Физика и техника полупроводников

Авторам

Правила оформления публикаций

Вышедшие номера

2024
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2023
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9
2022
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2021
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2020
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2019
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2018
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 13
2017
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2016
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2015
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2014
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2013
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2012
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2011
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2010
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2009
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2008
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2007
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2006
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2005
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2004
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2003
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2002
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2001
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2000
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1999
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1998
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1997
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1996
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1995
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1994
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1993
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1992
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1991
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1990
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1989
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1988
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12

Влияние беспорядка на оптические свойства резонансных брэгговских структур на основе III-N

Иванов А.А.

¹, Чалдышев В.В.

¹, Заварин Е.Е. ¹, Сахаров А.В. ¹, Лундин В.В. ¹, Цацульников А.Ф. ²

¹Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия Ioffe Institute, St. Petersburg, Russia

²НТЦ микроэлектроники Российской академии наук, Санкт-Петербург, Россия Submicron Heterostructures for Microelectronics Research and Engineering Center of the Russian Academy of Sciences, St. Petersburg, Russia

Submicron Heterostructures for Microelectronics Research and Engineering Center of the Russian Academy of Sciences, St. Petersburg, Russia

Email: aleksei98.ivanov@mail.ioffe.ru, chald.gvg@mail.ioffe.ru, ezavarin@mail.ioffe.ru, val.beam@mail.ioffe.ru, Lundin@vpegroup.ioffe.ru, andrew.beam@mail.ioffe.ru

Поступила в редакцию: 5 декабря 2024 г.

В окончательной редакции: 6 декабря 2024 г.

Принята к печати: 6 декабря 2024 г.

Выставление онлайн: 7 января 2025 г.

PDF версия

Исследовано влияние пространственного и энергетического беспорядка на формирование сверхизлучающей экситон-поляритонной моды в спектрах отражения от резонансных брэгговских структур при комнатной температуре. Обнаружено существование ограничения на число квантовых ям InGaN в резонансных брэгговских структурах, вызванное критическим пространственным беспорядком. Этот беспорядок определяет трансформацию единственной сверхизлучающей оптической моды в многомодовый спектр. Экспериментально достигнута рекордно высокая сила осциллятора экситона в квантовой яме GaN по сравнению с другими материальными системами. Увеличение силы осциллятора экситона в квантовой яме GaN по сравнению с квантовой ямой InGaN объясняется в основном уменьшением неоднородного уширения экситонного состояния. Ключевые слова: резонансная брэгговская структура, квантовые ямы, экситоны, экситонный резонанс, брэгговский резонанс, нитрид галлия.

