"Физика и техника полупроводников"
Вышедшие номера
Многочастичные эффекты при туннелировании электронов в структуре металл--изолятор--полупроводник p-типа
Миньков Г.М.1, Германенко А.В.1, Рут О.Э.1
1Институт физики и прикаладной математики при Уральском государственном университете, Екатеринбург, Россия
Поступила в редакцию: 13 октября 1997 г.
Выставление онлайн: 20 августа 1998 г.

Исследована туннельная проводимость структур, изготовленных на сильно легированном узкощелевом полупроводнике p-типа HgCdTe. Обнаружено резкое возрастание туннельной проводимости sigmad(V) при напряжениях, соответствующих началу туннелирования в зону проводимости. Показано, что наблюдаемые зависимости sigmad(V) не удается описать в рамках модели одночастичного туннелирования. Предположено, что резкий рост sigmad(V) связан с туннелированием в экситонные состояния.
  1. Туннельные явления в твердых телах (М., Мир, 1973)
  2. B.L. Altshuler, A.G. Aronov. Sol. St. Commum., 30, 115 (1979)
  3. Г.М. Миньков, О.Э. Рут, В.А. Ларионова, Л.В. Германенко. ЖЭТФ, 105, 719 (1994)
  4. P. Sobkowicz, Semicond. Sci. Technol., 5, 183 (1990)
  5. A.V. Germannko, G.M. Minkov, V.A. Larionova, O.E. Rut, C.R. Becker, G. Landwehr. Phys. Rev. B, 52, 17 254 (1995)
  6. L.S. Levitov, A.V. Shutov. Preprint: cond-mat / 9501130, cond-mat / 9607136

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.