"Физика и техника полупроводников"
Вышедшие номера
Подвижность носителей заряда в двухслойных структурах PbTe / PbS
Александрова О.А.1, Бондоков Р.Ц.1, Саунин И.В.1, Таиров Ю.М.1
1Санкт-Петербургский государственный электротехнический университет "ЛЭТИ" им. В.И. Ульянова (Ленина), Санкт-Петербург, Россия
Поступила в редакцию: 7 апреля 1998 г.
Выставление онлайн: 20 августа 1998 г.

Методом горячей стенки на подложках BaF2 выращены эпитаксиальные гетероструктуры p-PbTe / n-PbS. Проанализированы зависимости эффективной подвижности носителей заряда, измеренной с помощью эффекта Холла, от толщины и от температуры в диапазонах 0.1/2 мкм и 100/300 K соответственно. Обнаружено, что эта подвижность зависит как от толщины образца, так и от толщины составляющих его слоев. Произведен расчет эффективной подвижности в предположении рассеяния носителей заряда на поверхности структуры и на дислокациях, образующихся на гетерогранице.
  1. С.С. Борисова, И.Ф. Михайлов, Л.С. Палатник, А.Ю. Сипатов, А.И. Федоренко, Л.П. Шпаковская. Кристаллография, 34, 716 (1989)
  2. С.Н. Давиденко, Ф.Ф. Сизов, В.В. Тетеркин. Укр. физ. журн., 38, 938 (1993)
  3. Т.А. Гаврикова, В.А. Зыков. ФТП, 31, 1342 (1997)
  4. С.Л. Милославов, И.В. Саунин, Д.А. Яськов. Изв. АН СССР. Неорг. матер., 19, 55 (1983)
  5. В.П. Зломанов, А.В. Новоселова. P-T-x- диаграммы состояния систем металл--халькоген (М., Наука, 1987)
  6. P.R. Vaya, J. Majhi, B.S.V. Gopalam, C.D. Dattarreyan. Phys. St. Sol. ( a), 87, 341 (1985)
  7. R.L. Ramey, W.D. McLennan. J. Appl. Phys., 38 3491 (1967)
  8. D.L. Dexter, F. Seitz. Phys. Rev., 86, 964 (1952)
  9. Е.В. Кучис. Гальваномагнитные эффекты и методы их исследования (М., Радио и связь, 1990)
  10. К.Л. Чопра. Электрические явления в тонких пленках (М., Мир, 1972)
  11. Ю.И. Равич, Б.А. Ефимова, И.А. Смирнов. Методы исследования полупроводников в применении к халькогенидам свинца PbTe, PbSe, PbS (М., Наука, 1968)
  12. Ю.В. Кочетков, В.Н. Никифоров, О.Н. Васильева, А.М. Гаськов. Вестн. МГУ. Сер. 3, Физика, астрономия, 35, 68 (1994)
  13. С.И. Пекар. ФТТ, 8, 1115 (1966)
  14. Ю.В. Корнюшин, Л.С. Мима, О.В. Третьяк. ФТП, 15, 2159 (1981)
  15. Г. Матаре. Электроника дефектов в полупроводниках (М., Мир, 1974)

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.