A. Gonzalez-Tudela, A. Reiserer, J.J. Garci a-Ripoll, F.J. Garci a-Vidal. Nature Rev. Phys., 6 (3), 166 (2024)
N. Rivera, I. Kaminer. Nature Rev. Phys., 2 (10), 538 (2020).
S. Luo, H. Zhou, L. Zhang, Z. Chen. Appl. Phys. Rev., 10 (1), 011316 (2023)
H.M. Gibbs, G. Khitrova, S.W. Koch. Nature Photonics, 5 (5), 273 (2011)
Е.Л. Ивченко, А.И. Несвижский, С. Йорда. ФТТ, 36 (7), 2118 (1994). [E.L. Ivchenko, A.I. Nesviszhskii, S. Jorda. Phys. Solid State, 36 (7), 1156 (1994)]
Е.Л. Ивченко, А.Н. Поддубный. ФТТ, 55 (5), 905 (2013). [E.L. Ivchenko, A.N. Poddubny. Phys. Solid State, 55 (5), 905 (2013). https://doi.org/10.1134/S1063783413050120]
Y. Merle d'Aubigne, A. Wasiela, H. Mariette, T. Dietl. Phys. Rev. B, 54 (19), 14003 (1996)
Е.Л. Ивченко, В.П. Кочерешко, А.В. Платонов, Д.Р. Яковлев, A. Вааг, B. Occay, Г. Ландвер. ФТТ, 39 (11), 2072 (1997). [E.L. Ivchenko, V.P. Kochereshko, A.V. Platonov, D.R. Yakovlev, A. Waag, W. Ossau, G. Landwehr. Phys. Solid State, 39 (11), 1852 (1997). https://doi.org/10.1134/1.1130188]
J. Sadowski, H. Mariette, A. Wasiela, R. Andre, Y. Merle d'Aubigne, T. Dietl. Phys. Rev. B, 56 (4), R1664 (1997)
W. Yan, X.M. Li, T. Wang. Optics Commun., 285 (24), 4759 (2012)
M. Hubner, J. Kuhl, T. Stroucken, A. Knorr, S.W. Koch, R. Hey, K. Ploog. Phys. Rev. Lett., 76 (22), 4199 (1996)
M. Hubner, J.P. Prineas, C. Ell, P. Brick, E.S. Lee, G. Khitrova, H.M. Gibbs, S.W. Koch. Phys. Rev. Lett., 83 (14), 2841 (1999)
G.R. Hayes, J.L. Staehli, U. Oesterle, B. Deveaud, R.T. Phillips, C. Ciuti. Phys. Rev. Lett., 83 (14), 2837 (1999)
J.P. Prineas, C. Ell, E.S. Lee, G. Khitrova, H.M. Gibbs, S.W. Koch. Phys. Rev. B, 61 (20), 13863 (2000)
J.P. Prineas, C. Cao, M. Yildirim, W. Johnston, M. Reddy. J. Appl. Phys., 100 (6), 063101 (2006)
G. Pozina, M.A. Kaliteevski, E.V. Nikitina, D.V. Denisov, V. Pirogov, L.I. Goray, A.R. Gubaydullin, K.A. Ivanov, N.A. Kaliteevskaya, A.Y. Egorov, S.J. Clark. Sci. Rep., 5, 14911 (2015)
G. Pozina, K.A. Ivanov, K.M. Morozov, E.I. Girshova, A.Y. Egorov, S.J. Clark, M.A. Kaliteevski. Sci. Rep., 9, 10162 (2019)
В.В. Чалдышев, А.С. Школьник, В.П. Евтихиев, T. Holden. ФТП, 40 (12), 1466 (2006). [V.V. Chaldyshev, A.S. Shkol'nik, V.P. Evtikhiev, T. Holden. Semiconductors, 40 (12), 1432 (2006). https://doi.org/10.1134/S1063782606120116]
В.В. Чалдышев, А.С. Школьник, В.П. Евтихиев, T. Holden. ФТП, 41 (12), 1455 (2007). [V.V. Chaldyshev, A.S. Shkol'nik, V.P. Evtikhiev, T. Holden. Semiconductors, 41 (12), 1434 (2007). https://doi.org/10.1134/S106378260712010X]
D. Goldberg, L.I. Deych, A.A. Lisyansky, Z. Shi, V.M. Menon, V. Tokranov, M. Yakimov, S. Oktyabrsky. Nature Photonics, 3 (11), 662 (2009)
V.V. Chaldyshev, Y. Chen, A.N. Poddubny, A.P. Vasilev, Z. Liu. Appl. Phys. Lett., 98 (7), 073112 (2011)
В.В. Чалдышев, Е.В. Кунделев, Е.В. Никитина, А.Ю. Егоров, А.А. Горбацевич. ФТП, 46 (8), 1039 (2012). [V.V. Chaldyshev, E.V. Kundelev, E.V. Nikitina, A.Yu. Egorov, A.A. Gorbatsevich. Semiconductors, 46 (8), 1016 (2012). https://doi.org/10.1134/S1063782612080052]
Y. Chen, N. Maharjan, Z. Liu, M.L. Nakarmi, V.V. Chaldyshev, E.V. Kundelev, A.N. Poddubny, A.P. Vasil'ev, M.A. Yagovkina, N.M. Shakya. J. Appl. Phys., 121 (10), 103101 (2017)
V.V. Chaldyshev, A.S. Bolshakov, E.E. Zavarin, A.V. Sakharov, W.V. Lundin, A.F. Tsatsulnikov, M.A. Yagovkina, T. Kim, Y. Park. Appl. Phys. Lett., 99 (25), 251103 (2011)
А.С. Большаков, В.В. Чалдышев, Е.Е. Заварин, А.В. Сахаров, В.В. Лундин, А.Ф. Цацульников, М.А. Яговкина. ФТТ, 55 (9), 1706 (2013). [A.S. Bolshakov, V.V. Chaldyshev, E.E. Zavarin, A.V. Sakharov, V.V. Lundin, A.F. Tsatsulnikov, M.A. Yagovkina. Phys. Solid State, 55 (9), 1817 (2013). https://doi.org/10.1134/S1063783413090059]
