Вышедшие номера
Общее количество статей:
10866
Распределение количества статей по годам:
517
490
469
411
345
329
302
266
295
311
285
292
278
262
263
259
256
277
251
260
244
294
288
284
279
295
305
301
303
316
330
309
287
248
203
135
27
Распределение количества просмотров по годам:
876584
821939
790782
704719
608284
583505
534557
475294
571468
714316
709215
650440
651126
654916
634035
656553
681152
693774
605183
636905
598047
759797
772312
746416
717928
771224
781951
749495
720823
705116
609304
501672
346872
221602
123399
25910
1297
Распределение количества авторов по годам:
1228
1240
1185
1078
885
882
744
715
727
800
756
791
761
773
802
802
826
907
876
892
763
962
1019
1010
968
1085
1151
1063
1156
1166
1310
1097
1124
952
833
548
99
Распределение количества организаций по годам:
143
55
131
107
117
125
152
174
159
167
148
175
163
181
187
187
227
154
216
211
211
237
252
286
241
275
269
295
249
323
260
170
109
22

Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов. Дата начала обработки информации по просмотрам - 27 января 2016 г.

За 1998 год:
Статья
Просмотров
Статья
Просмотров
Автор
Организация
Статей
Рудь В.Ю.
Санкт-Петербургский государственный технический университет, Санкт-Петербург, Россия
11
Рудь Ю.В.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
11
Чалдышев В.В.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
6
Устинов В.М.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
6
Копьев П.С.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
6
Яковлев Ю.П.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
6
Алферов Ж.И.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
6
Боднарь И.В.
Белорусский государственный университет информатики и радиоэлектроники, Минск, Беларусь
5
Преображенский В.В.
Институт физики полупроводников им. А.В. Ржанова Сибирского отделения Российской академии наук, Новосибирск, Россия
5
Путято М.А.
Институт физики полупроводников им. А.В. Ржанова Сибирского отделения Российской академии наук, Новосибирск, Россия
5
Семягин Б.Р.
Институт физики полупроводников им. А.В. Ржанова Сибирского отделения Российской академии наук, Новосибирск, Россия
5
Берт Н.А.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
5
Жуков А.Е.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
5
Леденцов Н.Н.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
5
Голикова О.А.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
5
Шерстнев В.В.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
5
Теруков Е.И.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
5
Журавлев К.С.
Институт физики полупроводников им. А.В. Ржанова Сибирского отделения Российской академии наук, Новосибирск, Россия
5
Пляцко С.В.
Институт физики полупроводников Национальной академии наук Украины, Киев, Украина
4
Лебедев А.А.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
4
Немов С.А.
Санкт-Петербургский государственных технический университет, Санкт-Петербург, Россия
4
Ковш А.Р.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
4
Егоров А.Ю.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
4
Цацульников А.Ф.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
4
Алешкин В.Я.
Институт физики микроструктур Российской академии наук, Нижний Новгород, Россия
4
Кудоярова В.Х.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
4
Машин А.И.
Нижегородский государственный университет им. Н.И. Лобачевского, Нижний Новгород, Россия
4
Полянская Т.А.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
4
Белогорохов А.И.
Государственный институт редких металлов, Москва, Россия
3
Кюрегян А.С.
Всероссийский электротехнический институт им. В.И. Ленина, Москва, Россия
3
Фалеев Н.Н.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
3
Гременок В.Ф.
Белорусский государственный университет информатики и радиоэлектроники, Минск, Беларусь
3
Лебедев Э.А.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
3
Караванский В.А.
Институт общей физики Российской академии наук, Москва, Россия
3
Иванов-Омский В.И.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
3
Савельев И.Г.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
3
Воловик Б.В.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
3
Бимберг Д.
Institut fur Festkorperphysik, Technische Universitat Berlin, Berlin, Germany
3
Сресели О.М.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
3
Куницын А.Е.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
3
Мусихин Ю.Г.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
3
Третьяков В.В.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
3
Шамирзаев Т.С.
Институт физики полупроводников им. А.В. Ржанова Сибирского отделения Российской академии наук, Новосибирск, Россия
3
Якушева Н.А.
Институт физики полупроводников им. А.В. Ржанова Сибирского отделения Российской академии наук, Новосибирск, Россия
3
Прошин В.И.
Санкт-Петербургский государственных технический университет, Санкт-Петербург, Россия
3
Суворова А.А.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
3
Коугия К.В.
Санкт-Петербургская государственная педиатрическая медицинская академия, Санкт-Петербург, Россия
3
Ершов А.В.
