Рудь В.Ю.
Санкт-Петербургский государственный технический университет, Санкт-Петербург, Россия
11
Рудь Ю.В.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
11
Чалдышев В.В.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
6
Устинов В.М.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
6
Копьев П.С.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
6
Яковлев Ю.П.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
6
Алферов Ж.И.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
6
Боднарь И.В.
Белорусский государственный университет информатики и радиоэлектроники, Минск, Беларусь
5
Преображенский В.В.
Институт физики полупроводников им. А.В. Ржанова Сибирского отделения Российской академии наук, Новосибирск, Россия
5
Путято М.А.
Институт физики полупроводников им. А.В. Ржанова Сибирского отделения Российской академии наук, Новосибирск, Россия
5
Семягин Б.Р.
Институт физики полупроводников им. А.В. Ржанова Сибирского отделения Российской академии наук, Новосибирск, Россия
5
Берт Н.А.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
5
Жуков А.Е.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
5
Леденцов Н.Н.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
5
Голикова О.А.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
5
Шерстнев В.В.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
5
Теруков Е.И.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
5
Журавлев К.С.
Институт физики полупроводников им. А.В. Ржанова Сибирского отделения Российской академии наук, Новосибирск, Россия
5
Пляцко С.В.
Институт физики полупроводников Национальной академии наук Украины, Киев, Украина
4
Лебедев А.А.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
4
Немов С.А.
Санкт-Петербургский государственных технический университет, Санкт-Петербург, Россия
4
Ковш А.Р.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
4
Егоров А.Ю.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
4
Цацульников А.Ф.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
4
Алешкин В.Я.
Институт физики микроструктур Российской академии наук, Нижний Новгород, Россия
4
Кудоярова В.Х.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
4
Машин А.И.
Нижегородский государственный университет им. Н.И. Лобачевского, Нижний Новгород, Россия
4
Полянская Т.А.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
4
Белогорохов А.И.
Государственный институт редких металлов, Москва, Россия
3
Кюрегян А.С.
Всероссийский электротехнический институт им. В.И. Ленина, Москва, Россия
3
Фалеев Н.Н.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
3
Гременок В.Ф.
Белорусский государственный университет информатики и радиоэлектроники, Минск, Беларусь
3
Лебедев Э.А.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
3
Караванский В.А.
Институт общей физики Российской академии наук, Москва, Россия
3
Иванов-Омский В.И.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
3
Савельев И.Г.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
3
Воловик Б.В.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
3
Бимберг Д.
Institut fur Festkorperphysik, Technische Universitat Berlin, Berlin, Germany
3
Сресели О.М.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
3
Куницын А.Е.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
3
Мусихин Ю.Г.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
3
Третьяков В.В.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
3
Шамирзаев Т.С.
Институт физики полупроводников им. А.В. Ржанова Сибирского отделения Российской академии наук, Новосибирск, Россия
3
Якушева Н.А.
Институт физики полупроводников им. А.В. Ржанова Сибирского отделения Российской академии наук, Новосибирск, Россия
3
Прошин В.И.
Санкт-Петербургский государственных технический университет, Санкт-Петербург, Россия
3
Суворова А.А.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
3
Коугия К.В.
Санкт-Петербургская государственная педиатрическая медицинская академия, Санкт-Петербург, Россия
3
Ершов А.В.
Нижегородский государственный университет им. Н.И. Лобачевского, Нижний Новгород, Россия
3
Александров О.В.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
3
Аллен Т.Ю.
University of Tennessee, TN Chattanooga, USA
3
Нажмудинов Х.Г.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
3
Резников Б.И.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
3
Иванова Г.Н.
Молдавский государственный университет, Кишинев, Молдова
2
Касиян В.А.
Молдавский государственный университет, Кишинев, Молдова
2
Недеогло Д.Д.
Молдавский государственный университет, Кишинев, Молдова
2
Куликов Г.С.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
2
Воронина Т.И.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
2
Лагунова Т.С.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
2
Данилова Т.Н.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
2
Данилова А.П.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
2
Ершов О.Г.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
2
Именков А.Н.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
2
Казарян Э.М.
Ереванский государственный университет, Ереван, Армения
2
Елисеев П.Г.
Временный адрес: Центр высокотехнологичных материалов, Университет Нью-Мексико, Альбукерке, США
2
Акимова И.В.