В.В. Чалдышев, А.С. Большаков, Е.Е. Заварин, А.В. Сахаров, В.В. Лундин, А.Ф. Цацульников. ФТП, 49 (1), 6 (2015). [V.V. Chaldyshev, A.S. Bolshakov, E.E. Zavarin, A.V. Sakharov, V.V. Lundin, A.F. Tsatsulnikov, M.A. Yagovkina. Semiconductors, 49 (1), 4 (2015). https://doi.org/10.1134/S1063782615010042]
A.S. Bolshakov, V.V. Chaldyshev, V.V. Lundin, A.V. Sakharov, A.F. Tsatsulnikov, M.A. Yagovkina, E.E. Zavarin. J. Mater. Res., 30 (5), 603 (2015)
А.С. Большаков, В.В. Чалдышев, Е.Е. Заварин, А.В. Сахаров, В.В. Лундин, А.Ф. Цацульников. ФТП, 50 (11), 1451 (2016). [A.S. Bolshakov, V.V. Chaldyshev, E.E. Zavarin, A.V. Sakharov, V.V. Lundin, A.F. Tsatsulnikov. Semiconductors, 50 (11), 1431 (2016). https://doi.org/10.1134/S1063782616110051]
A.S. Bolshakov, V.V. Chaldyshev, E.E. Zavarin, A.V. Sakharov, W.V. Lundin, A.F. Tsatsulnikov, M.A. Yagovkina. J. Appl. Phys., 121 (13), 133101 (2017)
S.V. Poltavtsev, I.A. Solovev, I.A. Akimov, V.V. Chaldyshev, W.V. Lundin, A.V. Sakharov, A.F. Tsatsulnikov, D.R. Yakovlev, M. Bayer. Phys. Rev. B, 98 (19), 195315 (2018)
А.А. Иванов, В.В. Чалдышев, Е.Е. Заварин, А.В. Сахаров, В.В. Лундин, А.Ф. Цацульников. ФТП, 55 (9), 733 (2021). [A.A. Ivanov, V.V. Chaldyshev, E.E. Zavarin, A.V. Sakharov, V.V. Lundin, A.F. Tsatsulnikov. Semiconductors, 55 (Suppl. 1), S49 (2021). https://doi.org/10.1134/S1063782621090074]
A.A. Ivanov, V.V. Chaldyshev, V.I. Ushanov, E.E. Zavarin, A.V. Sakharov, V.V. Lundin, A.F. Tsatsulnikov. Appl. Phys. Lett., 121 (4), 041101 (2022)
A.A. Ivanov, V.V. Chaldyshev, E.E. Zavarin, A.V. Sakharov, W.V. Lundin, A.F. Tsatsulnikov. Appl. Phys. Lett., 125 (19), 191105 (2024)
A.A. Ivanov, V.V. Chaldyshev, E.E. Zavarin, A.V. Sakharov, W.V. Lundin, A.F. Tsatsulnikov. Appl. Phys. Lett., 123 (12), 121106 (2023)
A. David, C. Weisbuch. Phys. Rev. Res., 4 (4), 043004 (2022)
C. Weisbuch, S. Nakamura, Y.-R. Wu, J.S. Speck. Nanophotonics, 10 (1), 3 (2020)
A. Di Vito, A. Pecchia, A. Di Carlo, M. Auf der Maur. J. Appl. Phys., 128 (4), 041102 (2020)
C.M. Jones, C.-H. Teng, Q. Yan, P.-C. Ku, E. Kioupakis. Appl. Phys. Lett., 111 (11), 113501 (2017)
A. Di Vito, A. Pecchia, A. Di Carlo, M. Auf der Maur. Phys. Rev. Appl., 12 (1), 014055 (2019)
S.Y. Karpov. Photonics Res., 5 (2), A7 (2017)
D.S.P. Tanner, J.M. McMahon, S. Schulz. Phys. Rev. Appl., 10 (3), 034027 (2018)
A. David, N.G. Young, M.D. Craven. Phys. Rev. Appl., 12 (4), 044059 (2019)
D.S.P. Tanner, M.A. Caro, E.P. O'Reilly, S. Schulz. RSC Adv., 6 (69), 64513 (2016)
M. O'Donovan, P. Farrell, J. Moatti, T. Streckenbach, T. Koprucki, S. Schulz. Phys. Rev. Appl., 21 (2), 024052 (2024)
M. Piccardo, C.-K. Li, Y.-R. Wu, J.S. Speck, B. Bonef, R.M. Farrell, M. Filoche, L. Martinelli, J. Peretti, C. Weisbuch. Phys. Rev. B, 95 (14), 144205 (2017)
J. Liu, H. Liang, X. Xia, Q. Abbas, Y. Liu, Y. Luo, Y. Zhang, L. Yan, X. Han, G. Du. J. Alloys Compd., 735, 1239 (2018)
P. Sohi, J.-F. Carlin, N. Grandjean. Appl. Phys. Lett., 112 (26), 262101 (2018)
M. Auf der Maur, A. Pecchia, G. Penazzi, W. Rodrigues, A. Di Carlo. Phys. Rev. Lett., 116 (2), 027401 (2016)
C.-K. Li, M. Piccardo, L.-S. Lu, S. Mayboroda, L. Martinelli, J. Peretti, J.S. Speck, C. Weisbuch, M. Filoche, Y.-R. Wu. Phys. Rev. B, 95 (14), 144206 (2017)
H.-H. Chen, J.S. Speck, C. Weisbuch, Y.-R. Wu. Appl. Phys. Lett., 113 (15), 153504 (2018)
F. Brunner, V. Hoffmann, A. Knauer, E. Steimetz, T. Schenk, J.-T. Zettler, M. Weyers. J. Cryst. Growth, 298, 202 (2007)
A. Toure, I. Halidou, Z. Benzarti, T. Boufaden. Microelectronics J., 40 (2), 363 (2009)
S. Schulz, M.A. Caro, C. Coughlan, E.P. O'Reilly. Phys. Rev. B, 91 (3), 035439 (2015)
A.L. Efros, C. Wetzel, J.M. Worlock. Phys. Rev. B, 52 (11), 8384 (1995)
L.C. Andreani, G. Panzarini, A.V. Kavokin, M.R. Vladimirova. Phys. Rev. B, 57 (8), 4670 (1998).

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.

Учредители

Издатель