Излучение квантово-размерных структур InGaAs I. Спектры спонтанного излучения
Елисеев П.Г.1, Акимова И.В.2
1Временный адрес: Центр высокотехнологичных материалов, Университет Нью-Мексико, Альбукерке, США
2Физический институт им. П.Н. Лебедева Российской академии наук, Москва, Россия
Поступила в редакцию: 13 октября 1997 г.
Выставление онлайн: 19 марта 1998 г.
Экспериментально изучены спектры спонтанного излучения напряженных квантовых ям InGaAs при 4.2/286 K при токе накачки до ~ 9.2 кА· см-2 в спектральном диапазоне 1.2/1.5 эВ. Дана интерпретация наблюдаемых полос. В спектре доминирует переход 1e-1hh (поляризация TE), положение пика которого практически не зависит от тока. Не обнаружено признаков "красного" смещения, которое ожидается при высокой концентрации носителей. Идентифицированы слабые запрещенные переходы (1e-2hh и др.). Длинноволновый край полосы следует экспоненциальному спаду, аналогично известному правилу Урбаха для края поглощения.
- I.V. Akimova, P.G. Eliseev. Proc. SPIE, 2693, 640 (1996)
- W.W. Chow, S.W. Koch, M. Sargent, III. Semiconductor Laser Physics (Springer Verlag, Berlin et al., 1994) p. 94
- C.-F. Hsu, P.S. Zory, C.-H. Wu, M.A. Emanuel. IEEE J. Select. Topics Quant. Electron., 3, 158 (1997)
- П.Г. Елисеев, Г. Байстер, А.Е. Дракин, И.В. Акимова, Г. Эрберт, Ю. Меге, Ю. Себастиан. Квант. электрон., 22, 309 (1995)
- P.G. Eliseev, A.E. Drakin. Proc SPIE, 2399, 302 (1995)
- F. Urbach. Phys. Rev., 92, 1324 (1953)
- Y. Toyozawa. Progr. Theor. Phys., 20, 53 (1958)
- M. Schreiber, T. Toyozawa. J. Phys. Soc. Japan, 51, 1528 (1982)
- M.V. Kurik. Phys. St. Sol. (a), 8, 9 (1971)
- B. Deveaud, F. Clerot, K. Fujivara, K. Mitsunaga. Appl. Phys. Lett., 58, 485 (1991)
Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.
Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.