Нижегородский государственный университет им. Н.И. Лобачевского, Нижний Новгород, Россия
3
Александров О.В.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
3
Аллен Т.Ю.
University of Tennessee, TN Chattanooga, USA
3
Нажмудинов Х.Г.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
3
Резников Б.И.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
3
Иванова Г.Н.
Молдавский государственный университет, Кишинев, Молдова
2
Касиян В.А.
Молдавский государственный университет, Кишинев, Молдова
2
Недеогло Д.Д.
Молдавский государственный университет, Кишинев, Молдова
2
Куликов Г.С.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
2
Воронина Т.И.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
2
Лагунова Т.С.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
2
Данилова Т.Н.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
2
Данилова А.П.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
2
Ершов О.Г.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
2
Именков А.Н.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
2
Казарян Э.М.
Ереванский государственный университет, Ереван, Армения
2
Елисеев П.Г.
Временный адрес: Центр высокотехнологичных материалов, Университет Нью-Мексико, Альбукерке, США
2
Акимова И.В.
Физический институт им. П.Н. Лебедева Российской академии наук, Москва, Россия
2
Броневой И.Л.
Институт радиотехники и электроники Российской академии наук, Москва, Россия
2
Кривоносов А.Н.
Институт радиотехники и электроники Российской академии наук, Москва, Россия
2
Кульбачинский В.А.
Московский государственный университет им. М.В. Ломоносова, Москва, Россия
2
Марьянчук П.Д.
Московский государственный университет им. М.В. Ломоносова, Москва, Россия
2
Чурилов И.А.
Московский государственный университет им. М.В. Ломоносова, Москва, Россия
2
Тарбаев Н.И.
Институт физики полупроводников Национальной академии наук Украины, Киев, Украина
2
Шепельский Г.А.
Институт физики полупроводников Национальной академии наук Украины, Киев, Украина
2
Ильин А.Ю.
Университет Касселя (кафедра физики), Д- Кассель, Германия
2
Мошников В.А.
Санкт-Петербургский государственный электротехнический университет "ЛЭТИ" им. В.И. Ульянова (Ленина), Санкт-Петербург, Россия
2
Мездрогина М.М.
Санкт-Петербургский государственный технический университет, Санкт-Петербург, Россия
2
Арсентьев И.Н.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
2
Данильцев В.М.
Институт физики микроструктур Российской академии наук, Нижний Новгород, Россия
2
Мурель А.В.
Институт физики микроструктур Российской академии наук, Нижний Новгород, Россия
2
Хрыкин О.И.
Институт физики микроструктур Российской академии наук, Нижний Новгород, Россия
2
Шашкин В.И.
Институт физики микроструктур Российской академии наук, Нижний Новгород, Россия
2
Гаврикова Т.А.
Санкт-Петербургский государственный технический университет, Санкт-Петербург, Россия
2
Зыков В.А.
Санкт-Петербургский государственный технический университет, Санкт-Петербург, Россия
2
Сизов Ф.Ф.
Институт физики полупроводников Национальной академии наук Украины, Киев, Украина
2
Казакова Л.П.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
2
Равич Ю.И.
Санкт-Петербургский государственный технический университет, Санкт-Петербург, Россия
2
Забродский А.Г.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
2
Штеренгас Л.М.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
2
Зегря Г.Г.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
2
Воробьев Л.Е.
Санкт-Петербургский государственный технический университет, Санкт-Петербург, Россия
2
Фирсов Д.А.
Санкт-Петербургский государственный технический университет, Санкт-Петербург, Россия
2
Шалыгин В.А.
Санкт-Петербургский государственный технический университет, Санкт-Петербург, Россия
2
Решина И.И.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
2
Шуман В.Б.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
2
Зайцев С.В.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
2
Tanaka K.
National Institute for Advanced Interdisciplinary Research (NAIR)
2
Adriaenssens G.J.
K.U. Leuven, Laboratorium voor Halfgeleiderfysica, Celestijnenlaan 200D, B Heverlee, Belgium
2
Мельник Н.Н.
Физический институт им. П.Н. Лебедева Российской академии наук, Москва, Россия
2
Константинова Е.А.
Московский государственный университет им. М.В. Ломоносова, Москва, Россия
2
Тимошенко В.Ю.
Московский государственный университет им. М.В. Ломоносова, Москва, Россия
2
Горячев Д.Н.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
2
Полисский Г.
Технический университет, Мюнхен, Гархинг, Германия
2
Вейс А.Н.
Санкт-Петербургский государственный технический университет, Санкт-Петербург, Россия
2
Неймаш В.Б.
