Вышедшие номера
Home » Физика и техника полупроводников » Год 2024, выпуск 2 » Статья стр. 96
<<<>>>
Влияние длины резонатора на выходную оптическую мощность полупроводниковых лазеров-тиристоров на основе гетероструктур AlGaAs/GaAs/InGaAs
Гаврина П.С.1, Подоскин А.А. 1, Шушканов И.В.1, Шашкин И.С. 1, Крючков В.А.1, Слипченко С.О. 1, Пихтин Н.А. 1, Багаев Т.А. 1, Ладугин М.А.2, Мармалюк А.А.2, Симаков В.А.2
1Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
2Акционерное общество "Научно-исследовательский институт "Полюс" им. М.Ф. Стельмаха", Москва, Россия
Email: gavrina@mail.ioffe.ru
Поступила в редакцию: 12 декабря 2023 г.
В окончательной редакции: 19 марта 2024 г.
Принята к печати: 19 марта 2024 г.
Выставление онлайн: 27 апреля 2024 г.
PDF версия
Исследовалось влияние длины резонатора лазера-тиристора на характеристики генерируемых лазерных импульсов. Установлено, что для длительностей импульса ~ 20-30 нс, обеспечиваемых номиналом разрядного конденсатора 22 нФ, увеличение длины резонатора с 480 до 980 мкм позволяет поднять максимальную пиковую мощность с 16.6 до 25.4 Вт. Дальнейшее увеличение длины резонатора до 1950 мкм приводит к несущественному падению максимальной пиковой мощности до 23.7 Вт из-за более низкой внешней дифференциальной эффективности образцов на начальном участке ватт-амперной характеристики, однако обеспечивает снижение длительности оптического импульса по сравнению с образцами других длин во всем диапазоне напряжений питания. Ключевые слова: лазеры-тиристоры, полупроводниковые лазеры, токовые ключи, импульсные лазеры.
  1. H. Wenzel, A. Klehr, A. Liero, H. Christopher, J. Fricke, A. Maab dorf, A. Zeghuzi, A. Knigge. 2019 IEEE High Power Diode Lasers and Systems Conf. (HPD) (Coventry, UK, 2019) p. 7. DOI: 10.1109/HPD48113.2019.8938682
  2. S.S. Freeborn, J. Hannigan, F. Greig, R.A. Suttie, H.A. MacKenzie. Rev. Sci. Instrum., 69, 3948 (1998). DOI: 10.1063/1.1149204
  3. B. Huang, T.T.W. Wong. J. Biomedical Optics, 29 (S1), S11503 (2023). DOI: 10.1117/1.JBO.29.S1.S11503
  4. B. Svobodova, A. Kloudova, J. Ruzicka, L. Kajtmanova, L. Navratil, R. Sedlacek, T. Suchy, M. Jhanwar-Uniyal, P. Jendelova, M. Jhanwar-Uniyal, P. Jendelova. Sci Rep., 9, 7660 (2019). DOI: 10.1038/s41598-019-44141-2
  5. S.O. Slipchenko, A.A. Podoskin, A.V. Rozhkov, N.A. Pikhtin, I.S. Tarasov, T.A. Bagaev, M.A. Ladugin, A.A. Marmalyuk, A.A. Padalitsa, V.A. Simakov. IEEE Photon. Technol. Lett., 27, 307 (2015). DOI: 10.1109/LPT.2014.2370064
  6. P.S. Gavrina, A.A. Podoskin, D.N. Romanovich, V.S. Golovin, D.A. Veselov, S.O. Slipchenko, N.A. Pikhtin, T.A. Bagaev, M.A. Ladugin, A.A. Marmalyuk, V.A. Simakov. Semicond. Sci. Technol., 34, 065025 (2019). DOI: 10.1088/1361-6641/ab1c0a
  7. N. Ammouri, H. Christopher, J. Fricke, A. Ginolas, A. Liero, A. Maab dorf, H. Wenzel, A. Knigge. Electron. Lett., 59, e12680 (2023). DOI: 10.1049/ell2.12680
  8. A. Knigge, A. Klehr, H. Wenzel, A. Zeghuzi, J. Fricke, A. Maab dorf, A. Liero, G. Trankle. Phys. Status Solidi A, 215, 1700439 (2018). DOI: 10.1002/pssa.201700439
  9. Y. Qiu, Y. Xie, W. Wang, W. Liu, L. Kuang, X. Bai, M. Hu, J. Ho. 2019 IEEE 4th Optoelectronics Global Conf. (OGC) (Shenzhen, China, 2019) p. 32. DOI: 10.1109/OGC.2019.8925087
  10. Y. Zhao, G. Yang, Y. Zhao, S. Tang, Y. Lan, Y. Liu, Z. Wang, A. Demir. IEEE Photonics J., 14, 1557006 (2022). DOI: 10.1109/JPHOT.2022.3211964
  11. J. Fricke, H. Wenzel, A. Maab dorf, C. Zink, M. Matalla, R. Unger, A. Knigge. Semicond. Sci. Technol., 37, 095021 (2022). DOI: 10.1088/1361-6641/ac860f
  12. М.А. Ладугин, Ю.П. Коваль, А.А. Мармалюк, В.А. Петровский, Т.А. Багаев, А.Ю. Андреев, А.А. Падалица, В.А. Симаков. Квант. электрон., 43, 407 (2013). [Quant. Electron., 43, 407 (2013)]. DOI: 10.1070/QE2013v043n05ABEH015156
  13. А.А. Мармалюк, Е.И. Давыдова, М.В. Зверков, В.П. Коняев, В.В. Кричевский, М.А. Ладугин, Е.И. Лебедева, С.В. Петров, С.М. Сапожников, В.А. Симаков, М.Б. Успенский, И.В. Яроцкая, Н.А. Пихтин, И.С. Тарасов. ФТП, 45, 528 (2011)
  14. S.O. Slipchenko, A.A. Podoskin, D.A. Veselov, V.A. Strelets, N.A. Rudova, N.A. Pikhtin, T.A. Bagaev, M.A. Ladugin, A.A. Marmalyuk, P.S. Kop'ev. IEEE Photon. Technol. Lett., 34 (1), 35 (2022)
  15. J.J. Coleman, K.J. Beernink. J. Appl. Phys., 75, 1879 (1994). DOI: 10.1063/1.356333
  16. О.С. Соболева, В.С. Головин, В.С. Юферев, П.С. Гаврина, Н.А. Пихтин, С.О. Слипченко, А.А. Подоскин. ФТП, 54, 478 (2020). [Semiconductors, 54, 575 (2020)]. DOI: 10.21883/FTP.2020.05.49265.9341
  17. L.A. Coldren, S.W. Corzine, M.L. Mashanovitch. Diode lasers and photonic integrated circuits (Hoboken-N.J., John Wiley \& Sons, 2012)
  18. А.Е. Жуков, М.В. Максимов. Современные инжекционные лазеры (СПб., Изд-во Политехн. ун-та, 2009)

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.

Учредители

Издатель

© 2025 Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук
Powered by webapplicationthemes.com - High quality HTML Theme