Воспроизводимость электрофизических характеристик транзисторных структур на основе гетеросистемы графен-CaF_2-Si(111)
Российский фонд фундаментальных исследований (РФФИ), АНФ_а, 21-52-14007
Векслер М.И.1, Илларионов Ю.Ю.1,2, Банщиков А.Г.1, Knobloch T.2, Иванов И.А.1, Grasser T.2, Соколов Н.С.1, Юсупова Ш.А.1
1Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
2Институт микроэлектроники Технического университета гор. Вены, Вена, Австрия
Email: vexler@mail.ioffe.ru
Поступила в редакцию: 24 мая 2024 г.
В окончательной редакции: 7 июня 2024 г.
Принята к печати: 7 июля 2024 г.
Выставление онлайн: 6 сентября 2024 г.
Изучены статистические распределения тока в серии транзисторных структур с двумерными пленками графена поверх изолирующего слоя фторида кальция, выращенного методом молекулярно-лучевой эпитаксии. Рассмотренное сочетание материалов является новым в данной сфере. Полученные характеристики структур оказались в достаточной мере привлекательными, а величины вариации их параметров (дисперсия тока стока, разброс положения точки зарядовой нейтральности по току и напряжению) вполне допустимыми. Исследования в указанной области значимы для развития "двумерной" электроники, основанной на транзисторах, прототипами которых служат структуры обсуждаемого типа. Ключевые слова: 2D электроника, графен, фторид кальция, надёжность.
- Ю.Ю. Илларионов, А.Г. Банщиков, Т. Knobloch, И.А. Иванов, Т. Grasser, Н.С. Соколов, М.И. Векслер. Письма ЖТФ, 50 (4), 27 (2024). DOI: https://doi.org/10.61011/PJTF.2024.04.57097.19739
- Y.Y. Illarionov, T. Knobloch, B. Uzlu, A.G. Banshchikov, I.A. Ivanov, V. Sverdlov, M. Otto, L.S. Stoll, M.I. Vexler, M. Waltl, Z. Wang, B. Manna, D. Neumaier, M.C. Lemme, N.S. Sokolov, T. Grasser. npj 2D Mater. Appl., 8, 23 (2024). DOI: https://doi.org/10.1038/s41699-024-00461-0
- M. Lemme, D. Akinwande, C. Huyghebaert, C. Stampfer. Nature Commun., 13, 1392 (2022). DOI: https://doi.org/10.1038/s41467-022-29001-4
- A. Beraud, M. Sauvage, C. Bazan, M. Tie, A. Bencherif, D. Bouilly. Analyst, 146, 403 (2021). DOI: https://doi.org/10.1039/d0an01661f
- W. Hayes. Crystals with the fluorite structure (Clarendon Press, 1974)
- M. Sugiyama, M. Oshima. Microelectron. J., 27, 361 (1996). DOI: https://doi.org/10.1016/0026-2692(95)00062-3
- A. Ishizaka, Y. Shiraki. J. Electrochem. Soc., 133, 666 (1986). DOI: https://doi.org/10.1149/1.2108651
- X. Xin, J. Chen, L. Ma, T. Ma, W. Xin, H. Xu, W. Ren, Y. Liu. Small Methods, 7, 2300156 (2023). DOI: https://doi.org/10.1002/smtd.202300156
- S.E. Tyaginov, M.I. Vexler, A.F. Shulekin, I.V. Grekhov. Solid-State Electron., 49, 1192 (2005). DOI: https://doi.org/10.1016/j.sse.2005.04.007
- F. Schwierz. Nature Nanotechnol., 5, 487 (2010). DOI: https://doi.org/10.1038/nnano.2010.89
- T.P. Smith, P.J. Stiles, J.M. Phillips, W.M. Augustyniak. Appl. Phys. Lett., 45, 907 (1984). DOI: https://doi.org/10.1063/1.95410
- S. Miyamoto, H. Matsudaira, H. Ishizaka, K. Nakazawa, H. Taniuchi, H. Umezawa, M. Tachikia, H. Kawarada. Diamond Relat. Mater., 12, 399 (2003). DOI: https://doi.org/10.1016/S0925-9635(03)00034-7
- M. Watanabe, T. Funayama, T. Teraji, N. Sakamaki. Jpn. J. Appl. Phys., 39, L716-L719 (2000). DOI: https://doi.org/10.1143/JJAP.39.L716
- C.R. Wang, M. Bierkandt, S. Paprotta, T. Wietler, K.R. Hofmann. Appl. Phys. Lett., 86, 033111 (2005). DOI: https://doi.org/10.1063/1.1853522
Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.
Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.