Институт физики Национальной академии наук Украины, Киев, Украина
2
Давыдов С.Ю.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
2
Тихонов С.К.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
2
Карпович И.А.
Нижегородский государственный университет им. Н.И. Лобачевского, Нижний Новгород, Россия
2
Гриняев С.Н.
Национальный исследовательский Томский государственный университет, Томск, Россия
2
Максимов М.В.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
2
Лунев А.В.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
2
Беляков Л.В.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
2
Грехов И.В.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
2
Векслер М.И.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
2
Шулекин А.Ф.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
2
Димитров Д.Ц.
Санкт-Петербургский государственный электротехнический университет "ЛЭТИ" им. В.И. Ульянова (Ленина), Санкт-Петербург, Россия
2
Таиров Ю.М.
Санкт-Петербургский государственный электротехнический университет "ЛЭТИ" им. В.И. Ульянова (Ленина), Санкт-Петербург, Россия
2
Werner P.
Max-Planck-Institute of Microstructure Physics, Halle, Germany
2
Юнович А.Э.
Московский государственный университет им. М.В. Ломоносова (физический факультет), Москва, Россия
2
Петренко И.П.
Институт физики полупроводников им. А.В. Ржанова Сибирского отделения Российской академии наук, Новосибирск, Россия
2
Тулупенко В.Н.
Донбасская государственная машиностроительная академия, Краматорск, Украина
2
Агекян В.Ф.
Санкт-Петербургский государственный университет, Санкт-Петербург, Россия
2
Ботнарюк В.М.
Государственый университет Молдовы, MD Кишинев, Молдавия
2
Овсюк В.Н.
Институт физики полупроводников им. А.В. Ржанова Сибирского отделения Российской академии наук, Новосибирск, Россия
Конструкторско-технологический институт прикладной микроэлектроники Сибирского отделения Российской академии наук, Новосибирск, Россия
2
Демьяненко М.А.
Институт физики полупроводников им. А.В. Ржанова Сибирского отделения Российской академии наук, Новосибирск, Россия
Конструкторско-технологический институт прикладной микроэлектроники Сибирского отделения Российской академии наук, Новосибирск, Россия
2
Шашкин В.В.
Институт физики полупроводников им. А.В. Ржанова Сибирского отделения Российской академии наук, Новосибирск, Россия
Конструкторско-технологический институт прикладной микроэлектроники Сибирского отделения Российской академии наук, Новосибирск, Россия
2
Торопов А.И.
Институт физики полупроводников им. А.В. Ржанова Сибирского отделения Российской академии наук, Новосибирск, Россия
Конструкторско-технологический институт прикладной микроэлектроники Сибирского отделения Российской академии наук, Новосибирск, Россия
2
Брунков П.Н.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
2
Конников С.Г.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
2
Кузнецов О.А.
Научно-исследовательский физико-технический институт Нижегородского государственного университета им. Н.И. Лобачевского, Нижний Новгород, Россия
2
Аверкиев Н.С.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
2
Филатов Д.О.
Региональный центр сканирующей зондовой микроскопии при Научно-исследовательском физико-техническом институте, Нижегородский государственный университет им. Н.И. Лобачевского, Нижний Новгород, Россия
2
Хохлов А.Ф.
Нижегородский государственный университет им. Н.И. Лобачевского, Нижний Новгород, Россия
2
Фус В.
Hahn-Meither Institute, Berlin, Germany
2
Курова И.А.
Московский государственный университет им. М.В. Ломоносова, Москва, Россия
2
Казанин М.М.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
2
Торопов А.А.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
2
Шубина Т.В.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
2
Михайлова М.П.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
2
Моисеев К.Д.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
2
Степанов М.В.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
2
Тишковский Е.Г.
Институт физики полупроводников им. А.В. Ржанова Сибирского отделения Российской академии наук, Новосибирск, Россия
2
Мокеров В.Г.
Институт радиотехники и электроники Российской академии наук, Москва, Россия
2
Галиев Г.Б.
Институт радиотехники и электроники Российской академии наук, Москва, Россия
2
Лозовик Ю.Е.
Институт спектроскопии РАН, Троицк, Москва, Россия
2
Караваев Г.Ф.
Сибирский физико-технический институт им. акад. В.Д. Кузнецова Томского государственного университета, Томск, Россия
2
Качурин Г.А.
Институт физики полупроводников им. А.В. Ржанова Сибирского отделения Российской академии наук, Новосибирск, Россия
2
Тысченко И.Е.
Институт физики полупроводников им. А.В. Ржанова Сибирского отделения Российской академии наук, Новосибирск, Россия
2
Скорупа В.