Физический институт им. П.Н. Лебедева Российской академии наук, Москва, Россия
2
Броневой И.Л.
Институт радиотехники и электроники Российской академии наук, Москва, Россия
2
Кривоносов А.Н.
Институт радиотехники и электроники Российской академии наук, Москва, Россия
2
Кульбачинский В.А.
Московский государственный университет им. М.В. Ломоносова, Москва, Россия
2
Марьянчук П.Д.
Московский государственный университет им. М.В. Ломоносова, Москва, Россия
2
Чурилов И.А.
Московский государственный университет им. М.В. Ломоносова, Москва, Россия
2
Тарбаев Н.И.
Институт физики полупроводников Национальной академии наук Украины, Киев, Украина
2
Шепельский Г.А.
Институт физики полупроводников Национальной академии наук Украины, Киев, Украина
2
Ильин А.Ю.
Университет Касселя (кафедра физики), Д- Кассель, Германия
2
Мошников В.А.
Санкт-Петербургский государственный электротехнический университет "ЛЭТИ" им. В.И. Ульянова (Ленина), Санкт-Петербург, Россия
2
Мездрогина М.М.
Санкт-Петербургский государственный технический университет, Санкт-Петербург, Россия
2
Арсентьев И.Н.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
2
Данильцев В.М.
Институт физики микроструктур Российской академии наук, Нижний Новгород, Россия
2
Мурель А.В.
Институт физики микроструктур Российской академии наук, Нижний Новгород, Россия
2
Хрыкин О.И.
Институт физики микроструктур Российской академии наук, Нижний Новгород, Россия
2
Шашкин В.И.
Институт физики микроструктур Российской академии наук, Нижний Новгород, Россия
2
Гаврикова Т.А.
Санкт-Петербургский государственный технический университет, Санкт-Петербург, Россия
2
Зыков В.А.
Санкт-Петербургский государственный технический университет, Санкт-Петербург, Россия
2
Сизов Ф.Ф.
Институт физики полупроводников Национальной академии наук Украины, Киев, Украина
2
Казакова Л.П.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
2
Равич Ю.И.
Санкт-Петербургский государственный технический университет, Санкт-Петербург, Россия
2
Забродский А.Г.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
2
Штеренгас Л.М.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
2
Зегря Г.Г.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
2
Воробьев Л.Е.
Санкт-Петербургский государственный технический университет, Санкт-Петербург, Россия
2
Фирсов Д.А.
Санкт-Петербургский государственный технический университет, Санкт-Петербург, Россия
2
Шалыгин В.А.
Санкт-Петербургский государственный технический университет, Санкт-Петербург, Россия
2
Решина И.И.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
2
Шуман В.Б.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
2
Зайцев С.В.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
2
Tanaka K.
National Institute for Advanced Interdisciplinary Research (NAIR)
2
Adriaenssens G.J.
K.U. Leuven, Laboratorium voor Halfgeleiderfysica, Celestijnenlaan 200D, B Heverlee, Belgium
2
Мельник Н.Н.
Физический институт им. П.Н. Лебедева Российской академии наук, Москва, Россия
2
Константинова Е.А.
Московский государственный университет им. М.В. Ломоносова, Москва, Россия
2
Тимошенко В.Ю.
Московский государственный университет им. М.В. Ломоносова, Москва, Россия
2
Горячев Д.Н.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
2
Полисский Г.
Технический университет, Мюнхен, Гархинг, Германия
2
Вейс А.Н.
Санкт-Петербургский государственный технический университет, Санкт-Петербург, Россия
2
Неймаш В.Б.
Институт физики Национальной академии наук Украины, Киев, Украина
2
Давыдов С.Ю.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
2
Тихонов С.К.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
2
Карпович И.А.
Нижегородский государственный университет им. Н.И. Лобачевского, Нижний Новгород, Россия
2
Гриняев С.Н.
Национальный исследовательский Томский государственный университет, Томск, Россия
2
Максимов М.В.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
2
Лунев А.В.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
2
Беляков Л.В.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
2
Грехов И.В.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
2
Векслер М.И.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
2
Шулекин А.Ф.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
2
Димитров Д.Ц.
Санкт-Петербургский государственный электротехнический университет "ЛЭТИ" им. В.И. Ульянова (Ленина), Санкт-Петербург, Россия
2
Таиров Ю.М.
