Вышедшие номера
Влияние длины резонатора на выходную оптическую мощность полупроводниковых лазеров-тиристоров на основе гетероструктур AlGaAs/GaAs/InGaAs
Гаврина П.С.1, Подоскин А.А. 1, Шушканов И.В.1, Шашкин И.С. 1, Крючков В.А.1, Слипченко С.О. 1, Пихтин Н.А. 1, Багаев Т.А. 1, Ладугин М.А.2, Мармалюк А.А.2, Симаков В.А.2
1Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
2Акционерное общество "Научно-исследовательский институт "Полюс" им. М.Ф. Стельмаха", Москва, Россия
Email: gavrina@mail.ioffe.ru
Поступила в редакцию: 12 декабря 2023 г.
В окончательной редакции: 19 марта 2024 г.
Принята к печати: 19 марта 2024 г.
Выставление онлайн: 27 апреля 2024 г.

Исследовалось влияние длины резонатора лазера-тиристора на характеристики генерируемых лазерных импульсов. Установлено, что для длительностей импульса ~ 20-30 нс, обеспечиваемых номиналом разрядного конденсатора 22 нФ, увеличение длины резонатора с 480 до 980 мкм позволяет поднять максимальную пиковую мощность с 16.6 до 25.4 Вт. Дальнейшее увеличение длины резонатора до 1950 мкм приводит к несущественному падению максимальной пиковой мощности до 23.7 Вт из-за более низкой внешней дифференциальной эффективности образцов на начальном участке ватт-амперной характеристики, однако обеспечивает снижение длительности оптического импульса по сравнению с образцами других длин во всем диапазоне напряжений питания. Ключевые слова: лазеры-тиристоры, полупроводниковые лазеры, токовые ключи, импульсные лазеры.