"Физика и техника полупроводников"
Вышедшие номера
О токопереносе в пористом p-Si и структурах Pd--<пористый Si>
Слободчиков С.В.1, Салихов Х.М.1, Руссу Е.В.1
1Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
Поступила в редакцию: 9 февраля 1998 г.
Выставление онлайн: 20 августа 1998 г.

Исследованы механизмы токопрохождения в температурном интервале 78/300 K в пористом p-Si и структурах Pd--p-por-Si. Показано, что при 78 K определяющим является дрейфовый перенос при участии глубоких ловушек с концентрацией Nt~1.3·1013 см-3. При более высоких температурах преобладает диффузионный механизм с I~ exp(-qV/nkT) и n=10/20. Процессы релаксации обратного тока и фототока (восходящая ветвь) носят затяжной характер (до t~=100 с) и определяются влиянием ловушек с глубиной Et=0.80 эВ. Температурный ход фототока (без смещения) связан с рекомбинацией на уровне Er=0.12 и его величина в основном зависит от вклада базовой области диодной структуры.
  1. C. Peng, K.D. Hirschman, P.M. Fauchet. J. Appl. Phys., 80. 295 (1996)
  2. F. Namavar, H.P. Maruska, N.M. Kalkhoran. Appl. Phys. Lett., 60, 2514 (1992)
  3. С.В. Слободчиков, Х.М. Салихов, Е.В. Руссу, М.М. Мередов, А.И. Язлыева. ФТП, 31, 15 (1977)
  4. A. Rose. Phys. Rev., 97, 1538 (1955)
  5. Э.И. Адирович, П.М. Карагеоргий-Алкалаев, А.Ю. Лейдерман. Токи двойной инжекции в полупроводниках (М., Наука, 1978) с. 73, 118--122
  6. R.H. Bube. J. Appl. Phys., 34, 3309 (1963)
  7. J. Wang. J. Appl. Phys., 75, 332 (1984)

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.