Санкт-Петербургский государственный электротехнический университет "ЛЭТИ" им. В.И. Ульянова (Ленина), Санкт-Петербург, Россия
2
Werner P.
Max-Planck-Institute of Microstructure Physics, Halle, Germany
2
Юнович А.Э.
Московский государственный университет им. М.В. Ломоносова (физический факультет), Москва, Россия
2
Петренко И.П.
Институт физики полупроводников им. А.В. Ржанова Сибирского отделения Российской академии наук, Новосибирск, Россия
2
Тулупенко В.Н.
Донбасская государственная машиностроительная академия, Краматорск, Украина
2
Агекян В.Ф.
Санкт-Петербургский государственный университет, Санкт-Петербург, Россия
2
Ботнарюк В.М.
Государственый университет Молдовы, MD Кишинев, Молдавия
2
Овсюк В.Н.
Институт физики полупроводников им. А.В. Ржанова Сибирского отделения Российской академии наук, Новосибирск, Россия
Конструкторско-технологический институт прикладной микроэлектроники Сибирского отделения Российской академии наук, Новосибирск, Россия
2
Демьяненко М.А.
Институт физики полупроводников им. А.В. Ржанова Сибирского отделения Российской академии наук, Новосибирск, Россия
Конструкторско-технологический институт прикладной микроэлектроники Сибирского отделения Российской академии наук, Новосибирск, Россия
2
Шашкин В.В.
Институт физики полупроводников им. А.В. Ржанова Сибирского отделения Российской академии наук, Новосибирск, Россия
Конструкторско-технологический институт прикладной микроэлектроники Сибирского отделения Российской академии наук, Новосибирск, Россия
2
Торопов А.И.
Институт физики полупроводников им. А.В. Ржанова Сибирского отделения Российской академии наук, Новосибирск, Россия
Конструкторско-технологический институт прикладной микроэлектроники Сибирского отделения Российской академии наук, Новосибирск, Россия
2
Брунков П.Н.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
2
Конников С.Г.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
2
Кузнецов О.А.
Научно-исследовательский физико-технический институт Нижегородского государственного университета им. Н.И. Лобачевского, Нижний Новгород, Россия
2
Аверкиев Н.С.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
2
Филатов Д.О.
Региональный центр сканирующей зондовой микроскопии при Научно-исследовательском физико-техническом институте, Нижегородский государственный университет им. Н.И. Лобачевского, Нижний Новгород, Россия
2
Хохлов А.Ф.
Нижегородский государственный университет им. Н.И. Лобачевского, Нижний Новгород, Россия
2
Фус В.
Hahn-Meither Institute, Berlin, Germany
2
Курова И.А.
Московский государственный университет им. М.В. Ломоносова, Москва, Россия
2
Казанин М.М.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
2
Торопов А.А.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
2
Шубина Т.В.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
2
Михайлова М.П.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
2
Моисеев К.Д.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
2
Степанов М.В.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
2
Тишковский Е.Г.
Институт физики полупроводников им. А.В. Ржанова Сибирского отделения Российской академии наук, Новосибирск, Россия
2
Мокеров В.Г.
Институт радиотехники и электроники Российской академии наук, Москва, Россия
2
Галиев Г.Б.
Институт радиотехники и электроники Российской академии наук, Москва, Россия
2
Лозовик Ю.Е.
Институт спектроскопии РАН, Троицк, Москва, Россия
2
Караваев Г.Ф.
Сибирский физико-технический институт им. акад. В.Д. Кузнецова Томского государственного университета, Томск, Россия
2
Качурин Г.А.
Институт физики полупроводников им. А.В. Ржанова Сибирского отделения Российской академии наук, Новосибирск, Россия
2
Тысченко И.Е.
Институт физики полупроводников им. А.В. Ржанова Сибирского отделения Российской академии наук, Новосибирск, Россия
2
Скорупа В.
Исследовательский центр Россендорф, Д- Дрезден, Германия
2
Янков Р.А.
Исследовательский центр Россендорф, Д- Дрезден, Германия
2
Гусев О.Б.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
2
Хохлов Д.А.
Нижегородский государственный университет им. Н.И. Лобачевского, Нижний Новгород, Россия
2
Соколов В.И.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
2
Скипетров Е.П.
Московский государственный университет им. М.В. Ломоносова (физический факультет), Москва, Россия
2
Ковалев Б.Б.
