"Физика и техника полупроводников"
Вышедшие номера
Общее количество статей:
10472
Распределение статей по годам:
517
490
469
411
345
329
302
266
295
311
285
292
278
262
263
259
256
277
251
260
244
294
288
284
279
295
305
301
303
316
330
309
287
219

Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов. Дата начала обработки информации по просмотрам - 27 января 2016 г.

За 1998 год:
Статья
Просмотров
Статья
Просмотров
Автор
Организация
Статей
Рудь В.Ю.
Санкт-Петербургский государственный технический университет, Санкт-Петербург, Россия
11
Рудь Ю.В.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
11
Чалдышев В.В.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
6
Устинов В.М.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
6
Копьев П.С.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
6
Яковлев Ю.П.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
6
Алферов Ж.И.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
6
Боднарь И.В.
Белорусский государственный университет информатики и радиоэлектроники, Минск, Беларусь
5
Преображенский В.В.
Институт физики полупроводников им. А.В. Ржанова Сибирского отделения Российской академии наук, Новосибирск, Россия
5
Путято М.А.
Институт физики полупроводников им. А.В. Ржанова Сибирского отделения Российской академии наук, Новосибирск, Россия
5
Семягин Б.Р.
Институт физики полупроводников им. А.В. Ржанова Сибирского отделения Российской академии наук, Новосибирск, Россия
5
Берт Н.А.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
5
Жуков А.Е.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
5
Леденцов Н.Н.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
5
Голикова О.А.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
5
Шерстнев В.В.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
5
Теруков Е.И.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
5
Журавлев К.С.
Институт физики полупроводников им. А.В. Ржанова Сибирского отделения Российской академии наук, Новосибирск, Россия
5
Пляцко С.В.
Институт физики полупроводников Национальной академии наук Украины, Киев, Украина
4
Лебедев А.А.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
4
Немов С.А.
Санкт-Петербургский государственных технический университет, Санкт-Петербург, Россия
4
Ковш А.Р.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
4
Егоров А.Ю.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
4
Цацульников А.Ф.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
4
Алешкин В.Я.
Институт физики микроструктур Российской академии наук, Нижний Новгород, Россия
4
Кудоярова В.Х.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
4
Машин А.И.
Нижегородский государственный университет им. Н.И. Лобачевского, Нижний Новгород, Россия
4
Полянская Т.А.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
4
Белогорохов А.И.
Государственный институт редких металлов, Москва, Россия
3
Кюрегян А.С.
Всероссийский электротехнический институт им. В.И. Ленина, Москва, Россия
3
Фалеев Н.Н.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
3
Гременок В.Ф.
Белорусский государственный университет информатики и радиоэлектроники, Минск, Беларусь
3
Лебедев Э.А.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
3
Караванский В.А.
Институт общей физики Российской академии наук, Москва, Россия
3
Иванов-Омский В.И.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
3
Савельев И.Г.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
3
Воловик Б.В.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
3
Бимберг Д.
Institut fur Festkorperphysik, Technische Universitat Berlin, Berlin, Germany
3
Сресели О.М.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
3
Куницын А.Е.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
3
Мусихин Ю.Г.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
3
Третьяков В.В.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
3
Шамирзаев Т.С.
Институт физики полупроводников им. А.В. Ржанова Сибирского отделения Российской академии наук, Новосибирск, Россия
3
Якушева Н.А.
Институт физики полупроводников им. А.В. Ржанова Сибирского отделения Российской академии наук, Новосибирск, Россия
3
Прошин В.И.
Санкт-Петербургский государственных технический университет, Санкт-Петербург, Россия
3
Суворова А.А.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
3
Коугия К.В.
Санкт-Петербургская государственная педиатрическая медицинская академия, Санкт-Петербург, Россия
3
Ершов А.В.
Нижегородский государственный университет им. Н.И. Лобачевского, Нижний Новгород, Россия
3
Александров О.В.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
3
Аллен Т.Ю.
University of Tennessee, TN Chattanooga, USA
3
Нажмудинов Х.Г.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
3
Резников Б.И.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
3
Иванова Г.Н.
Молдавский государственный университет, Кишинев, Молдова
2
Касиян В.А.
Молдавский государственный университет, Кишинев, Молдова
2
Недеогло Д.Д.
Молдавский государственный университет, Кишинев, Молдова
2
Куликов Г.С.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
2
Воронина Т.И.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
2
Лагунова Т.С.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
2
Данилова Т.Н.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
2
Данилова А.П.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
2
Ершов О.Г.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
2
Именков А.Н.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
2
Казарян Э.М.
Ереванский государственный университет, Ереван, Армения
2
Елисеев П.Г.
Временный адрес: Центр высокотехнологичных материалов, Университет Нью-Мексико, Альбукерке, США
2
Акимова И.В.
Физический институт им. П.Н. Лебедева Российской академии наук, Москва, Россия
2
Броневой И.Л.
Институт радиотехники и электроники Российской академии наук, Москва, Россия
2
Кривоносов А.Н.
Институт радиотехники и электроники Российской академии наук, Москва, Россия
2
Кульбачинский В.А.
Московский государственный университет им. М.В. Ломоносова, Москва, Россия
2
Марьянчук П.Д.
Московский государственный университет им. М.В. Ломоносова, Москва, Россия
2
Чурилов И.А.
Московский государственный университет им. М.В. Ломоносова, Москва, Россия
2
Тарбаев Н.И.
Институт физики полупроводников Национальной академии наук Украины, Киев, Украина
2
Шепельский Г.А.
Институт физики полупроводников Национальной академии наук Украины, Киев, Украина
2
Ильин А.Ю.
Университет Касселя (кафедра физики), Д- Кассель, Германия
2
Мошников В.А.
Санкт-Петербургский государственный электротехнический университет "ЛЭТИ" им. В.И. Ульянова (Ленина), Санкт-Петербург, Россия
2
Мездрогина М.М.
Санкт-Петербургский государственный технический университет, Санкт-Петербург, Россия
2
Арсентьев И.Н.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
2
Данильцев В.М.
Институт физики микроструктур Российской академии наук, Нижний Новгород, Россия
2
Мурель А.В.
Институт физики микроструктур Российской академии наук, Нижний Новгород, Россия
2
Хрыкин О.И.
Институт физики микроструктур Российской академии наук, Нижний Новгород, Россия
2
Шашкин В.И.
Институт физики микроструктур Российской академии наук, Нижний Новгород, Россия
2
Гаврикова Т.А.
Санкт-Петербургский государственный технический университет, Санкт-Петербург, Россия
2
Зыков В.А.
Санкт-Петербургский государственный технический университет, Санкт-Петербург, Россия
2
Сизов Ф.Ф.
Институт физики полупроводников Национальной академии наук Украины, Киев, Украина
2
Казакова Л.П.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
2
Равич Ю.И.
Санкт-Петербургский государственный технический университет, Санкт-Петербург, Россия
2
Забродский А.Г.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
2
Штеренгас Л.М.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
2
Зегря Г.Г.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
2
Воробьев Л.Е.
Санкт-Петербургский государственный технический университет, Санкт-Петербург, Россия
2
Фирсов Д.А.
Санкт-Петербургский государственный технический университет, Санкт-Петербург, Россия
2
Шалыгин В.А.
Санкт-Петербургский государственный технический университет, Санкт-Петербург, Россия
2
Решина И.И.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
2
Шуман В.Б.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
2
Зайцев С.В.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
2
Tanaka K.
National Institute for Advanced Interdisciplinary Research (NAIR)
2
Adriaenssens G.J.
K.U. Leuven, Laboratorium voor Halfgeleiderfysica, Celestijnenlaan 200D, B Heverlee, Belgium
2
Мельник Н.Н.
Физический институт им. П.Н. Лебедева Российской академии наук, Москва, Россия
2
Константинова Е.А.
Московский государственный университет им. М.В. Ломоносова, Москва, Россия
2
Тимошенко В.Ю.
Московский государственный университет им. М.В. Ломоносова, Москва, Россия
2
Горячев Д.Н.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
2
Полисский Г.
Технический университет, Мюнхен, Гархинг, Германия
2
Вейс А.Н.
Санкт-Петербургский государственный технический университет, Санкт-Петербург, Россия
2
Неймаш В.Б.
Институт физики Национальной академии наук Украины, Киев, Украина
2
Давыдов С.Ю.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
2
Тихонов С.К.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
2
Карпович И.А.
Нижегородский государственный университет им. Н.И. Лобачевского, Нижний Новгород, Россия
2
Гриняев С.Н.
Национальный исследовательский Томский государственный университет, Томск, Россия
2
Максимов М.В.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
2
Лунев А.В.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
2
Беляков Л.В.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
2
Грехов И.В.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
2
Векслер М.И.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
2
Шулекин А.Ф.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
2
Димитров Д.Ц.
Санкт-Петербургский государственный электротехнический университет "ЛЭТИ" им. В.И. Ульянова (Ленина), Санкт-Петербург, Россия
2
Таиров Ю.М.
Санкт-Петербургский государственный электротехнический университет "ЛЭТИ" им. В.И. Ульянова (Ленина), Санкт-Петербург, Россия
2
Werner P.
Max-Planck-Institute of Microstructure Physics, Halle, Germany
2
Юнович А.Э.
Московский государственный университет им. М.В. Ломоносова (физический факультет), Москва, Россия
2
Петренко И.П.
Институт физики полупроводников им. А.В. Ржанова Сибирского отделения Российской академии наук, Новосибирск, Россия
2
Тулупенко В.Н.
Донбасская государственная машиностроительная академия, Краматорск, Украина
2
Агекян В.Ф.
Санкт-Петербургский государственный университет, Санкт-Петербург, Россия
2
Ботнарюк В.М.
Государственый университет Молдовы, MD Кишинев, Молдавия
2
Овсюк В.Н.
Институт физики полупроводников им. А.В. Ржанова Сибирского отделения Российской академии наук, Новосибирск, Россия
Конструкторско-технологический институт прикладной микроэлектроники Сибирского отделения Российской академии наук, Новосибирск, Россия
2
Демьяненко М.А.
Институт физики полупроводников им. А.В. Ржанова Сибирского отделения Российской академии наук, Новосибирск, Россия
Конструкторско-технологический институт прикладной микроэлектроники Сибирского отделения Российской академии наук, Новосибирск, Россия
2
Шашкин В.В.
Институт физики полупроводников им. А.В. Ржанова Сибирского отделения Российской академии наук, Новосибирск, Россия
Конструкторско-технологический институт прикладной микроэлектроники Сибирского отделения Российской академии наук, Новосибирск, Россия
2
Торопов А.И.
Институт физики полупроводников им. А.В. Ржанова Сибирского отделения Российской академии наук, Новосибирск, Россия
Конструкторско-технологический институт прикладной микроэлектроники Сибирского отделения Российской академии наук, Новосибирск, Россия
2
Брунков П.Н.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
2
Конников С.Г.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
2
Кузнецов О.А.
Научно-исследовательский физико-технический институт Нижегородского государственного университета им. Н.И. Лобачевского, Нижний Новгород, Россия
2
Аверкиев Н.С.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
2
Филатов Д.О.
Региональный центр сканирующей зондовой микроскопии при Научно-исследовательском физико-техническом институте, Нижегородский государственный университет им. Н.И. Лобачевского, Нижний Новгород, Россия
2
Хохлов А.Ф.
Нижегородский государственный университет им. Н.И. Лобачевского, Нижний Новгород, Россия
2
Фус В.
Hahn-Meither Institute, Berlin, Germany
2
Курова И.А.
Московский государственный университет им. М.В. Ломоносова, Москва, Россия
2
Казанин М.М.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
2
Торопов А.А.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
2
Шубина Т.В.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
2
Михайлова М.П.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
2
Моисеев К.Д.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
2
Степанов М.В.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
2
Тишковский Е.Г.
Институт физики полупроводников им. А.В. Ржанова Сибирского отделения Российской академии наук, Новосибирск, Россия
2
Мокеров В.Г.
Институт радиотехники и электроники Российской академии наук, Москва, Россия
2
Галиев Г.Б.
Институт радиотехники и электроники Российской академии наук, Москва, Россия
2
Лозовик Ю.Е.
Институт спектроскопии РАН, Троицк, Москва, Россия
2
Караваев Г.Ф.
Сибирский физико-технический институт им. акад. В.Д. Кузнецова Томского государственного университета, Томск, Россия
2
Качурин Г.А.
Институт физики полупроводников им. А.В. Ржанова Сибирского отделения Российской академии наук, Новосибирск, Россия
2
Тысченко И.Е.
Институт физики полупроводников им. А.В. Ржанова Сибирского отделения Российской академии наук, Новосибирск, Россия
2
Скорупа В.
Исследовательский центр Россендорф, Д- Дрезден, Германия
2
Янков Р.А.
Исследовательский центр Россендорф, Д- Дрезден, Германия
2
Гусев О.Б.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
2
Хохлов Д.А.
Нижегородский государственный университет им. Н.И. Лобачевского, Нижний Новгород, Россия
2
Соколов В.И.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
2
Скипетров Е.П.
Московский государственный университет им. М.В. Ломоносова (физический факультет), Москва, Россия
2
Ковалев Б.Б.
Московский государственный университет им. М.В. Ломоносова (физический факультет), Москва, Россия
2
Скипетрова Л.А.
Московский государственный университет им. М.В. Ломоносова (физический факультет), Москва, Россия
2
Зверева Е.А.
Московский государственный университет им. М.В. Ломоносова (физический факультет), Москва, Россия
2
Соболев Н.А.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
2
Бочкарева Н.И.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
2
Клочков А.В.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
2
Дмитриев С.Г.
Институт радиотехники и электроники Российской академии наук, Фрязино, Россия
2
Маркин Ю.В.
Институт радиотехники и электроники Российской академии наук, Фрязино, Россия
2
Миньков Г.М.
Уральский университет, Екатеринбург, Россия
2
Рут О.Э.
Уральский университет, Екатеринбург, Россия
2
Германенко А.В.
Уральский университет, Екатеринбург, Россия
2
Субашиев А.В.
Государственный технический университет, Санкт-Петербург, Россия
2
Евтихиев В.П.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
2
Токранов В.Е.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
2
Титков А.Н.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
2
Тарасов И.С.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
2
Grevendonk W.
K.U. Leuven,, Heverlee, Belgium
1
Ходжаев К.Х.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
1
Шрайбер Й.
Fachbereich Physik der Martin--Luther--Universitat Halle--Wittenberg, Halle (Saale), Германия
1
Штым В.С.
Институт физики Национальной академии наук Украины, Киев, Украина
1
Халамейда Д.Д.
Институт радиофизики и электроники Национальной академии наук Украины, Харьков, Украина
1
Питиримова Е.А.
Нижегородский государственный университет им. Н.И. Лобачевского, Нижний Новгород, Россия
1
Горелкинский Ю.В.
Физико-технический институт Министерства науки --- Академии наук Республики Казахстан, Алматы, Казахстан
1
Лео К.
Дрезденский технический университет, Дрезден, ФРГ
1
Омельяновская Н.М.
Институт проблем технологии микроэлектроники и особочистых материалов Российской академии наук, Черноголовка, Россия
1
Кудинов Ю.А.
Санкт-Петербургский государственный технический университет, Санкт-Петербург, Россия
1
Зубкова С.М.
Институт проблем материаловедения им. И.Н. Францевича Национальной академии наук Украины, Киев, Украина
1
Смелянская Е.В.
Национальный технический университет "Киевский политехнический институт", Киев, Украина
1
Андерссон Т.Г.
Физический факультет Чалмерского технологического университета, Гетеборг, Швеция
1
Таджи-Аглаева С.Г.
Научно-исследовательский институт прикладной физики им. Мирзо Улугбека, Ташкент, Узбекистан
1
Мастеров В.Ф.
Санкт-Петербургский государственный технический университет, Санкт-Петербург, Россия
1
Якунин М.В.
Институт физики металлов им. М.Н. Михеева Уральского отделения Российской академии наук, Екатеринбург, Россия
1
Паранчич С.Ю.
Черновицкий государственный университет им. Ю. Федьковича, Черновцы, Украина
1
Джандиери К.М.
Тбилисский государственный университет, Факультет физики, Тбилиси, Грузия
1
Крыжановский А.К.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
1
Шварц М.З.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
1
Oswald J.
Institute of Physics, Czech Academy of Sciences, Prague, Czech Republic
1
Senemaud C.
Universite Pierre et Marie Curie, Laboratoire de Chimie-Physique, UMR CNRS, Paris, cedex 05, France
1
Ватанабе Х.
Электротехническая лаборатория, Цукуба, 305 Ибараки, Япония
1
Сирацкий В.М.
Институт физики Национальной академии наук Украины, Киев, Украина
1
Попов А.А.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
1
Laws G.M.
Department of Electrical and Electronic Engineering, University of Nottingham, Nottingham NG7 2RD, England
1
Федоров Л.М.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
1
Монахов А.М.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
1
Седова И.В.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
1
Грабов В.М.
Российский государственный педагогический университет им. А.И. Герцена, Санкт-Петербург, Россия
1
Торхов Н.А.
Научно-исследовательский институт полупроводниковых приборов, Томск, Россия
1
Fuhs W.
Hahn-Meitner Institut, Berlin, Germany
1
Организация
Статей
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
108
Санкт-Петербургский государственный технический университет, Санкт-Петербург, Россия
22
Институт физики полупроводников им. А.В. Ржанова Сибирского отделения Российской академии наук, Новосибирск, Россия
19
Институт физики полупроводников Национальной академии наук Украины, Киев, Украина
15
Нижегородский государственный университет им. Н.И. Лобачевского, Нижний Новгород, Россия
8
Санкт-Петербургский государственный электротехнический университет "ЛЭТИ" им. В.И. Ульянова (Ленина), Санкт-Петербург, Россия
7
Физический институт им. П.Н. Лебедева Российской академии наук, Москва, Россия
7
Московский государственный университет им. М.В. Ломоносова, Москва, Россия
6
Московский государственный университет им. М.В. Ломоносова (физический факультет), Москва, Россия
5
Институт физики микроструктур Российской академии наук, Нижний Новгород, Россия
4
Институт физики Национальной академии наук Украины, Киев, Украина
4
Сибирский физико-технический институт им. акад. В.Д. Кузнецова Томского государственного университета, Томск, Россия
4
Институт радиотехники и электроники Российской академии наук, Москва, Россия
4
Государственный технический университет, Санкт-Петербург, Россия
3
Институт физики Национальной академии наук Азербайджана, Баку, Азербайджан
3
Институт общей физики Российской академии наук, Москва, Россия
3
Всероссийский электротехнический институт им. В.И. Ленина, Москва, Россия
3
Белорусский государственный университет информатики и радиоэлектроники, Минск, Беларусь
3
Институт радиотехники и электроники Российской академии наук, Фрязино, Россия
3
Санкт-Петербургская государственная педиатрическая медицинская академия, Санкт-Петербург, Россия
3
Московский институт стали и сплавов, Москва, Россия
2
Молдавский государственный университет, Кишинев, Молдова
2
Черновицкий государственный университет, Черновцы, Украина
2
Institut fur Festkorperphysik, Technische Universitat Berlin, Berlin, Germany
2
Московский институт электронной техники, Москва, Россия
2
Государственный университет информатики и радиоэлектроники, Минск, Белоруссия
2
Институт физики металлов им. М.Н. Михеева Уральского отделения Российской академии наук, Екатеринбург, Россия
2
Временный адрес: Центр высокотехнологичных материалов, Университет Нью-Мексико, Альбукерке, США
2
Институт проблем технологии микроэлектроники и особочистых материалов Российской академии наук, Черноголовка, Россия
2
Технический университет, Мюнхен, Гархинг, Германия
2
Институт спектроскопии РАН, Троицк, Москва, Россия
2
Черновицкий государственный университет им. Ю. Федьковича, Черновцы, Украина
2
Донбасская государственная машиностроительная академия, Краматорск, Украина
2
Национальный исследовательский Томский государственный университет, Томск, Россия
2
Научно-исследовательский физико-технический институт Нижегородского государственного университета им. Н.И. Лобачевского, Нижний Новгород, Россия
2
Нахичеванский государственный университет им. Ю.Г. Мамедалиева Азербайджанской Республики Нахичевань, Азербайджан
1
Институт сенсорной микроэлектроники Сибирского отделения Российской академии наук, Омск, Россия
1
Московский государственный университет им М.В.Ломоносова, Москва, Россия
1
Государственный университет Молдовы, Кишинев, Молдавия
1
Университет Технологии. Нагаока. Ниигата 940--21. Япония
1
Институт аналитического приборостроения Российской академии наук, Санкт-Петербург, Россия
1
Institute fur Festkorperphysik, Berliner Technische Universitat, Berlin, Germany
1
Ереванский государственный университет, Ереван, Республика Армения
1
K.U. Leuven,, Heverlee, Belgium
1
Институт прикладных физических проблем им. А.Н. Севченко Белорусского государственного университета, Минск, Республика Беларусь
1
Белорусский государственный аграрный технический университет, Минск, Белоруссия
1
Научно-исследовательский институт физики Санкт-Петербургского государственного университета, Санкт-Петербург, Россия
1
Тбилисский государственный университет, Тбилиси, Грузия
1
Национальный исследовательский центр "Курчатовский институт", Москва, Россия
1
Научно-исследовательский центр прикладных проблем электродинамики Российской академии наук, Москва, Россия
1