Физика и техника полупроводников

Авторам

Правила оформления публикаций

Вышедшие номера

2024
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9
2023
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9
2022
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2021
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2020
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2019
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2018
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 13
2017
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2016
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2015
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2014
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2013
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2012
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2011
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2010
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2009
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2008
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2007
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2006
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2005
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2004
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2003
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2002
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2001
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2000
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1999
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1998
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1997
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1996
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1995
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1994
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1993
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1992
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1991
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1990
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1989
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1988
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12

Излучение квантово-размерных структур InGaAs I. Спектры спонтанного излучения

Елисеев П.Г.¹, Акимова И.В.²

¹Временный адрес: Центр высокотехнологичных материалов, Университет Нью-Мексико, Альбукерке, США
²Физический институт им. П.Н. Лебедева Российской академии наук, Москва, Россия Lebedev Physical Institute, Russian Academy of Sciences, Moscow, Russia

Lebedev Physical Institute, Russian Academy of Sciences, Moscow, Russia

Поступила в редакцию: 13 октября 1997 г.

Выставление онлайн: 19 марта 1998 г.

PDF версия

Абстракт
Литература
Статистика просмотров

Экспериментально изучены спектры спонтанного излучения напряженных квантовых ям InGaAs при 4.2/286 K при токе накачки до ~ 9.2 кА· см^-2 в спектральном диапазоне 1.2/1.5 эВ. Дана интерпретация наблюдаемых полос. В спектре доминирует переход 1e-1hh (поляризация TE), положение пика которого практически не зависит от тока. Не обнаружено признаков "красного" смещения, которое ожидается при высокой концентрации носителей. Идентифицированы слабые запрещенные переходы (1e-2hh и др.). Длинноволновый край полосы следует экспоненциальному спаду, аналогично известному правилу Урбаха для края поглощения.

I.V. Akimova, P.G. Eliseev. Proc. SPIE, 2693, 640 (1996)
W.W. Chow, S.W. Koch, M. Sargent, III. Semiconductor Laser Physics (Springer Verlag, Berlin et al., 1994) p. 94
C.-F. Hsu, P.S. Zory, C.-H. Wu, M.A. Emanuel. IEEE J. Select. Topics Quant. Electron., 3, 158 (1997)
П.Г. Елисеев, Г. Байстер, А.Е. Дракин, И.В. Акимова, Г. Эрберт, Ю. Меге, Ю. Себастиан. Квант. электрон., 22, 309 (1995)
P.G. Eliseev, A.E. Drakin. Proc SPIE, 2399, 302 (1995)
F. Urbach. Phys. Rev., 92, 1324 (1953)
Y. Toyozawa. Progr. Theor. Phys., 20, 53 (1958)
M. Schreiber, T. Toyozawa. J. Phys. Soc. Japan, 51, 1528 (1982)
M.V. Kurik. Phys. St. Sol. (a), 8, 9 (1971)
B. Deveaud, F. Clerot, K. Fujivara, K. Mitsunaga. Appl. Phys. Lett., 58, 485 (1991)

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.

Учредители

Издатель