Исследовательский центр Россендорф, Д- Дрезден, Германия
2
Янков Р.А.
Исследовательский центр Россендорф, Д- Дрезден, Германия
2
Гусев О.Б.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
2
Хохлов Д.А.
Нижегородский государственный университет им. Н.И. Лобачевского, Нижний Новгород, Россия
2
Соколов В.И.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
2
Скипетров Е.П.
Московский государственный университет им. М.В. Ломоносова (физический факультет), Москва, Россия
2
Ковалев Б.Б.
Московский государственный университет им. М.В. Ломоносова (физический факультет), Москва, Россия
2
Скипетрова Л.А.
Московский государственный университет им. М.В. Ломоносова (физический факультет), Москва, Россия
2
Зверева Е.А.
Московский государственный университет им. М.В. Ломоносова (физический факультет), Москва, Россия
2
Соболев Н.А.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
2
Бочкарева Н.И.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
2
Клочков А.В.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
2
Дмитриев С.Г.
Институт радиотехники и электроники Российской академии наук, Фрязино, Россия
2
Маркин Ю.В.
Институт радиотехники и электроники Российской академии наук, Фрязино, Россия
2
Миньков Г.М.
Уральский университет, Екатеринбург, Россия
2
Рут О.Э.
Уральский университет, Екатеринбург, Россия
2
Германенко А.В.
Уральский университет, Екатеринбург, Россия
2
Субашиев А.В.
Государственный технический университет, Санкт-Петербург, Россия
2
Евтихиев В.П.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
2
Токранов В.Е.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
2
Титков А.Н.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
2
Тарасов И.С.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
2
Пулторак Е.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
1
Кудряшов В.Е.
Московский институт стали и сплавов, Москва, Россия
1
Владимирова М.Р.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
1
Казанский А.Г.
Московский государственный университет им. М.В. Ломоносова, Москва, Россия
1
Симашкевич А.В.
Молдавский государственный университет, Кишинев, Молдова
1
Гасанов Х.А.
Бакинский государственный университет, Баку, Азербайджан
1
Брудный В.Н.
Сибирский физико-технический институт им. акад. В.Д. Кузнецова Томского государственного университета, Томск, Россия
1
Тюрин А.Е.
Физический институт им. П.Н. Лебедева Российской академии наук, Москва, Россия
1
Новиков В.А.
Cибирский физико-технический институт им. В.Д. Кузнецова, Томск, Россия
1
Красовицкий Д.М.
Санкт-Петербургский государственный технический университет, Санкт-Петербург, Россия
1
Мильвидский М.Г.
Государственный научно-исследовательский и проектный институт редкометаллической промышленности (ГИРЕДМЕТ), Москва, Россия
1
Ханин Ю.Н.
Институт проблем технологии микроэлектроники и особочистых материалов Российской академии наук, Черноголовка, Россия
1
Шенгуров Д.В.
Нижегородский государственный университет им. Н.И. Лобачевского, Нижний Новгород, Россия
1
Иванова А.В.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
1
Прокофьев Т.А.
Днепропетровский государственный университет, Днепропетровск, Украина
1
Гашимова Т.Ш.
Институт физики Национальной академии наук Азербайджана, Баку, Азербайджан
1
Арапов Ю.Г.
Институт физики металлов им. М.Н. Михеева Уральского отделения Российской академии наук, Екатеринбург, Россия
1
Гуриева Е.А.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
1
Планель Р.
Центр национальных научных исследований, Лаборатория микроструктур и микроэлектроники, Багню, Франция
1
Шаронова Л.В.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
1
Лапейка В.А.
Вильнюсский педагогический университет, Вильнюс, Литва
1
Tanaka Keiji
Department of Applied Physics, Faculty of Engineering, Hokkaido University, Sapporo 060, Japan
1
Емельянова Е.В.
Московский государственный инженерно-физический институт (технический университет), Москва, Россия
1
Бондоков Р.Ц.
Санкт-Петербургский государственный электротехнический университет "ЛЭТИ" им. В.И. Ульянова (Ленина), Санкт-Петербург, Россия
1
Студеникин С.А.
Институт физики полупроводников им. А.В. Ржанова Сибирского отделения Российской академии наук, Новосибирск, Россия
1
Серенков И.Т.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
1
Козлов Д.В.
Институт физики микроструктур Российской академии наук, Нижний Новгород, Россия
1
Елизаров В.А.
Институт физики Дагестанского научного центра Российской академии наук, Махачкала, Россия
1
Малинин А.
Electron Physics Laboratory, Helsinky University of Technology, Otakaary 7A, FI ESPOO, Finland
1
Кузнецов А.Н.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
1
Романюк А.Б.
