Evaluation of electrical parameters of electron and proton irradiated GaInP/GaAs/InGaAs metamorphic solar cells
Yunnan Province Science and Technology Department, Basic research foundation of Yunnan Province, 202201AS070019
National Natural Science Foundation of China, U2330121
National Natural Science Foundation of China, 12305313
Wang Z.X.1, Liu M.Q.2, Wang T.B.1, Li M.1, Tang G.H.1, Aierken A.1, Zhong L.2
1School of Energy and Environment Science, Yunnan Normal University, Kunming, China
2Institute of Electronic Engineering, China Academy of Engineering Physics, Mianyang, China
Email: erkin@ynnu.edu.cn, zhongle_mtrc@caep.cn
Поступила в редакцию: 26 апреля 2023 г.
Выставление онлайн: 27 апреля 2024 г.
Changes of electrical parameters in electron and proton irradiated metamorphic GaInP/GaAs/InGaAs solar cells have been investigated experimentally and numerically simulation by single diode mode. Basic electrical parameters of solar cells under 1 MeV electron and 10 MeV proton irradiation with different displacement damage doses were extracted. The results show that the dark current, ideal factor and series resistance of solar cells increase and parallel resistance decrease with the increse of the irradiation fluence. A simple method for evaluating radiation effects of the electrical parameters of solar cells is established. Keywords: GaAs solar cell, electron and proton irradiation, curve fitting, displacement damage dose.
Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.
Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.
© 2024 Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук