"Физика и техника полупроводников"
Издателям
Вышедшие номера
Home » Физика и техника полупроводников » Издателям » Статистика
Общее количество статей:
9784
Распределение статей по годам:
517
490
469
411
345
329
302
266
295
311
285
292
278
262
263
259
256
277
251
260
244
294
288
284
279
295
305
301
303
316
330
127

Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов. Дата начала обработки информации по просмотрам - 27 января 2016 г.

За 1998 год:
Статья
Просмотров
История и будущее полупроводниковых гетероструктур
108
Гетероструктуры с квантовыми точками: получение, свойства, лазеры О б з о р
35
Генерация в двухбарьерной резонансно-туннельной структуре, стабилизированная микрополосковым резонатором
22
К вопросу об учете растекания тока в полупроводнике при определении переходного сопротивления омических контактов
20
Коротковолновая фотолюминесценция слоев SiO2, имплантированных большими дозами ионов Si+, Ge+ и Ar+
19
Влияние условий получения и отжига на оптические свойства аморфного кремния
19
Физическая модель и результаты численного моделирования деградации Si/SiO2-структуры при отжиге в вакууме
19
Формирование квантовых точек InAs в матрице GaAs при росте на разориентированных подложках
18
Поглощение света в непериодических сверхрешетках PbS/C в электрическом поле
18
Влияние кристаллографической ориентации поверхности роста при молекулярно-лучевой эпитаксии на оптические свойства легированных кремнием слоев арсенида галлия
17
Переходные процессы в фотокатодах при больших интенсивностях лазерного излучения
17
Влияние исходного уровня легирования бором на его распределение, возникающее при термообработке в облученном ионами бора кремнии
17
Подпороговые характеристики транзисторов и тиристоров с электростатическим управлением. I. Мелкий планарный затвор
17
Учет кулоновского взаимодействия электронов и дырок в квантовых точках на основе InGaN
17
Возбужденные состояния ионов халькогенов в германии
16
Структура слоев индия в низкотемпературном арсениде галлия и ее изменение при отжиге в интервале температур 500--700oC
16
О зависимости диэлектрических и оптических свойств широкозонных полупроводников от давления
16
Электрические свойства твердых растворов на основе GaSb (GaInAsSb, GaAlSb, GaAlAsSb) в зависимости от состава
16
Особенности электрической компенсации примеси висмута в PbSe
16
Неравновесная сегрегация фосфора в системе диоксид кремния--кремний
16
Статья
Просмотров
История и будущее полупроводниковых гетероструктур
11655
Гетероструктуры с квантовыми точками: получение, свойства, лазеры О б з о р
4410
Халькогенидная пассивация поверхности полупроводников AIIIBV О б з о р
2659
Генерация в двухбарьерной резонансно-туннельной структуре, стабилизированная микрополосковым резонатором
2162
К вопросу об учете растекания тока в полупроводнике при определении переходного сопротивления омических контактов
2096
Температурная зависимость обратного тока в диодах с барьером Шоттки
1994
Поглощение света и фотолюминесценция пористого кремния
1741
Особенности роста квантовых точек InAs на вицинальной поверхности GaAs (001), разориентированной в направлении [010]
1623
Свойства периодических структур a-Si : Hm/a-SiNx : H, полученных нитридизацией слоев аморфного кремния
1581
Неравновесная сегрегация фосфора в системе диоксид кремния--кремний
1559
Вольтъемкостное профилирование барьеров Шоттки Au / n-GaAs, содержащих слой самоорганизованных квантовых точек InAs
1487
Электрические свойства твердых растворов на основе GaSb (GaInAsSb, GaAlSb, GaAlAsSb) в зависимости от состава
1482
Нормальные решеточные колебания и кристаллическая структура анизотропных модификаций нитрида бора
1396
Энергетический спектр неидеальной квантовой ямы в электрическом поле
1365
Аккумуляция электронов в слоях GaAs, выращенных при низкой температуре и содержащих кластеры мышьяка
1341
Возбужденные состояния ионов халькогенов в германии
1335
Коротковолновая фотолюминесценция слоев SiO2, имплантированных большими дозами ионов Si+, Ge+ и Ar+
1328
Сверхрешетка кластеров мышьяка в арсениде галлия, выращенном молекулярно-лучевой эпитаксией при низкой температуре
1295
Влияние исходного уровня легирования бором на его распределение, возникающее при термообработке в облученном ионами бора кремнии
1279
Влияние дозы и режима отжигов на формирование центров люминесценции в SiO2, имплантированном ионами Si
1267
Формирование квантовых точек InAs в матрице GaAs при росте на разориентированных подложках
1248
Непрерывная генерация при 293 K РО ДГС лазеров с одним слоем InAs квантовых точек в активной области, выращенных на вицинальных поверхностях GaAs (001), разориентированных в направлении [010]
1235
Электрон-фононное взаимодействие и подвижность электронов в квантово-размерных структурах II типа PbTe / PbS
1224
Квантовые поправки к проводимости двумерной системы с антиточками
1187
Термическое расширение и характеристики прочности межатомной связи в расплавах соединений AIIIBV (AlSb, InSb, GaSb, InAs, GaAs)
1180
Влияние изовалентного легирования индием на избыток мышьяка в арсениде галлия, выращиваемом методом молекулярно-лучевой эпитаксии при низкой температуре
1176
Межзонное поглощение длинноволнового излучения в delta-легированных сверхрешетках на основе монокристаллических широкозонных полупроводников
1148
Наноразмерные атомные кластеры в полупроводниках --- новый подход к формированию свойств материалов О б з о р
1134
Особенности проявления магниторезистивных эффектов в магнитозависимом микроволновом поглощении вырожденного n-InAs
1126
Особенности электрической компенсации примеси висмута в PbSe
1126
Люминесценция p-n-гетероструктур InGaN/AlGaN/GaN при ударной ионизации
1117
Физическая модель и результаты численного моделирования деградации Si/SiO2-структуры при отжиге в вакууме
1107
Фазовые переходы, происходящие в халькогенидных стеклообразных полупроводниках при воздействии на них импульсами электрического поля и лазерного излучения
1106
On the transport properties of microcrystalline silicon at low temperatures
1096
Генерация гармоник в квантово-размерных структурах в сильном электромагнитном поле
1095
Теория переноса заряда в поликристаллических полупроводниках с глубокими примесными центрами
1091
Деградация туннельных МОП структур при высокой плотности тока
1088
Термоэлектрические сплавы на основе теллурида олова
1077
Электрические свойства кремния, термообработанного при 530oC и облученного электронами
1075
Исследование структуры поверхности слоев диоксида олова для газовых сенсоров атомно-силовой микроскопией
1068
Немонотонный характер зависимости сопротивления пленок поликристаллического кремния от температуры роста
1066
Doping in metal chalcogenide glasses
1052
Излучение квантово-размерных структур InGaAs I. Спектры спонтанного излучения
1050
Проявление процесса денейтрализации подвижного заряда в SiO2 при спектроскопии границы раздела кремний--окисел
1050
Энергия связи экситонно-примесных комплексов в полупроводниках со структурой алмаза и цинковой обманки
1044
Вклад легких дырок в эффект Холла для сложной валентной зоны германия и его зависимость от уровня легирования
1043
Модулированная лазерным излучением эпитаксия теллурида свинца
1036
О природе марганцевых центров свечения в монокристаллах сульфида цинка
1032
Влияние условий получения и отжига на оптические свойства аморфного кремния
1031
Излучение квантово-размерных структур InGaAs. II. Форм-фактор однородного уширения
1022
Автор
Организация
Статей
Рудь Ю.В.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
11
Рудь В.Ю.
Санкт-Петербургский государственный технический университет, Санкт-Петербург, Россия
11
Устинов В.М.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
6
Алферов Ж.И.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
6
Копьев П.С.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
6
Чалдышев В.В.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
6
Яковлев Ю.П.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
6
Теруков Е.И.
Санкт-Петербургский государственный технический университет, Санкт-Петербург, Россия
5
Шерстнев В.В.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
5
Преображенский В.В.
Институт физики полупроводников им. А.В. Ржанова Сибирского отделения Российской академии наук, Новосибирск, Россия
5
Путято М.А.
Институт физики полупроводников им. А.В. Ржанова Сибирского отделения Российской академии наук, Новосибирск, Россия
5
Голикова О.А.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
5
Журавлев К.С.
Институт физики полупроводников им. А.В. Ржанова Сибирского отделения Российской академии наук, Новосибирск, Россия
5
Семягин Б.Р.
Институт физики полупроводников им. А.В. Ржанова Сибирского отделения Российской академии наук, Новосибирск, Россия
5
Боднарь И.В.
Государственный университет информатики и радиоэлектроники, Минск, Белоруссия
5
Леденцов Н.Н.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
5
Берт Н.А.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
5
Жуков А.Е.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
5
Машин А.И.
Нижегородский государственный университет им. Н.И. Лобачевского, Нижний Новгород, Россия
4
Полянская Т.А.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
4
Цацульников А.Ф.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
4
Пляцко С.В.
Институт физики полупроводников Национальной академии наук Украины, Киев, Украина
4
Лебедев А.А.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
4
Алешкин В.Я.
Институт физики микроструктур Российской академии наук, Нижний Новгород, Россия
4
Немов С.А.
Санкт-Петербургский государственный технический университет, Санкт-Петербург, Россия
4
Егоров А.Ю.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
4
Кудоярова В.Х.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
4
Мусихин Ю.Г.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
4
Ковш А.Р.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
4
Суворова А.А.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
3
Резников Б.И.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
3
Бимберг Д.
Institute fur Festkorperphysik, Berliner Technische Universitat, Berlin, Germany
3
Сресели О.М.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
3
Фалеев Н.Н.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
3
Куницын А.Е.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
3
Белогорохов А.И.
Московский государственный университет им. М.В. Ломоносова, Москва, Россия
3
Коугия К.В.
Санкт-Петербургская государственная педиатрическая медицинская академия, Санкт-Петербург, Россия
3
Аллен Т.Ю.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
3
Кюрегян А.С.
Всероссийский электротехнический институт им. В.И. Ленина, Москва, Россия
3
Иванов-Омский В.И.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
3
Воловик Б.В.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
3
Нажмудинов Х.Г.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
3
Лебедев Э.А.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
3
Шамирзаев Т.С.
Институт физики полупроводников им. А.В. Ржанова Сибирского отделения Российской академии наук, Новосибирск, Россия
3
Третьяков В.В.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
3
Гременок В.Ф.
Государственный университет информатики и радиоэлектроники, Минск, Белоруссия
3
Савельев И.Г.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
3
Якушева Н.А.
Институт физики полупроводников им. А.В. Ржанова Сибирского отделения Российской академии наук, Новосибирск, Россия
3
Ершов А.В.
Нижегородский государственный университет им. Н.И. Лобачевского, Нижний Новгород, Россия
3
Караванский В.А.
Институт общей физики Российской академии наук, Москва, Россия
3
Организация
Статей
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
106
Санкт-Петербургский государственный технический университет, Санкт-Петербург, Россия
22
Институт физики полупроводников им. А.В. Ржанова Сибирского отделения Российской академии наук, Новосибирск, Россия
18
Институт физики полупроводников Национальной академии наук Украины, Киев, Украина
15
Нижегородский государственный университет им. Н.И. Лобачевского, Нижний Новгород, Россия
8
Физический институт им. П.Н. Лебедева Российской академии наук, Москва, Россия
7
Санкт-Петербургский государственный электротехнический университет, Санкт-Петербург, Россия
5
Московский государственный университет им. М.В. Ломоносова, Москва, Россия
5
Московский государственный университет им. М.В. Ломоносова (физический факультет), Москва, Россия
5
Институт физики микроструктур Российской академии наук, Нижний Новгород, Россия
4
Институт физики Национальной академии наук Украины, Киев, Украина
4
Сибирский физико-технический институт им. акад. В.Д. Кузнецова Томского государственного университета, Томск, Россия
4
Институт радиотехники и электроники Российской академии наук, Москва, Россия
4
Государственный технический университет, Санкт-Петербург, Россия
3
Институт физики Национальной академии наук Азербайджана, Баку, Азербайджан
3
Институт общей физики Российской академии наук, Москва, Россия
3
Всероссийский электротехнический институт им. В.И. Ленина, Москва, Россия
3
Белорусский государственный университет информатики и радиоэлектроники, Минск, Беларусь
3
Институт радиотехники и электроники Российской академии наук, Фрязино, Россия
3
Санкт-Петербургская государственная педиатрическая медицинская академия, Санкт-Петербург, Россия
3
Санкт-Петербургский электротехнический университет, Санкт-Петербург, Россия
2
Московский институт стали и сплавов, Москва, Россия
2
Молдавский государственный университет, Кишинев, Молдова
2
Черновицкий государственный университет, Черновцы, Украина
2
Institut fur Festkorperphysik, Technische Universitat Berlin, Berlin, Germany
2
Московский институт электронной техники, Москва, Россия
2
Государственный университет информатики и радиоэлектроники, Минск, Белоруссия
2
Институт физики металлов им. М.Н. Михеева Уральского отделения Российской академии наук, Екатеринбург, Россия
2
Временный адрес: Центр высокотехнологичных материалов, Университет Нью-Мексико, Альбукерке, США
2
Институт проблем технологии микроэлектроники и особо чистых материалов Российской академии наук, Черноголовка, Россия
2
Технический университет, Мюнхен, Гархинг, Германия
2
Институт спектроскопии Российской академии наук, Троицк, Россия
2
Черновицкий государственный университет им. Ю. Федьковича, Черновцы, Украина
2
Донбасская государственная машиностроительная академия, Краматорск, Украина
2
Национальный исследовательский Томский государственный университет, Томск, Россия
2
Научно-исследовательский физико-технический институт Нижегородского государственного университета им. Н.И. Лобачевского, Нижний Новгород, Россия
2
Нахичеванский государственный университет им. Ю.Г. Мамедалиева Азербайджанской Республики Нахичевань, Азербайджан
1
Институт сенсорной микроэлектроники Сибирского отделения Российской академии наук, Омск, Россия
1
Московский государственный университет им М.В.Ломоносова, Москва, Россия
1
Государственный университет Молдовы, Кишинев, Молдавия
1
Университет Технологии. Нагаока. Ниигата 940--21. Япония
1
Институт аналитического приборостроения Российской академии наук, Санкт-Петербург, Россия
1
Institute fur Festkorperphysik, Berliner Technische Universitat, Berlin, Germany
1
Ереванский государственный университет, Ереван, Республика Армения
1
Московский государственный университет им. М.В.Ломоносова, Москва, Россия
1
K.U. Leuven,, Heverlee, Belgium
1
Научно-исследовательский институт прикладных физических прлблем им. А.Н.Севченко, Минск, Белоруссия
1
Белорусский государственный аграрный технический университет, Минск, Белоруссия
1
Научно-исследовательский институт физики Санкт-Петербургского государственного университета, Санкт-Петербург, Россия
1
Тбилисский государственный университет, Тбилиси, Грузия
1

Учредители

Издатель

© 2019 Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук
Powered by webapplicationthemes.com - High quality HTML Theme