Методом молекулярно-пучковой эпитаксии на подложках GaAs получены нелегированные метаморфные структуры с квантовой ямой In_0.75Ga_0.25As и различной конструкцией барьерных слоев (In,Al)As. Представлены результаты исследований электрофизических параметров таких структур четырехконтактным методом Ван дер Пау и бесконтактным методом, основанным на анализе распространения поверхностных акустических волн вдоль границы раздела пьезоэлектрика LiNbO₃ и образца. Увеличение толщины нижнего барьерного слоя (In,Al)As квантовой ямы, а также оптимизация температуры роста и соотношения потоков элементов V и III групп (As₄/III) позволили получить концентрацию и подвижность носителей в двумерном канале In_0.75Ga_0.25As толщиной 30 нм ≤3.4·10¹¹ см^-2 и ≥2·10^5 cм^2/(В·с) соответственно, при T=1.7 K. Ключевые слова: молекулярно-пучковая эпитаксия, метаморфные гетероструктуры, метаморфный буферный слой, двумерный электронный канал, InGaAs/InAlAs.

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.