. Romanovich, V.S. Golovin, D.A. Veselov, S.O. Slipchenko, N.A. Pikhtin, T.A. Bagaev, M.A. Ladugin, A.A. Marmalyuk, V.A. Simakov. Semicond. Sci. Technol., 34, 065025 (2019). DOI: 10.1088/1361-6641/ab1c0a
- N. Ammouri, H. Christopher, J. Fricke, A. Ginolas, A. Liero, A. Maab dorf, H. Wenzel, A. Knigge. Electron. Lett., 59, e12680 (2023). DOI: 10.1049/ell2.12680
- A. Knigge, A. Klehr, H. Wenzel, A. Zeghuzi, J. Fricke, A. Maab dorf, A. Liero, G. Trankle. Phys. Status Solidi A, 215, 1700439 (2018). DOI: 10.1002/pssa.201700439
- Y. Qiu, Y. Xie, W. Wang, W. Liu, L. Kuang, X. Bai, M. Hu, J. Ho. 2019 IEEE 4th Optoelectronics Global Conf. (OGC) (Shenzhen, China, 2019) p. 32. DOI: 10.1109/OGC.2019.8925087
- Y. Zhao, G. Yang, Y. Zhao, S. Tang, Y. Lan, Y. Liu, Z. Wang, A. Demir. IEEE Photonics J., 14, 1557006 (2022). DOI: 10.1109/JPHOT.2022.3211964
- J. Fricke, H. Wenzel, A. Maab dorf, C. Zink, M. Matalla, R. Unger, A. Knigge. Semicond. Sci. Technol., 37, 095021 (2022). DOI: 10.1088/1361-6641/ac860f
- М.А. Ладугин, Ю.П. Коваль, А.А. Мармалюк, В.А. Петровский, Т.А. Багаев, А.Ю. Андреев, А.А. Падалица, В.А. Симаков. Квант. электрон., 43, 407 (2013). [Quant. Electron., 43, 407 (2013)]. DOI: 10.1070/QE2013v043n05ABEH015156
- А.А. Мармалюк, Е.И. Давыдова, М.В. Зверков, В.П. Коняев, В.В. Кричевский, М.А. Ладугин, Е.И. Лебедева, С.В. Петров, С.М. Сапожников, В.А. Симаков, М.Б. Успенский, И.В. Яроцкая, Н.А. Пихтин, И.С. Тарасов. ФТП, 45, 528 (2011)
- S.O. Slipchenko, A.A. Podoskin, D.A. Veselov, V.A. Strelets, N.A. Rudova, N.A. Pikhtin, T.A. Bagaev, M.A. Ladugin, A.A. Marmalyuk, P.S. Kop'ev. IEEE Photon. Technol. Lett., 34 (1), 35 (2022)
- J.J. Coleman, K.J. Beernink. J. Appl. Phys., 75, 1879 (1994). DOI: 10.1063/1.356333
- О.С. Соболева, В.С. Головин, В.С. Юферев, П.С. Гаврина, Н.А. Пихтин, С.О. Слипченко, А.А. Подоскин. ФТП, 54, 478 (2020). [Semiconductors, 54, 575 (2020)]. DOI: 10.21883/FTP.2020.05.49265.9341
- L.A. Coldren, S.W. Corzine, M.L. Mashanovitch. Diode lasers and photonic integrated circuits (Hoboken-N.J., John Wiley \& Sons, 2012)
- А.Е. Жуков, М.В. Максимов. Современные инжекционные лазеры (СПб., Изд-во Политехн. ун-та, 2009)
Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.
Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.