Институт физики полупроводников Национальной академии наук Украины, Киев, Украина
1
Ханова А.В.
Научно-производственное объединение им. С.А. Лавочкина, Химки, Россия
1
Организация
Статей
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
108
Санкт-Петербургский государственный технический университет, Санкт-Петербург, Россия
22
Институт физики полупроводников им. А.В. Ржанова Сибирского отделения Российской академии наук, Новосибирск, Россия
19
Институт физики полупроводников Национальной академии наук Украины, Киев, Украина
15
Нижегородский государственный университет им. Н.И. Лобачевского, Нижний Новгород, Россия
8
Санкт-Петербургский государственный электротехнический университет "ЛЭТИ" им. В.И. Ульянова (Ленина), Санкт-Петербург, Россия
7
Физический институт им. П.Н. Лебедева Российской академии наук, Москва, Россия
7
Московский государственный университет им. М.В. Ломоносова, Москва, Россия
6
Московский государственный университет им. М.В. Ломоносова (физический факультет), Москва, Россия
5
Институт физики микроструктур Российской академии наук, Нижний Новгород, Россия
4
Институт физики Национальной академии наук Украины, Киев, Украина
4
Сибирский физико-технический институт им. акад. В.Д. Кузнецова Томского государственного университета, Томск, Россия
4
Институт радиотехники и электроники Российской академии наук, Москва, Россия
4
Государственный технический университет, Санкт-Петербург, Россия
3
Институт физики Национальной академии наук Азербайджана, Баку, Азербайджан
3
Институт общей физики Российской академии наук, Москва, Россия
3
Всероссийский электротехнический институт им. В.И. Ленина, Москва, Россия
3
Белорусский государственный университет информатики и радиоэлектроники, Минск, Беларусь
3
Институт радиотехники и электроники Российской академии наук, Фрязино, Россия
3
Санкт-Петербургская государственная педиатрическая медицинская академия, Санкт-Петербург, Россия
3
Московский институт стали и сплавов, Москва, Россия
2
Ереванский государственный университет, Ереван, Армения
2
Молдавский государственный университет, Кишинев, Молдова
2
Черновицкий государственный университет, Черновцы, Украина
2
Institut fur Festkorperphysik, Technische Universitat Berlin, Berlin, Germany
2
Московский институт электронной техники, Москва, Россия
2
Государственный университет информатики и радиоэлектроники, Минск, Белоруссия
2
Институт физики металлов им. М.Н. Михеева Уральского отделения Российской академии наук, Екатеринбург, Россия
2
Временный адрес: Центр высокотехнологичных материалов, Университет Нью-Мексико, Альбукерке, США
2
Институт проблем технологии микроэлектроники и особочистых материалов Российской академии наук, Черноголовка, Россия
2
Технический университет, Мюнхен, Гархинг, Германия
2
Институт спектроскопии РАН, Троицк, Москва, Россия
2
Черновицкий государственный университет им. Ю. Федьковича, Черновцы, Украина
2
Донбасская государственная машиностроительная академия, Краматорск, Украина
2
Национальный исследовательский Томский государственный университет, Томск, Россия
2
Научно-исследовательский физико-технический институт Нижегородского государственного университета им. Н.И. Лобачевского, Нижний Новгород, Россия
2
Нахичеванский государственный университет им. Ю.Г. Мамедалиева Азербайджанской Республики Нахичевань, Азербайджан
1
Институт сенсорной микроэлектроники Сибирского отделения Российской академии наук, Омск, Россия
1
Московский государственный университет им М.В.Ломоносова, Москва, Россия
1
Государственный университет Молдовы, Кишинев, Молдавия
1
Университет Технологии. Нагаока. Ниигата 940--21. Япония
1
Институт аналитического приборостроения Российской академии наук, Санкт-Петербург, Россия
1
Institute fur Festkorperphysik, Berliner Technische Universitat, Berlin, Germany
1
K.U. Leuven,, Heverlee, Belgium
1
Институт прикладных физических проблем им. А.Н. Севченко Белорусского государственного университета, Минск, Республика Беларусь
1
Белорусский государственный аграрный технический университет, Минск, Белоруссия
1
Научно-исследовательский институт физики Санкт-Петербургского государственного университета, Санкт-Петербург, Россия
1
Тбилисский государственный университет, Тбилиси, Грузия
1
Национальный исследовательский центр "Курчатовский институт", Москва, Россия
1
Научно-исследовательский центр прикладных проблем электродинамики Российской академии наук, Москва, Россия
1