Московский государственный университет им. М.В. Ломоносова (физический факультет), Москва, Россия
2
Скипетрова Л.А.
Московский государственный университет им. М.В. Ломоносова (физический факультет), Москва, Россия
2
Зверева Е.А.
Московский государственный университет им. М.В. Ломоносова (физический факультет), Москва, Россия
2
Соболев Н.А.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
2
Бочкарева Н.И.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
2
Клочков А.В.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
2
Дмитриев С.Г.
Институт радиотехники и электроники Российской академии наук, Фрязино, Россия
2
Маркин Ю.В.
Институт радиотехники и электроники Российской академии наук, Фрязино, Россия
2
Миньков Г.М.
Уральский университет, Екатеринбург, Россия
2
Рут О.Э.
Уральский университет, Екатеринбург, Россия
2
Германенко А.В.
Уральский университет, Екатеринбург, Россия
2
Субашиев А.В.
Государственный технический университет, Санкт-Петербург, Россия
2
Евтихиев В.П.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
2
Токранов В.Е.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
2
Титков А.Н.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
2
Тарасов И.С.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
2
Grevendonk W.
K.U. Leuven,, Heverlee, Belgium
1
Ходжаев К.Х.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
1
Шрайбер Й.
Fachbereich Physik der Martin--Luther--Universitat Halle--Wittenberg, Halle (Saale), Германия
1
Штым В.С.
Институт физики Национальной академии наук Украины, Киев, Украина
1
Халамейда Д.Д.
Институт радиофизики и электроники Национальной академии наук Украины, Харьков, Украина
1
Питиримова Е.А.
Нижегородский государственный университет им. Н.И. Лобачевского, Нижний Новгород, Россия
1
Горелкинский Ю.В.
Физико-технический институт Министерства науки --- Академии наук Республики Казахстан, Алматы, Казахстан
1
Лео К.
Дрезденский технический университет, Дрезден, ФРГ
1
Омельяновская Н.М.
Институт проблем технологии микроэлектроники и особочистых материалов Российской академии наук, Черноголовка, Россия
1
Кудинов Ю.А.
Санкт-Петербургский государственный технический университет, Санкт-Петербург, Россия
1
Зубкова С.М.
Институт проблем материаловедения им. И.Н. Францевича Национальной академии наук Украины, Киев, Украина
1
Андерссон Т.Г.
Физический факультет Чалмерского технологического университета, Гетеборг, Швеция
1
Таджи-Аглаева С.Г.
Научно-исследовательский институт прикладной физики им. Мирзо Улугбека, Ташкент, Узбекистан
1
Мастеров В.Ф.
Санкт-Петербургский государственный технический университет, Санкт-Петербург, Россия
1
Якунин М.В.
Институт физики металлов им. М.Н. Михеева Уральского отделения Российской академии наук, Екатеринбург, Россия
1
Паранчич С.Ю.
Черновицкий государственный университет им. Ю. Федьковича, Черновцы, Украина
1
Джандиери К.М.
Тбилисский государственный университет, Факультет физики, Тбилиси, Грузия
1
Крыжановский А.К.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
1
Шварц М.З.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
1
Oswald J.
Institute of Physics, Czech Academy of Sciences, Prague, Czech Republic
1
Senemaud C.
Universite Pierre et Marie Curie, Laboratoire de Chimie-Physique, UMR CNRS, Paris, cedex 05, France
1
Ватанабе Х.
Электротехническая лаборатория, Цукуба, 305 Ибараки, Япония
1
Сирацкий В.М.
Институт физики Национальной академии наук Украины, Киев, Украина
1
Попов А.А.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
1
Laws G.M.
Department of Electrical and Electronic Engineering, University of Nottingham, Nottingham NG7 2RD, England
1
Федоров Л.М.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
1
Монахов А.М.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
1
Иванов С.В.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
1
Елизаров В.А.
Институт физики Дагестанского научного центра Российской академии наук, Махачкала, Россия
1
Малинин А.
Electron Physics Laboratory, Helsinky University of Technology, Otakaary 7A, FI ESPOO, Finland
1
Романюк А.Б.
Институт физики полупроводников Национальной академии наук Украины, Киев, Украина
1
Ханова А.В.
Научно-производственное объединение им. С.А. Лавочкина, Химки, Россия
1
© 2024 Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук